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UNIVERSIDAD CENTROCCIDENTAL

"LISANDRO ALVARADO"
DECANATO DE CIENCIAS Y
TECNOLOGIA

ELECTRÓNICA

GUIA DE ELECTRONICA

Nociones Básicas de
Electrónica

PROFESOR: ING. ENDER MARTINEZ

Barquisimeto
2
UNIVERSIDAD CENTROCCIDENTAL
LISANDRO ALVARADO
SISTEMA DE EDUCACION A DISTANCIA
DECANATO DE CIENCIAS Y
TECNOLOGIA

GUIA DE ELECTRONICA

TEMA I: Nociones Básicas de


Electrónica

Datos de Identificación
Elaborado por: Ing. Ender Martínez
Correo-electrónico: endermart77@gmail.com
Teléfonos de contacto: 0426-558-0198
Semestre: VI.
Carácter Obligatorio.
Sitio WEB del Curso: http://ead2.ucla.edu.ve/course/view.php?id=448
Número de Horas: 4
Fecha Elaboración: Mayo-Junio del 2012.
Fecha de Última Actualización: Julio del 2014.

Elaborada por Ing. Ender Martínez Marzo-Junio del 2014


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Tabla de Contenidos

Introducción…………………………………………………………… 4

Objetivos de Aprendizaje…………………………………………… 5

Esquema de los contenidos……………………………………...… 5

Fuentes de Información………………………………………….….. 6

Evaluación de los Aprendizajes…………………………………… 8

Orientación para el estudio………………………………………… 8

Desarrollo del Aprendizaje………………………………………… 10

Ejercicios de Autoevaluación……………………………………... 31

Respuestas a los Ejercicios……………………………………….. 32

Referencias…………………………………………………………… 33

Elaborada por Ing. Ender Martínez Marzo-Junio del 2014


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Esquema de los Contenidos

En la presente guía didáctica se estudiaran los siguientes tópicos durante las


próximas cuatro semanas:

1) La Electrónica: Concepto, reseña histórica, Importancia y las


ramas de la electrónica.

2) Los materiales semiconductores: El Silicio, el Germanio y el Arseniuro de


Galio, materiales intrínsecos, extrínsecos y pasos para la construcción de un
diodo de estado sólido.

3) Conceptualización, características eléctricas, simbología, análisis y


aplicaciones de: Diodos y tipos de diodos.

4) Etapas y diseño de una fuente de Poder con Diodos Zener y con


Reguladores.

5) Conceptualización, características eléctricas, simbología, análisis y


aplicaciones de: Transistores (BJT) y sus tipos.

6) Polarización de los BJT, sus regiones de Trabajo (Activa, Corte y


Saturación) y punto de trabajo “Q”.

7) Los amplificadores con BJT. El emisor común y el colector común.

8) Diseño y simulación de circuitos prácticos de diodos y transistores


aplicados a procesos productivos.

Elaborada por Ing. Ender Martínez Marzo-Junio del 2014


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Fuentes de Información

En este proceso de aprendizaje basado en el constructivismo es vital el estudio


independiente y para ello es necesario contar una buena bibliografía que nos ayudará a
cumplir con los objetivos de esta unidad.

La bibliografía recomendada para esta unidad:

 BOYLESTAD, Robert L. y NASHELSKY, Louis. 2009. Electrónica: Teoría de Circuitos


y dispositivos electrónicos. 10ma Edición. Editorial: Pearson Prentice Hall. ISBN: 978-
607-442-292-4. Capítulos 1, 2 y 4.

 SAVANT Jr C. J, RODER Martin S. & CARPENTER Gordon L. (1991). Diseño


Electrónico, 2da Edición. Capítulo 1 y 3.

Ambos libros pueden ser facilitados por el Profesor en archivos PDF.

También se recomienda las siguientes páginas WEB:

En las siguientes páginas WEB conseguirás información sobre los semiconductores:

DR. Tarrach Guido (2001). Pontificia Universidad Católica de Chile. Facultad de Física.
Física de Sólidos. Disponible en:
http://www4.ujaen.es/~egimenez/FUNDAMENTOSFISICOS/semiconductores.pdf

ING. MARTÍN Martínez María Jesús (2010). Los Semiconductores. Recuperado el 12 de


Mayo del 2013, de: http://ocw.usal.es/ensenanzas-
tecnicas/electronica/contenido/electronica/Tema1_SemiConduct.pdf

Las siguientes páginas WEB conseguirás información sobre Diodos:

MIYARA Federico (2002) Universidad Nacional de Rosario. Facultad de Ciencias


Exactas, Ingeniería y Agrimensura. Escuela de Ingeniería Electrónica. Departamento de
Electrónica. Rectificación. Disponible en: http://www.fceia.unr.edu.ar/enica3/rectif.pdf

PROF. HOYO Alexander (2007). Universidad Simón Bolívar. Departamento de tecnología


Industrial. Guía de Circuitos Electrónicos I. Recuperado el 20 de Mayo del 2013, de:
http://prof.usb.ve/ahoyo/Documentos/guias_cir.pdf

Elaborada por Ing. Ender Martínez Marzo-Junio del 2014


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Las siguientes páginas WEB conseguirás información sobre Transistores BJT:

SÁNCHEZ, K. y GUERRERO, A. (2013). Entorno visual de aprendizaje para las


configuraciones de los transistores BJT como amplificadores. Memorias, 11(20), 79-86.
Universidad Corporativa de Colombia. Disponible en:
http://revistas.ucc.edu.co/index.php/me/article/view/502/495

GARCÍA Souto José A. (2009). Universidad Carlos III de Madrid. Componentes y


Circuitos Electrónicos. Recuperado el 25 de Mayo del 2013, de:
http://ocw.uc3m.es/tecnologia-electronica/componentes-y-circuitos-electronicos/material-
de-clase-1/tema-iii/OCW-
CCE_S16_Ejercicios_amplificadores_con_transistores_bipolares.pdf/view

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Desarrollo del Aprendizaje


Desarrollo de los Contenidos. TEMA I

LA ELECTRÓNICA

Como primer punto de esta unidad, que estudiaremos, es sobre la electrónica, su historia,
su importancia y sus ramas.

La electrónica es la rama de la física y especialización de la ingeniería, que estudia y


emplea sistemas cuyo funcionamiento se basa en la conducción y el control del flujo
microscópico de los electrones u otras partículas cargadas eléctricamente.

Utiliza una gran variedad de conocimientos, materiales y dispositivos, como son los
semiconductores. El diseño y la gran construcción de circuitos electrónicos para resolver
problemas prácticos forma parte de la electrónica y de los campos de la ingeniería
electrónica, electromecánica, la informática, el área de producción y en el diseño de software
para su control. El estudio de nuevos dispositivos semiconductores y su tecnología se suele
considerar una rama de la física, más concretamente en la rama de ingeniería de materiales.

Con respecto a la historia se considera que la electrónica


comenzó con el diodo de vacío inventado por John Ambrose
Fleming en 1904. El funcionamiento de este dispositivo está
basado en el efecto Edison. Edison fue el primero que observó en
1883 la emisión termoiónica, al colocar una lámina dentro de una
bombilla para evitar el ennegrecimiento que producía en la
ampolla de vidrio el filamento de carbón. Cuando se polarizaba
positivamente la lámina metálica respecto al filamento, se
producía una pequeña corriente entre el filamento y la lámina.
Este hecho se producía porque los electrones de los átomos del
filamento, al recibir una gran cantidad de energía en forma de calor, escapaban de la
atracción del núcleo (emisión termoiónica) y, atravesando el espacio vacío dentro de la
bombilla, eran atraídos por la polaridad positiva de la lámina. Pero fue definitivamente con el
transistor, aparecido de la mano de Bardeen y Brattain, de la Bell Telephone Company, en
1948, cuando se permitió aún una mayor miniaturización de aparatos tales como las radios.
El transistor de unión apareció algo más tarde, en 1949. Este es el dispositivo utilizado
actualmente para la mayoría de las aplicaciones de la electrónica. Sus ventajas respecto a
las válvulas son entre otras: menor tamaño y fragilidad, mayor rendimiento energético,
menores tensiones de alimentación, etc. El transistor no funciona en vacío como las
válvulas, sino en un estado sólido semiconductor (silicio), razón por la que no necesita
centenares de voltios de tensión para funcionar. Esta parte se puede complementar con la
lectura del capítulo 1 del Savant, específicamente en la introducción del libro.

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En cuanto a sus ramas podemos mencionar las más importantes como son: la
Microelectrónica (Dispositivos), Computación, Control (Control Industrial, puede incluir
Robótica), Telecomunicaciones, Microcontroladores (Programación), Electrónica Digital
Audio, Video, Potencia, Electro medicina, Electrónica Marina y Aeronáutica (incluye RADAR)
e Instrumentación (Sensores y Medidores).

Actividad de autocontrol

1. Realiza un mapa conceptual de lo que crees es la


Electrónica.
2. ¿Cuáles fueron los dos primeros componentes
electrónicos que aparecieron en la historia?
3. En cuanto a la Ingeniería de Producción, ¿Cuál crees tú,
de las ramas de la electrónica, está muy relacionada a
ésta ingeniería?

PUNTO #1: LOS SEMICONDUCTORES

Con respecto a los semiconductores, se recomienda leer los libros textos y ver las
páginas WEB recomendadas para esta parte de Semiconductores, sin embargo daremos
una breve introducción sobre los mismos. De los libros textos: el capítulo 1 del Savant,
secciones: 1.1; 1.1.1; 1.1.2; 1.1.3 y 1.1.4. Y del Boylestad capítulo 1, secciones 1.3; 1.4; 1.5
y 1.6. También se recomienda visitar las páginas WEB que se colocaron para esta parte de
los Semiconductores, así como de ver el video sobre semiconductores.

En 1940 Russell Ohl, investigador de los


Laboratorios Bell, descubrió que si a ciertos cristales
se le añadía una pequeña cantidad de impurezas su
conductividad eléctrica variaba cuando el material se
exponía a una fuente de luz. Ese descubrimiento
condujo al desarrollo de las celdas fotoeléctricas o
solares. Posteriormente, en 1947 William Shockley,
investigador también de los Laboratorios Bell, Walter
Brattain y John Barden, desarrollaron el primer dispositivo semiconductor de germanio (Ge),
al que denominaron “transistor” y que se convertiría en la base del desarrollo de la
electrónica moderna.

Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por
ejemplo, constituyen elementos que poseen características intermedias entre los
cuerpos conductores y los aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la
otra. Sin embargo, bajo determinadas condiciones esos mismos elementos permiten
la circulación de la corriente eléctrica en un sentido, pero no en el sentido contrario.
Esa propiedad se utiliza para rectificar corriente alterna, detectar señales de radio, amplificar
señales de corriente eléctrica, funcionar como interruptores o compuertas utilizadas en
electrónica digital, etc.

Elaborada por Ing. Ender Martínez Marzo-Junio del 2014


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También podemos decir que existen


semiconductores intrínsecos y extrínsecos
y que la corriente en estos materiales
semiconductores se puede generar tanto
de electrones como de huecos.

Recomendaciones: Realice una lectura


reflexiva de las secciones de los libros
textos y ayúdese con mapas conceptuales
y mentales, así como haciendo cuadros comparativos, gráficos y/o resúmenes.

Actividad de autocontrol. En base a las lecturas recomendadas:

1. Realice un mapa conceptual o mental donde se


defina a los semiconductores.
2. En un átomo de un material semiconductor,
¿cuántos electrones de valencia existen?
3. Haga un grafico de los niveles de energía de los
aislantes, semiconductores y conductores.
4. ¿Cómo se pasa de un material intrínseco a un
material extrínseco tipo N?
5. ¿Cómo se pasa de un material intrínseco a un
material extrínseco tipo P?
6. Haga un cuadro comparativo del los semiconductores más comunes (el Si y Ge)
7. ¿Cuáles son los pasos para diseñar un diodo semiconductor con Silicio o Germanio?

PUNTO #2: LOS DIODOS SEMICONDUCTORES

En esta parte de la guía hablaremos del componente más básico de la electrónica, pero
no menos importante, en casi todos los circuitos electrónicos se conseguirán algún tipo de
diodo y por tal razón es imprescindible el conocerlos, dominarlos y manejarlos.

Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de


la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido. Este término generalmente se usa
para referirse al diodo semiconductor de uso general, que es el más común en la actualidad.
El símbolo del diodo de uso general es el siguiente:

El diodo posee dos pines, el ánodo (A) que es el terminal positivo y el cátodo (K) que es
el terminal negativo.

Elaborada por Ing. Ender Martínez Marzo-Junio del 2014


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Gráfica de un diodo:

En los diodos de silicio la tensión umbral es de 0,6v o 0,7v y para los de germanio es de
0,2v o 0,3v.
Funcionamiento del diodo
El diodo de uso general tiene dos zonas de trabajo o dos formas de polarizarlo, en
directo y en inverso, cuando lo polarizamos en directos, necesariamente debemos hacer
pasar la corriente de ánodo a cátodo y superar el voltaje umbral del diodo, cuando el diodo
esta en directo podemos decir también que está en “ON” o prendido; ahora para que este en
polarización inversa, en este caso se buscara hacer pasar la corriente de cátodo a ánodo, y
podemos decir que diodo está en “OFF” o apagado, en esta situación no pasara corriente
por el diodo, lo podemos simular como un circuito abierto. A continuación se muestra dos
circuitos con estas condiciones (Directo e Inverso).
El diodo en directo: Como se ve en el circuito, por la fuente de 9V la corriente sale por el
positivo, esto hace que la corriente pase por el diodo de Ánodo a Cátodo y como el voltaje
de la fuente de 9V es mayor al voltaje umbral del diodo (0,6 o 0,7v para el silicio) el diodo
prende, conduce y queda polarizado en directo (ON).

Elaborada por Ing. Ender Martínez Marzo-Junio del 2014


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El diodo en inverso: En el siguiente circuito se observa, que por la fuente de 9V la corriente


sale por el positivo, esto hace que la corriente busque pasar por el diodo de Cátodo a Ánodo
colocándolo al diodo en inverso (OFF), apagándolo y no
dejando pasar corriente por él.

Para profundizar más sobre esta parte del funcionamiento del diodo de uso
general, lea en forma reflexiva el texto guía: Boylestad capitulo 1, las secciones 1.2 y
1.6.
Actividad de autocontrol. En base a su lectura:
1. Haga un cuadro comparativo de los dos tipos de
polarizaciones del diodo de uso general.
2. ¿Qué entiende por región de agotamiento?
3. ¿Qué entiende por PIV?
4. ¿Qué ocurre si a un diodo semiconductor se somete a
grandes cambios de temperatura?
Para una mayor comprensión de los circuitos con diodos de uso general léase del
capítulo 2 del Boylestad, los ejemplos del 2.6 al 2.15

TIPOS DE DIODOS MÁS COMUNES:


Los diodos más comunes son los siguientes: el diodo rectificador, el diodo led, el
diodo Zener, el fotodiodo y el varistor. Existen más diodos como el túnel, el varicap, el
schottky, etc., estos últimos se escapan del contenido del curso.
El diodo rectificador se comporta como un diodo de uso general, la única diferencia es
que este diodo rectificador trabaja para bajas frecuencias, una de sus principales
aplicaciones se encuentra en las fuentes de poder, tema que veremos más adelante en esta
guía. El símbolo es:

El diodo led también trabaja de manera similar al diodo de uso general, la diferencia
radica en que en directo el diodo led consume un promedio de 2V, que emite luz visible,
que se pueden emitir luz de color rojo, verde, amarillo, azul, ámbar, etc., en inverso igual no
conduce y el símbolo del led que es el siguiente:

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El diodo Zener es un componente que lo podemos diferenciar del diodo de uso


general, en que posee tres regiones de trabajo o zonas de trabajo o formas de polarizarlo y
que posee un voltaje llamado Voltaje Zener (Vz). Veamos el símbolo y su grafica de éste
diodo tan usado en la electrónica:

En la gráfica se puede ver las tres Zonas de Trabajo del Diodo Zener, que son en Directo
(ON), Inverso (OFF) y en Inverso (ON).
La primera forma de polarizarlo es en Directo, en este
caso actúa como un diodo normal, la corriente busca pasar
de Ánodo a Cátodo, su voltaje es como un diodo normal de
Silicio, de 0,6v o 0,7V.
En este circuito podemos ver como la corriente sale de
la fuente de 9V por el positivo haciendo que la corriente
pase de Ánodo a Cátodo, aquí el diodo conduce pero su
voltaje es de 0,6V o 0,7V como un diodo normal de Si.

En este caso vemos que la corriente sale del positivo


de la fuente de 5V, pero busca pasar de Cátodo a
Ánodo, quiere decir que esta en inverso, ahora como el
voltaje de la fuente es menor al voltaje Zener (Vz),
entonces no puede prender, estaría en Inverso (OFF).

Elaborada por Ing. Ender Martínez Marzo-Junio del 2014


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Para este circuito podemos ver que la corriente


sale del positivo de la fuente de 9V, pero busca
pasar de Cátodo a Ánodo, quiere decir que esta en
inverso, ahora como el voltaje de la fuente (9V) es
mayor, por lo menos tres voltios al voltaje Zener
(Vz), entonces si puede prender, conduciría, estaría
en Inverso (ON) y su voltaje de Cátodo a Ánodo
seria el Voltaje Zener (Vz) de 5,1V.

Para una mayor comprensión, léase del capítulo 2 del Boylestad, la


sección 2.10.
Actividad de autocontrol. Realice los siguientes ejercicios
propuestos al final del capítulo 2 página 130 del Boylestad: 42, 44 y
45. RESPUESTAS: 42 a. VL=9v, el Zener no prende, IL=50mA,
Ir=IL=50mA. b. VL=10v, el Zener prende, IL= 21,27mA, Ir=45,45mA,
Iz= 24,18mA. c. RLmax= 1,83KΩ. d. RLmin= 241,2Ω. 44. Vimax= 15,85v. 45. Rs= 388Ω;
Izmax= 54,14mA.

El Fotodiodo es un componente óptico, que en vez de emitir luz, recibe luz y puede
conducir en inverso cuando recibe suficiente luz; esta luz que recibe puede ser visible o luz
infrarrojo, también posee tres zonas de trabajo, en Directo (ON), Inverso (OFF) y en
Inverso (ON). Su aplicación principal es en inverso, ya que puede funcionar como un
Switche; cuando no recibe luz no permite el paso de corriente de Cátodo a Ánodo, estaría en
la región Inverso (OFF), pero cuando percibe la luz deja pasar corriente de Cátodo a Ánodo
y estaría en la región Inverso (ON). Cuando conduce en Inverso
(ON) el voltaje es parecido al de un diodo led, de 1,6V a 2V. Se
usa mucho en circuitos detectores de objetos, alarmas,
contadores, etc. Su símbolo en parecido al del led, pero en vez
de ir las flechas hacia afuera, las flechas van apuntando al
Fotodiodo indicando que trabaja recibiendo algún tipo de luz.
El Varistor es un diodo de uso exclusivo para la protección de sobre tensiones o para la
supresión de picos de voltajes, podemos decir que también tiene tres regiones de trabajo,
parecido al diodo Zener, Directo (ON), Inverso (OFF) y en
Inverso (ON), pero para este diodo existe un voltaje llamado de
ruptura (Vb) y puede conducir en ambos sentidos siempre y
cuando se supere el voltaje de ruptura (Vb). Se usa colocándolo
en paralelo con el componente que se quiere proteger, el símbolo
es el que tenemos a la derecha de la guía. Vb puede tener valores desde 15V hasta 1000V.

Elaborada por Ing. Ender Martínez Marzo-Junio del 2014


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Actividad de autocontrol.
Se propone que se realice los siguientes ejercicios del libro texto el Boylestad, capítulo 2,
de la Pág. 124 el 9, 10 y 11; y los de la Pág. 125 el 12, 13, 20, 21 y 25 (PARA ESTE
EJERCICIO 25 NO ES NECESARIO CALCULAR Vdc, SOLO HACER EL ANALISIS EN LOS
DOS CICLOS Y HACER LA GRAFICA DE SALIDA (Vo). RESPUESTAS: 9.a V01=11,3v,
V02=0,2v, I=2,36mA, 9.b V01=-9,1v, V02=-6,67v, I=2,02mA. 10.a Vo= 19,3v, Id= 2,05mA,
10.b Vo=14,3v, Id=8,77mA. 11.a Vo=9,8v, I= 9,8mA, 11.b Vo=14,6v, I=0,55mA. 12.
V01=0,7v, V02=0,2v, I=18,24mA. 13. Vo=6,2v, Id=1,55mA. 20. Vo= 10v, esto es porque las
fuentes de voltaje de 10v se anula por tener el mismo valor y estar en sentido contrario,
haciendo que no quede voltaje en el circuito. 21. Vo= 4,8v, en este caso solo conduce el
diodo de Ge. 25. En el ciclo positivo el diodo queda en inverso y no hay corriente por el
circuito, por lo tanto la salida Vo es igual a la entrada Vi. En el ciclo negativo el diodo
conduce (ON) ya que la corriente busca pasar de ánodo a cátodo quedando en directo y la
salida Vo es cero voltios (Vo=0v) si el diodo es ideal, pero si es de Si entonces la salida es
de 0,7 voltios (Vo=0,7v). La grafica de salida (Vo) nos quedaría:

Usando el Software de electrónica LIVEWIRE, simule los siguientes circuitos y mida las
corrientes y voltajes de las resistencias y de los diodos. Estas simulaciones se deben
entregar en la fecha asignada por el profesor en digital, cuya fecha será publicada en el
FORO DE NOTICIAS.
1.

Elaborada por Ing. Ender Martínez Marzo-Junio del 2014


15

2.

3.

4.

5. El diodo Zener tiene un Voltaje Zener (Vz) de 4,3V.

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Ejercicio de circuitos con diodos. En el siguiente ejemplo explicaremos como abordar


un circuito con diodos, esto es para reforzar los ejercicios ya antes planteados.
Calcular la corriente “I”, el voltaje de salida “Vo” y explique cómo esta cada diodo del
circuito (en directo, inverso (off) o inverso (on)).
“I”

Primeramente debemos analizar cómo se encuentran los diodos. Como podemos ver en
el circuito el diodo D2 de silicio esta en paralelo con el diodo D1 que es el Zener, como el
voltaje en paralelo es el mismo, el diodo de silicio le coloca al Zener un voltaje de 0,7v y
como el Zener necesita 4,3v ya que esta en inverso, el diodo Zener D1 no prende y
quedaría en inverso (off), redibujamos el circuito nos queda:
“I”

“1”

Ahora, analizando el circuito nuevamente, vemos que los diodos D2, D4 y D3 quedaron
en serie, y los tres necesitan por menos 3v, estos tres voltios es debido a que el Led
consume 2v, el diodo de silicio 0,7v y el de germanio 0,3v y como están en serie debemos
sumar sus voltajes, la suma de estos tres voltajes nos da 3V, y como la fuente es de 12v
entonces los tres diodos estarían en directo (on) ya que el voltaje que necesita es
superado y la corriente pasa por los diodos de Ánodo a Cátodo.

Elaborada por Ing. Ender Martínez Marzo-Junio del 2014


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El voltaje de salida “Vo” lo podemos calcular fácilmente ya que este voltaje esta en
paralelo con los tres diodos, por lo tanto podemos decir que “Vo” es:
Vo = Vled + Vsi + Vge Vo = 2v + 0,7v + 0,3v Vo = 3v
La corriente “I” del circuito lo podemos conseguir haciendo una Ley de Voltaje de
Kirchhoff en “1”: consideramos que la corriente polariza a las resistencias positivas (+) por
donde entra la corriente y negativa (-) por donde sale la corriente, así:
-12v + I*1,2K + 0,3v + 0,7v + 2v = 0V
Despejando “I” de la ecuación tenemos:
I = (12v – 0,3v – 0,7v – 2v)/ (1,2K) I = 9v/1,2K I = 7,5 mA.
Ejercicio propuesto de circuitos con diodos: 1). Calcular las corrientes del circuito,
el voltaje de salida (Vo) y explique cómo se encuentran los diodos del siguiente
circuito. Respuestas: I1:41,6mA, I2: 13,63mA, IZ: 27,97mA, Vo: 5,1V. Estos valores son
aproximados.
“I1”

“IZ” “I2”

2). Analice el mismo circuito anterior pero si el diodo Zener (D1) lo invierte. Calcule
nuevamente las corrientes del circuito, el voltaje de salida (Vo) y explique cómo se
encuentran los diodos. Respuestas: I1:77,5mA, I2: 0A, IZ=I1=77,5mA, Vo: 0,7V. Estos
valores son aproximados.
NOTA: SE RECOMIENDA SIMULAR ESTOS DOS EJERCICIOS PROPUESTOS EN EL
SOFTWARE DE ELECTRÓNICA “LIVEWIRE” PARA SU MAYOR COMPRENSIÓN.

PUNTO #3: APLICACIONES DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES


Una de las grandes aplicaciones de los diodos lo encontramos en las fuentes de poder o
fuentes de voltaje, estas fuentes de poder posee por lo menos cuatro etapas, la primera
etapa es la etapa donde está el Transformador, la segunda etapa es donde esta algún
puente rectificador, los cuales pueden ser de Media Onda (R.M.O) o de Onda Completa
(R.O.C), la tercera etapa es la de Filtrado y la última es la de Regulación que puede ser
usando un diodo Zener o un circuito integrado (Regulador). En el siguiente esquema se
puede ver las cuatro etapas de una fuente de alimentación:

Elaborada por Ing. Ender Martínez Marzo-Junio del 2014


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A continuación explicaremos cada etapa de la fuente de voltaje.


Primera etapa: El trasformador de entrada reduce la tensión de red (generalmente 220 o
120 V efectivos) a otra tensión más adecuada para ser tratada. Solo es capaz de trabajar
con corrientes alternas. Esto quiere decir que la tensión de entrada será alterna y la de
salida también. El voltaje a la salida del transformador depende de la relación de vueltas del
mismo donde:
Donde Vs es el voltaje en el secundario y Vp es el voltaje en el
primario y “a” es la relación de vueltas del transformador.

Segunda etapa: Es la etapa de los puentes rectificadores, que son los de media onda
(R.M.O) y los de onda completa (R.O.C), para esta recomendamos leer del libro Boylestad el
capítulo 2 las secciones 2.7 y 2.8 con sus ejemplos y del Savant capítulo 1 las secciones
1.4, 1.4.1 y 1.4.2.
Lo que podemos acotar es son tan comunes usar este tipo de rectificadores que se
venden ya preparados los cuatro diodos en un solo componente. Suele ser recomendable
usar estos puentes rectificadores, ocupan menos que poner los cuatro diodos y para
corrientes grandes vienen ya preparados para ser montados en un radiador. Este es el
aspecto de la mayoría de ellos:

Tienen cuatro terminales, dos para la entrada en alterna del transformador, uno la salida
positiva y otro la negativa o masa. Las marcas en el encapsulado suelen ser:
~ Para las entradas en alterna
+ Para la salida positiva
- Para la salida negativa o masa.

Elaborada por Ing. Ender Martínez Marzo-Junio del 2014


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El siguiente circuito es un ejemplo de un rectificador de media onda.

Tercera etapa: La tensión en la carga que se obtiene de un rectificador es en forma de


pulsos. En un ciclo de salida completo, la tensión en la carga aumenta de cero a un valor de
pico, para caer después de nuevo a cero. Lo que se necesita es una tensión constante o un
voltaje DC Puro, similar a la que produce una batería. Para obtener este tipo de tensión
rectificada en la carga es necesario emplear un filtro.
El tipo más común de filtro es el del condensador a la entrada, en la mayoría de los casos
perfectamente válido. Este es el filtro más común, basta con añadir un condensador en
paralelo con la carga (RL), de esta forma:

Los valores recomendables para el condensador en un RECTIFICADOR EN PUENTE:


Si se quiere ajustar el valor del condensador al menor posible esta fórmula da el valor del
condensador para que el rizado sea de un 10% de Vo (regla del 10%):
C = (5 * I) / (f * Vmax)
donde:
C: Capacidad del condensador del filtro en faradios.
I: Corriente que suministrará la fuente en amperios.
f: frecuencia de la red, por lo general son 60Hz.
Vmax: tensión pico con que se carga el condensador “C”, que sería el voltaje del
secundario (Vs) multiplicad por raíz de 2 menos 1,4v aproximadamente, esto es si el puente
rectificador es de onda completa (R.O.C).

Esto es si el transformador es sin toma central, si el


transformador es con toma central el Vmax sería:
Si se quiere conseguir un rizado del 7% puedes multiplicar el resultado anterior por 1,4, y
si quieres un rizado menor resulta más recomendable que use un regulador de voltaje
(Circuito integrado).

Elaborada por Ing. Ender Martínez Marzo-Junio del 2014


20

Para completar esta parte de filtrado léase del capítulo 1 del Savant la sección
1.4.3.
Actividad de autocontrol.
Realice los ejercicios propuestos D1.3 y D1.5 de la página 91 del libro Savant (este
libro esta enumerado en la parte inferior central, a esta numeración nos estamos
refiriendo para ubicar rápidamente los ejercicios). Las respuestas se encuentran en la
misma página donde están los ejercicios propuestos.

Cuarta etapa: En esta etapa puede tener dos tipos de reguladores, uno con diodos Zener y
el otro con circuitos integrados que son llamados Reguladores de Voltaje.
Un regulador o estabilizador es un circuito que se encarga de reducir el rizado que se
forma en el condensador y de proporcionar una tensión de salida con el voltaje exacta que
queramos.
Con respecto a los reguladores de voltaje (circuitos integrados) tenemos varias familias,
las cuales son:
Reguladores de la serie 78XX:
Este es el aspecto de un regulador de la serie 78XX. Su característica principal es que la
tensión entre los terminales Vout y GND es de XX voltios y una corriente máxima de 1A. Por
ejemplo: el 7805 es de 5V, el 7812 es de 12V... y todos con una corriente máxima de 1
Amperio. Se suelen usar como reguladores fijos.
Existen reguladores de esta serie para las siguientes tensiones: 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18 y
24 voltios. Con estos reguladores obtenemos una Vout fijo o un voltaje DC puro sin rizado.
Es posible que tengas que montar el regulador sobre un radiador para que disipe bien el
calor.
Físicamente so por lo general de la siguiente forma:

Reguladores de la serie 79XX:


Se suele usar en combinación con el 78XX para suministrar tensiones simétricas. La
tensión entre Vout y GND es de - XX voltios (voltajes negativos), por eso se dice que este es
un regulador de tensión negativa. La forma de llamarlos es la misma: el 7905 es de 5V, el
7912 es de 12... Pero para tensiones negativas.

Regulador ajustable LM317:


Este regulador de tensión proporciona una tensión de salida variable sin más que añadir
una resistencia y un potenciómetro. Se puede usar el mismo esquema para un regulador de
la serie 78XX pero el LM317 tiene mejores características eléctricas. El aspecto físico es el
mismo que los anteriores, pero este soporta 1,5A.

Elaborada por Ing. Ender Martínez Marzo-Junio del 2014


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Ejemplo de una fuente de Poder o de Voltaje con circuito integrado:

Para una mayor comprensión de las Fuentes de Poder con Reguladores (Circuitos
Integrados) léase del capítulo 15 del Boylestad, la Sección 15.6 y analice los ejemplos
del 15.12 al 15.16
DISEÑO DE UNA FUENTE DE PODER CON ZENER:
Para esta parte se recomienda leer el capítulo 1 del libro texto el Savant, la sección 1.6,
la 1.6.1, el ejemplo 1.2 y la 1.6.2.

Actividad de autocontrol.
Realice los ejercicios propuestos D1.9, D1.10, D1.11, D1.12 y D1.13
de la página 68 y de la página 87 el PA 1.4 (para este ejercicio no
necesita hacer el inciso d.) del libro texto el Savant (este libro esta
enumerado en la parte inferior central, a esta numeración nos
estamos refiriendo para ubicar rápidamente los ejercicios). Las
respuestas se encuentran en la misma página donde están los
ejercicios propuestos. Las repuestas del ejercicio PA 1.4 son: a) Izmax = 48,35mA
Izmin = 4,835mA. b) Ri = 205Ω, Vsmax = 21,21Vp, Vsmin = 17,21v, ∆V = 4V. c) C = 106,8µF.

PUNTO #4: LOS TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNTURA


(BJT)
Comenzaremos esta parte definiendo el Transistor Bipolar de
Juntura (BJT), éste será el nombre que usaremos desde ahora en
adelante en el resto de la guía y la materia, lo llamaremos “BJT”.
Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones
semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la
base y la región del colector. Estas regiones son,
respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo
P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región del semiconductor
está conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) y colector (C), según
corresponda.

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Entonces podemos decir que existen dos tipos de BJT, el tipo NPN y el tipo PNP, veamos
los símbolos de estos BJT y los pines de los mismos.
En los siguientes símbolos podemos ver los tres pines,
el emisor (E), base (B) y colector (C) y su ubicación en el
símbolo, el emisor (E) siempre estará identificado por la
flecha. Nos concentraremos en el estudio del BJT del tipo
NPN ya que en la práctica son los más usados.
Las características eléctricas principales del BJT tipo
NPN son sus corrientes, el BJT siempre tendrá tres
corrientes, la Corriente de la Base, la corriente del
Colector y la corriente del Emisor y sus voltajes, el voltaje
Base-Emisor (Vbe) y el voltaje Colector-Emisor. En la siguiente figura podemos ver el
sentido de estas corrientes y los voltajes que tiene el BJT tipo NPN:

La corriente de Emisor tiene la siguiente fórmula:


IE = IC + IB
El transistor BJT también tiene su fórmula en su corriente de Colector que depende de la
corriente de la Base, con esto podemos concluir algo muy importante y es que el BJT
es un dispositivo controlado por corriente y la corriente que lo controla es la de la
BASE (Ib).
Entonces tenemos que la corriente del Colector depende de la corriente de la Base y el
transistor la amplifica por un factor de ganancia que lo llamaremos BETA (β), así la ecuación
de la corriente de Colector es:

Elaborada por Ing. Ender Martínez Marzo-Junio del 2014


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Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas


principalmente por la forma en que son polarizados:

 Región activa:

Ie = (β + 1)·Ib Ic = β·Ib

En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de


base (Ib), de β (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias
que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta región es la más
importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de
señal. Podemos decir que el BJT está en la región activa si el voltaje colector-
emisor es mayor o igual a 1v (Vce ≥ 1v).

 Región de corte (OFF) (apagado): Un transistor está en corte o apagado cuando:

Ib= corriente de base = 0, (Ib = 0) y por lo tanto la Ic y la Ie serán cero.

También podemos decir que esta en corte (OFF) cuando el voltaje base-emisor
es menor o igual a 0,4v (Vbe ≤ 0,4v)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de


alimentación del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje
en los resistores por Ley de Ohm).
De forma simplificada, se puede decir que el la unión CE se comporta como un
circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

 Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:

Podemos decir que el BJT está en esta región cuando el Vce ≤ 0,3v

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del


circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos. Se
presenta cuando la diferencia de potencial entre el colector y el emisor desciende por
debajo del valor umbral VCE,sat. Cuando el transistor esta el saturación, la
relación lineal de amplificación Ic=β·Ib (y por ende, la relación Ie=(β+1)·Ib ) no se
cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unión CE se comporta como un cable, ya
que la diferencia de potencial entre C y E es muy próxima a cero.

Como se puede ver, la región activa es útil para la electrónica analógica (especialmente
útil para amplificación de señal) y las regiones de corte y saturación, para la electrónica
digital, representando el estado lógico alto y bajo, respectivamente.

Otra cosa muy importante en los BJT es conseguir el Punto “Q” del BJT, este punto “Q”
nos dirá en que región de trabajo o de operación se encuentra el transistor ya que el punto

Elaborada por Ing. Ender Martínez Marzo-Junio del 2014


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“Q” nos dice cuanto es la corriente de Colector y el voltaje Colector – Emisor, así el punto
“Q” es:

Q = (Ic; Vce)

NOTA: Para esta parte se recomienda leer el capítulo 4 del libro texto el Boylestad,
desde la sección 4.1 hasta la 4.5 (se puede obviar los análisis aproximados) con sus
ejemplos, ver el ejemplo 4.20, y por último ver solo la sección 4.15.

También se recomienda ver las páginas WEB recomendadas para esta parte de
Transistores.

Actividad de autocontrol.

Realice los siguientes ejercicios del capítulo 4 del libro texto el Boylestad, en la página
235 y 236, los problemas 12, 13 y 14. Respuestas: 12. Ib=21µA, Ic=1,71mA, Vce=8,17V,
Vc=9,33V, Ve=1,156V y Vb=1,856V 13. Ic=1,27mA, Ve=1,52V, Vb=2,22V y R1=39KΩ. 14.
Ic=2mA, Ve= 2,42V, Vcc= 16V, Vce= 8,18V y R1= 32,2 KΩ.

Simule los siguientes circuitos A) y B) y mida las corrientes de base, colector y emisor, el
voltaje base – emisor y el voltaje colector – emisor de cada circuito, calcule con las
corrientes el Beta (β) de los transistores y en qué región se encuentra los BJT.

A) B)

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EL BJT COMO AMPLIFICADOR DE SEÑAL


Los circuitos amplificadores básicos con BJT son tres, el EMISOR COMÚN (E.C), EL
COLECTOR COMÚN (C.C) Y EL BASE COMÚN (B.C). Estudiaremos el emisor común y el
colector común dejando para otro curso el base común.
Estos circuitos amplificadores se estudian realizando dos análisis, primeramente se
realiza un análisis en DC (corriente continua) con el objetivo de conseguir el Punto “Q” del
transistor, para este caso los condensadores que se estén usando en el circuito se colocan
abiertos debido a que se cargan por que el voltaje con que se está trabajando es DC y la
fuente de voltaje alterno (Vi) se cortocircuita, después de esto se realiza el análisis en AC
(corriente alterna), para este análisis en AC se hace un corto circuito en todos los
condensadores que se tengan en el circuito Amplificador ya sea E.C o C.C, el análisis en AC
se realiza con la finalidad de conseguir la ganancia de voltaje del circuito, la ganancia de
corriente y la resistencia de entrada del amplificador.
El transistor BJT tiene un comportamiento diferente cuando trabaja en corriente alterna,
debemos cambiar al BJT en el circuito por su equivalente en AC o también llamado modelo
Hibrido. La siguiente figura muestra el modelo hibrido que podemos usar en los ejercicios de
de amplificadores con BJT, se puede usar tanto en el emisor común como en el colector
común:

El parámetro Hfe es el mismo valor del Beta (β) del BJT y el parámetro Hie se busca con
la siguiente ecuación:

Por esto es necesario hacer el análisis en DC, ya que para poder obtener el valor de Hie
necesitamos la corriente de colector (Icq) y este valor lo obtenemos en el análisis en DC.
NOTA: Para profundizar más en esta parte del estudio en AC del BJT se recomienda
leer el capítulo 3 del Savant las secciones 3.3 y 3.4. Se recomienda que de estas
secciones defina bien la ganancia de voltaje (∆V), la ganancia de corriente (∆I), la
resistencia de entrada (Ren) y la resistencia de salida (RO) de este amplificador E.C.

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Los Circuito Amplificador Emisor Común más usados son dos, en los siguientes dibujos
podemos ver los dos circuitos EC:

En los dos circuitos podemos ver que la diferencia es prácticamente que uno tiene un
condensador en paralelo con la “Re” y el otro no tiene este condensador (C3). El
condensador C3 si se coloca en el circuito aumentara la ganancia de voltaje y de corriente
del amplificador emisor común pero hará que el circuito dependa más de la frecuencia,
específicamente de las bajas frecuencias, entonces si se va a trabajar con frecuencias bajas
se debe tratar de trabajar sin este condensador C3 para que dependa menos de estas
frecuencias bajas, sin embargo se puede usar dependiendo del diseño.

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Actividad de autocontrol.
Realice los ejercicios propuesto D3.4, D3.5 de la página 157 y
158 del libro texto el Savant (este libro esta enumerado en la parte
inferior central, a esta numeración nos estamos refiriendo para
ubicar rápidamente los ejercicios). Las respuestas se encuentran
en la misma página donde están los ejercicios propuestos.

El circuito Amplificador Colector Común (C.C) o Emisor Seguidor (E.S) se analiza de


manera muy similar al Emisor Común, el análisis en DC se realiza de manera similar al del
Emisor Común (E.C) la única diferencia es que el circuito Amplificador Colector Común no
tiene resistencia en el colector (Rc no existe). El circuito C.C es el Siguiente:

El transistor BJT tiene un comportamiento diferente cuando trabaja en corriente alterna,


como se había mencionado anteriormente, pero no importa si el Amplificador es E.C o es
C.C, su circuito equivalente en AC o también llamado modelo Hibrido es el mismo en
cualquier Amplificador sea E.C o C.C, de manera que el modelo hibrido lo podemos usar en
los ejercicios de amplificadores con BJT ya sea emisor común o colector común, así:

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El parámetro Hfe es el mismo valor del Beta (β) del BJT y el parámetro Hie se busca con
la siguiente ecuación:

Por esto es necesario hacer el análisis en DC, ya que para poder obtener el valor de Hie
necesitamos la corriente de colector (Icq) y este valor lo obtenemos en el análisis en DC.

NOTA: Para profundizar más en esta parte del estudio en AC del Amplificador C.C del
BJT se recomienda leer el capítulo 3 del Savant las secciones 3.5. Se recomienda que de
estas secciones defina bien la ganancia de voltaje (∆V), la ganancia de corriente (∆I), la
resistencia de entrada (Ren) y la resistencia de salida (RO) de este amplificador C.C.

Actividad de autocontrol.
1) Realice los ejercicios propuesto D3.6, D3.7 de la página 163 del
libro texto el Savant (este libro esta enumerado en la parte inferior
central, a esta numeración nos estamos refiriendo para ubicar
rápidamente los ejercicios). Las respuestas se encuentran en la
misma página donde están los ejercicios propuestos. 2) Haga un
cuadro comparativo de los dos amplificadores, del Emisor Común y
del Colector Común, refiriéndose a las ganancias de voltaje, las ganancias de
corrientes, resistencias de entrada, resistencias de salida y cual invierte la señal de
entrada Vi.

Ejercicios de Autoevaluación de Cierre del Tema I

1) Para el siguiente circuito con Diodos, determine como es el estado de cada diodo
(justifique su respuesta), y calcule la corriente “I” y el voltaje de salida “Vo”.
“I”

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2) Diseñe una fuente de energía regulada con un rectificador de onda completa, un


transformador con razón de vuelta de 5:1 con derivación central, y un diodo Zener de
8V y 2 W, que proporcione 8 voltios constantes a una carga que varía de 100 a 500Ω,
la tensión de entrada del transformador es de 120Vrms y de 60 Hz. Determine: Izmax,
Izmin, Ri, Vsmin, el valor del Condensador (C), la potencia de Ri y la Potencia disipada
por el Zener.

3) Para el siguiente circuito calcule el punto “Q” del BJT, la ganancia de voltaje, la
ganancia de corriente, la resistencia de entrada y la resistencia de salida. El beta del
BT es de 170.

Respuestas a los Ejercicios de Autoevaluación

1) D1 en inverso (OFF), D2 en OFF, D3 en ON, D5 en ON, los diodos D4 y D6 están en


OFF. I= 11,11mA y Vo= 1V.
2) Izmax = 99,79mA, Izmin = 9,97mA, Ri = 77,5Ω, Vsmin = 14,97V (asumiendo ∆V = 2V),
C= 384µF, potencia de Ri PRi = 1.03W y Potencia del Zener PZ = 0,799W.
3) Punto “Q” Q= (Icq=1,43mA; Vceq=5,28V), ∆V = -213,87, ∆I = -63,61, Ren = 1,16KΩ y
Ro = Rc =3,9KΩ.

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Si has seguido las instrucciones, leído los materiales indicados y realizado las
autoevaluaciones ¡TE FELICITO!, espero estés preparado para las evaluaciones
sumativas, como que también hayas obtenido un aprendizaje significativo durante
este tiempo de estudio y con la ayuda de esta guía, el aula virtual y todo el entorno
inmerso en el curso. Que tengas éxito en estas evaluaciones sumativas…Nuevamente
felicitaciones¡¡¡¡¡

Referencias

TEXTO BÁSICO:

BOYLESTAD, Robert L. y NASHELSKY, Louis. 2009. Electrónica: Teoría de Circuitos y


dispositivos electrónicos. 10ma Edición. Editorial: Pearson Prentice Hall. ISBN: 978-607-
442-292-4.

TEXTOS COMPLEMENTARIOS:

SAVANT Jr C. J, RODER Martin S. & CARPENTER Gordon L. (1991). Diseño


Electrónico, 2da Edición.

HAMBLEY Allan. 2001. Electrónica. 2° Edición. Pearson Prentice Hall. ISBN: 97884205-
29998

ING. MARTÍN Martínez María Jesús (2010). Los Semiconductores. Recuperado el 12 de


Mayo del 2013, de: http://ocw.usal.es/ensenanzas-
tecnicas/electronica/contenido/electronica/Tema1_SemiConduct.pdf

PROF. HOYO Alexander (2007). Universidad Simón Bolívar. Departamento de tecnología


Industrial. Guía de Circuitos Electrónicos I. Recuperado el 20 de Mayo del 2013, de:
http://prof.usb.ve/ahoyo/Documentos/guias_cir.pdf

GARCÍA Souto José A. (2009). Universidad Carlos III de Madrid. Componentes y


Circuitos Electrónicos. Recuperado el 25 de Mayo del 2013, de:
http://ocw.uc3m.es/tecnologia-electronica/componentes-y-circuitos-electronicos/material-
de-clase-1/tema-iii/OCW-
CCE_S16_Ejercicios_amplificadores_con_transistores_bipolares.pdf/view

LINKS RECOMENDADOS:

DR. Tarrach Guido (2001). Pontificia Universidad Católica de Chile. Facultad de Física.
Física de Sólidos. Disponible en:
http://www4.ujaen.es/~egimenez/FUNDAMENTOSFISICOS/semiconductores.pdf

Elaborada por Ing. Ender Martínez Marzo-Junio del 2014


31

MIYARA Federico (2002) Universidad Nacional de Rosario. Facultad de Ciencias


Exactas, Ingeniería y Agrimensura. Escuela de Ingeniería Electrónica. Departamento de
Electrónica. Rectificación. Disponible en: http://www.fceia.unr.edu.ar/enica3/rectif.pdf

SÁNCHEZ, K. y GUERRERO, A. (2013). Entorno visual de aprendizaje para las


configuraciones de los transistores BJT como amplificadores. Memorias, 11(20), 79-86.
Universidad Corporativa de Colombia. Disponible en:
http://revistas.ucc.edu.co/index.php/me/article/view/502/495

Elaborada por Ing. Ender Martínez Marzo-Junio del 2014

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