2 Practica SD Is Positivo S

Instituto Politécnico Nacional
E.S.I.M.E – U C
INGENIERÍA EN COMUNICACIONES Y ELECTRÓNICA
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS
PRACTICA Nº 1: RECONOCIMIENTO DE COMPONENTES
ELECTRÓNICOS
OBJETIVO
• El alumno identificara y reconocerá los diferentes dispositivos que se aplican

en el manejo de circuitos electrónicos.
• Revisión y calibración de los equipos de medición que se utilizan en el
laboratorio.
Material requerido
• Diagrama eléctrico de un amplificador de una fuente de voltaje.

• Diagramas eléctricos de amplificadores de audio.
• Diagrama eléctrico de un seguidor de línea.
Desarrollo experimental
Identificar los dispositivos mostrados en los siguientes diagramas eléctricos y
realizar la tabla correspondiente de elementos para cada circuito, describiendo las
características de cada uno de los componentes.
Ing. Guillermo Avalos Arzate
1
Figura 1.- Fuente de voltaje
2
Figura 2 Amplificador de audio
3
Figura 3 Amplificador de audio
4
Figura 4 Diagrama de un seguidor de línea
Conclusiones
Bibliografía
5
E.S.I.M.E – U C
PRACTICA Nº 2: DIODOS RECTIFICADORES
- OBJETIVOS.
El alumno deberá:
• Identificar el comportamiento rectificante en un diodo y el comportamiento óhmico en un

resistor.
• Identificar el ánodo (región P) y el cátodo (región N) en un diodo rectificador.
• Obtener y comparar las curvas características (V-I) de diodos rectificadores de silicio y
germanio. En cada caso, determinar el valor del voltaje del umbral y calcular las
resistencias estática y dinámica en la región directa de conducción, para un punto de
operación Q (Vp, Ip) arbitraria.
• Observar y reportar las variaciones que se presentan en la curva características V-I, en el
voltaje de umbral y en la corriente de fuga de los diodos rectificadores cuando varia la
temperatura.
- MATERIAL REQUERIDO.
• 2 diodos de silicio 1N4004 o similar.
• 2 diodos de germanio 0A81 o similar.
• 2 resistores de 1KΩ a 0.5w.
• 1 resistor de 22 KΩ a 0.5w.
- DESARROLLO EXPERIMENTAL.
2.1.- Identificar el comportamiento rectificante de un diodo y el comportamiento óhmico de un
resistor.
6
2.2.- Armar el circuito mostrado en la figura 2.1. Colocar primero el diodo rectificador y observar el
comportamiento de este elemento en el osciloscopio (en modo XY) y dibujar la grafica que se
obtiene.
(a) Circuito (b) Graficas

Fig. 2.1- Circuito propuesto para observar el comportamiento rectificante de un diodo y de un
resistor.
2.3.- Identificar el ánodo (región P) y el cátodo (regio N) en un diodo rectificador.
Para la identificación de las terminales de un diodo rectificador, se puede emplear diferentes

métodos, se sugiere que se haga usando un óhmetro analógico y se llene la tabla 2.1.
Medición de resistencia en un diodo de Si y uno de Ge polarizado directa e inversamente usando la

pila interna del óhmetro.
DIODO RESISTENCIA MEDIDA ENTRE RESISTENCIA MEDIDA ENTRE

LAS TERMINALES A(+) Y K(-) LAS TERMINALES A(-) Y K(+)
Silicio 1N4004 o
equivalente
Germanio 0A81 o
equivalente
Tabla 2.1
Mediante las mediciones reportadas en la tabla 2.1, diga ¿Cuál de las terminales (T1, T2)
corresponde al cátodo y cual al ánodo? En la figura 2.2, dibuje con detalle la forma física y las
indicaciones (con letra, números, rayas, etc.) de cada uno de los diodos, indicando cual de las
terminales es el ando y cuál es el cátodo.
7
Fig. 2.2 Dibujo de la representación física e indicaciones de los diodos 1N4004 y 0A81.
2.4.- Obtener y comparar la curva característica (V-I) de un diodo de silicio y uno de germanio. En
cada caso, determinar el valor del voltaje de umbral y calcular la resistencia estática y dinámica en
la región directa de conducción para un punto de operación Q ( VD , I D ) arbitrario.
Armar el circuito de la figura 2.3. Colocar las terminales de osciloscopio como se muestra
(usándolo en su modo XY) y obtener la curva característica V-I, de los diodos de Si y Ge, reporta
ambas graficas en la figura 2.4, y llenar la tabla 2.2 con los datos solicitados.
(a) (b)
Figura 2.3 a) Circuito propuesto para obtener la curva característica de los diodos, b) Curva
característica de un diodo de Si y un diodo de Ge.
8
a) Curva característica V-I, diodo de Si b) Curva característica V-I, diodo de Ge
Figura 2.4 Graficas para el diodo de Si y el de Ge, que se obtienen en el osciloscopio usando el
circuito 2.3
DIODO BAJO VOLTAJE DE VOLTAJE CORRIENTE MAXIMA
PRUEBA UMBRAL MAXIMO MEDIDO MEDIDA EN LA
MEDIDO EN (V) EN LA CURVA EN CURVA EN (mA)
(V)
Si 1N4004 O
EQUIVALENTE
Ge 0A81 O
EQUIVALENTE
Tabla 2.2 Mediciones de voltaje y de voltaje-corriente para el punto de operación máximo que
permite el circuito 2.4, para el diodo de Si y para el diodo de Ge a temperatura ambiente.
2.5.- Observar y reportar las variaciones que se presentan en la curva característica, en el voltaje de
umbral y en la corriente de fuga de los diodos rectificadores cuando aumenta la temperatura
ambiente.
2.6.- Hacer la simulación de los circuitos de las figuras 2.1 y 2.3 y traer las hojas de datos técnicos
de los diodos 1N4004 y 0A81. Software de apoyo PSpice, MicroSim Corparation.
2.7.- Conclusiones y Cuestionario.
Contestar y entregar el cuestionario, hacer conclusiones y reportar los datos, graficas y mediciones
llevadas a cabo durante la realización de esta práctica.
2.7.1.- Para la figura 2.1 ¿Cuál de los dos elementos es el que presenta el comportamiento
rectificante y cual el que presenta comportamiento resistivo? Explique porque.
2.7.2.- En una grafica (V-I), dibuje el comportamiento de dos elementos resistivos, uno con
un valor de 1 KΩ y otro con un valor de 22 KΩ.
9
2.7.3.- Establezca un método general para identificar un diodo (comportamiento
rectificante) de una resistencia (comportamiento resistivo), usando un óhmetro (ver figura 2.1 y
tabla 2.1).
2.7.4.- Investigue de que otra forma se puede identificar el ánodo y el cátodo de un diodo
usando los multímetros digitales, explique.
2.7.5.- Cuando se polariza directamente un diodo con un voltaje menor al voltaje de umbral,
¿De qué orden espera medir el valor de la resistencia equivalente que presenta el diodo?
2.7.6.- Determine el valor de la resistencia estática en la región directa de conducción (para

el punto de operación con corriente de 2 mA) tanto para el diodo de silicio como para el de
germanio, indique ¿Cuál de los dos presenta mayor resistencia estática? (usar los resultados de la
figura 2.3).
2.7.7.- Determine el valor de la resistencia dinámica en la región directa de conducción

(para el punto de la grafica en que la corriente es de 2 mA), tanto para el diodo de silicio como para
el de germanio y diga ¿Cuál de ellas es mayor? Usar los resultados de la tabla 2.2
2.7.8.- ¿Qué parámetro se debería de modificar en el circuito de la figura 2.3 para poder
observar el voltaje de ruptura de los diodos rectificadores?
2.7.9.- ¿Cómo es el coeficiente de temperatura del voltaje de umbral de un diodo

rectificador?
2.7.10.- ¿Cómo es el coeficiente de temperatura de la corriente de la figura de un diodo

rectificador?
2.7.11.- Explique a que se debe la variación, en la corriente de fuga de un diodo rectificador

cuando se eleva la temperatura.
10
E.S.I.M.E – U C
PRACTICA Nº 3: APLICACIONES TIPICAS DE LOS DIODOS
- OBJETIVOS.
• Obtener la señal en la salida y compararla con la señal de entrada, así como, la función de
transferencia de los circuitos rectificadores de media onda y onda completa.
• Obtener la señal en la salida y compararla con la señal en la entrada, así como, la función de
transferencia para circuitos rectificadores de nivel.
• Obtener la señal en la salida y compararla con la señal en la entrada, así como, la función de
transferencia para circuitos sujetadores de nivel.
• Contestar y entregar el cuestionario, hacer conclusiones y reportar los datos, gráficos y
mediciones llevadas durante la realización de esta práctica.
• 2 diodos de silicio 1N4004.
• 2 diodos de germanio 0A81.
• 2 resistores de 1 KΩ a 0.5 W.
• 2 resistores de 22 KΩ a 0.5 W.
• 2 resistores de 4.7 KΩ a 0.5 W.
• 2 condensadores de 1 µF.
• 1 transformador de 125 V/12 V con devanado central.
• 1 clavija con cable.
11
- DESARROLLO.
3.1- Armar los circuitos rectificadores de media onda y onda completa mostrados en la figura 2.1.
Figura 2.1- Rectificadores de media onda y onda completa.
3.2 - Obtener la señal en la salida t compararla con la señal de entrada, así como, la función de
transferencia para circuitos recortadores de nivel.
3.2.1- Armar los circuitos recortadores de nivel mostrados en la figura 2.2
Figura 2.2- Circuitos recortadores de nivel.
3.2.2- Dibuje y arme los siguientes circuitos para obtener su función de transferencia.
a) Recortador simple en serie.
12
b) Recortador polarizado en serie.
3.3- Armar los circuitos sujetadores de nivel mostrados en la figura 2.3
a) Sujetador a cero b) Sujetador a nivel “E” negativo

Figura 2.3- Circuitos sujetadores de nivel.
3.3.1- Obtener la señal en la salida y compararla con la señal en la entrada, así como la función de
transferencia para los circuitos sujetadores de nivel.
3.4- Conclusiones.
13
E.S.I.M.E – U C
PRACTICA Nº 4:
APLICACIONES TÍPICAS DE LOS DIODOS RECTIFICADORES.
- OBJETIVO. Comprobar el funcionamiento y la tabla de verdad de las compuertas
lógicas OR y AND.
- 2 Diodos led rojos.
- 1 Resistores de 10 k Ω.
- 2 Resistores de 470 Ω.
- 2 Diodos 1N4004.
- DESARROLLO DE LA PRÁCTICA.
4.1.- Comprobar el funcionamiento y la tabla de verdad de las compuertas lógicas “OR”
y “AND”.
Armar las compuertas mostradas en la figura 4.1 y comprobar las tablas de verdad de cada
caso.
14
Tabla 4.1 de verdad para la compuerta OR.
A B DIODO LED.
Nivel 0 (tierra). Nivel 0 (tierra). Apagado.
Nivel 0(tierra). Nivel Alto (Vcc=10V). Encendido.
Nivel Alto (Vcc=10V). Nivel Cero (Vcc=0). Encendido.
Nivel Alto (Vcc=10V). Nivel Alto (Vcc=10V). Encendido.
Tabla 4.2 de verdad para la compuerta AND.
A B DIODO LED
Nivel 0 (tierra) Nivel 0 (tierra) Apagado.
Nivel 0 (tierra) Nivel Alto (Vcc=10V) Apagado.
Nivel Alto (Vcc=10V) Nivel 0(Vcc=0) Apagado.
Nivel Alto (Vcc=10 V) Nivel Alto (Vcc=10V) Encendido.
Figura. 4.1 Compuerta OR.
15
Tabla 4.3 de verdad lógica y de niveles de voltaje de la compuerta OR
A B Salida A B Salida
0 0 0 0 0 0
0 1 1 0 +5v +5v
1 0 1 +5v 0 +5v
1 1 1 +5v +5v +5v
Figura. 4.2 Compuerta OR.
16
Tabla 4.4 de verdad lógica y de niveles de voltaje de la compuerta AND.
A B Salida A B Salida
0 0 0 0 0 0
0 1 0 0 +5v 0
1 0 0 +5v 0 0
1 1 1 +5v +5v +5v
4.2.- Dibuje los circuitos de las compuertas NOR y NAND con diodos rectificadores y sus
respectivas tablas de verdad.
4.3.- Conclusiones.
17
E.S.I.M.E – U C
PRACTICA Nº 5:
DIODO ZENER COMO REGULADOR DE VOLTAJE.
- OBJETIVO.
1. Obtener y comparar las curvas características (V-I), de tres diodos Zener con
diferentes voltajes de ruptura, en cada caso, medir el voltaje de umbral y el voltaje
Zener.
2. Observar y reportar las variaciones que se presentan en la curva característica en el
voltaje de umbral y en el voltaje de ruptura de los tres diodos Zener por el efecto del
aumento en la temperatura ambiente.
3. Observar y reportar las variaciones que presenta el voltaje Zener (Voltaje de salida
del circuito), cuando se presentan variaciones de el voltaje de entrada y de la
corriente en la carga (RL) en el circuito típico regulador de voltaje paralelo con
Zener.
• 3 Diodos Zener con voltaje de ruptura de:
• 1 de 3.9 Volt (1N4730).
• 1 de 5.6 Volt (1N4734).
• 1 de 9.1 Volt (1N4739).
RESISTORES:
• 1 de 1KΩ A 0.5 Watts.

• 2 de 330Ω a 2 Watts.
• 1 de 10 KΩ a 0.5 Watts.
• 1 de 22 KΩ a 0.5 Watts.
• 1 de 0.560 KΩ a 2 Watts.
18
• 1 de .220 KΩ a 2 Watts.
• 1 de .100 KΩ a 2 Watts.
- DESARRLLO DE LA PRÁCTICA.
5.1.- Obtener y comparar las curvas características (V- I) de tres diodos Zener de diferentes
voltajes de ruptura, en cada caso medir el voltaje de umbral y el voltaje Zener.
Armar el circuito mostrado en la figura 5.1 colocar el diodo de 3.9 V y obtener la

curva característica, medir y reportar en la tabla 4.1 el voltaje de umbral y el voltaje de
ruptura de el diodo, dibujar la curva característica que se obtiene en el osciloscopio
(usándolo en el modo X-Y). Repetir estos pasos para el diodo de 5.6 V. Luego para el diodo
de 9.1 V. Para cada diodo Zener antes de graficarlo, realizar las mediciones indicadas en el
punto 5.2.
Fig. 5.1.- Circuito propuesto para obtener la curva característica del diodo Zener.
19
TABLA: 5.1 Voltaje de umbral y Voltaje de Ruptura.
VOLTAJE DE UMBRAL VD VOLTAJE DE RUPTURA VZ.

MEDICION A:
DIODO ZENER.
T=TA T>TA T=TA T>TA
DIODO 1 (3.9V).
DIODO 2 (5.6V).
DIODO 3 (9.1V).
Fig. 5.3.- Circuito regulador de voltaje paralelo con Diodo Zener.
5.2.- Observar y reportar las variaciones que se presentan en la curva característica en el

voltaje de umbral y en el voltaje de ruptura de los tres diodos Zener, por el efecto del
aumento en la temperatura ambiente.
5.3.- Armar el circuito mostrado en la figura 5.3 (regulador de voltaje paralelo con diodo
Zener y las variaciones de la corriente en la carga, cuando se varía el voltaje en la entrada.
20
Tabla 5.2:
VOLTAJE EN LA VOLTAJE EN EL CORRIENTE EN LA

ENTRADA (V). ZENER (V). CARGA (mA).
11
14
17
20
Variaciones de voltaje Zener y de la corriente en la carga, para el diodo con ruptura de 5.6v.
5.4.- Armar el circuito de la figura 5.4 medir y reportar en la tabla 5.3 las variaciones que se
tengan para el voltaje de ruptura del diodo y para la corriente en la carga (RL), cuando se
presentan variaciones en la resistencia de carga.
Fig. 5.4.- Circuito regulador de voltaje con Diodo Zener y carga variable.
21
Tabla 5.3:
Variaciones del voltaje de ruptura del Diodo Zener (voltaje a al salida) y en la corriente en
la carga (RL) en un circuito regulador de voltaje, para diferentes resistencias de carga.
RESISTENCIA EN LA VOLTAJE MEDIDO EN CORRIENTE MEDIDA

CARGA (Ω). EL DIODO ZENER (V). EN LA CARGA (mA).
Cto. abierto
22K
10K
1K
560
330
270
100
5.5.- Conclusiones.
22
E.S.I.M.E – U C
PRACTICA Nº 6:
TRANSISTOR BIPOLAR (BJT).
- OBJETIVO. El alumno deberá:

6.1.- Identificar las terminales del transistor bipolar.
6.2.- Comprobar el efecto del transistor
6.3.- Medir la corriente de fuga Icbo y su variación con la temperatura.
6.4.- Obtener y medir el voltaje de ruptura de la unión base-emisor y de la unión colector.

Base de un transistor bipolar de silicio de tecnología planar.
6.5.- Obtener las curvas características de entrada del transistor bipolar en configuración de
emisor común. Observar su variación con el voltaje de colector-emisor.
6.6.- Obtener las curvas características de salida del transistor bipolar en configuración de
emisor común. Observar y reportar su variación con la temperatura. Identificar las regiones
de operación corte, saturación y activa directa.
Transistores:
• Un transistor de Germanio NPN AC127 o equivalente.

• 4 Transistores de Silicio NPN BC547 o equivalente.
Resistores:
23
• 4 de 1kΩ.
• 1 de 100 KΩ a 0.5 Watts.
- DESARROLLO DE LA PRÁCTICA.
6.1.-Identificar las terminales del BJT.
6.1.1.- Use el multímetro digital que nos permite medir la “beta” del transistor. Cuando el
dispositivo esta correctamente colocado la beta medida generalmente es grade (>50),
cuando no esta bien colocada la beta que se mide es pequeña (<20) en algunos multímetros
en esta situación marco circuito abierto,
6.1.2.- Después de identificar las terminales de (o de sus) transistores bipolares, dibújelo (s)
en isométrico, indicando donde esta el colector, el emisor y la base.
Fig. .1 Isométrico del BJT. Fig. 2 Símbolos del BJT NPN y PNP.
6.2.- COMPROBAR EL EFECTO TRANSISTOR
6.2.1.- Armar el circuito de la figura 3 y comprobar el “efecto transistor”.
Ic=_____________.
24
Ic ≈ IE
Fig. 3.- Circuito propuesto para comprobar el efecto del transistor.
6.3.- Medir la corriente de fuga ICBO y su variación con la temperatura.
Armar el circuito de la figura 4 y medir la corriente ICBO ≈ ICO (corriente de saturación

inversa colector-base con el emisor abierto) y observar como varia con la temperatura.
Fig. 4.- Circuito propuesto para medir la corriente ICBO y su variación con la temperatura.
ICBO=ICO=____________________ a temperatura ambiente.
ICBO1=ICO1=____________________ a temperatura mayor que la ambiente.
6.4.- OBSERVAR Y MEDIR EL VOLTAJE DE RUPTURA EN LA UNIÓN BASE

EMISOR Y DE LA UNIÓN COLECTOR-BASE DE UN TRANSISTOR BIPOLAR.
6.4.1.- Arme el circuito de la figura 5. y obtenga la curva del diodo emisor-base,

posteriormente desconecte el emisor, conecte el colector y obtenga la curva del diodo
colector-base, use señales senoidal con voltaje pico entre 10 y 12 V y frecuencia entre 60y
1kHz.
Reporte el voltaje al cual

rompe la unión
emisor-base.
25
VEB=____________. y
VCB=____________.
Fig. 5. Circuito propuesto para obtener la curva del diodo emisor-base y del diodo colector-
base de un BJT.
6.5.- OBTENER LAS CURVAS CARACTERISTICAS DE ENTRADA DEL

TRANSISTOR (BJT) EN CONFIGURACION DE EMISOR COMÚN. OBSERVAR SU
VARIACION CON EL VOLTAJE DE COLECTOR-EMISOR.
6.5.1.- Armar el circuito propuesto en la figura 6 (observar que este circuito es semejante al
de la figura 5, solo haga los cambios necesarios), el cual permite obtener el comportamiento
de la unión emisor-base del transistor bipolar y observar su variación con el voltaje de
colector-emisor.
Fig. 6.- Circuito propuesto para obtener el comportamiento del diodo emisor-base en un
transistor bipolar y su variación con el voltaje colector-emisor.
Reportar en la tabla 6.1 los valores medidos de corriente en la base para los diferentes
voltajes de base-emisor.
Tabla 6.1:
IB MEDIDA SOBRE LA VBE (V) MEDIDO SOBRE VBE (V) MEDIDO SOBRE VBE (V) MEDIDO SOBRE
CURVA DEL DIODO LA CURVA DEL DIODO LA CURVA DEL DIODO LA CURVA DEL DIODO
EMISOR-BASE EMISOR-BASE EMISOR BASE EMISOR-BASE
26
CUANDO VCE=0V CUANDO VCE=0.5V CUANDO VCE=5.0V
20µA
100µA
150µA
6.- OBTENER LAS CURVAS CARACTERISTICAS DE SALIDA DEL BJT EN

CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN. OBSERVAR Y REPORTAR SU
VARIACIÓN CON LA TEMPERATURA.
6.1.- Armar el circuito de la figura 7 y obtener una a una las curvas características de salida
del transistor bipolar en emisor-común, para diferentes corrientes en la base.
27
Fig. 7.-Circuito propuesto para obtener las curvas características de salida del transistor
bipolar.
Fig. 8.- Curva característica de salida del transistor bipolar.
Reporte los valores medidos de corriente de colector para los valores de voltaje colector-
emisor solicitados en la tabla 6.2, elija valores adecuados para la corriente de base, tal que
la IB1 haya que el transistor bipolar trabaje en la región de corte, los valores IB2 e IB3 lo
hagan trabajar en la región activa directa (de amplificación) y la corriente IB4 lo lleve a la
región de saturación.
Tabla 6.2:
MEDIR LOS VALORES DE CORRIENTE DE COLECTOR Ic,

PARA CADA UNO DE LOS VALORES DE VOLTAJE
COLECTOR-EMISOR ABAJO INDICADOS (USE LA CURVA
QUE SE OBTIENE EN EL OSCILOSCOPIO PARA CADA UNO DE
LOS DIFERENTES VALORES DE LA CORRIENTE DE BASE)
CORRIENTE
EN LA BASE
(µA)
VCE=0 VCE=2V VCE=4V VCE=6V VCE=8V VCE=10V VCE=12V
28
IB1 CORTE
IB2 ACTIVA
IB3 ACTIVA
IB4
SATURACION
Conclusiones.
29

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• El alumno identificara y reconocerá los diferentes dispositivos que se aplican

• Diagrama eléctrico de un amplificador de una fuente de voltaje.

Ing. Guillermo Avalos Arzate

Ing. Guillermo Avalos Arzate

Ing. Guillermo Avalos Arzate

Ing. Guillermo Avalos Arzate

• Identificar el comportamiento rectificante en un diodo y el comportamiento óhmico en un

Ing. Guillermo Avalos Arzate

(a) Circuito (b) Graficas

2.3.- Identificar el ánodo (región P) y el cátodo (regio N) en un diodo rectificador.

Para la identificación de las terminales de un diodo rectificador, se puede emplear diferentes

Medición de resistencia en un diodo de Si y uno de Ge polarizado directa e inversamente usando la

DIODO RESISTENCIA MEDIDA ENTRE RESISTENCIA MEDIDA ENTRE

Ing. Guillermo Avalos Arzate

Ing. Guillermo Avalos Arzate

2.7.- Conclusiones y Cuestionario.

Ing. Guillermo Avalos Arzate

2.7.6.- Determine el valor de la resistencia estática en la región directa de conducción (para

2.7.7.- Determine el valor de la resistencia dinámica en la región directa de conducción

2.7.9.- ¿Cómo es el coeficiente de temperatura del voltaje de umbral de un diodo

2.7.10.- ¿Cómo es el coeficiente de temperatura de la corriente de la figura de un diodo

2.7.11.- Explique a que se debe la variación, en la corriente de fuga de un diodo rectificador

Ing. Guillermo Avalos Arzate

Ing. Guillermo Avalos Arzate

Figura 2.1- Rectificadores de media onda y onda completa.

3.2.1- Armar los circuitos recortadores de nivel mostrados en la figura 2.2

Figura 2.2- Circuitos recortadores de nivel.

a) Recortador simple en serie.

Ing. Guillermo Avalos Arzate

3.3- Armar los circuitos sujetadores de nivel mostrados en la figura 2.3

a) Sujetador a cero b) Sujetador a nivel “E” negativo

Ing. Guillermo Avalos Arzate

Ing. Guillermo Avalos Arzate

Nivel 0 (tierra). Nivel 0 (tierra). Apagado.

Nivel 0(tierra). Nivel Alto (Vcc=10V). Encendido.

Nivel Alto (Vcc=10V). Nivel Cero (Vcc=0). Encendido.

Nivel Alto (Vcc=10V). Nivel Alto (Vcc=10V). Encendido.

Tabla 4.2 de verdad para la compuerta AND.

Nivel 0 (tierra) Nivel 0 (tierra) Apagado.

Nivel 0 (tierra) Nivel Alto (Vcc=10V) Apagado.

Nivel Alto (Vcc=10V) Nivel 0(Vcc=0) Apagado.

Nivel Alto (Vcc=10 V) Nivel Alto (Vcc=10V) Encendido.

Figura. 4.1 Compuerta OR.

Ing. Guillermo Avalos Arzate

1 1 1 +5v +5v +5v

Figura. 4.2 Compuerta OR.

Ing. Guillermo Avalos Arzate

1 1 1 +5v +5v +5v

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• 1 de 1KΩ A 0.5 Watts.

Armar el circuito mostrado en la figura 5.1 colocar el diodo de 3.9 V y obtener la

Ing. Guillermo Avalos Arzate

VOLTAJE DE UMBRAL VD VOLTAJE DE RUPTURA VZ.

T=TA T>TA T=TA T>TA

Fig. 5.3.- Circuito regulador de voltaje paralelo con Diodo Zener.

5.2.- Observar y reportar las variaciones que se presentan en la curva característica en el

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VOLTAJE EN LA VOLTAJE EN EL CORRIENTE EN LA

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RESISTENCIA EN LA VOLTAJE MEDIDO EN CORRIENTE MEDIDA

Ing. Guillermo Avalos Arzate

- OBJETIVO. El alumno deberá: