Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
electronica
• p
2. Componentele electronice active = tranzistoare,, diode, circuite
,
integrate analogice și digitale, microcontrolere, microprocesoare ...
• Ambele tipuri de componente sunt la fel de importante în electronică,
Ambele tipuri de componente sunt la fel de importante în electronică
deoarece funcțiile pe care trebuie să le realizeze componentele active nu
pot fi implementate fără ajutorul rezistoarelor, condensatoarelor sau
inductoarelor.
Rezistorul
• Rezistorul reprezintă o componentă pasivă de tip dipol, realizată în scopul
obținerii unei impedanțe rezistive concentrată într‐un volum cât mai mic.
• Parametrul fundamental al rezistorului îl reprezintă rezistența electrică. De
aceea în practică se utilizează și denumirea de rezistență pentru această
componentă.
• Aplicații: polarizarea componentelor active, controlul amplificării, fixarea unor
constante de timp, divizarea tensiunii sau a curentului, adaptarea sarcinilor
pentru diverse circuite, generarea căldurii etc.
• Majoritatea rezistoarelor utilizate sunt liniare adică au caractenstica U‐I Iiniară.
Rezultă: U/I=R este o constantă.
• Există și rezistoare neliniare, a căror rezistență este puternic dependentă
– de temperatură pentru termistoare,
– de tensiune pentru varistoare sau
– de Iumina pentru fotorezistoare.
Divizor de tensiune
Divizor de tensiune
• Este o rețea de rezistoare care
furnizează o tensiune fixă sau
variabilă.
• Cel mai des este realizat din
două rezistoare conectate în serie.
• Presupunând că din nodul comun pentru R1 și R2 nu iese nici un curent
din divizor, tot curentul va trece prin R1 și R2.
• Legea lui OHM:
U OUT U IN U OUT U IN R2
i= ; i= ; ⇒ = ⇒ U OUT = U IN
R2 R1 + R 2 R2 R1 + R 2 R1 + R 2
• Exemplu: Daca UIN= 9V, R1 = 1,6KΩ, R2 = 2KΩ, calculați UOUT.
• Raspuns: UOUT = 5V.
Efectul conectării unei
rezistențe de sarcină
i d i ă
• In practică există un is.
• R2 și Rs sunt conectate în paralel
R2 și Rs sunt conectate în paralel.
• Rezultă un UOUT mai mic decât în
cazul precedent.
• Exemplu: Dacă UIN= 9V, R1 =
Exemplu: Dacă = 9V R1 =
1,6KΩ, R2 = 2KΩ, Rs = 3K Ω,
calculati UOUT.
2 ⋅103 ⋅ 3 ⋅103
R= = 1. 2 ⋅ 10 3
= 1200Ω
• Rezultatul arată că tensiunea 2 ⋅10 + 3 ⋅10
3 3
scade cu 1,14V când se 1200
conectează o astfel de sarcină.
o astfel de sarcină U OUT = 9⋅ = 3,86V
1200 + 1600
SOLUȚIE GENERALĂ: 1. Conectarea unei sarcini pentru care curentul is să fie foarte
mic (cel puțin de 10 ori mai mic decât curentul prin divizor) SAU:
mic (cel puțin de 10 ori mai mic decât curentul prin divizor). SAU:
2. Proiectarea unui divizor astfel încât curentul prin divizor să fie cel puțin de 10 ori
mai mare decât is.
Divizoare variabile de tensiune
Divizoare variabile de tensiune
• Se utilizează un potențiometru.
SEMICONDUCTOARE
• Curentul electric este o mișcare ordonată de sarcini electrice. Intr‐un
metal, un curent electric este o mișcare ordonată de electroni = sarcini
electrice negative. Aceasta deoarece atomii de metal au e‐ din stratul de
valență capabili să devină e‐ liberi și să se miște ordonat sub influența unui
câmp electric extern.
â l
• Dpdv. al conductivității electrice un material semiconductor (Germaniu
sau Siliciu) ocupă o poziție între materiale conductoare și dielectrice.
• Conducția se realizează prin 2 categorii de purtători: electroni și goluri.
• Acești purtători au o anumită mobilitate putând da naștere la un curent
electric de conducție sub influența unui câmp electric.
• Dispozitivele semiconductoare se bazează pe conductibilitate extrinsecă
produsă prin impurificarea (dopare) cu substanțe străine.
Semiconductoare de tip n
• Dacă un semiconductor
este dopat cu impurități
pentavalente (antimoniu,
fosfor, stibiu, arsen)
fosfor, stibiu, arsen)
atomii de impuritate
cedează cu ușurință
câte un e‐ care devine liber.
câte un e care devine liber
• Acest tip de atomi de impuritate se numesc DONORI. Ei devin IONI POZITIVI
fixați în rețeaua cristalină Nr electronilor crește mult; electronii se numesc
fixați în rețeaua cristalină. Nr. electronilor crește mult; electronii se numesc
purtători majoritari în semiconductorul de tip n.
Semiconductoare de tip p
• Dacă un semiconductor
este dopat cu impurități
trivalente (indiu, bor,
galiu) atomii de impuritate
captează cu ușurință
câte un e‐ provenit de la
atomii vecini conducând la
atomii vecini, conducând la
apariția de goluri.
• Acest tip de atomi de impuritate se numesc ACCEPTORI.
• Ei devin IONI NEGATIVI fixați în rețeaua cristalină.
• Nr. de goluri va fi egal cu numărul de atomi de impuritate; golurile se numesc
purtători majoritari în semiconductorul de tip p.
JONCTIUNE
GOL ELECTRON
JONCȚIUNEA PN
JONCȚIUNEA PN
• Dacă într‐un semiconductor se
realizează prin procedee speciale
prin procedee speciale
o zonă de tip p și o zonă de tip n astfel
încât trecerea de la o zonă la cealaltă
să se facă
se facă pe o distanță
pe o distanță foarte mică
foarte mică
(<10‐5mm), se obține o joncțiune pn.
• Avem concentrații diferite în zonele p și n.
Diferența de concentrații determină difuzia
Diferența de concentrații determină
purtătorilor majoritari dintr‐o zonă în alta.
• Sarcina ionilor ficși rămâne necompen‐
sată de către sarcina purtătorilor majoritari.
de către sarcina purtătorilor majoritari.
• In zona de separație apare o sarcină spațială
fixată în rețeaua cristalină. Această sarcină
spațială produce un câmp electric intern.
Acesta este o barieră în calea difuziei
purtătorilor de sarcină.
Polarizarea
j ți ii
joncțiunii pn
• Joncțiunea pn este prevăzută cu două contacte
metalice laterale în vederea conectării
componentei în circuit.
• POLARIZAREA INVERSĂ: Dacă se aplică din
exterior o tensiune cu borna “‐” la p și borna “+”
l
la n, câmpul datorat tensiunii exterioare mărește
â ld i ii i ă
bariera de potențial. Curentul prin dispozitiv scade
practic la zero.
• POLARIZARE DIRECTĂ: Dacă se aplică
POLARIZARE DIRECTĂ: Dacă se aplică din exterior
din exterior
o tensiune cu borna “+” la p și borna “‐” la n,
câmpul datorat tensiunii exterioare micșoreaza
bariera de potențial. Curentul prin dispozitiv crește
putând atinge valori mari dacă nu este limitat din
exterior.
Dacă tensiunea din exterior este mai mare decât
tensiunea din exterior este mai mare decât 0,6 V
0 6 V (pentru dispozitiv construit pe
(pentru dispozitiv construit pe
o pastilă de siliciu) se anulează câmpul intern și purtătorii de sarcină pot trece de
cealaltă parte a regiunii de separare.
Dioda
• Jonctiunea pn are proprietatea neobișnuită
de a permite trecerea curentului doar într‐un singur sens (doar de la p la
n). O joncțiune pn cu terminale se numește DIODA.
• Terminalul diodei care este pozitiv când dioda este polarizata direct se
numeste ANOD iar celălalt se numește CATOD.
• Caracteristica statică a diodei semiconductoare reprezintă
p dependența
p ț
curentului prin dioda, numit curent anodic, de tensiunea pe dioda
(dintre anod și catod), numită tensiune anodică.
• Caracteristica teoretică: ⎡ ⎛ a⎞ eU ⎤
i a = I s ⎢exp⎜ ⎟ − 1⎥
⎣ ⎝ kT ⎠ ⎦
kT
UT = = tensiune termica = 26mV / T = 300o K
e
Aplicații ale diodelor
Aplicații ale diodelor
• Redresoare
• Redresarea este procesul de transformare a energiei electromagnetice a
unei surse de curent alternativ în energie electromagnetica de curent
continuu pentru alimentarea unui element consumator.
p
• Redresarea cu mijloace electronice este posibilă datorită proprietății de
conductibilitate unidirecțională a diodelor.
• Un domeniu în care se utilizează frecvent circuite cu diode pentru
Un domeniu în care se utilizează frecvent circuite cu diode pentru
realizarea redresării tensiunii alternative este cel al surselor de alimentare.
Redresor
ț
monoalternanță
• In semiperioada pozitivă (marcată
pe desenul notat cu a)), dioda
conduce lăsând să treacă un
curent is(t) care dă o cădere de
tensiune us(t) pe rezistența Rs.
• In cealaltă semiperioadă dioda
este blocată și curentul prin
circuit este practic nul.
2
⎛ n2 ⎞
u 2 (t) r2 + r1 ⋅ ⎜⎜ ⎟⎟ + R d = R i
is (t) = 2 ⎝ n1 ⎠
⎛n ⎞
r2 + r1 ⋅ ⎜⎜ 2 ⎟⎟ + R d + R s
⎝ n1 ⎠ Rs
u s (t) = R s ⋅ i s (t) = ⋅ u 2 (t) =
Ri + Rs
u 2 (t)
⇒ is (t) = Rs
Ri + Rs = ⋅ U 2 m ⋅ cos ωt
Ri + Rs
Redresor bialternanță cu
transformator cu priză
f iă
mediană
• Se consideră în continuare că
transformatorul și diodele sunt ideale,
ad că e s e ța secu da u u
adică rezistența secundarului
transformatorului este nulă și
rezistența în conducție a diodelor este
nulă.
• Cele două secțiuni ale înfășurării
secundarului sunt identice, adică U2’ =
U2’’ .
• Diodele conduc alternativ adică
Diodele conduc alternativ, adică
pentru semialternanța pozitivă
conduce D1 iar pentru semialternanța ⎧ ⎛ T⎞
negativă conduce D2. ⎪⎪ 2 m
U sin ω t , pentru t ∈ ⎜ 0, ⎟
u s ( ωt ) = ⎨ ⎝ 2⎠
⎪− U 2 m sin ωt , pentru t ∈ ⎛⎜ T , T ⎞⎟
⎪⎩ ⎝2 ⎠
Redresor bialternanță cu punte de diode
Redresor bialternanță cu punte de diode
• In timpul
semialternanței
semialternanței
pozitive diodele
D1 și D3 sunt
polarizate direct,
curentul
î hi â d
închizându‐se prin
i
Rs. Diodele D2 și
D4 sunt polarizate
invers, deci
blocate.
• In timpul semialternanței negative D2 și D4 sunt polarizate direct și
conduc curentul închizându se prin Rs în același sens
conduc, curentul închizându‐se prin Rs, în același sens ca și în cazul
ca și în cazul
semialternanței pozitive. D1 și D3 sunt polarizate invers și deci blocate.
Filtre de netezire de aici 24.11.16
• Curentul și tensiunea redresată au un
caracter pulsatoriu. Pentru a obține o
tensiune continuă este necesar ca
pulsațiile tensiunii redresate să fie reduse
cât mai mult: filtru de netezire.
• Se împart în două categorii: cu intrare pe
inductanță (inductive) și cu intrare pe
capacitate (capacitive).
• Utilizarea bobinei ca filtru se bazează pe
proprietatea inductanței de a se opune
variației curentului prin ea.
• Condensatorul se încarcă prin circuitul format din secundar și rezistența diodei care
conduce (este polarizată direct). Rezistența diodei în conducție se știe că este
foarte mică rezultând astfel curentul de încărcare mare și timpul de încărcare scurt.
ș p
Filtru capacitiv
Filtru capacitiv
• Condensatorul se încarcă și înmagazinează energie.
• Din momentul în care tensiunea din secundar este mai mică decât tensiunea
i lî i di d i i ăd â i
pe condensator, condensatorul se descarcă pe rezistența Rs, furnizând energie
(curent). Descărcarea se face lent deoarece Rs este mult mai mare decât
rezistența în stare de conducție a diodei. In consecință tensiunea redresată
este aproape continuă.
i ă
• Din figură se observă și că dioda redresoare care este în conducție conduce
atâta timp cât tensiunea din secundar este mai mare decât tensiunea pe
condensator.
• Din momentul în care tensiunea din secundar este mai mică decât tensiunea
pe condensator, dioda se polarizează invers și se blochează și condensatorul
este cel care furnizează curentul pentru Rs.
Dioda Zener
Dioda Zener
• Dioda Zener este o joncțiune pn la care
concentrațiile impurităților sunt mult mai
mari decât la dioda clasică.
i d ât l di d l i ă
• La o anumită tensiune inversă, se produce o
generare prin multiplicare prin avalanșă (sau
efect Zener)
f tZ ) a perechilor e
hil ‐ – gol.
l
• Efectul Zener constă în ruperea unor legături
covalente și formarea unor perechi e‐ – gol.
• In consecință, curentul invers prin joncțiune
începe să crească brusc, tensiunea la
bornele diodei rămânând aproape
constantă.
constantă
• DZ sunt construite pentru a funcționa în mod
normal pe caracteristica corespunzătoare
polarizării inverse
polarizării inverse.
Stabilizator de tensiune cu dioda Zener
Stabilizator de tensiune cu dioda Zener
• Stabilizatorul de tensiune este un circuit
care are rolul de a menține, în anumite Ei
limite strânse, valoarea tensiunii de
alimentare a unui circuit de sarcină.
• Cel mai simplu este stabilizatorul
parametric (cu dioda Zener). Din
caracteristica lui tensiune‐curent se
observă că tensiunea pe diodă rămâne
constantă la variații mari ale curentului
prin diodă.
• Uzo = tensiunea Zener; Iz = curentul prin
dioda; rz = rezistența dimanică a DZ în
conducție
• Se poate înlocui DZ cu modelul liniarizat
dacă Uz > Uzo si Izm < Iz <IzM.
Calculul rezistenței de balast
Calculul rezistenței de balast
U z = U z o + I z rz
Ei − U z U z
I z = I1 − I 0 = − ⇒
R1 Rs
rz
Uz0 + Ei
R1
⇒ Uz = U0 =
rz rz
1+ +
R1 R s
Ei − U z Ei − U z0
R1 = ≈
Iz + I0 Iz + I0
Mărimi caracteristice pentru aprecierea
performanțelor unui stabilizator
• Un stabilizator = un cuadripol la care
tensiunea de ieșire, U0, este funcție de ∂U 0 ∂U 0 ∂U 0
tensiunea de intrare Ei, de curentul de
tensiunea de intrare, E de curentul de dU 0 = dE i + dI 0 + dT
sarcina, I0, și de temperatura mediului ∂E i ∂I 0 ∂T
ambiant:
1. Coeficient de stabilizare, S0. 1 ∂U 0 ΔU 0
• = ≈ pentru I 0 si T cons tan te
2. Rezistenta de iesire, R
d S0 ∂E i ΔE i
• i.
∂U ΔU 0
• 3. Coeficient de temperatura, ST. R0 = − 0 ≈ pentru Ei si T cons tan te
∂I 0 ΔI 0
• Pentru stabilizatorul parametric:
Pentru stabilizatorul parametric: ∂U 0 ΔU 0
ST = ≈ pentru I 0 sii E i cons tan te
∂T ΔT
rz
1 ∂U 0 R1 r
= = ≈ z
S0 ∂E i 1 + rz + rz R1
R1 R s
E − U0 U0 − U z0
I 0 = I1 − I z ; I1 = i si Iz =
R1 R1 ∂U 0 rz R 1
− U 0 = I0
rz R 1
− U z 0 R 1 − E i rz ⇒− =
rz + R 1 ∂I 0 rz + R 1
Tranzistorul
• Este un dispozitiv semiconductor cu 3 terminale, capabil să producă o
amplificare liniară a semnalului electric.
• Exista două mari categorii:
– tranzistoare bipolare, TBJ, la funcționarea cărora iau parte concomitent
ambele tipuri de purtători de sarcină
b l ti i d tăt i d i ă
– tranzistoare unipolare, TEC, la funcționarea cărora participă un singur tip
de purtători de sarcină.
• Structura și simbolurile pentru tranzistorul bipolar:
Structura și simbolurile pentru tranzistorul bipolar:
Funcționarea tranzistorului bipolar
Funcționarea tranzistorului bipolar
• TBJ sunt dispozitive semiconductoare cu două joncțiuni formate dintr‐o
succesiune de 3 zone: n p n sau p n p.
Functionarea tranzistorului bipolar
Functionarea tranzistorului bipolar
• Baza: foarte ingusta, putin
dopata; emitorul are cea mai
mare dopare; colectorul;
j ti
jonctiunea colector –baza;
l t b
jonctiunea baza‐emitor.
• In regiunea activa a caracteristicii
sale statice, JBE este polarizata
direct si JCB este polarizata invers.
• Daca se neglijeaza inBE in raport cu ippE, deoarece concentratia purtatorilor
majoritari din emitor este mult mai mare decat a celor din baza, rezulta: iE
= ipE.
• Deoarece iB, iE si iC sunt parametrii statici ai tranzistorului se scriu cu litera
mare. Deci:
IE = IB + IC ; I C = α N I E + I CB0 ; I B = (1 − α N )I E − I CB0
• In concluzie:
– tensiunea UBE este mica, corespunzatoare unei jonctiuni pn polarizate
direct;
– tensiunea UBC este mare, corespunzatoare unei jonctiuni pn polarizate
invers;
– Curentul de colector I
Curentul de colector IC este aproximativ egal cu I
este aproximativ egal cu IE si I
si IE >> I
>> IB.
αN si βN
• Prezentarea anterioara reprezinta functionarea tranzistorului cu baza la potentialul
de referinta: conexiune baza comuna, BC.
• Pentru emitorul la potentialul de referinta, conexiunea se numeste emitor comun.
Se defineste factorul static de amplificare in curent βN.
IC α NIE αN
βN = = =
I B (1 − α N )I E (1 − α N )
• A treia posibilitate de conexiune a
unui tranzistor este in conexiune
colector comun.
Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar
Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar
• Caracteristicile
Caracteristicile statice ale tranzistorului exprima legaturile
statice ale tranzistorului exprima legaturile
dintre curentii prin tranzistor si tensiunile aplicate, in regim
stationar. Se dau sub forma grafica, de obicei.
• Principalele caracteristici ale tranzistorului bipolar sunt:
– Familia caracteristicilor de iesire care da dependenta
curentului din circuitul de iesire in functie de tensiunea la
curentului din circuitul de iesire in functie de tensiunea la
bornele de iesire si curentul de intrare.
– Familia caracteristicilor de intrare care da dependenta
curentului din circuitul de intrare in functie de tensiunea la
curentului din circuitul de intrare in functie de tensiunea la
bornele de intrare si de tensiunea la bornele de iesire.
Caracteristici in conexiunea EC
Caracteristici in conexiunea EC
• Pentru conexiunea EC:
– Caracteristica de iesire este I
Caracteristica de iesire este IC= ff1
(UCE, IB);
– Caracteristica de intrare este IB= f2
(UBE, U
, UCE);
• Pentru un TBJ in conexiune EC: UCB= UCE‐
UBE.
• Regiunea sau zonele de lucru pentru
g p
TBJ:
– UCB= UCE‐ UBE>0 = zona activa
– UCE< UBE baza este mai pozitiva decat
colectorul = zona de saturatie
l l d i
– Daca UBE scade va scadea si IB= zona
blocata
Polarizarea TBJ
Polarizarea TBJ
• Circuitele de polarizare asigură plasarea tranzistorului
într‐un punct static de funcționare (PSF) pe
într‐un punct static de funcționare (PSF) pe
caracteristicile tranzistorului. PSF‐ul este caracterizat
de 4 mărimi: UBE, IB, UCE şi IC care sunt tensiunile şi
curenții de intrare şi ieşire mărimi legate prin cele
curenții de intrare şi ieşire, mărimi legate prin cele
două familii de caracteristici. Sunt deci suficiente
două mărimi pentru a preciza PSF‐ul deoarece
celelalte două se extrag din caracteristici.
l l lt d ă t di t i ti i
• Coordonatele
Coordonatele PSFPSF‐ului
ului, adică I
adică IC şi U
şi UCE (din caracteristici
(din caracteristici
rezultă IB şi UBE) se stabilesc în funcție de destinația
circuitului.
Polarizarea tranzistoarelor bipolare
Polarizarea tranzistoarelor bipolare
• A. Plarizarea cu două surse de tensiune de alimentare
independente
• Tensiunile EB şi EC se aleg de valori corespunzătoare
pentru asigurarea excursiei maxime de tensiune în regim
dinamic. RE se alege impunând condiția: URE ≤(0,1 ÷
0,2)EC.
• Se cunosc UCE si IC si β. Se determina valoarea
rezistentelor.
U RE 0,1⋅ EC 0,1⋅ EC
RE = = =
IE IC + I B β ⋅ I B + I B
E C − U CE − I C R E
RC = si
IC
E B − U BE − I C R E
RB =
IB
Polarizarea tranzistoarelor bipolare
Polarizarea tranzistoarelor bipolare
• B. Circuitele de polarizare de la o singură
sursă de alimentare se realizează în două
ăd l l ăî d ă
variante:
– B1). Circuit cu reistență serie în bază
– B2). Circuit cu divizor de tensiune în bază
B2) Ci it di i d t i î b ă
• Pentru primul circuit, se recunoaşte circuitul
de polarizare cu două surse de alimentare, de
data aceasta sursele fiind identice (EB = EC)
data aceasta sursele fiind identice (EB = EC).
Referitor la RE sunt valabile cele arătate mai
sus. Circuitul de polarizare cu divizor (rezistiv)
de tensiune în bază asigură o stabilitate mai
b ă PSF l i
bună a PSF‐ului cu temperatura.
UR 0,1⋅ EC 0,1⋅ EC
• Se cunosc UCE si IC si β. Se determina RE = = E
=
valoarea rezistentelor. IE IC + I B β ⋅ I B + I B
E C − U BE − I C R E E C − U CE − I C R E
RB = si R C =
IB IC
Polarizarea tranzistoarelor bipolare
Polarizarea tranzistoarelor bipolare
• Mărimile UBE şi IB se determină din caracteristicile
statice. Totuşi, UBE se poate aprecia cu aproximație
(aproximativ egal cu 0,6 V) iar dacă se cunoaşte β
se poate folosi relația IB = IC / β.
• În cazul circuitului cu divizor rezistiv de tensiune în
bază, după ce s‐a determinat valoarea pentru
rezistorul RE se poate scrie:
E C − U BE − I C R E U BE + I C R E E C − U CE − I C R E
R B1 = , R B2 = si R C =
ID + IB ID IC
• Se cunosc UCE si IC si β. Se determina valoarea
rezistentelor.
• UBE şi I
şi IB se determină, în general, din
se determină în general din
caracteristicile statice iar ID se alege: ID= (10 ÷20) IB.
Tranzistorul bipolar în regim dinamic la joasă
f
frecvență ă
• Funcția cea mai importantă a unui tranzistor este cea de amplificare.
Aceasta presupune existența unui circuit de intrare ce conține generatorul
de semnal ce urmează a fi amplificat şi un circuit de ieşire ce conține
sarcina pe care se culege semnalul amplificat, legată de ieşirea
tranzistorului.
l
• În condițiile semnalului mic, porțiunile de pe caracteristicile tranzistorului
în jurul P.S.F. se pot aproxima prin porțiuni drepte, tranzistorul putând fi
reprezentat printr‐un cuadripol activ liniar, în care intrarea şi ieşirea au o
i d i l i li i î i ii i
bornă comună.
• Din cele şase moduri de legătură între variabilele independente se alege
curentul şi tensiunea drept varibile independente obținându‐se
l i i d ibil i d d bi â d
parametrii hibrizi (parametrii h).
Parametrii h
• h11 = impedanța de intrare când
ieşirea este în scurtcircuit (la
variații)
• h12 = coeficient de reacție
inversă de tensiune cu intrare a în
gol ⎧v1 = h11 ⋅ i1 + h12 ⋅ v 2
⎨
⎩i 2 = h 21 ⋅ i1 + h 22 ⋅ v 2
• h21 = factor de amplificare a
f t d lifi
curentului cu ieşirea în
scurtcircuit
• h22 = admitanța de ieşire cu
h22 = admitanța de ieşire cu ⎛v ⎞ ⎛v ⎞
intrarea în gol h 11 = ⎜⎜ 1 ⎟⎟ h 12 = ⎜⎜ 1 ⎟⎟
⎝ i1 ⎠ v 2 = 0 ⎝ v 2 ⎠ i1 =0
• Parametrii de cuadripol depind
Parametrii de cuadripol depind
de temperatură, P.S.F. şi ⎛ i2 ⎞
frecvență, fiind în general nişte ⎛ i2 ⎞ h 22 = ⎜⎜ ⎟⎟
mărimi complexe. La frecvențe h 21 = ⎜⎜ ⎟⎟ ⎝ v 2 ⎠ i1 =0
j
joase pot fi considerate ca mărimi
t fi id t ăi i ⎝ i1 ⎠ v 2 = 0
reale independente de frecvență.
Modelul cu parametrii h ai TBJ
Modelul cu parametrii h ai TBJ
• Pe baza relatiilor prezentate se
pot construi circuitul echivalent
p
cu parametrii h al tranzistorului. ⎧v1 = h11 ⋅ i1 + h12 ⋅ v 2
⎨
⎩i 2 = h 21 ⋅ i1 + h 22 ⋅ v 2
• Dacă se folosesc diferite
coneziuni (EC,CC sau BC) atunci
( , )
parametrii h au indicele
corespunzător tipului de
coneziune (e,c sau b). Dacă se
notează cu Rg rezistența
generatorului şi Rs rezistența de
sarcină a circuitului se pot defini
şi obține performațele
i bți f ț l
tranzistorului.
Impedanța de
intrare
• Impedanța de intrare se defineşte ca impedanța văzută de la bornele de
intrare când eg = 0, Rg =∞.
• În circuitul echivalent cu parametrii h al tranzistorului se pot scrie relațiile:
v1 = i1 ⋅ h 11 + h 12 ⋅ v 2 v1
z1 =
⎛ 1 ⎞⎟ Rs i1 eg =0,R g =∞
v 2 = −i1 ⋅ h 21 ⋅ ⎜⎜ R s ⎟ = − i ⋅ h ⋅
1 + R s ⋅ h 22
1 21
⎝ h 22 ⎠
Rs h + (h 11 ⋅ h 22 − h 12 ⋅ h 21 )R s h + Δh ⋅ R s
v1 = i1 ⋅ h 11 − h 12 ⋅ i1 ⋅ h 21 ⋅ = i1⋅ 11 = i1 ⋅ 11
1 + R s ⋅ h 22 1 + h 22 ⋅ R s 1 + h 22 ⋅ R s
v1 h 11 + Δh ⋅ R s
⇒ =
i1 1 + h 22 ⋅ R s
Impedanța de
i i
ieşire
• Impedanța de ieşire se defineşte ca impedanța vazută
v2
de la bornele de ieşire când Rs=∞ şi eg=0 : Z2 =
i2
v 1 = −i 1 ⋅ R g v1 = h 11 ⋅ i1 + h 12 ⋅ v 2 R s = ∞ ,e g = 0
⇒ v 2 ⋅ h12
i1 = −
h11 + R g
⎛ h ⋅h ⋅v ⎞ 1
v 2 = (i 2 − h 21 ⋅ i1 ) ⋅ ⇔ v 2 ⋅ h 22 (h 11 + R g ) = i 2 ⋅ (h 11 + R g ) + h 12 ⋅ h 21 ⋅ v 2
1
= ⎜ i 2 + 12 21 2 ⎟⋅
h 22 ⎜⎝ h 11 + R g ⎟ h
⎠ 22
v2 h 11 + R g
⇒ =
i2 Δh + h 22 ⋅ R g
Amplificarea în curent
Amplificarea în curent
• Amplificarea în curent: se
defineşte ca raportul între
curentul de la ieşire şi curentul de
la intrare:
i2
Ai =
i1
⎛ 1 ⎞
v 2 = −i 2 ⋅ R s v 2 = −h 21 ⋅ i1 ⋅ ⎜⎜ R s ⎟⎟
⎝ h 22 ⎠
⎛ 1 ⎞ Rs
⎜
⇒ i 2 ⋅ R s = h 21 ⋅ i1 ⋅ ⎜ R s ⎟
⎟ ⇒ i 2 ⋅ R s = h 21 ⋅ i1 ⋅
⎝ h 22 ⎠ 1 + h 22 ⋅ R s
i h 21 i2 h 21
⇒ 2 = ⇒ Ai = =
i1 1 + h 22 ⋅ R s i1 1 + h 22 ⋅ R s
Amplificarea în
tensiune
i
• Amplificarea în tensiune: se defineşte ca raportul între v2
tensiunea de la ieşire şi tensiunea de la intrare: Au =
v1
v1 = i1 ⋅ h 11 + h 12 ⋅ v 2 ⇒ v1 − h 12 ⋅ v 2 = i1 ⋅ h 11
⎛ 1 ⎞ Rs
v 2 = −h 21 ⋅ i1 ⋅ ⎜⎜ R s ⎟⎟ ⇒ v1 + h 12 ⋅ h 21 ⋅ i1 ⋅ = i1 ⋅ h 11
1 + h 22 ⋅ R s
⎝ h 22 ⎠
⎡ h ⋅h ⋅R ⎤
⇒ v1 = i1 ⋅ ⎢h 11 − 12 21 s ⎥
⎣ 1 + h 22 ⋅ R s ⎦
Rs
h 21 ⋅ i1 ⋅
v 1 + h 22 ⋅ R s h 21 ⋅ R s h 21 ⋅ R s
(1), (2) ⇒ 2 = − =− =−
v1 ⎡ h ⋅h ⋅R ⎤ h11 + h11 ⋅ h 22 ⋅ R s − h12 ⋅ h 21 ⋅ R s h11 + Δh ⋅ R s
i1 ⋅ ⎢h11 − 12 21 s ⎥
⎣ 1 + h 22 ⋅ R s ⎦
v2 h 21 ⋅R s
⇒ Au = =−
v1 Δh ⋅ R s + h 11
Principiile amplificatoarelor electronice
• Cu ajutorul amplificatoarelor se obțin, pe o sarcină, semnale de putere
mai mare în comparație cu semnalele disponibile dar de putere mai mică.
p ț p p
Forma de variație în timp a semnalelor trebuie să fie identică. Energia
semnalului amplificat de la ieşire se obține pe baza energiei sursei de
alimentare cu tensiune continuă a amplificatorului.
• Atât la intrarea cât şi la ieşirea amplificatorului există un curent, o tensiune
şi deci o putere. Amplificarea reprezintă raportul dintre una dintre aceste
mărimi de la ieşire şi mărimea corespunzătoare de la intrare. Astfel se
deosebesc: amplificarea de tensiune, amplificarea de curent, amplificarea
de putere:
Ue Ie Pe
AU = AI = AP =
Ui Ii Pi
Caracteristicile amplificatoarelor
• Tensiunea sau curentul de la ieşire nu coincid în general ca fază cu tensiunea
sau curentul de la intrare (amplificatorul conține şi elemente reactive) astfel că
amplificarea respectivă este o mărime complexă , în
p p p , ggeneral.
jϕ
A = Ae A = reprezintă modulul amplificării în valori absolute iar ϕ
reprezintă defazajul dintre mărimea de la ieşire şi cea
de la intrare.
de la intrare.
• Deseori modulul amplificării se exprimă în unități logaritmice, în special decibeli.
Amplificarea de putere în decibeli sau “câştigul de putere” se defineşte prin relația:
Pe
G P = 10 log = 10 log A P
Pi
• Amplificarea de tensiune şi curent în decibeli sau
Amplificarea de tensiune şi curent în decibeli sau “câştigul
câştigul de tensiune şi curent
de tensiune şi curent” se
se
definesc prin relațiile:
G U = 20 log A U G I = 20 log A I
Avantajul că la conectarea în cascadă a mai multor etaje de amplificare câştigul este
Avantajul că la conectarea în cascadă a mai multor etaje de amplificare câştigul este
suma câştigurilor parțiale deoarece amplificarea totală este produsul amplificărilor
parțiale: A = A ⋅A ⋅A ,
1 2 3 G =G +G +G
1 2 3
Distorsiunile
d f
de frecvențăă
• Amplificatoarele conțin elemente rezistive, capacitive (condensatoarele şi
capacitățile tranzistoarelor) şi inductive, concentrate sau distribuite.
• Astfel, modulul amplificării variază în funcție de frecvența semnalului
aplicat la intrare. Un semnal nesinusoidal aplicat la intrare va prezenta la
ieşire distorsiuni de frecvență deoarece componentele sale de diferite
frecvențe sunt amplificate în mod diferit.
• Mărimea distorsiunilor de frecvență introduse de amplificator se exprimă
“calitativ” pe baza “caracteristicii de frecvență” a amplificatorului care
reprezintă dependența modulului amplificării de frecvență.
Distorsiunile de frecvență
Distorsiunile de frecvență
• Distorsiunile de frecvență se măsoară prin
abaterile amplificării față de valoarea A0 de
la frecvențele medii ale benzii de frecvență.
ț ț
• Pentru amplificatoare se definesc limitele
benzii de frecventa (frecventele fi si fs) ca
fiind acele valori de frecventa la care
puterea semnalului de la iesirea
P 1
amplificatorului a scazut la jumatate din 10 lg 2 = 10 lg = −3dB
valoarea puterii semnalului de la iesire avuta P1 2
pentru frecventa de 1 KHz.
U 22
• Notand P1 = puterea semnalului la iesire
P U
pentru 1KHz si P2 = puterea semnalului la 10 lg 2 = 10 lg R2 = 20 lg 2 = −3dB
iesire pentru frecventa fi sau fs se observa ca P1 U1 U1
la limitele benzii de frecventa castigul de R
3
putere scade cu 3 decibeli. U2 −
⇒ = 10 20 = 0,707
U1