Sunteți pe pagina 1din 44

Fundamente de  inginerie

electronica

Prof.dr.ing. Dorina Isar


Prof.dr.ing. Dorina Isar
Componente electronice
Componente  electronice
• 1. Componente electronice pasive = rezistoare, condensatoare, 
inductoare …
(Se numesc pasive pentru că un circuit realizat doar cu aceste componente 
nu poate amplifica sau prelucra un semnal electric, nu poate realiza 
conversia energiei dintr‐o formă în alta.) 

• p
2. Componentele electronice active = tranzistoare,, diode, circuite 
,
integrate analogice și digitale, microcontrolere, microprocesoare ...  

• Ambele tipuri de componente sunt la fel de importante în electronică, 
Ambele tipuri de componente sunt la fel de importante în electronică
deoarece funcțiile pe care trebuie să le realizeze componentele active nu 
pot fi implementate fără ajutorul rezistoarelor, condensatoarelor sau 
inductoarelor.
Rezistorul
• Rezistorul reprezintă o componentă pasivă de tip dipol, realizată în scopul 
obținerii unei impedanțe rezistive concentrată într‐un volum cât mai mic.
• Parametrul fundamental al rezistorului îl reprezintă rezistența electrică. De 
aceea în practică se utilizează și denumirea de rezistență pentru această
componentă.
• Aplicații: polarizarea componentelor active, controlul amplificării, fixarea unor 
constante de timp, divizarea tensiunii sau a curentului, adaptarea sarcinilor 
pentru diverse circuite, generarea căldurii etc.
• Majoritatea rezistoarelor utilizate sunt liniare adică au caractenstica U‐I Iiniară. 
Rezultă:   U/I=R este o constantă. 
• Există și rezistoare neliniare, a căror rezistență este puternic dependentă 
– de temperatură  pentru termistoare,
– de tensiune pentru varistoare sau
– de Iumina pentru fotorezistoare.
Divizor de tensiune
Divizor de  tensiune

• Este o rețea de rezistoare care 
furnizează o tensiune fixă sau 
variabilă.
• Cel  mai des este realizat din 
două rezistoare conectate în serie. 
• Presupunând că din nodul comun pentru R1 și R2 nu iese nici un curent 
din divizor, tot curentul va trece prin R1 și R2. 
• Legea lui OHM:
U OUT U IN U OUT U IN R2
i= ; i= ; ⇒ = ⇒ U OUT = U IN
R2 R1 + R 2 R2 R1 + R 2 R1 + R 2

• Exemplu: Daca  UIN= 9V, R1 = 1,6KΩ,  R2 = 2KΩ, calculați UOUT. 
• Raspuns: UOUT = 5V.
Efectul conectării unei 
rezistențe de sarcină
i d i ă
• In practică există un is.
• R2 și Rs sunt conectate în paralel
R2 și Rs sunt conectate în paralel. 
• Rezultă un UOUT mai mic decât  în 
cazul precedent.
• Exemplu: Dacă UIN= 9V, R1 = 
Exemplu: Dacă = 9V R1 =
1,6KΩ,  R2 = 2KΩ,  Rs = 3K Ω, 
calculati UOUT. 
2 ⋅103 ⋅ 3 ⋅103
R= = 1. 2 ⋅ 10 3
= 1200Ω
• Rezultatul arată că tensiunea  2 ⋅10 + 3 ⋅10
3 3

scade cu 1,14V când se  1200
conectează o astfel de sarcină.
o astfel de sarcină U OUT = 9⋅ = 3,86V
1200 + 1600
SOLUȚIE  GENERALĂ:  1. Conectarea unei sarcini pentru care curentul is  să fie foarte 
mic (cel puțin de 10 ori mai mic decât curentul prin divizor) SAU:
mic (cel puțin de 10 ori mai mic decât curentul prin divizor).   SAU:
2. Proiectarea unui divizor astfel încât curentul prin divizor să fie cel puțin de 10 ori 
mai mare decât is.
Divizoare variabile de tensiune
Divizoare variabile de tensiune
• Se utilizează un potențiometru.
SEMICONDUCTOARE
• Curentul electric este o mișcare ordonată de sarcini electrice. Intr‐un 
metal, un curent electric este o mișcare ordonată de electroni = sarcini 
electrice negative. Aceasta deoarece atomii de metal au e‐ din stratul de 
valență capabili să devină e‐ liberi și să se miște ordonat sub influența unui 
câmp electric extern.
â l
• Dpdv. al conductivității electrice un material semiconductor (Germaniu 
sau Siliciu) ocupă o poziție între materiale conductoare și dielectrice. 
• Conducția se realizează prin 2 categorii de purtători: electroni și goluri.
• Acești purtători au o anumită mobilitate putând da naștere la un curent 
electric de conducție sub influența unui câmp electric.
• Dispozitivele semiconductoare  se bazează pe conductibilitate extrinsecă
produsă prin impurificarea (dopare) cu substanțe străine.
Semiconductoare  de  tip n

• Dacă un semiconductor 
este dopat cu impurități 
pentavalente (antimoniu, 
fosfor, stibiu, arsen)
fosfor, stibiu, arsen) 
atomii de impuritate 
cedează cu  ușurință
câte un e‐ care devine liber.
câte un e care devine liber

• Acest tip de atomi de impuritate se numesc DONORI. Ei devin IONI POZITIVI
fixați în rețeaua cristalină Nr electronilor crește mult; electronii se numesc
fixați în rețeaua cristalină. Nr. electronilor crește mult; electronii se numesc 
purtători majoritari  în semiconductorul  de  tip  n.
Semiconductoare  de  tip p
• Dacă un semiconductor 
este dopat cu impurități 
trivalente (indiu, bor, 
galiu) atomii de impuritate 
captează cu  ușurință
câte un e‐ provenit de la 
atomii vecini conducând la
atomii vecini, conducând la
apariția de goluri.

• Acest tip de atomi de impuritate se numesc ACCEPTORI.
• Ei devin IONI  NEGATIVI fixați în rețeaua cristalină.
• Nr. de goluri va fi egal cu numărul de atomi de impuritate; golurile se numesc 
purtători majoritari în semiconductorul de tip p.
JONCTIUNE

GOL ELECTRON
JONCȚIUNEA PN
JONCȚIUNEA  PN
• Dacă într‐un semiconductor se 
realizează prin procedee speciale
prin procedee speciale
o zonă de tip p și o zonă de tip n astfel 
încât trecerea de la o zonă la cealaltă
să se facă
se facă pe o distanță
pe o distanță foarte  mică
foarte mică
(<10‐5mm), se obține o joncțiune pn. 
• Avem concentrații diferite în zonele p și n. 
Diferența de concentrații determină difuzia
Diferența de concentrații determină
purtătorilor majoritari dintr‐o zonă în alta.
• Sarcina ionilor ficși rămâne necompen‐
sată de către sarcina purtătorilor majoritari.
de către sarcina purtătorilor majoritari.
• In zona de separație apare o sarcină spațială
fixată în rețeaua cristalină. Această sarcină
spațială produce un câmp electric intern. 
Acesta este o barieră în calea difuziei 
purtătorilor de sarcină.
Polarizarea 
j ți ii
joncțiunii pn
• Joncțiunea pn este prevăzută cu două contacte 
metalice laterale în vederea conectării 
componentei în circuit.
• POLARIZAREA  INVERSĂ:  Dacă se aplică din 
exterior o tensiune cu borna   “‐” la p și borna “+” 
l
la n, câmpul datorat tensiunii exterioare mărește 
â ld i ii i ă
bariera de potențial. Curentul prin dispozitiv scade 
practic la zero.
• POLARIZARE DIRECTĂ: Dacă se aplică
POLARIZARE  DIRECTĂ: Dacă se aplică din exterior 
din exterior
o tensiune cu borna   “+” la p și borna “‐” la n, 
câmpul datorat tensiunii exterioare micșoreaza 
bariera de potențial. Curentul prin dispozitiv crește 
putând atinge valori mari dacă nu este limitat din 
exterior.

Dacă tensiunea din exterior este mai mare decât
tensiunea din exterior este mai mare decât 0,6 V
0 6 V (pentru dispozitiv construit pe 
(pentru dispozitiv construit pe
o pastilă de siliciu) se anulează câmpul intern și purtătorii de sarcină pot trece de 
cealaltă parte a regiunii de separare.
Dioda

• Jonctiunea pn are proprietatea neobișnuită
de a permite trecerea curentului doar într‐un singur sens (doar de la p la 
n). O joncțiune pn cu terminale se numește DIODA. 
• Terminalul diodei care este pozitiv când dioda este polarizata direct se 
numeste ANOD iar celălalt se numește CATOD.
• Caracteristica statică a diodei semiconductoare reprezintă
p dependența 
p ț
curentului prin dioda, numit curent anodic,  de tensiunea pe dioda
(dintre anod și catod), numită tensiune anodică.
• Caracteristica teoretică: ⎡ ⎛ a⎞ eU ⎤
i a = I s ⎢exp⎜ ⎟ − 1⎥
⎣ ⎝ kT ⎠ ⎦
kT
UT = = tensiune termica = 26mV / T = 300o K
e
Aplicații ale diodelor
Aplicații ale diodelor

• Redresoare
• Redresarea este procesul de transformare a energiei electromagnetice a 
unei surse de curent alternativ în energie electromagnetica de curent 
continuu pentru alimentarea unui element consumator.
p
• Redresarea cu mijloace electronice este posibilă datorită proprietății de 
conductibilitate unidirecțională a diodelor.
• Un domeniu în care se utilizează frecvent circuite cu diode pentru 
Un domeniu în care se utilizează frecvent circuite cu diode pentru
realizarea redresării tensiunii alternative este cel al surselor de alimentare.
Redresor 
ț
monoalternanță
• In semiperioada pozitivă (marcată 
pe desenul notat cu a)), dioda 
conduce lăsând să treacă un 
curent  is(t) care dă o cădere de 
tensiune us(t) pe rezistența Rs. 
• In cealaltă semiperioadă dioda 
este blocată și curentul prin 
circuit este practic nul. 
2
⎛ n2 ⎞
u 2 (t) r2 + r1 ⋅ ⎜⎜ ⎟⎟ + R d = R i
is (t) = 2 ⎝ n1 ⎠
⎛n ⎞
r2 + r1 ⋅ ⎜⎜ 2 ⎟⎟ + R d + R s
⎝ n1 ⎠ Rs
u s (t) = R s ⋅ i s (t) = ⋅ u 2 (t) =
Ri + Rs
u 2 (t)
⇒ is (t) = Rs
Ri + Rs = ⋅ U 2 m ⋅ cos ωt
Ri + Rs
Redresor bialternanță cu 
transformator cu priză 
f iă
mediană
• Se consideră în continuare că 
transformatorul și diodele sunt ideale, 
ad că e s e ța secu da u u
adică rezistența secundarului 
transformatorului este nulă și 
rezistența în conducție a diodelor este 
nulă. 
• Cele două secțiuni ale înfășurării 
secundarului sunt identice, adică U2’ = 
U2’’ .            
• Diodele conduc alternativ adică
Diodele conduc alternativ, adică
pentru semialternanța pozitivă 
conduce D1 iar pentru semialternanța  ⎧ ⎛ T⎞
negativă conduce D2.  ⎪⎪ 2 m
U sin ω t , pentru t ∈ ⎜ 0, ⎟
u s ( ωt ) = ⎨ ⎝ 2⎠
⎪− U 2 m sin ωt , pentru t ∈ ⎛⎜ T , T ⎞⎟
⎪⎩ ⎝2 ⎠
Redresor bialternanță cu punte de diode
Redresor bialternanță cu punte de diode

• In timpul 
semialternanței 
semialternanței
pozitive diodele 
D1 și D3 sunt 
polarizate direct, 
curentul 
î hi â d
închizându‐se prin 
i
Rs. Diodele D2 și 
D4 sunt polarizate 
invers, deci 
blocate.

• In timpul semialternanței negative D2 și D4 sunt polarizate direct și 
conduc curentul închizându se prin Rs în același sens
conduc, curentul închizându‐se prin Rs, în același sens ca și în cazul 
ca și în cazul
semialternanței pozitive.  D1 și D3 sunt polarizate invers și deci blocate.
Filtre de netezire de aici 24.11.16 
• Curentul și tensiunea redresată au un 
caracter pulsatoriu. Pentru a obține o 
tensiune continuă este necesar ca 
pulsațiile tensiunii redresate să fie reduse 
cât mai mult:  filtru de netezire. 
• Se împart în două categorii: cu intrare pe 
inductanță (inductive) și cu intrare pe 
capacitate  (capacitive).
• Utilizarea bobinei ca filtru se bazează pe 
proprietatea inductanței de a se opune 
variației curentului prin ea. 

• Condensatorul se încarcă prin circuitul format din secundar și rezistența diodei care 
conduce (este polarizată direct). Rezistența diodei în conducție se știe că este 
foarte mică rezultând astfel curentul de încărcare mare și timpul de încărcare scurt. 
ș p
Filtru capacitiv
Filtru capacitiv

• Condensatorul se încarcă și înmagazinează energie. 
• Din momentul în care tensiunea din secundar este mai mică decât tensiunea 
i lî i di d i i ăd â i
pe condensator, condensatorul se descarcă pe rezistența Rs, furnizând energie 
(curent). Descărcarea se face lent  deoarece Rs este mult mai mare decât 
rezistența în stare de conducție a diodei. In consecință tensiunea redresată 
este aproape continuă.
i ă
• Din figură se observă și că dioda redresoare care este în conducție conduce 
atâta timp cât tensiunea din secundar este mai mare decât tensiunea pe 
condensator. 
• Din momentul în care tensiunea din secundar este mai mică decât tensiunea 
pe condensator, dioda se polarizează invers și se blochează și condensatorul 
este cel care furnizează curentul pentru Rs.
Dioda Zener
Dioda  Zener
• Dioda Zener este o joncțiune pn la care 
concentrațiile impurităților sunt mult mai 
mari decât la dioda clasică. 
i d ât l di d l i ă
• La o anumită tensiune inversă, se produce o 
generare prin multiplicare prin avalanșă (sau 
efect Zener)
f tZ ) a perechilor e
hil ‐ – gol.
l
• Efectul Zener constă în ruperea unor legături 
covalente și formarea unor perechi e‐ – gol.
• In consecință, curentul invers prin joncțiune 
începe să crească brusc, tensiunea la 
bornele diodei rămânând aproape 
constantă.
constantă
• DZ sunt construite pentru a funcționa în mod 
normal pe caracteristica corespunzătoare 
polarizării inverse
polarizării  inverse.
Stabilizator de tensiune cu dioda Zener
Stabilizator de tensiune cu dioda Zener
• Stabilizatorul de tensiune este un circuit 
care are rolul de a menține, în anumite  Ei
limite strânse, valoarea  tensiunii de 
alimentare a unui circuit de sarcină.
• Cel mai simplu este stabilizatorul 
parametric (cu dioda Zener). Din 
caracteristica lui tensiune‐curent se 
observă că tensiunea pe diodă rămâne 
constantă la variații mari ale curentului 
prin diodă.
• Uzo = tensiunea Zener; Iz = curentul prin 
dioda; rz = rezistența dimanică a DZ în 
conducție 
• Se poate înlocui DZ cu modelul liniarizat 
dacă              Uz > Uzo si Izm < Iz <IzM. 
Calculul rezistenței de balast
Calculul rezistenței de balast
U z = U z o + I z rz

Ei − U z U z
I z = I1 − I 0 = − ⇒
R1 Rs
rz
Uz0 + Ei
R1
⇒ Uz = U0 =
rz rz
1+ +
R1 R s

Ei − U z Ei − U z0
R1 = ≈
Iz + I0 Iz + I0
Mărimi caracteristice pentru aprecierea
performanțelor unui stabilizator
• Un stabilizator = un cuadripol la care 
tensiunea de ieșire, U0, este funcție de  ∂U 0 ∂U 0 ∂U 0
tensiunea de intrare Ei, de curentul de 
tensiunea de intrare, E de curentul de dU 0 = dE i + dI 0 + dT
sarcina, I0, și de temperatura mediului  ∂E i ∂I 0 ∂T
ambiant:
1. Coeficient de stabilizare, S0.  1 ∂U 0 ΔU 0
• = ≈ pentru I 0 si T cons tan te
2. Rezistenta de iesire, R
d S0 ∂E i ΔE i
• i.
∂U ΔU 0
• 3. Coeficient de temperatura, ST. R0 = − 0 ≈ pentru Ei si T cons tan te
∂I 0 ΔI 0
• Pentru stabilizatorul parametric:
Pentru stabilizatorul parametric: ∂U 0 ΔU 0
ST = ≈ pentru I 0 sii E i cons tan te
∂T ΔT
rz
1 ∂U 0 R1 r
= = ≈ z
S0 ∂E i 1 + rz + rz R1
R1 R s
E − U0 U0 − U z0
I 0 = I1 − I z ; I1 = i si Iz =
R1 R1 ∂U 0 rz R 1
− U 0 = I0
rz R 1
− U z 0 R 1 − E i rz ⇒− =
rz + R 1 ∂I 0 rz + R 1
Tranzistorul
• Este un dispozitiv semiconductor cu 3 terminale, capabil să producă o 
amplificare liniară a semnalului electric.
• Exista două mari categorii: 
– tranzistoare bipolare, TBJ,  la funcționarea cărora iau parte concomitent 
ambele tipuri de purtători de sarcină
b l ti i d tăt i d i ă
– tranzistoare unipolare, TEC, la funcționarea cărora participă un singur tip 
de purtători de sarcină.
• Structura și simbolurile pentru tranzistorul bipolar:
Structura și simbolurile pentru tranzistorul bipolar:
Funcționarea tranzistorului bipolar
Funcționarea tranzistorului bipolar 

• TBJ sunt dispozitive semiconductoare cu două joncțiuni formate dintr‐o 
succesiune de 3 zone: n p n sau  p n p.
Functionarea tranzistorului bipolar
Functionarea tranzistorului bipolar
• Baza: foarte ingusta, putin 
dopata; emitorul are cea mai 
mare dopare; colectorul; 
j ti
jonctiunea colector –baza; 
l t b
jonctiunea baza‐emitor.
• In regiunea activa a caracteristicii 
sale statice, JBE este polarizata 
direct si JCB este polarizata invers.

i E = i ppE + i nBE ; i C = i ppEC + I CB0 ; i B = i ppEB + i nBE − I CB0 ;


• Deoarece
Deoarece: 
i pE = i pEC + i pEB
⇒ i C + i B = i pEC + i pEB + i nBE = i pE + i nBE = i E
i pEC
αN
•Raportul           se numeste factor static de amplificare in  αN =
curent pentru conexiunea baza comuna si are valori
curent pentru conexiunea baza comuna si are valori  i pE
cuprinse intre 0,98 si 0,998. 
Parametrii statici ai TBJ
Parametrii statici ai TBJ 

• Daca se neglijeaza inBE in raport cu ippE, deoarece concentratia purtatorilor 
majoritari din emitor este mult mai mare decat a celor din baza, rezulta:  iE
= ipE.
• Deoarece iB, iE si iC sunt parametrii statici ai tranzistorului se scriu cu litera 
mare. Deci: 
IE = IB + IC ; I C = α N I E + I CB0 ; I B = (1 − α N )I E − I CB0

• In concluzie: 
– tensiunea UBE este mica, corespunzatoare unei jonctiuni pn polarizate 
direct;
– tensiunea UBC este mare, corespunzatoare unei jonctiuni pn polarizate 
invers;
– Curentul de colector I
Curentul de colector IC este aproximativ egal cu I
este aproximativ egal cu IE si I
si IE >> I
>> IB.
αN si βN

• Prezentarea anterioara reprezinta functionarea tranzistorului cu baza la potentialul 
de referinta: conexiune baza comuna, BC.
• Pentru emitorul la potentialul de referinta, conexiunea se numeste emitor comun. 
Se defineste factorul static de amplificare in curent βN.
IC α NIE αN
βN = = =
I B (1 − α N )I E (1 − α N )

• A treia posibilitate de conexiune a 
unui tranzistor  este in conexiune 
colector comun.
Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar
Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

• Caracteristicile
Caracteristicile statice ale tranzistorului exprima legaturile 
statice ale tranzistorului exprima legaturile
dintre curentii prin tranzistor si tensiunile aplicate, in regim 
stationar. Se dau sub forma grafica, de obicei.

• Principalele caracteristici ale tranzistorului bipolar sunt:
– Familia caracteristicilor de iesire care da dependenta 
curentului din circuitul de iesire in functie de tensiunea la
curentului din circuitul de iesire in functie de tensiunea la 
bornele de iesire si curentul de intrare.
– Familia caracteristicilor de intrare care da dependenta 
curentului din circuitul de intrare in functie de tensiunea la
curentului din circuitul de intrare in functie de tensiunea la 
bornele de intrare si de tensiunea la bornele de iesire.
Caracteristici in conexiunea EC
Caracteristici in conexiunea EC
• Pentru conexiunea EC:
– Caracteristica de iesire este I
Caracteristica de iesire este IC= ff1
(UCE, IB);
– Caracteristica de intrare este IB= f2
(UBE, U
, UCE);
• Pentru un TBJ in conexiune EC: UCB= UCE‐
UBE.
• Regiunea sau zonele de lucru pentru 
g p
TBJ:
– UCB= UCE‐ UBE>0 = zona activa
– UCE< UBE  baza este mai pozitiva decat 
colectorul = zona de saturatie
l l d i
– Daca UBE scade va scadea si IB= zona 
blocata
Polarizarea TBJ
Polarizarea TBJ
• Circuitele de polarizare asigură plasarea tranzistorului 
într‐un punct static de funcționare (PSF) pe 
într‐un punct static de funcționare (PSF) pe
caracteristicile tranzistorului. PSF‐ul este caracterizat 
de 4 mărimi: UBE, IB, UCE şi IC care sunt tensiunile şi 
curenții de intrare şi ieşire mărimi legate prin cele
curenții de intrare şi ieşire, mărimi legate prin cele 
două familii de caracteristici. Sunt deci suficiente 
două mărimi pentru a preciza PSF‐ul deoarece 
celelalte două se extrag din caracteristici.
l l lt d ă t di t i ti i

• Coordonatele
Coordonatele PSFPSF‐ului
ului, adică I
adică IC şi U
şi UCE (din caracteristici 
(din caracteristici
rezultă IB şi UBE) se stabilesc în funcție de destinația 
circuitului.
Polarizarea tranzistoarelor bipolare
Polarizarea tranzistoarelor bipolare

• A. Plarizarea cu două surse de tensiune de alimentare 
independente
• Tensiunile EB şi EC se aleg de valori corespunzătoare 
pentru asigurarea excursiei maxime de tensiune în regim 
dinamic. RE se alege impunând condiția: URE ≤(0,1 ÷
0,2)EC. 
• Se cunosc UCE si  IC si β. Se determina valoarea 
rezistentelor.
U RE 0,1⋅ EC 0,1⋅ EC
RE = = =
IE IC + I B β ⋅ I B + I B

E C − U CE − I C R E
RC = si
IC
E B − U BE − I C R E
RB =
IB
Polarizarea tranzistoarelor bipolare
Polarizarea tranzistoarelor bipolare

• B. Circuitele de polarizare de la o singură 
sursă de alimentare se realizează în două 
ăd l l ăî d ă
variante:
– B1). Circuit cu reistență serie în bază
– B2). Circuit cu divizor de tensiune în bază
B2) Ci it di i d t i î b ă
• Pentru primul circuit, se recunoaşte circuitul 
de polarizare cu două surse de alimentare, de 
data aceasta sursele fiind identice (EB = EC)
data aceasta sursele fiind identice (EB = EC). 
Referitor la RE sunt valabile cele arătate mai 
sus. Circuitul de polarizare cu divizor (rezistiv) 
de tensiune în bază asigură o stabilitate mai 
b ă PSF l i
bună a PSF‐ului cu temperatura.
UR 0,1⋅ EC 0,1⋅ EC
• Se cunosc UCE si  IC si β. Se determina  RE = = E
=
valoarea rezistentelor. IE IC + I B β ⋅ I B + I B

E C − U BE − I C R E E C − U CE − I C R E
RB = si R C =
IB IC
Polarizarea tranzistoarelor bipolare
Polarizarea tranzistoarelor bipolare

• Mărimile UBE şi IB  se determină din caracteristicile 
statice. Totuşi, UBE se poate aprecia cu aproximație 
(aproximativ egal cu 0,6 V) iar dacă se cunoaşte β 
se poate folosi relația IB = IC / β. 
• În cazul circuitului cu divizor rezistiv de tensiune în 
bază, după ce s‐a determinat valoarea pentru 
rezistorul RE se poate scrie:

E C − U BE − I C R E U BE + I C R E E C − U CE − I C R E
R B1 = , R B2 = si R C =
ID + IB ID IC

• Se cunosc UCE si  IC si β. Se determina valoarea 
rezistentelor.
• UBE şi I
şi IB se determină, în general, din 
se determină în general din
caracteristicile statice iar ID se alege: ID= (10 ÷20) IB. 
Tranzistorul bipolar în regim dinamic la joasă 
f
frecvență ă
• Funcția cea mai importantă a unui tranzistor este cea de amplificare. 
Aceasta presupune existența unui circuit de intrare ce conține generatorul 
de semnal ce urmează a fi amplificat şi un circuit de ieşire ce conține 
sarcina pe care se culege semnalul amplificat, legată de ieşirea 
tranzistorului.
l
• În condițiile semnalului mic, porțiunile de pe caracteristicile tranzistorului 
în jurul P.S.F. se pot aproxima prin porțiuni drepte, tranzistorul putând fi 
reprezentat printr‐un cuadripol activ liniar, în care intrarea şi ieşirea  au o 
i d i l i li i î i ii i
bornă comună.
• Din cele şase moduri de legătură între variabilele independente se alege 
curentul şi tensiunea  drept varibile independente obținându‐se 
l i i d ibil i d d bi â d
parametrii hibrizi (parametrii h).
Parametrii h
• h11 = impedanța de intrare când 
ieşirea este în scurtcircuit (la 
variații)
• h12 = coeficient de reacție 
inversă de tensiune cu intrare a în 
gol ⎧v1 = h11 ⋅ i1 + h12 ⋅ v 2

⎩i 2 = h 21 ⋅ i1 + h 22 ⋅ v 2
• h21 = factor de amplificare a 
f t d lifi
curentului cu ieşirea în 
scurtcircuit
• h22 = admitanța de ieşire cu 
h22 =  admitanța de ieşire cu ⎛v ⎞ ⎛v ⎞
intrarea în gol h 11 = ⎜⎜ 1 ⎟⎟ h 12 = ⎜⎜ 1 ⎟⎟
⎝ i1 ⎠ v 2 = 0 ⎝ v 2 ⎠ i1 =0
• Parametrii de cuadripol depind 
Parametrii de cuadripol depind
de temperatură, P.S.F. şi  ⎛ i2 ⎞
frecvență, fiind în general nişte  ⎛ i2 ⎞ h 22 = ⎜⎜ ⎟⎟
mărimi complexe. La frecvențe  h 21 = ⎜⎜ ⎟⎟ ⎝ v 2 ⎠ i1 =0
j
joase pot fi considerate ca mărimi 
t fi id t ăi i ⎝ i1 ⎠ v 2 = 0
reale independente de frecvență.
Modelul cu parametrii h ai TBJ
Modelul cu parametrii h ai TBJ
• Pe baza relatiilor prezentate se 
pot construi circuitul echivalent 
p
cu parametrii h al tranzistorului. ⎧v1 = h11 ⋅ i1 + h12 ⋅ v 2

⎩i 2 = h 21 ⋅ i1 + h 22 ⋅ v 2
• Dacă se folosesc diferite 
coneziuni (EC,CC sau BC) atunci 
( , )
parametrii h au indicele 
corespunzător tipului de 
coneziune (e,c sau b). Dacă se 
notează cu Rg rezistența 
generatorului şi Rs rezistența de 
sarcină a circuitului se pot defini 
şi obține performațele 
i bți f ț l
tranzistorului.
Impedanța de 
intrare
• Impedanța de intrare se defineşte ca impedanța văzută de la bornele de 
intrare când eg = 0, Rg =∞.
• În circuitul echivalent cu parametrii h al tranzistorului se pot scrie relațiile:

v1 = i1 ⋅ h 11 + h 12 ⋅ v 2 v1
z1 =
⎛ 1 ⎞⎟ Rs i1 eg =0,R g =∞
v 2 = −i1 ⋅ h 21 ⋅ ⎜⎜ R s ⎟ = − i ⋅ h ⋅
1 + R s ⋅ h 22
1 21
⎝ h 22 ⎠

Rs h + (h 11 ⋅ h 22 − h 12 ⋅ h 21 )R s h + Δh ⋅ R s
v1 = i1 ⋅ h 11 − h 12 ⋅ i1 ⋅ h 21 ⋅ = i1⋅ 11 = i1 ⋅ 11
1 + R s ⋅ h 22 1 + h 22 ⋅ R s 1 + h 22 ⋅ R s
v1 h 11 + Δh ⋅ R s
⇒ =
i1 1 + h 22 ⋅ R s
Impedanța de 
i i
ieşire
• Impedanța de ieşire  se defineşte ca impedanța vazută 
v2
de la bornele de ieşire când  Rs=∞ şi eg=0 :  Z2 =
i2
v 1 = −i 1 ⋅ R g v1 = h 11 ⋅ i1 + h 12 ⋅ v 2 R s = ∞ ,e g = 0

⇒ v 2 ⋅ h12
i1 = −
h11 + R g
⎛ h ⋅h ⋅v ⎞ 1
v 2 = (i 2 − h 21 ⋅ i1 ) ⋅ ⇔ v 2 ⋅ h 22 (h 11 + R g ) = i 2 ⋅ (h 11 + R g ) + h 12 ⋅ h 21 ⋅ v 2
1
= ⎜ i 2 + 12 21 2 ⎟⋅
h 22 ⎜⎝ h 11 + R g ⎟ h
⎠ 22

v2 h 11 + R g
⇒ =
i2 Δh + h 22 ⋅ R g
Amplificarea în curent
Amplificarea în curent

• Amplificarea în curent: se 
defineşte ca raportul între 
curentul de la ieşire şi curentul de 
la intrare: 
i2
Ai =
i1

⎛ 1 ⎞
v 2 = −i 2 ⋅ R s v 2 = −h 21 ⋅ i1 ⋅ ⎜⎜ R s ⎟⎟
⎝ h 22 ⎠
⎛ 1 ⎞ Rs

⇒ i 2 ⋅ R s = h 21 ⋅ i1 ⋅ ⎜ R s ⎟
⎟ ⇒ i 2 ⋅ R s = h 21 ⋅ i1 ⋅
⎝ h 22 ⎠ 1 + h 22 ⋅ R s
i h 21 i2 h 21
⇒ 2 = ⇒ Ai = =
i1 1 + h 22 ⋅ R s i1 1 + h 22 ⋅ R s
Amplificarea în 
tensiune
i
• Amplificarea în tensiune: se defineşte ca raportul între  v2
tensiunea de la ieşire şi tensiunea de la intrare: Au =
v1
v1 = i1 ⋅ h 11 + h 12 ⋅ v 2 ⇒ v1 − h 12 ⋅ v 2 = i1 ⋅ h 11

⎛ 1 ⎞ Rs
v 2 = −h 21 ⋅ i1 ⋅ ⎜⎜ R s ⎟⎟ ⇒ v1 + h 12 ⋅ h 21 ⋅ i1 ⋅ = i1 ⋅ h 11
1 + h 22 ⋅ R s
⎝ h 22 ⎠
⎡ h ⋅h ⋅R ⎤
⇒ v1 = i1 ⋅ ⎢h 11 − 12 21 s ⎥
⎣ 1 + h 22 ⋅ R s ⎦
Rs
h 21 ⋅ i1 ⋅
v 1 + h 22 ⋅ R s h 21 ⋅ R s h 21 ⋅ R s
(1), (2) ⇒ 2 = − =− =−
v1 ⎡ h ⋅h ⋅R ⎤ h11 + h11 ⋅ h 22 ⋅ R s − h12 ⋅ h 21 ⋅ R s h11 + Δh ⋅ R s
i1 ⋅ ⎢h11 − 12 21 s ⎥
⎣ 1 + h 22 ⋅ R s ⎦
v2 h 21 ⋅R s
⇒ Au = =−
v1 Δh ⋅ R s + h 11
Principiile amplificatoarelor electronice

• Cu ajutorul amplificatoarelor se obțin, pe o sarcină, semnale de putere 
mai mare în comparație cu semnalele disponibile dar de putere mai mică. 
p ț p p
Forma de variație în timp a semnalelor trebuie să fie identică. Energia 
semnalului amplificat de la ieşire se obține pe baza energiei sursei de 
alimentare cu tensiune continuă a amplificatorului.
• Atât la intrarea cât şi la ieşirea amplificatorului există un curent, o tensiune 
şi deci o putere. Amplificarea reprezintă raportul dintre una dintre aceste 
mărimi de la ieşire şi mărimea corespunzătoare de la intrare. Astfel se 
deosebesc: amplificarea de tensiune, amplificarea de curent, amplificarea 
de putere:

Ue Ie Pe
AU = AI = AP =
Ui Ii Pi
Caracteristicile amplificatoarelor
• Tensiunea sau curentul de la ieşire nu coincid în general ca fază cu tensiunea 
sau curentul de la intrare (amplificatorul conține şi elemente reactive) astfel că 
amplificarea respectivă este o mărime complexă , în
p p p , ggeneral. 

A = Ae A = reprezintă modulul amplificării în valori absolute iar ϕ
reprezintă defazajul dintre mărimea de la ieşire şi cea 
de la intrare.
de la intrare.
• Deseori modulul amplificării se exprimă în unități logaritmice, în special decibeli. 
Amplificarea de putere în decibeli sau “câştigul de putere” se defineşte prin relația:

Pe
G P = 10 log = 10 log A P
Pi
• Amplificarea de tensiune şi curent în decibeli sau 
Amplificarea de tensiune şi curent în decibeli sau “câştigul
câştigul de tensiune şi curent
de tensiune şi curent” se 
se
definesc prin relațiile: 
G U = 20 log A U G I = 20 log A I
Avantajul că la conectarea în cascadă a mai multor etaje de amplificare câştigul este 
Avantajul că la conectarea în cascadă a mai multor etaje de amplificare câştigul este
suma câştigurilor parțiale deoarece amplificarea totală este produsul amplificărilor 
parțiale:  A = A ⋅A ⋅A ,
1 2 3 G =G +G +G
1 2 3
Distorsiunile 
d f
de frecvențăă

• Amplificatoarele conțin elemente rezistive, capacitive (condensatoarele şi 
capacitățile tranzistoarelor) şi inductive, concentrate sau distribuite. 
• Astfel, modulul amplificării variază în funcție de frecvența semnalului 
aplicat la intrare. Un semnal nesinusoidal aplicat la intrare va prezenta la 
ieşire distorsiuni de frecvență deoarece componentele sale de diferite 
frecvențe sunt amplificate în mod diferit.
• Mărimea distorsiunilor de frecvență introduse de amplificator se exprimă 
“calitativ” pe baza “caracteristicii de frecvență” a amplificatorului care 
reprezintă dependența modulului amplificării de frecvență. 
Distorsiunile de frecvență
Distorsiunile de frecvență
• Distorsiunile de frecvență se măsoară prin 
abaterile amplificării față de valoarea A0 de 
la frecvențele medii ale benzii de frecvență.
ț ț
• Pentru amplificatoare se definesc limitele 
benzii de frecventa (frecventele  fi si fs) ca 
fiind acele valori de frecventa la care 
puterea semnalului de la iesirea 
P 1
amplificatorului a scazut la jumatate din  10 lg 2 = 10 lg = −3dB
valoarea puterii semnalului de la iesire avuta   P1 2
pentru frecventa de 1 KHz.
U 22
• Notand P1 = puterea semnalului la iesire 
P U
pentru 1KHz si P2 = puterea semnalului la  10 lg 2 = 10 lg R2 = 20 lg 2 = −3dB
iesire pentru frecventa fi sau fs  se observa ca  P1 U1 U1
la limitele benzii de frecventa castigul de  R
3
putere scade cu 3 decibeli. U2 −
⇒ = 10 20 = 0,707
U1