i Ai 1 Ri (50)
n
Qi Si M i S k Fk ,i Dk ,i Si gi G4 Si c ,i G Pi [W] (51)
k 1
în care: Mi este puterea efectivă de emisie a suprafeţei S i W/m2;
Fk,i - coeficientul unghiular de radiaţie reciprocă între suprafeţele S k şi Si;
Dk,r - coeficientul de transparenţă total al stratului de gaze, conţinut între
suprafeţele Sk şi Si pentru radiaţia care se propagă de la Sk la Si;
εgi - coeficientul de emisie total al stratului gazos izoterm;
θG - temperatura gazelor din incintă, K;
P - temperatura suprafeţei Si, K;
i
n
k 1
ik Fk ,i Dk ,i M k qi gi G4 c ,i G Pi [W/m2] (52)
qu, j pentru i 1
qi, j (53)
q p,i, j qac,i, j pentru i 2,..., n
1 F Dk ,i M k i P4i 1 i gi G4
n
ik i k ,i (54)
k 1
1 i c ,i G Pi [W/m2]