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Diodos
(Experiencia Nº2)
(6A6)
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Universidad Nacional Mayor de San Marcos
Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica
(P600B)
2
Universidad Nacional Mayor de San Marcos
Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica
(BY127)
(EGG109 Y ECG110A)
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Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica
Resistencia dinámica
Si el diodo trabaja con voltajes variables, es decir que el punto de trabajo(V.I) se mueve con el
tiempo por la curva característica, la resistencia que presenta el diodo, también varia, dependiendo
esta del punto de trabajo en cada instante. A esta resistencia se le denomina resistencia dinámica y
tiene un valor dado por:
∆𝑉
𝑟𝐷 =
∆𝐼
En otras palabras, la resistencia dinámica se define como la oposición que presenta el diodo al paso
de una señal alterna o variable entiempo.
Corriente directa
Es el flujode corriente que se dirige en una sola dirección. La corriente eléctrica es utilizada para
energizar diferentes circuitos eléctricos y electrónicos. En el diodo, la corriente directa esta
determinada por el circuito y la ecuación que la define se le conoce como la ecuación de Shocley o
ecuación del diodo.
𝑽
( 𝑫)
𝑰𝑫 = 𝑰𝑺 (𝒆 𝒏𝑽𝑻 − 𝟏)
Corriente inversa
Es la corriente de fuga ocasionada por una polarización inversa 𝑽𝑫 en el diodo (𝑽𝑫 < 𝟎)
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Capacidad de transición
Es un efecto capacitivo que ocurre en un diodo cuando se trabajan con frecuencias altas. La
capacitancia de transición o de empobrecimiento se manifiesta con la polarización en inversa y se
reduce a medida que le voltaje inverso aumente. Se pueden incluir los efectos de las capacitancias
en el símbolo del diodo semiconductor.
PIV(PRV):voltaje máximo inverso que aparecerá en los terminales del diodo. El valor umbral de
voltaje pico inverso del diodo tiene una importancia primordial en los diseños de los sistemas de
rectificación.
Este valor de voltaje no deberá excederse en la región de polarización inversa o el diodo entraría en
la región de avalancha o zener.
Si la polarización de un circuito con un diodo polarizado en sentido directo, pasa a ser en sentido
inverso, la corriente no podrá pasar inmediatamente al valor que corresponde a la polarización
inversa. La corriente no puede anularse a su valor de equilibrio hasta que la distribución de
portadores minoritarios, que en el momento de invertir la tensión pase a ser la distribución en la
polarización inversa.
Diodo Zener: Al diodo Zener, también llamado diodo regulador de tensión, podemos definirlo
como un elemento semiconductor de silicio que tiene la característica de un diodo normal cuando
trabaja en sentido directo, es decir, en sentido de paso; pero en sentido inverso, y para una
corriente inversa superior a un determinado valor, presenta una tensión de valor constante. Este
fenómeno de tensión constante en el sentido inverso convierte a los diodos de Zener en
dispositivos excepcionalmente útiles para obtener una tensión relativamente invisible a las
variaciones de la tensión de alimentación, es decir, como dispositivos reguladores de tensión.
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Tres son las características que diferencian a los diversos diodos Zener entre sí:
Tensiones de polarización inversa, conocida como tensión Zener.- Es la tensión que el
Zener va a mantener constante.
Corriente mínima de funcionamiento.- Si la corriente a través del Zener es menor, no hay
seguridad en que el Zener mantenga constante la tensión en sus bornes
Potencia máxima de disipación. Puesto que la tensión es constante, nos indica el máximo
valor de la corriente que puede soportar el Zener.
Por tanto el Zener es un diodo que al polarizarlo inversamente mantiene constante la tensión en
sus bornes a un valor llamado tensión de Zener, pudiendo variar la corriente que lo atraviesa entre
el margen de valores comprendidos entre el valor mínimo de funcionamiento y el correspondiente
a la potencia de Zener máxima que puede disipar. Si superamos el valor de esta corriente el Zener
se destruye.
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LED anaranjado y amarillo: Están compuestos por GaAsP al igual que sus hermanos los rojos pero
en este caso para conseguir luz anaranjada y amarilla así como luz de longitud de onda más
pequeña, lo que hacemos es ampliar el ancho de la "banda prohibida" mediante el aumento de
fósforo en el semiconductor. Su fabricación es la misma que se utiliza para los diodos rojos, por
crecimiento epitaxial del cristal en fase gaseosa, la formación de la unión p-n se realiza por
difusión de Zn.