Sunteți pe pagina 1din 6

OBJETIVO

Conocer el funcionamiento de un transistor amlificador emisor común para el


funcionamiento con un LDR y trenes de pulsos.

MARCO TEORICO
La configuración de emisor común es la más usada. En él, el transistor actúa
como un amplificador de la corriente y de la tensión. Aparte de los efectos de
amplificación, también invierte la tensión de señal, es decir, si la tensión es
tendente a positiva en la base pasa a ser tendente a negativa en el colector; pero,
como estos efectos se producen con la corriente alterna.

Para estudiar las propiedades de este tipo de configuración vamos a basarnos en


un transistor tipo P-N-P. Tenemos la unión base-emisor, JE, polarizada
directamente y la unión emisor-colector, JC, inversamente polarizada.

Aplicamos una tensión a la base y otra al colector y tenemos dos resistencias,


RB conectada a la base y RC conectada al colector.

El valor de la corriente de base va a depender del valor de la resistencia R B, la


corriente que circula por el colector, IC, depende de la corriente de base, IB, como
hemos visto con la formula IC = b . IB; IC es mucho más grande que IB y ese
aumento viene dado por b , que es un parámetro característico del transistor.
Al pasar la corriente por RC se va a producir una caída de potencial; luego, la
tensión que obtengamos a la salida, también va a depender del valor de esta
resistencia. Podemos colocar una resistencia en el emisor, que llamaremos RE,
que va a perjudicar mucho la amplificación de tensión, pero va a hacer que el
transistor sea mucho más estable y no le afecten los cambios de la temperatura.

Aumentando o disminuyendo los valores de las tres resistencias podemos


conseguir corrientes y tensiones diferentes en los tres terminales. Por ejemplo, si
aumentamos la resistencia de base el valor de la corriente IB será menor, lo que
implicará que IC también sea menor, y al pasar una corriente de colector menor a
través de RC, el potencial que se obtendrá a la salida será mayor; pero si
disminuimos RBaumenta IB y con ella la corriente de colector, y la tensión de
colector disminuirá.

Disminuyendo mucho la resistencia de base podemos llegar a un punto en el que


pasemos de la zona de activa a la de saturación, es decir, que la unión colector-
base, que está inversamente polarizada en activa, pase a estar directamente
polarizada y, por lo tanto, en saturación. Esto se produce porque IB aumenta y, en
consecuencia, IC también aumenta.

Si un circuito está trabajando en zona activa, el transistor se comporta de forma


lineal. Es decir, que a iguales variaciones de la corriente de base, IB, se producen
iguales variaciones de la corriente de colector, IC. El primer punto en el cual al
aumentar IB ya no aumenta IC pertenece a la zona de saturación. También
podemos modificar los valores de la corriente de base, de colector y de la tensión
de salida jugando con la tensión de entrada o con la resistencia de colector.

Una característica muy importante dentro de un circuito es determinar su punto de


funcionamiento. La corriente continua, y la tensión en cada terminal del transistor
determinan el punto de funcionamiento de un circuito. Este punto de
funcionamiento se encuentra situado en la recta de carga.

Para saber cuál es el punto de funcionamiento de un transistor tenemos que


determinar el valor de VC, potencial de colector, VB potencial de base, e
IC corriente de colector cuando el potencial trabaja en zona activa. Para
determinarlas podemos usar las curvas características que representan a un
transistor, o también podemos hallar el punto matemáticamente, usando dos
fórmulas que ya conocemos, la ley de Omh V = I . R y la igualdad IC = b . IB.
Combinando correctamente ambas fórmulas hallaríamos los datos que
necesitamos para obtener el punto de funcionamiento.

DESARROLLO

Diagrama 1

Calculos
Vcc – VRL – VCesat = 0
Vcc−Vcesat (5−0.3)𝑣
Ic = = = 156mA
RL 100𝛺

Vcc-VRB-VBR=0
Vcc-RbIB-VBE=0
𝑉𝑐𝑐−𝑉𝑏𝑒 (5−0.7)𝑣
RB= = 156𝑥10−6 = 27.567𝑥103
𝐼𝐵
Circuito 2

Cálculos
Vcc – VRL – VCesat = 0
Vcc−Vcesat (5−0.3)𝑣
Ic = = = 47*10-3mA
RL 100𝛺

𝐼𝑐 47𝑚𝐴
𝐼𝐵 = = = 156𝑚𝑖𝑐𝑟𝑜𝐴
𝐵 300
Vcc-VRB-VBR=0
Vcc-RbIB-VBE=0
𝑉𝑐𝑐−𝑉𝑏𝑒 (5−0.7)𝑣
RB= = 156𝑥10−6 = 27.567𝑥103
𝐼𝐵

SIMULACION
EVIDENCIAS

S-ar putea să vă placă și