Département Génie Electrique

Cycle d'ingénieur
Génie industriel

Projet N °1
d’ELECTRONIQUE

Réalisé par : Encadré par :

Yerrou Ayoub. Mr. ASTITO Abdelali.
Tarhouchi Ayoub.
SOMMAIRES
Circuit de polarisation du transistor NPN 2N1711.......................................... 3

LE Beta β du 2N1711 ............................................................................................................ 3

Calcul de point de fonctionnement P0 ................................................................................... 5

Les valeurs données par le simulateur 1 ............................................................................ 6

Rendre le point de fonctionnement au milieu de la droite statique…..……………………………6

L’étude dynamique d’’un transistor 2N1711 : Amplificateur De Tension …9

Les calculs théoriques ........................................................................................................ 9

Le gain à vide …………………………………………………………………………………………………….………11

Le gain en branchant la charge ....................................................................................... 13

La droite de charge dynamique ………………………………..……………………………………………..…16

Références ….………………………………………………………………………………18

“Never memorize something that you can look up.”

Albert Einstein

1
Tous les schémas sont captés par le logiciel MULTISIM Power Pro Edition 12.0.1 (12.0.923) , Database
version : 12.0.c

2
I-Circuit de polarisation du transistor
NPN 2N1711
LE BETA de 2N1711
A partir de DATASHEET de transistor 2N1711 on a
trouvé cette valeur 2.

D’où on prend β= 100.

Le montage : Figure 1 :

On applique le théorème de Thevenin et on trouve la chose

suivante :
𝑹𝟏∗𝑽𝑪𝑪
VBB = .
𝑹𝟏+𝑹𝟐
A. N:

2
Cette valeur a été prise du datasheet de 2N1711 à partir du site
http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/stmicroelectronics/9036.pdf

3
 𝟐𝟐𝟎𝟎𝟎∗𝟏𝟓
VBB = = 3.54V
𝟐𝟐𝟎𝟎𝟎+𝟔𝟖𝟎𝟎
𝑹𝟏∗𝑹𝟐
RBB = 𝑹𝟏+𝑹𝟐
A. N:

RBB = 𝟐𝟐𝟎𝟎𝟎∗𝟔𝟖𝟎𝟎
𝟐𝟐𝟎𝟎𝟎+𝟔𝟖𝟎𝟎

RBB ≈ 5.2 kΩ.

Donc à la fin, on trouve ce circuit équivalent :

Figure 2 :

Prenons la maille d’entrée, on a donc :

VBB+RBIB+VBE+REIC=0
𝑽𝑩𝑩−𝑽𝑩𝑬
IC= 𝑹𝑩𝑩
𝑹𝑬+
𝜷

A. N :

IC= 𝑽𝑩𝑩−𝑽𝑩𝑬
𝑹𝑩𝑩
𝑹𝑬+ 𝜷
=
𝟑.𝟓𝟒−𝟎.𝟕
𝟓𝟐𝟎𝟎
𝟒𝟕𝟎+ 𝟏𝟎𝟎
= 5.44 mA.

4
Prenons maintenant la deuxième maille, on trouve la
chose suivante :

VCC = (RE+RC) IC+ VCE0

VCE0 = VCC - (RE+RC) IC
A. N:

VCE0 = 15- (470+1000) *5.44*10-3

VCE0 = 7.003 V.
Le point de fonctionnement est alors :

P0 (VCE0 = 7.003V. , IC0= 5.44 mA )

On trouve alors la droite de charge statique suivante :

IC (mA)
𝑉𝐶𝐶
𝑅𝐸+𝑅𝑐
= 10

0 VCC=15 VCE(V)

Figure 3 : la droite de charge statique

Par des simulations 3, on a trouvé les valeurs suivantes

3
Tous les schémas sont captés par le logiciel MULTISIM Power Pro Edition 12.0.1 (12.0.923), Database
version : 12.0.c.

5
VCE0 = 7.003 V ≈ VPR = 6.96V.
IC = 5.44 mA ≈ ICPR 5.454 mA.

Conclusion
Les valeurs sont très proches, la différence est due à une
petite variation de beta β.

✓ Rendre le point de fonctionnement au milieu de la

droite statique

Pour rendre le point de fonctionnement au milieu de la

droite, il faut avoir la chose suivante :
𝑽𝑪𝑪
VCE0 = = 7.5v
𝟐
𝑽𝑪𝑪
ICM = 𝟐(𝑹𝑪+𝑹𝑬)

6
A.N
𝟏𝟓
ICM = = 5.1 mA.
𝟐(𝟏𝟎𝟎𝟎+𝟒𝟕𝟎)

Pour avoir l’expression de la résistance R2 on doit passer

par la maille d’entrée alors :

RE ICM-VBE= VBB+ RBBIB

𝑹𝟐 .𝑽𝑪𝑪 𝑹𝟐.𝑹𝟏
 + IBM = RE ICM +VBE
𝑹𝟏+𝑹𝟐 𝑹𝟏+𝑹𝟐

 R2(VCC-R1IBM-REICM-VBE) =R1(REICM+VBE)

𝐑𝐄∗𝐈𝐂𝐌+𝐕𝐁𝐄
 R2 = 𝐑𝟏
(𝐕𝐂𝐂−( 𝜷 +𝐑𝐄)𝐈𝐂𝐌−𝐕𝐁𝐄)

𝟐𝟐𝟎𝟎𝟎(𝟒𝟕𝟎∗𝟓.𝟏∗𝟏𝟎^−𝟑+𝟎.𝟕)
R2 = 𝟐𝟐𝟎𝟎𝟎 ≈ 6.320KΩ
𝟏𝟓−( +𝟒𝟕𝟎)𝟓.𝟏∗𝟏𝟎^−𝟑−𝟎.𝟕)
𝟏𝟎𝟎

Par le simulateur, on trouve :

7
Conclusion
Les valeurs sont très proches, la différence est due à une
petite variation de beta β.

8
II- l’étude dynamique d’’un transistor 2N1711
Amplificateur De Tension
-THEORIQUEMENT
Le schéma pour un amplificateur est de la forme
suivante :

Le transistor se transforme en circuit théorique

équivalent suivant :

9
Généralement , on néglige les h12 et h22 ,à ce
moment-là, on trouve le circuit équivalent
suivant :

D’où le schéma d’un amplificateur devient :

On cherche tout d’abord à calculer h11

Transconductance (ou pente)
gm= IC/VT à 300°K gm ≈ 40IC (mA)
Approximation des petits signaux
On applique une tension base - émetteur de la
forme:

10
VBE (t) = VBE + vbe
VBE : tension de polarisation (constante)
vbe: signal (variable en fonction du temps)
Si vbe << VT et IC(t) ≈ IC + (IC/VT) vbe
IC : Courant de polarisation (constant)

ic = (IC/VT)vbe = gm vbe
ic : partie signal du courant collecteur.

ic = β ib = gm vbe
Vbe = h11 ib
ic = h21 ib = gm Vbe
gm = h21 / h11 4

ℎ21
h11 =
𝑔𝑚

avec gm = 40 Ic = 40 h21*Ib
𝟏 𝟏
h11 = = = 781.25
𝟒𝟎∗𝒊𝒃 𝟒𝟎∗𝟎.𝟎𝟑𝟐∗𝟏𝟎^−𝟑

Le gain à vide est défini selon la chose suivante :

−ℎ21∗𝑅𝐶
Av =
ℎ11

AN
−100∗1000
Av = = -128
781.25

4
Ces résultats sont pris par le polycopie suivant :
http://jredoutey.free.fr/Puissance/Formulaire_transistor_bipolaire.pdf

11
Remarque :
Le signe (–) indique le déphasage entre l’entrée et la sortie.

Par simulation, on a trouvé la chose suivante :

L’oscilloscope a nous donné l’allure suivante :

12
Le gain à vide donné à partir de la simulation est :
𝑉𝑠 1317
Av = = ≈ 132.
𝑉𝑒 10

Conclusion
Les valeurs sont très proches, la différence est due à une
petite variation de beta β .

Le gain en branchant la charge :

Théoriquement, le gain est défini selon la chose
suivante :
−ℎ21∗(𝑅𝑐//𝑅𝑙)
Av =
ℎ11

A.N
𝟏𝟎𝟎𝟎∗𝟐𝟓𝟎𝟎
−𝟏𝟎𝟎∗( )
Av = 𝟏𝟎𝟎𝟎+𝟐𝟓𝟎𝟎
= - 91.42
𝟕𝟖𝟏.𝟐𝟓

13
On prend la charge RL = 2.5KΩ

L’oscilloscope a nous donne l’allure suivante :

Par simulation, le gain est :

𝟗𝟗𝟕
Av = = 99.7.
𝟏𝟎
Conclusion

Les valeurs sont très proches, la différence est due à une

petite variation de beta β.

14
En variant Rl, on prend par exemple Rl = 3.75 kΩ.

Figure 3

Figure 4

Par simulation, le gain est :

𝟏𝟎𝟐𝟕
Av = = 102.7.
𝟏𝟎

15
Conclusion
Les valeurs sont très proches, la différence est due à une
petite variation de beta β.

On cherche à tracer la droite de charge dynamique et

elle est définie selon la chose suivante :
−𝟏∗𝒗𝒄𝒆 −𝟏
ic = -  ∆Ic= ∆VCE
(𝑹𝒄//𝑹𝒍) (𝑹𝒄//𝑹𝒍)

−𝟏
la pente est : et cette droite doit passer par le
(𝑹𝒄//𝑹𝒍)
point de fonctionnement

P0 (VCE0 = 7.5V. , IC0= 5.1 mA )

Ic (mA)

Figure 5 : la droite de charge statique et dynamique

Vce = Vce0 + vce

Avec vce = ic0 * (Rc//RL)

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A.N
𝟏𝟎𝟎𝟎∗𝟐𝟓𝟎𝟎
Vce = 7.5+5.1*10-3 * ( ) =11.07
𝟏𝟎𝟎𝟎+𝟐𝟓𝟎𝟎

Et pour Ic(t) =Ic0+ ico

𝐯𝐜𝐞
Avec ic =
(𝐑𝐜//𝐑𝐥)

A.N
𝟕.𝟓
Ic = 5.1 + 𝟏𝟎𝟎𝟎∗𝟐𝟓𝟎𝟎 = 15.6 mA
( )
𝟏𝟎𝟎𝟎+𝟐𝟓𝟎𝟎

Remarque :

ve = vm sin ( 2π*f*t)
Avec :

Vm = 10mV.

F = 10 kHz.

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REFERENCES:

✓ Polycopie du cours de Mr. ASTITO Abdelali : cours

de transistor : statique et dynamique.

✓ Le montage de transistor en dynamique est basé

sur les montages de Mr.ASTITO ( le site web du
professeur )

✓ Le site de Mr. ASTITO :

http://www.astito.net/eea/index.php/fr/

✓ http://jredoutey.free.fr/Puissance/Ampli_transisto
r.pdf

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