Tecnológico de Estudios Superiores de Jocotitlán

ELECTRÓNICA ANALÓGICA

REPORTE DE PRÁCTICA UNIDAD 4

(MOSFET CON PWM)

Alumnos: Fernando David segundo de Jesús

Iván Gómez Velazco

Diego Armando Aranda Cruz

Oscar de Jesús Jacinto

Grupo IE-402
 Introducción
En el presente trabajo se tiene como fin a considerar el uso de las distintas
aplicaciones del transistor de efecto de campo o mosfet, es un transistor utilizado
para amplificar o conmutar señales electrónicas.

En esta parte de la práctica nos toca conocer una de sus varias utilizaciones ya que
la practica establecida es de forma profesional ante el campo laboral en el sistema
establecido desarrollaremos unas cuantas fórmulas para poder saber los valores de
Rg el cual es muy importante ya que podemos dañar un dispositivo electrónico.
 Marco teórico

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés

Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la
industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el
transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la
totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores
MOSFET.

El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S, Source),

drenador (D, Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin embargo, el sustrato
generalmente está conectado internamente al terminal de fuente y por este motivo
se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.

Existen distintos símbolos que se utilizan para representar al transistor MOSFET. El

diseño básico consiste en una línea recta para dibujar el canal, con líneas que salen
del canal en ángulo recto y luego hacia afuera del dibujo de forma paralela al canal,
para indicar la fuente y el drenaje. En algunos casos, se utiliza una línea
segmentada en tres partes para el canal del MOSFET de enriquecimiento, y una
línea sólida para el canal del MOSFET de empobrecimiento. Otra línea es dibujada
en forma paralela al canal para destacar la puerta.
La conexión del sustrato, en los casos donde se muestra, se coloca en la parte
central del canal con una flecha que indica si el transistor es PMOS o NMOS. La
flecha siempre apunta en la dirección P hacia N, de forma que un NMOS (Canal N
en un sustrato P) tiene la flecha apuntando hacia adentro (desde el sustrato hacia
el canal). Si el sustrato está conectado internamente a la fuente (como
generalmente ocurre en dispositivos discretos) se conecta con una línea en el dibujo
entre el sustrato y la fuente. Si el sustrato no se muestra en el dibujo (como
generalmente ocurre en el caso de los diseños de circuitos integrados, debido a que
se utiliza un sustrato común) se utiliza un símbolo de inversión para identificar los
transistores PMOS, y de forma alternativa se puede utilizar una flecha en la fuente
de forma similar a como se usa en los transistores bipolares (la flecha hacia afuera
para un NMOS y hacia adentro para un PMOS).

Símbolos de los transistores FET y MOSFET

Cana
lP

Cana
lN

MOSFET de MOSFET de MOSFET de

FET de Empobrecimien
Enriquecimien Enriquecimien
unión to
to to
JFET o Deplexión
(MOSFET-E) (sin sustrato) (MOSFET-D)
Estructura del MOSFET donde se muestran los terminales de puerta (G), sustrato
(B), fuente (S) y drenador (D). La puerta está separada del cuerpo por medio de una
capa de aislante (blanco).
 Desarrollo

U3
17 P0.0 TP0.0 11
18 P0.1/RXD TP0.1 12
19 P0.2/TXD TP0.2 13 M1
20 P0.3 TP0.3 14 +
21 P0.4 TP0.4 15
22 P0.5 TP0.5 16
23 P0.6
D2
24 P0.7 TDO/TDI 54 1N4007GP
55 29 Te
TDI/VPP S0 θ
S1 30 - Ea
60 A0 S2/O2 31
61 A1 S3/O3 32
4 A2 S4/O4 33
5 A3 S5/O5 34
6 A4 S6/O6 35 C1 V1
7 A5 S7/O7 36
37 0.47µF 12V
S8/O8
8 XIN S9/O9 38
9 XOUT/TCLK S10/O10 39 Q1
S11/O11 40 R1 IRF4104PBF
57 TCK S12/O12 41
S13/O13 42
10 CIN S14/O14 43 1kΩ D1
28 R03 S15/O15 44 R3
27 45 1N4007GP
R13 S16/O16
26 R23 S17/O17 46 1kΩ
25 R33 S18/O18 47
3 REXT S19/O19 48
58 ~RST/NMI S20/O20/CMPI 49 R2
56 TMS
COM0 50
COM1 51
COM2 52
COM3 53 1kΩ 50 %
XBUF 59
Key=A

MSP430P325IPM
Materiales

-protoboard

-mosfet

-arduino

-resistencia de varios valores

-motor de 12v DC

-capacitor

-diodos

-cable utp

-potenciómetro
Cálculos

Crss = Cgd = 88pF

I1= Cdg (Vgs+Vcd)
I1= (88p F) (5V+12V) = .149 n A
I2= Cgs Vgs/ tr tr-------fabricante
I2= (88p F) (5v)/ (149*10-9 seg) = 6.55 m A
Ig= I1+I2
Ig= .149 n A + 6.55 m A = 6.69 m A
Rg= Vgs/ Ig
Rg= 5v/ 6.69*10-3 A = 747.38 Ω
Resultados
Conclusión

Mediante el siguiente diagrama establecido nos percatamos que deberíamos

considerar la protección ya que podemos quemar el mosfet o nuestro arduino este
permite controlar la velocidad de dicho motor y para resultado fue lo que
esperábamos salió bien con unos pequeños problemas de conexión pero finalmente
los pudimos resolver a tiempo.

Referencias

http://unicrom.com/transistor-mosfet/
http://www.areatecnologia.com/electronica/mosfet.html
http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/el-transistor-mosfet
Firma