Informe Previo N°1 Circuitos Electrónicos 3

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA, ELECTRICA Y DE

TELECOMUNICACIONES

CURSO: LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS III

TEMA: CIRCUITOS SINTONIZADOS Y TRANSFORMADORES DE REDES , SELECTIVAS

PROFESOR: ING. VASQUEZ

INFORME: PREVIO N°: 1

ALUMNOS :
- BARRAZA CCACCYA , ROMEL COD: 13190144

FECHA : MAYO DEL 2018

Ing. Vasquez FIEE - UNMSM

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INFORME PREVIO N°1

CIRCUITOS SINTONIZADOS Y TRANSFORMADORES DE REDES , SELECTIVAS

I. OBJETIVOS:

 Entender el funcionamiento de los circuitos sintonizadores y familiarizarse con el uso de los

componentes para una manipular las bobinas de FI de AM.

II. MARCO TEORICO:

Un circuito sintonizado esta formado por elementos reactivos , inductancias, condensadores,

líneas de energía, cristales piezoeléctricos, etc. Y se utilizan en los receptores y transmisores. Una
aplicación típica es en las etapas de radiofrecuencia de amplificación donde se quiere que el circuito
amplifique solo una banda de frecuencias. A las inductancias y condensadores están asociadas
resistencias óhmicas en las bobinas y perdidas dieléctricas en los condensadores que se hacen
mas evidentes a altas frecuencias. Podemos modelarlos suponiendo que son elementos ideales,
reactivos puros, con una resistencia que podemos asociar en paralelo, en serie o en ambos:

Circuito L,C y R resonante Paralelo:

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Suponemos que L y C son ideales(sus pérdidas podemos transferirlas a R)

La condición de resonancia se da cuando:

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1.- Determine la expresión de Vo1, Vo2 y Vo3 en forma literal del amplificador mostrado en
la figura #1 (colector a Vo1). ¿ En función de que parámetro principal se encuentra Vo(t) ?.
Considere Lin, Cin. Rp de la bobina y capacidades parásitas del transistor.

Tomemos parte del circuito que vamos a analizar:

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El circuito equivalente en AC es:

Del circuito obtenemos que:

n1 n2
n y ademas sea: n ' luego:
n2 n3

Vo2 = -nVo1
De donde V01   RP g mVbe en resonancia

Pero: Vbe  Vref luego

V01   RP g mVref

Ahora si hallamos Vo2:

Vo2= -n.RP.gm.Vref
Vo 2
Luego: Vo 3 
n'

Reemplazando:
RP g m
Vo 3  Vref
n'

Vo1 se encuentra básicamente en función de del parámetro principal gm del transistor Q1.

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2.- Haga un análisis en DC y determine el rango del potenciómetro Rp y el valor de la

resistencia R1 para obtener una corriente entre 100 y 300 𝜇A.

Del espejo logarítmico:

Pero R2= 104 y despejamos R1 y Rp:

Asumiendo un Rp(min)= 0 y R1(min)= 1, se puede obtener:

Ic2 = 1.13 mA
Para poder obtener el valor de R1(max) debemos usar los datos de I c2(max) y el Ic3 (min) , y
reemplazarlos en la ecuación anterior de R1:
R1(max) = 115
Eligiendo un valor conveniente para R1, seria: R1=10
Con este valor de R1 y con el intervalo de Ic3 = podemos hallar el intervalo de Ic2 :

Con lo cual obtendremos :

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3.- Describa la manera de obtener en forma experimental:

- FRECUENCIA DE RESONANCIA MÍNIMA: Con el generador de frecuencias variar la

sintonización del tanque hasta obtener la máxima salida (Vo2max) cuando la perilla de la
bobina este en la parte más alta.
1
f r min 
2 Lmax C

- FRECUENCIA DE RESONANCIA MÁXIMA: Con el generador de frecuencias variar la

sintonización del tanque hasta obtener la máxima salida (Vo2max) cuando la perilla de la
bobina este en la parte más baja.
1
f r max 
2 Lmin C

Tambien:
De forma experimental se debe girar de extremo a extremo el tornillo que se encuentra en
la parte superior de la bobina de color.

- LIN Y CIN DE LA BOBINA: Colocamos un capacitor C conocido entre los terminales a y b

del tanque, disminuirá la frecuencia de resonancia, por lo que se tendrá que disminuir la
frecuencia del generador y observar cual es la nueva frecuencia con la que resuena.
Entonces tendríamos dos ecuaciones y dos incógnitas siendo posible el cálculo de Lin y Cin.
Por lo tanto de las ecuaciones I y II se pueden hallar los valores de Lin y Cin.
1
De (I) tenemos LinCin  ….(III)
(2 f o ) 2

1
De (II) tenemos Lin (Cin  Ce ) 
(2 f1 ) 2

1
LinCin  LinCe  …..(IV)
(2 f1 ) 2

Reemplazando IV en III:

1  1 1 
Lin   2  2
4 Ce  f1
2
fo 

Con lo cual también en III

1
 fo2 
Cin  Ce  2  1
 f1 

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- RP (RESISTENCIA DE PÉRDIDAS DE LA BOBINA):

Teniendo un Vo2 = 100mVpp en resonancia a 455Khz colocar un potenciómetro entre los
terminales a y c del tanque y ajustar hasta obtener Vo2 = 50mVpp. Anotar el valor de R, luego
desconectar la bobina del circuito y medir la resistencia que existe entre sus terminales a y c,
además es conocida la relación que existe entre Vo2 y la resistencia de sintonización. Con
estas ecuaciones será posible el cálculo de Rp.

4.- Indique las consideraciones que se deben tomar en cuenta para escoger los
transistores:

Para los transistores Q1 y Q2 :

Se observa el circuito que estos transistores forman parte de una fuente de corriente Widlar , la
principal consideración que debemos tener en cuenta es que deben ser idénticos para formar el
espejo de corriente.

Para el transistor Q3:

Una principal consideración es que este transistor sea capaz de operar a altas frecuencias.

Diseño Multisim:

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BIBLIOGRAFÍA:

 https://es.slideshare.net/Volta/tema-3amplificador-a-transistores-presentation
 http://www.ie.itcr.ac.cr/marin/lic/el3212/Libro/Tema3.pdf
 https://sites.google.com/a/goumh.umh.es/circuitos-electronicos-
analogicos/transparencias/tema-5
 http://www.monografias.com/trabajos96/circuitos-sintonizados/circuitos-
sintonizados.shtml

2018

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