GUÍA DE PRÁCTICAS

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FR-FAC-PAC-GLB-010 Versión: 01 Fecha: 02/03/2017

2ASIGNATURA: ELECTRÓNICA AUTOMOTRIZ Nivel: 1

TEMA: Circuito de polarización del transistor, Simulación de Polarización Práctica Nº: 2
de Transistores.
1. INTRODUCCIÓN:
Durante la ejecución de esta práctica los estudiantes realizarán el diseño, comprobación y
armado en el protoboard de Circuitos electrónicos utilizando elementos semiconductores
como resistencias, diodos, condensadores, transistores, usado teoremas, principios y leyes
de Kirchhoff se resolverán ejercicios y se comprobara mediante el diseño de circuitos en un
software de simulación de circuitos electrónicos relacionando lo teórico con lo práctico.

2. OBJETIVO GENERAL:
Conocer el concepto, las partes y cómo se puede polarizar un transistor de
unión bipolar BJT.

2.1. OBJETIVOS ESPECÍFICOS Nivel*

 Identificar la forma de conexión del transistor A
A
 Familiarizarse con los modos de operación DEL TRANSISTOR BJT. A

 Comprobar de manera práctica la función que cumple la A

polarización del transistor.

*Alto(A), Medio (M), Bajo (B)

3. DEFINICIONES:
 Polarización Fija del Transistor BJT
 Polarización por divisor de tensión
 Polarización por emisor
 Polarización por realimentación de colector

4. BASE CONCEPTUAL:

POLARIZACION FIJA

El circuito estará formado por un transistor NPN,

dos resistencias fijas: una en la base Rb (podría
ser variable) y otra en el colector Rc, y una
batería o fuente de alimentación Vcc. Este
circuito recibe el nombre de circuito de
polarización fija y determina el punto Q de
reposo del transistor para unos valores dados de
Vcc, Rc y Rb. Es el circuito más sencillo, pero
también el más inestable con las variaciones de
la temperatura.

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Del circuito de arriba es fácil obtener la relación que existe entre la corriente de
colector Ic y la tensión colector-emisor VCE del transistor, aplicando la ley de
Kirchoff resulta:

Vcc=Vce+Ic.Rc

Esta expresión se conoce como ecuación de la recta de carga. En ella Vcc y Rc

son constantes, y Vce e Ic las variables. La intersección entre esta recta de
carga con la curva característica de salida del transistor determina el punto de
reposo Q.

Cuando la corriente de colector es cero IC = 0, la tensión colector-emisor es

igual al potencial
del generador VCE = Vcc:

IC = 0; VCE = Vcc

Por otro lado, cuando la tensión colector-emisor es igual a cero VCE = 0, la

corriente de colector vale el potencial del generador entre la resistencia de
colector IC = Vcc/RC:

VCE = 0; IC = Vcc/RC

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En la figura se muestra el circuito de polarización y la recta de carga estática con el

punto de reposo Q que representa la intersección de esta recta con la curva IB
correspondiente.
El valor de la corriente de base IB se puede calcular aplicando la ley de Kirchoff al
circuito de entrada o de base, así tenemos:

Vcc = VBE + IB . RB
Sabemos que el transistor entre base-emisor se comporta como un diodo, así que la
tensión base-emisor para el silicio suele ser de 0,7 V, es decir:

VBE = 0,7 V

Sabemos también que existe una relación entre las tres corrientes del transistor:

IC = β.IB

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POLARIZACIÓN UNIVERSAL

En la figura se muestra un circuito con

polarización universal capaz de
compensar los
desequilibrios producidos por la Icbo
(1), β y VBE. El circuito está
constituido por un divisor de tensión,
formado por R1 y R2, conectado a la
base del transistor, y por una
resistencia de emisor RE. Las
variaciones de ICB0, β y VBE por
efecto de la temperatura se traducen
en un aumento de la corriente de
colector IC. Cuando IC tiende a
aumentar la caída de tensión en RE
también aumenta, como la tensión en
el divisor de tensión en el punto A es
casi constante, el aumento de voltaje
en RE provoca que disminuya el
voltaje entre base-emisor y esto a su
vez disminuye la IB lo que provoca una reducción de IC y esto compensa su
subida, en consecuencia manteniéndola estable ante variaciones de la
temperatura.

Al utilizar el sistema de polarización universal, la ecuación de la recta de carga

viene dada por:

Vcc = VCE + IC . (RC+RE)

El punto de corte con el eje de ordenadas IC, es decir cuando VCE = 0, tendrá
el valor:

IC = Vcc /(RC+RE)

En la figura siguiente se muestra la recta de carga que corresponde a la

ecuación 2.1 (en color verde) junto a la recta de carga de un circuito equivalente
donde la RE = 0 (en color azul).

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Estudio simplificado
En este apartado haremos un análisis aproximado del circuito de polarización
universal y de la estabilidad ante variaciones de la temperatura.
Las resistencias R1 y R2 del circuito de la Figura 1 proporcionan en el punto A
un determinado
nivel de tensión y que corresponde a la base del transistor. Para hallar ese valor
de tensión
recurrimos a lo visto en el divisor de voltaje:

De esta manera el circuito

simplificado aplicando estos cambios
quedará así:
VA = Vcc .[R2/(R1+R2]

La resistencia equivalente que se

observa desde la base del transistor
es:

RB = R1.R2/(R1+R2)

De este circuito podemos obtener la

siguiente ecuación:

VA = IB.RB + VBE + IE.RE

En la cual, si IB.RB << VA e IE ≈ IC,

podemos escribir la siguiente expresión:

IC = (VA - VBE)/RE

Que nos indica que la corriente de colector IC es independiente de la ganancia

de corriente en continua β del transistor, y por lo tanto la sustitución de un
transistor por otro de la misma
serie, con un valor de β distinto no perturba el punto de reposo Q.

Criterios para el diseño del circuito

La estabilidad del punto de funcionamiento en continua Q es mayor cuanto más

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grande sea la resistencia RE, pero un valor muy elevado de esta reduciría
considerablemente la corriente de colector IC y en consecuencia la amplitud de
una posible señal de salida del amplificador; por esta razón es necesario
encontrar un valor de compromiso para la resistencia de emisor RE. La RE
suele ser menor que la RC, siendo válida la siguiente regle:

RE ≈¼. RC

de la cual deducimos que la resistencia de emisor debe tener un valor de

aproximadamente el 25% del valor de la de colector.
Conocido el valor de RE y de la corriente de colector, podemos calcular la caída
de tensión
sobre RE:

VRE = IC. RE

Si despreciamos la caída de tensión en RB, es decir IB. RB, el valor de la

tensión en la base será la misma que en el divisor de tensión, o sea que VA,
por lo tanto tendremos:

VA = VRE + VBE = IC. RE + VBE

La estabilidad del punto de reposo también depende de la relación entre RB y

RE, siendo más
estable cuanto menor es dicha relación. Para limitar el consumo de energía de
las resistencias
del divisor de tensión R1 y R2 se suele utilizar una RB de valor comprendido
entre u y 10 veces el valor de RE:

10. RE > RB ≥ 5. RE

5. ACTIVIDADES PREVIAS:

El estudiante deberá explorar el tema en conceptos como:

 Polarización del diodo en directa
 Polarización del diodo en inversa.
 Circuitos con diodos en paralelo
 Circuito de diodos en serie

6. MÉTODO/PROCEDIMIENTO

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7. EQUIPOS Y MATERIALES:

EQUIPO DE LABORATORIO MATERIAL Y EQUIPO DE APOYO

Fuente de voltaje de corriente alternan  Transformador 110/12 VCA 1A

Protoboard
2 Multímetros. Resistencia _____. kΩ – ½w)

Cables flexibles de conexión

Transistores tipo NPN
Osciloscopio Transistores tipo PNP

Multímetro

Project borrad

Computador

Software proteus

8. CONDICIONES DE SEGURIDAD:
 Para el ingreso al laboratorio, el estudiante debe portar mandil azul y su respectiva
identificación.
 No ingresar alimentos, bebidas, bebidas alcohólicas, ni fumar dentro o alrededor del
laboratorio.
 Se prohíbe estrictamente el ingreso a prácticas habiendo ingerido antes bebidas
alcohólicas.
 Utilizar equipos con responsabilidad y bajo la supervisión del Docente o Responsable del
laboratorio.
 Bajo ninguna circunstancia se deberá dejar basura en la mesa, piso o cajones de las
mesas de trabajo, para esto se cuenta con depósitos apropiados.
 Si el usuario detecta cualquier anomalía en los quipos, tiene que informar
inmediatamente al responsable del laboratorio para que se pueda solucionar de manera
oportuna.
 Cumplir con las señales, avisos de seguridad y manejo de equipos.
 En el caso de sufrir algún accidente comunicar inmediatamente al Docente o al
responsable del laboratorio.

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9. CUESTIONARIO DE INVESTIGACIÓN:
1. ¿Qué función cumple de un transistor?
2. ¿Las partes de un Transistor?
3. ¿Escribir los tipos de polarización de los transistores?
4. ¿El transistor exteriormente está formado por?
5. ¿Qué tipo de transistor tiene internamente una región P entre dos regiones N?
Transistor (NPN)
6. ¿Qué tipo de transistor tiene internamente una región N entre dos regiones P?
7. ¿Escriba la numeración del Transistor (PNP) existente en el mercado?
8. ¿Escriba la numeración del Transistor (PNP) existente en el merca?
9. ¿Escriba los materiales semiconductores tipo PN?
10. ¿Escriba los materiales semiconductores tipo PN?

10. EVALUACIÓN DEL APRENDIZAJE:

Resultados de Resultados de Nivel del

aprendizaje de la aprendizaje de la aprendizaje de la
carrera asignatura práctica
Integra las tecnologías de 1.1 Aplica los principios
área eléctrica, mecánica, algebraicos que rigen el
electrónica, control y funcionamiento de los |A
automatización en el circuitos digitales
manejo y control de combinacionales y
procesos de producción. secuenciales.

*Alto(A), Medio (M), Bajo (B)

11. EVALUACIÓN DE RESULTADOS OBTENIDOS:

Resultados obtenidos SI NO Observaciones

El estudiante ha comprobado mediante el diseño,
simulación y armado de los CLC, la aplicación de
X
los aspectos teóricos con la practica la aplicación
de los conocimientos parte profesional.

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12.- BIBLIOGRAFÍA:
Descripción de Bibliografía Tipo (básica o complementaria)
Angulo, José; Hernández, Juan; Prieto, María Bibliografía Básica
(2010). Electrónica Digital y Microprogramable.
España: Paraninfo
Tocci, Ronald (2003). Sistemas digitales principios Bibliografía Básica
y aplicaciones (8 ed.). México: Pearson.
Fletcher, William (1980). An Engineering Bibliografìa complementaria
approach to digital design. USA: Prentice Hall.
Electrónica digital Introducción a la lógica digital, Bibliografìa complementaria
Teoría, Problemas y simulación; Santiago Acha;
Manuel Castro

13.- RÚBRICA DE EVALUACIÓN DE PRÁCTICA

ASPECTOS A EVALUAR PUNTUACIÓN

PRESENTACIÓN DEL CIRCUITO DISEÑADO 2 puntos
ARMADO EN EL PROTOBOARD EN EL
LABORATORIO (funcionando correctamente)
Presentación del informe 2 puntos
Preguntas realizadas por el profesor 2 puntos
Presentación de estética del protoboard 2 puntos
Exposición del trabajo realizado 2 puntos
Total 10 Puntos

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Revisado por: Aprobado por:

Elaborado por:

_____________________
Ing. Arturo Falconí
COORDINADOR DE
_____________________ CARRERA (E)
_____________________ Ing. Elvis Patricio Gualotuña
Ing. Elvis Patricio RESPONSABLE DE ÁREA
Gualotuña Quishpe.
DOCENTE
Fecha: 16/04/2018 Fecha: 16/04/2018 Fecha: 16/04/2018

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