Sunteți pe pagina 1din 43

CIRCUITE 1

Mini-culegere de probleme rezolvate

2017 - 2018
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

Cuprins

I. PROBLEME CU DIODE ........................................................................................................................ 3


II. PROBLEME CU TRANZISTOARE BIPOLARE ............................................................................... 17
III. PROBLEME CU TRANZISTOARE CU EFECT DE CÂMP ............................................................ 33
Probleme cu TEC-J ............................................................................................................................. 33
Probleme cu TEC-MOS cu canal indus............................................................................................ 36
Probleme cu TEC-MOS cu canal initial ........................................................................................... 40

Page 2 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

I. PROBLEME CU DIODE
P1. Dioda din fig. D1 se caraczerizează prin curent invers de saturaţie, IS=7nA şi factor de
idealitate, n=1,6. Se cer:
a) Schema echivalentă de c.c. considerând condensatoarele gol;
b) PSF-ul diodei;
c) Schema echivalentă de c.a. (de semnal mic);
d) Să se verifice dacă amplitudinea tensiunii de pe diodă, Va,max îndeplineşte condiţia de semnal
mic
R1

2k
0,25V V2
C1 C2

D1
V1
10V
R2 R3
2k 2k

Fig. D1.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. obținută prin pasivizarea sursei alternative V2 și ștergerea
condensatoarelor pentru că ele înseamnă gol în c.c. (fig. D1-1)
R1 R1

2k 2k
IA

D1 D1
V1 V1
10V 10V
R2 R3 VA
2k 2k

0 0

Fig. D1-1.
V 10V
b) VA  0  I A  1   5mA
R1 2k
I   5 103 
VA  nVT ln  A  1  1,6  0,026 ln  9
 1  0,56V
 IS   7 10 
V V 10  0,56
IA  1 A   4,72mA
R1 2k
 I  4,72mA
PSF   A
VA  0,56V
c) Schema echivalentă de c.a. obținută prin pasivizarea sursei de c.c. și înlocuirea condensatoarelor
cu scurtcircuit, adică fir (fig. D1-2)
R1

2k
0,25V V2

rd

R2 R3
2k Va,max 2k

Fig. D1-2.
nV 1,6  0,026
d) rd  T   8,8
IA 0,00472
8,8  2000
rd R3   8,76
2008,8

Page 3 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

rd R3 8,76
Thévenin: Va ,max  V2  0,25  2,17mV
Rth  rd R3 1000  8,76
Amplitudinea semnalului de pe diodă îndeplineşte condiţia de semnal mic Va ,max VT , rescrisă sub
VT
forma Va ,max   2,6mV , deoarece Va. max  2,17mV 2,6mV .
10

P2. Dioda din fig. D2 se caracterizează prin curent invers de saturaţie, IS=2µA şi factor de
idealitate, n=1,5. Se cer:
a) Schema echivalentă de c.c. considerând condensatoarele gol;
b) PSF-ul diodei;
c) Schema echivalentă de c.a. (de semnal mic);
d) Să se verifice dacă amplitudinea tensiunii de pe diodă, Va,max îndeplineşte condiţia de semnal
mic.
C1

R1 R2

1k 1k
V2 C2
0.5Vac

D1
V1
20Vdc R3
1k

0
Fig. D2.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. D2-1)
R1 R2

1k 1k
IA

D1
V1
20Vdc
VA

0
Fig. D2-1.
V1 20V
b) VA  0  I A    10mA
R1  R2 1k  1k
 IA   10 103 
 
VA  nVT ln   1  1,5  0,026 ln  6
 1  0,33V
 S
I   2  10 
V1  VA 20  0,33
IA    9,83mA
R1  R2 2k
 I  9,83mA
PSF   A
VA  0,33V
c) Schema echivalentă de c.a. (fig. D2-2)

Page 4 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
R1

1k
V2
0.5Vac
rd

R3
1k

0
Fig. D2-2.
nVT 1,5  0,026
d) rd    3,96
IA 0,00983
3,96 1000
rd R3   3,94
1003,96
rd R3 3,94
Va ,max  V2  0,5  1,96mV  2,6mV
R1  rd R3 1003,94

P3. Dioda din fig. D3 se caracterizează prin curent invers de saturaţie, IS=10nA şi factor de
idealitate, n=1,7. Se cer:
a) PSF-ul diodei;
b) Să se verifice dacă amplitudinea tensiunii de pe diodă, Va,max îndeplineşte condiţia de semnal
mic;
c) Să se determine relaţia totală a curentului prin diodă în caz de semnal sinusoidal.
R1

2k
V2
0.5Vac D1

V1
25Vdc R2 C1
3k

0
Fig. D3.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. D3-1)
R1 IA

2k
D1

VA
V1
25Vdc R2
3k

0
Fig. D3-1.
V1 25V
VA  0  I A    5mA
R1  R2 2k  3k
I   5 103 
VA  nVT ln  A  1  1,7  0,026 ln  9
 1  0,58V
 IS   10 10 
V  VA 25  0,58
IA  1   4,88mA
R1  R2 5k

Page 5 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

 I  4,88mA
PSF   A
VA  0,58V

b) Schema echivalentă de c.a. (fig. D3-2)


R1

2k
V2
0.5Vac rd

0
Fig. D3-2.
nV 1,7  0,026
rd  T   9
IA 0,00488
rd 9
Va ,max  V2  0,5V  2,24mV
R1  rd 2009
c)
V 2,24mV
I a ,max  a ,max   0,25mA
rd 9
i A  I A  I a ,max sin t  4,88  0,25 sin t mA 

P4. Dioda din fig. D4 se caracterizează prin curent invers de saturaţie, IS=12nA şi factor de
idealitate, n=1,8. Se cer:
a) PSF-ul diodei;
b) Să se verifice dacă amplitudinea tensiunii de pe diodă, Va,max îndeplineşte condiţia de semnal
mic;
c) Scrieţi relaţia tensiunii totale de pe diodă.
R1

V2 5k
0.4Vac

R2 D1
V1 5k
15Vdc

0
Fig. D4.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. D4-1)
R1

5k
IA

R2 D1
V1 5k
15Vdc
VA

0
Fig. D4-1.
Thevenin în c.c.

Page 6 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

R2 V
VTh1  V1  1  7,5V ; RTh  R1 R2  2,5k
R1  R2 2
V 7,5V
VA  0  I A  Th1   3mA
RTh 2,5k
I   3 103 
VA  nVT ln  A  1  1,8  0,026 ln  9
 1  0,58V
 IS   12 10 
V V 7,5  0,58
I A  Th1 A   2,77mA
RTh 2,5k
 I  2,77mA
PSF   A
VA  0,58V
b) Schema echivalentă de c.a. (fig. D4-2)
R1

V2 5k
0.4Vac

rd
R2
5k

0
Fig. D4-2.
nVT 1,8  0,026
rd    16,9
IA 0,00277
Thevenin în c.a.
R2 V
VTh 2  V2  2  0,2V ; RTh  R1 R2  2,5k
R1  R2 2
rd 16,9
Va ,max  VTh 2  0,2V  1,34mV
RTh  rd 2516,9
c) v A  VA  Va ,max sin t  0,58  0,00134 sin t V 

P5. Dioda din fig. D5 se caracterizează prin curent invers de saturaţie, IS=5µA şi factor de
idealitate, n=1,3. Se cer:
a) PSF-ul diodei;
b) Ce amplitudine trebuie să aibă tensiunea furnizată de generator pentru ca, la limită, să se
îndeplinească condiţia de semnal mic pe diodă?
R1

1k
V2 R2
1k
D1
V1
18Vdc R3 C1
1k

0
Fig. D5.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. D5-1)

Page 7 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
R1

1k
R2 IA
1k
D1
V1
18Vdc R3 VA
1k

0
Fig. D5-1.
Thevenin în c.c.
R2  R3
V1  18  12V ; RTh1  R1 R2  R3    0,67k
2 2
VTh1 
R1  R2  R3 3 3
V 12V
VA  0  I A  Th1   17,9mA
RTh1 0,67k
I   17,9 103 
VA  nVT ln  A  1  1,3  0,026 ln  6
 1  0,27V
 IS   5 10 
V  VA 12  0,27
I A  Th1   17,5mA
RTh1 0,67k
 I  17,5mA
PSF   A
VA  0,27V
b) Schema echivalentă de c.a. (fig. D5-2)
R1

1k
V2 R2
1k
rd

0
Fig. D5-2.
nV 1,3  0,026
rd  T   1,9
IA 0,0175
Thevenin în c.a.
R2 V
VTh 2  V2  2 ; RTh 2  R1 R2  0,5k
R1  R2 2
rd rd V2 VT
Va ,max  VTh 2  
RTh 2  rd RTh 2  rd 2 10
2RTh 2  rd  2  501,9
 V2  VT  0,026  1,37V
10rd 19

P6. Dioda din fig. D6 se caracterizează în PSF prin VA=0,62V şi are n=2. Se cer:
a) Să se determine dacă amplitudinea tensiunii de pe diodă, Va,max îndeplineşte condiţia de
semnal mic. Condensatorul se consideră scurtcircuit în c.a. (la semnal mic).
b) Care este relaţia tensiunii totale de pe diodă în caz de semnal sinusoidal.

Page 8 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
R1

V2 10k
0.6Vac C1

R2 D1
V1 10k
10Vdc R3
1k

0
Fig. D6.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. D6-1)
R1

10k
IA

R2 D1
V1 10k
10Vdc

VA

0
Fig. D6-1.
Thevenin în c.c.
R2 1
VTh1  V1  10  5V ; RTh1  R1 R2  5k
R1  R2 2
V  VA 5  0,62
I A  Th1   0,87mA
RTh1 5k
 I  0,87mA
PSF   A
VA  0,62V
Schema echivalentă de c.a. (fig. D6-2)
R1

V2 10k
0.6Vac

rd
R2
10k
R3
1k

0
Fig. D6-2.
nVT 2  0,026
rd    59,8
IA 0,00087
Thevenin în c.a.
R2
VTh 2  V2  0,3V ; RTh 2  R1 R2  5k
R1  R2
rd R3 56,4
Va ,max  VTh 2  0,3  3,34mV
RTh 2  rd R3 5056,4
59,8 1000
rd R3   56,4
1059,8
b) v A  VA  Va ,max sin t  0,62  0,00334 sin t V 

P7. Dioda din fig. D7 se caracterizează în PSF prin IA=1mA, VA=0,5V şi are n=1,6. Se cer:

Page 9 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

a) Valoarea sursei de c.c. necesară pentru realizarea PSF-ului diodei;


b) Determinaţia relaţia tensiunii totale de pe diodă în caz de semnal sinusoidal;
c) Să se verifice dacă amplitudinea tensiunii de pe diodă, Va,max îndeplineşte condiţia de semnal
mic.
R1

10k
V2 R2 C2
0.6Vac 5k
D1
V1
R3 C1 R4
5k 2k

0
Fig. D7.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. D7-1)
R1

10k
R2 IA=1mA
5k
D1
V1
R3 VA=0,5V
5k

0
Fig. D7-1.
Thevenin în c.c.
R2  R3
V1  1 ; RTh1  R1 R2  R3   5k
V
VTh1 
R1  R2  R3 2

VTh1  RTh1I A  VA  1  V1  2RTh1I A  VA   25k 1mA  0,5  11V


V
2
b) Schema echivalentă de c.a. (fig. D7-2)
R1

10k
V2 R2
0.6Vac 5k
rd

R4
2k

0
Fig. D7-2.
nVT 1,6  0,026
rd    41,6
IA 0,001
Thevenin în c.a.
R2 V 5 10
VTh 2  V2  2  0,2V ; RTh 2  R1 R2   3,33k
R1  R2 3 15
rd R4 40,7
Va ,max  VTh 2  0,2  2,41mV
RTh 2  rd R4 3370,7
41,6  2000
rd R4   40,7
2041,6

Page 10 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

v A  VA  Va ,max sin t  0,5  0,00241 sin t V 


c) 2,41mV 2,6mV

P8. Dioda din fig. D8 se caracterizează prin curent invers de saturaţie, IS=14nA şi factor de
idealitate, n=1,8. Se cer:
a) PSF-ul diodei;
b) Determinaţi relaţia curentului total prin diodă în caz de semnal sinusoidal;
c) Să se verifice dacă amplitudinea tensiunii de pe diodă, Va,max îndeplineşte condiţia de semnal
mic.
R1

V2 10k
0.5Vac D1

R2
V1 10k
24Vdc R3 C1
1k

0
Fig. D8.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. D8-1)
R1 IA

10k
D1

R2 VA
V1 10k
24Vdc R3
1k

0
Fig. D8-1.
Thevenin în c.c.
R2 1
VTh1  V1  24  12V ; RTh1  R1 R2  5k
R1  R2 2
VTh1 12V
VA  0  I A    2mA
RTh1  R3 6k
I   2 103 
VA  nVT ln  A  1  1,8  0,026 ln  9
 1  0,55V
 IS   14 10 
V V 12  0,55
I A  Th1 A   1,9mA
RTh1  R3 6k
 I  1,9mA
PSF   A
VA  0,55V
b) Schema echivalentă de c.a. (fig. D8-2)
R1

V2 10k
0.5Vac
rd

R2
10k

0
Fig. D8-2.
Page 11 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

nVT 1,8  0,026


rd    24,6
IA 0,0019
Thevenin în c.a.
R2 V
VTh 2  V2  2  0,2V ; RTh 2  R1 R2  5k
R1  R2 2
rd 24,6
Va ,max  VTh 2  0,2  0,98mV
RTh 2  rd 5024,6
V 0,98mV
I a ,max  a ,max   0,04mA
rd 24,6
i A  I A  I a ,max sin t  1,9  0,04 sin t mA 
c) 0,98mV 2,6mV

P9. Dioda din fig. D9 se caracterizează prin curent invers de saturaţie, IS=4nA şi factor de idealitate,
n=1,7. Se cer:
a) PSF-ul diodei;
b) Determinaţi relaţia curentului total prin diodă şi a tensiunii totale de pe diodă în caz de
semnal sinusoidal;
c) Să se verifice dacă amplitudinea tensiunii de pe diodă, Va,max îndeplineşte condiţia de semnal
mic.

R24

V17 C11
D9

V18 R25

R26
C12

0
Fig. D9.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. D9-1)
R1 IA

5k
D1

VA
V1
18Vdc R3
1k

0
Fig. D9-1.
V1 18V
VA  0  I A    3mA
R1  R3 6k
I   3 103 
VA  nVT ln  A  1  1,7  0,026 ln  9
 1  0,6V
 IS   4 10 
V  VA 18  0,6
IA  1   2,9mA
R1  R3 6k

Page 12 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

 I  2,9mA
PSF   A
VA  0,6V
b) Schema echivalentă de c.a. (fig. D9-2)
R1

5k
V2
0.4Vac
rd

R2
5k

0
Fig. D9-2.
nVT 1,7  0,026
rd    15,2
IA 0,0029
Thevenin în c.a.
R2 V
VTh 2  V2  2  0,2V ; RTh 2  R1 R2  2,5k
R1  R2 2
rd 15,2
Va ,max  VTh 2  0,2  1,2mV
RTh 2  rd 2515,2
V 1,2mV
I a ,max  a ,max   0,08mA
rd 15,2
v A  VA  Va ,max sin t  0,6  0,0012 sin t V 
i A  I A  I a ,max sin t  2,9  0,08 sin t mA 
c) 1,2mV 2,6mV

P10. În circuitul din fig. D10, dioda D1 se caracterizează prin VZ=5V şi I Z  1...5mA iar D2 prin
IS=8nA şi n=1,7. Se cer:
a) Precizaţi cum sunt polarizate diodele;
b) Determinaţi PSF-urile diodelor;
c) Să se verifice dacă amplitudinea tensiunii de pe dioda D2, Va,max, îndeplineşte condiţia de
semnal mic.
R1 R2 C1 R3

5k V1 3k 10k
V2
D1 15Vdc 1Vac
D2

0
Fig. D10.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. D10-1)
R1 R2

5k V1 3k
IZ IA2
D1 15Vdc
VZ D2 VA2

0
Fig. D10-1.

Page 13 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

D1 este polarizată invers deoarece plusul sursei V1 este legat la catodul diodei iar D2 este poalrizată
direct deoarece plusul sursei V1 este lagat la anodul diodei.
V V 15  5
b) I Z  1 Z   2mA ; 2mA  1...5mA
R1 5k
 I   I Z  2mA
 PSF D1   A1
VA1  VZ  5V
D2:
V 15V
VA 2  0  I A 2  1   5mA
R2 3k
I   5 103 
VA2  nVT ln  A2  1  1,7  0,026 ln  9
 1  0,59V
 IS   8 10 
V V 15  0,59
I A2  1 A2   4,8mA
R2 3k
 I  4,8mA
PSF D 2   A2
VA2  0,59V
c) Schema echivalentă de c.a. (fig. D10-2)
R2 R3

3k 10k
V2
rd 1Vac

0
Fig. D10-2.
nV 1,7  0,026
rd 2  T   9,2
I A2 0,0048
rd 2 R2 9,17
Va ,max  V2  1V  0,92mV
R3  rd 2 R2 10009,17
9,2  3000
rd 2 R2   9,17
3009,2

P11. Dioda zener din fig. D11 se caracterizează prin VZ=5V pentru IZ=1...10mA şi rezistenţa
dinamică (de semnal mic) rz=15. Dioda D2 are parametrii: curent de saturaţie IS=2,7nA şi factor
de idealitate n=1,8. Să se determine:
a) Valoarea curentului prin R1;
b) PSF-ul diodei D2;
c) Dacă amplitudinea semnalului alternativ de la bornele diodei D2 satisface condiţia de semnal
mic.

IR1 R1 R2 R3 C1

1k 5k 20k
IA2 100uF

V1 V2
10V D1 D2 0.2V
VA2
Vz
0 0 0 0
Fig. D11.
Rezolvare

Page 14 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

a) Schema echivalentă de calcul în c.c are forma din fig. D11-1:

IR1 R1 R2

1k 5k
IA2

V1
10V D1 D2
VA2
Vz
0 0 0
Fig. D11-1.
V V 10  5
I R1  1 Z   5mA
R1 1k
b) Dioda D2 este alimentată de la VZ=5V prin R2. Paşii necesari pentru calculul iterativ a PSF-ului
conduc la următoarele relaţii:
V 5V
VA 2  0  I A 2  Z   1mA
R2 5k
I   103 
VA2  nVT ln  A2  1  1,8  0,026 ln  9
 1  0,6V
 IS   2,7 10 
V  VA2 5  0,6
I A2  Z   0,88mA
R2 5k
Metoda fiind puternic convergentă, se poate considera că PSF-ul diodei D2 se caracterizează prin:
I  0,88mA
PSFD 2   A2
VA2  0,6V
c) Pentru verificarea îndeplinirii condiţiei de semnal mic, se utilizează schema echivalentă de c.a.
din fig. D11-2. Pe această schemă, respectând regulile generale, sursa de c.c V1 şi condensatorul
C1 se înlocuiesc cu scurtcircuit. În loc de D1 se conectează rezistenţa dinamică a diodei şi anume
rz.
Rezistenţa dinamică a diodei D2 se determină cu relaţia:
nV 1,8  26mV
rd 2  T   53,2
I A2 0,88mA
Rech

R3
R1 R2

1k
5k 20k
V2
rz rd2 0.2Vac
15

0 0 0 0
Fig. D11-2.
0,015k 1k
Rech  R2  rz R1  5k   5,0147k
1,015k
Amplitudinea semnalului alternativ de pe dioda D2 (modelată în c.a. cu ajutorul rezistenţei de
difuzie sau dinamice rd2) se determină cu ajutorul RDT aplicată între R3 şi Rech în paralel cu rd2:
rd 2 Rech 52,5
Va 2  V2   0,2  0,52mV
R3  rd 2 Rech 20052,5
53,2  5014,7
rd 2 Rech   52,5
5067,9
Page 15 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

Va 2, max  0,52 mV  26 mV  VT , deci amplitudinea semnalului alternativ de la bornele diodei D2


satisface condiţia de semnal mic.

Page 16 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

II. PROBLEME CU TRANZISTOARE BIPOLARE


P1. TB din fig. TB1 se caracterizează în PSF prin tensiune bază-emitor, VBE=0,66V şi factor de
amplificare în curent, β=185. Se cer:
a) PSF-ul TB;
b) Conexiunea în care se află TB;
c) Amplificarea în tensiune a circuitului. Condensatoarele reprezintă scurtcircuit.
V1
R4 R5
100k 5k 10Vdc

R1 C1 Q1 C2 0
in BC547A out
V2
1k
R2 R6
1k 10k

0 0 R3 0
18k

0
Fig. TB1
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. TB1-1)
V1 V1
R4 R5 R5
100k 5k 10Vdc 5k 10Vdc

IC
Q1 0 Q1
IE RTh IB
BC547A
VTh T II K
R2 BC547A VCE
1k VBE
VBE
IE
0 R3
18k T II K R2
1k
0
0

Fig. TB1-1.
Thevenin în c.c.
R3 18k 18  100
VTh  V1  10V  1,52V ; RTh  R3 R4   15,2k
R3  R4 118k 118
T II K pe ochiul de circuit care conţine VBE:
VTh  RTh I B  VBE  R2 I E  VTh  VBE 1,52  0,66 0,86V
  IB     4,2A
I E    1I B  RTh    1R2 15,2k  186k 201,2k
IC  I B  185  0,0042mA  0,78mA
I E  I B  IC  0,784mA
T II K pe ochiul de circuit care conţine VCE:
V1  R5 IC  VCE  R2 I E  VCE  V1  R5 IC  R2 I E  10  5  0,78  1 0,784  5,31V
VBE  0,66V
 I  4,2A
 B
PSF  
 I C  0,78mA
VCE  5,31V

b) TB se află în conexiune bază-comună (BC) deoarece semnalul se aplică pe emitor şi se culege


din colector (nu s-a amintit de bază în această analiză).

Page 17 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

c) Schema echivalentă de c.a. (fig. TB1-2)


ib
out

R3 R4 rpi R5 R6
18k 100k 5k 10k Vout
Bib
0 0 0 0
(B+1)ib
R1
in
V2
1k
R2
1k Vin

0 0
Fig. TB1-2.

 185
rpi    5,93k
40 I C 40  0,78m
V
Av  out
Vin
Vout   ib R5 R6 

Vin  ib rpi  R3 R4   ib  


Vin
rpi  R3 R4
 
Av     
1 R5 R6   185  3,33k  29,15
 r R R  5,93k  15,2k
 pi 3 4 

5k  10k
R5 R6   3,33k
15k
18 100
R3 R4   15,2k
118

P2. Să se repete analiza din problema P1, dacă TB este de tipul pnp (fig. TB2) şi are parametrii:
VEB=0,72V şi β=92.

R4 R5 V1
100k 5k 10Vdc

R1 C1 Q1 C2 0
in Q2N2906 out
V2
1k
R2 R6
1k 10k

0 0 R3 0
20k

0
Fig. TB2.

Rezolvare

a) Schema echivalentă de c.c. (fig. TB2-1)

Page 18 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

R4 R5 V1
100k 5k 10Vdc R5 10Vdc
5k
V2
Q1 0 Echivalare IC
Q2N2906 Q1
THEVENIN RTh IB

R2 VTh
1k Q2N2906 VCE T II K
VEB
0 R3 IE
20k
T II K R2
1k
0

0
Fig. TB2-1.
Thevenin în c.c.
R3 20k 20  100
VTh  V1  10V  1,66V ; RTh  R3 R4   16,67k
R3  R4 120k 120
T II K pe ochiul de circuit care conţine VBE:
VTh  RTh I B  VEB  R2 I E  VTh  VEB 1,66  0,72 0,94V
  IB     8,57 A
I E    1I B  RTh    1R2 16,67k  93k 109,67k
I C  I B  92  0,00857mA  0,79mA
I E  I B  I C  0,8mA
T II K pe ochiul de circuit care conţine VCE:
V1  R5 IC  VEC  R2 I E  VEC  V1  R5 IC  R2 I E  10  5  0,79  1 0,8  5,25V
VBE  0,72V
 I  8,57 A
 B
PSF  
 I C  0,79mA
VCE  5,25V

b) TB se află în conexiune bază-comună (BC) deoarece semnalul se aplică pe emitor şi se culege


din colector (nu s-a amintit de bază în această analiză).

c) Schema echivalentă de c.a. (fig. TB2-2)


ib
out

R3 R4 rpi R5 R6
20k 100k 5k 10k Vout
Bib
0 0 0 0
(B+1)ib
R1
in
V2
1k
R2
1k Vin

0 0
Fig. TB2-2.
 92
rpi    2,9k
40 I C 40  0,79m
V
Av  out
Vin
Vout   ib R5 R6 

Page 19 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

Vin  ib rpi  R3 R4   ib  


Vin
rpi  R3 R4
 
Av     
1 R5 R6   92  3,33k  15,6
 r R R  2,9k  16,67k
 pi 3 4 

5k  10k
R5 R6   3,33k
15k
20 100
R3 R4   16,67k
120

P3. TB din fig. TB3 se caracterizează în PSF prin tensiune bază-emitor, VBE=0,66V şi factor de
amplificare în curent, β=157. Se cer:
a) PSF-ul TB;
b) Conexiunea în care se află TB;
c) Amplificarea în tensiune a circuitului. Condensatoarele reprezintă scurtcircuit.
V1
R2 R3
680k 3k 12V
C3
0
Q1
R1 C1
in
V2 1k
Q2N2222 C2
out

0 R4 R5
1k 10k

0 0
Fig. TB3.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. TB3-1)
V1
R2 R3
680k 3k 12V

IC
IB 0
Q1

VCE

VBE
IE

R4
1k

0
Fig. TB3-1.
V1  VBE
V1  R2 I B  VBE  R4 I E  VBE  I B R2    1R4   I B 
R2    1R4
12  0,66
IB   13,5A
680k  158k
IC  I B  157  0,0135mA  1,12mA
I E    1I B  158  0,0135mA  1,13mA
VCE  V1  R3 I C  R4 I E  12  3,36  1,13  7,51V

Page 20 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

VBE  0,66V
 I  13,5A
 B
PSF  
 I C  1,12mA
VCE  7,51V

b) TB se află în conexiune CC deoarece semnalul se aplică în bază şi se culege din emitor.

c) Schema echivalentă de c.a. (fig. TB3-2)


R1 ib

V1
1k
R2 rpi Bib
Vin 680k
0

0 0
(B+1)ib

R4 R5
1k 10k Vout

0 0
Fig. TB3-2.
 157
rpi    3,5k
40 I C 40 1,12m
V
Av  out
Vin
Vout    1ib R4 R5 
Vin  rpiib    1ib R4 R5 
  1R4 R5  158  0,91k
Av    0,976
rpi    1R4 R5  3,5k  158  0,91k
110
R4 R5   0,91k
11

P4. Să se repete analiza din problema P3, dacă TB este de tipul pnp (fig. TB4) şi are parametrii:
VEB=0,74V şi β=68.

R2 R3 V1
330k 3k 12V
C3
0
Q1
R1 C1
in
V2 1k
Q2N2904A C2
out

0 R4 R5
1k 10k

0 0
Fig. TB4.

Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. TB4-1)

Page 21 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

R2 R3 V1
330k 3k 12V

IC
0
Q1
IB

VEC

VEB
IE

R4
1k

0
Fig. TB4-1.
V1  VEB
V1  R2 I B  VEB  R4 I E  VEB  I B R2    1R4   I B 
R2    1R4
12  0,74
IB   28,2A
330k  69k
I C  I B  68  0,0282mA  1,92mA
I E    1I B  69  0,0282mA  1,94mA
VEC  V1  R3 IC  R4 I E  12  3,06  1,035  4,3V
VEB  0,74V
 I  28,2 A
 B
PSF  
 I C  1,92mA
VCE  4,3V

b) TB se află în conexiune CC deoarece semnalul se aplică în bază şi se culege din emitor.

c) Schema echivalentă de c.a.(fig. TB4-2)

R1 ib

V1
1k
R2 rpi Bib
Vin 330k
0

0 0
(B+1)ib

R4 R5
1k 10k Vout

0 0
Fig. TB4-2.
 68
rpi    0,88k
40 I C 40  1,92m
V
Av  out
Vin
Vout    1ib R4 R5 
Vin  rpiib    1ib R4 R5 
  1R4 R5  69  0,91k
Av    0,986
rpi    1R4 R5  0,88k  69  0,91k

Page 22 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

110
R4 R5   0,91k
11

P5. TB din fig. TB5 se caracterizează în PSF prin tensiune bază-emitor, VBE=0,66V şi factor de
amplificare în curent, β=290. Se cer:
a) PSF-ul TB;
b) Conexiunea în care se află TB;
c) Amplificarea în tensiune a circuitului. Condensatoarele reprezintă scurtcircuit.
V1
R2 R3 9V
2.7Meg 5k
C2
out
0
Q1
R1 C1 R6
in 10k
V2 1k
BC546B
0
R4
100
0

R5 C3
900

0 0

Fig. TB5.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c.
V1
R2 R3 9V
2.7Meg 5k

IB IC 0
Q1

VCE
BC546B
VBE
R4
100
IE
R5
900

0
Fig. TB5-1.
V1  VBE 12  0,66
IB    3,8A
R2    1R4  R5  2700k  291k
IC  I B  290  0,0038mA  1,102mA
I E    1I B  1,106mA
VCE  V1  R3 IC  R4  R5 I E  9  5,53  1,106  2,36V
VBE  0,66V
 I  3,8A
 B
PSF  
 I C  1,102mA
VCE  2,36V

b) TB se află în conexiune EC deoarce semnalul se aplică în bază şi se culege din colector.

c) Schema echivalentă de c.a. (fig. TB5-2)

Page 23 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
R1 ib

V2
1k
R2 rpi Bib R3 R6
Vin 2.7Meg 5k 10k Vout

0 0 0 0
(B+1)ib

R4
100

0
Fig. TB5-2.
 290
rpi    6,58k
40 I C 40 1,102m
V
Av  out
Vin
Vout   ib R3 R6 
Vin  rpi ib    1ib R4
  R3 R6  290  3,33k
Av    27
rpi    1R4 6,58k  291 0,1k
5  10
R3 R6   3,33k
15

P6. Să se repete analiza din problema P5, dacă TB este de tipul pnp (fig. TB6) şi are parametrii:
VEB=0,72V şi β=220.

R2 R3 V1
2Meg 5k
C2 9V
out
0
Q1
R1 C1 R6
in 10k
V2 1k
Q2N2905
0

R4
0 100

R5 C3
900

0 0

Fig. TB6.

Rezolvare

a) Schema echivalentă de c.c. (fig. TB6-1)

V1  VEB 12  0,72
IB    3,9A
R2    1R4  R5  2700k  221k

IC  I B  220  0,0039mA  0,858mA


I E    1I B  0,862mA

VCE  V1  R3 IC  R4  R5 I E  9  4,31  0,862  3,83V

Page 24 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

R2 R3 V1
2Meg 5k
9V
IC
0
Q1
IB

VEC
VEB Q2N2905

R4
100
IE

R5
900

0
Fig. TB6-1.
VBE  0,72V
 I  3,9 A
 B
PSF  
 I C  0,858mA
VCE  3,83V
b) TB se află în conexiune EC deoarce semnalul se aplică în bază şi se culege din colector.

c) Schema echivalentă de c.a. (fig. TB6-2)


R1 ib

V2
1k
R2 rpi Bib R3 R6
Vin 2.7Meg 5k 10k Vout

0 0 0 0
(B+1)ib

R4
100

0
Fig. TB6-2.
 220
rpi    6,4k
40 I C 40  0,858m
V
Av  out
Vin
Vout   ib R3 R6 
Vin  rpi ib    1ib R4
  R3 R6  220  3,33k
Av    25,7
rpi    1R4 6,4k  221 0,1k
5  10
R3 R6   3,33k
15

P7. Tranzistoarele din circuitul reprezentat în fig. TB7 se caracterizează în PSF prin VBE=0,67V şi
factor de amplificare în curent, β=200. Să se determine:
a) Motivaţi în ce conexiune este fiecare tranzistor;
b) PSF-urile tranzistoarelor şi parametrii de semnal mic;
c) Amplificarea de semnal mic.

Page 25 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

V1
R1 R3 R5
1Meg 100k 5k 15V

C3 0
Q1 out
C1
in
10uF R7
10uF Q2
BC547A C2 10V 10k
10V
V2
VOFF = 0 10uF BC547A 0
VAMPL = 1mV 10V
FREQ = 1kHz C4
220uF
R2 R4 R6 10V
5k 15k 1k

0 0 0 0 0
Fig. TB7.
Rezolvare
a) La Q1 semnalul se aplică în bază şi se culege din emitor (prin condensatorul de cuplaj C 2
semnalul trece în baza lui Q2), deci Q1 este în conexiune colector-comun (CC);
La Q2 semnalul se aplică în bază şi se culege din colector, prin intermediul condensatorului de
cuplaj C3, deci Q2 se află în conexiune emitor-comun (EC).

b) Cele 2 etaje de amplificare fiind separate în c.c. prin intermediul condensatorului de cuplaj
dintre etaje, C2, PSF-urile se pot determina pe cele 2 etaje, analizate independent una de cealaltă
pe schemele echivalente de c.c. din fig. TB7-1:
c)
V1 V1
R1 R3 R5 R1 R5
1Meg 100k 5k 15V 1Meg 5k 15V
IC1
ECHIVALARE IB1
0 THEVENIN
0
Q1 Q1
la Q2 IC2
VCE1
Q2 RTh Q2
BC547A BC547A IB2

VBE1 VCE2
BC547A 13k BC547A
IE1
VBE2
VTh IE2
1.96V
R2 R4 R6 R2 R6
5k 15k 1k 5k 1k

0 0 0 0 0 0
Fig. TB7-1.
 PSF la Q1
V1  I B1R1  VBE1  I E1R2  V1  VBE1
  V1  I B1R1  VBE1    1I B1R2  I B1 
I E1    1I B1  R1    1R2
15  0,67
I B1   0,00715mA  7,15A
1000k  201 5k
IC1  I B1  200  0,00715m  1,43mA
I E1    1I B1  1,44mA
VCE1  V1  I E1R2  15  1,44m  5k  7,8V
VBE1  0,67V
 I  7,15A
 B1
PSFQ1  
 I C1  1,43mA
VCE1  7,8V

Page 26 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

 PSF la Q2
100k 15k
RTh  R3 R4   13k
115k
R4 15k
VTh  V1  15V  1,96V
R3  R4 115k
VTh  I B 2 RTh  VBE 2  I E 2 R6  VTh  VBE 2
  VTh  I B 2 RTh  VBE 2    1I B 2 R6  I B 2 
I E 2    1I B 2  RTh    1R6
1,96  0,67
I B2   0,006mA  6A
13k  201k
IC 2  I B 2  200  0,006mA  1,2mA
I E 2    1I B 2  201 0,006mA  1,206mA  1,2mA
VCE 2  V1  IC 2 R5  I E 2 R6  V1  IC 2 R5  R6   15  1,2m  6k  7,8V
VBE 2  0,67V
 I  6A
 B2
PSFQ 2  
 I C1  1,2mA
VCE1  7,8V
 200
rpi1    3,5k
40 I C1 40 1,43m
 200
rpi 2    4,2k
40 I C 2 40 1,2m

d) Amplificarea de semnal mic se determină pe schema echivalentă din fig. TB7-2:


ib1 ib2

V2 rpi1 Bib1 R3 R4 rpi2 Bib2 R5 R7


R1 3.5k
0 100k 15k 4.2k 5k 10k Vout
1Meg
0 0 0 0
0 0 (B+1)ib1
0

R2
5k
Vin
RDC
0
Fig. TB7-2.

Vout
Av 
Vin

Vout   ib 2 R5 R7 

Pentru a determina relaţia de legătură dintre ib2 şi ib1 se aplică RDC în emitorul lui Q1. Circuitul se
redesenează şi are forma din fig. TB7-3:

Page 27 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
ib1 ib2

V2 rpi1 Bib1 rpi2


R1 3.5k
0 4.2k
1Meg
RDC
0 0
(B+1)ib1 0

Rech

R2 R3 R4
5k 100k 15k
Vin
0 0 0

Fig. TB7-3.

1 1
Rech  R2 R3 R4    3,6k
1 1 1 1 1 1
   
R2 R3 R4 5k 100k 15k

RDC: ib 2 
Rech
  1ib1
rpi 2  Rech
Pentru a deduce relaţia lui ib1 se efectuează analiza pe circuitul din fig. TB7-4:
ib1

V2 rpi1 Bib1
R1 3.5k
0
1Meg

0 0 Rech2
(B+1)ib1

R2 R3 R4 rpi2
5k 100k 15k 4.2k
Vin
0 0 0 0
Fig. TB7-4.

3,6k  4,2k
Rech 2  Rech rpi 2   1,94k
7,8k
Vin
ib1 
rpi1    1Rech 2
Prin înlocuiri succesive, se obţine:
Av    R5 R7    1
Rech 1
rpi 2  Rech rpi1    1Rech 2
3,6k 1
Av  200  3,33k   201  157
7,8k 3,5k  2011,94k

P8. În PSF tranzistoarele din fig. TB8 se caracterizează prin VBE=0,65V şi β=150.
Să se determine:
a) valorile din PSF şi parametrii de semnal mic. Se neglijează IB1 faţă de curentul prin
divizorul format din R1 şi R2, IB2 faţă de IC1 şi curenţii de bază faţă de cei de colector,
situaţie în care se consideră IE=IC la fiecare tranzistor (IE1=IC1=I1, respectiv IE2=IC2=I2);
b) amplificarea în tensiune a circuitului;
c) în ce conexiune este fiecare tranzistor.

Page 28 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

V2
R1 R3 R5 12V
100k 10k 5k
C2
out1 out
Q1 Q2
C1 R7
in 10uF 10k
10uF
Q2N2222 Q2N2222
V1

R2 R4 R6 C3
12k 1k 5k 100uF

0
Fig. TB8.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. TB8-1)
V2
R1 R3 R5 12V
100k 10k 5k

VC1 I2
I1
Q1 Q2
VB1
VCE1 VCE2

VBE VBE I2
I1

R2 R4 R6
12k 1k 5k

0
Fig. TB8-1.
La fiecare tranzistor, considerând IEIC rezultă că prin Q1 curentul este I1, respectiv I2 prin Q2.
R2 12k
VB1  V2  12V  1,28V
R1  R2 112k
T II K pe ochiul care conţine VB1, VBE a lui Q1 şi R4 se scrie:
V V 1,28  0,65
VB1  VBE  I1R4  I1  B1 BE   0,63mA
R4 1k
I 0,63mA
Rezultă: I B1  1   4,2A
 150
Asemănător, dacă se cunoaşte potenţialul din colectorul lui Q1 egal cu cel din baza lui Q2, se poate
determina I2.
V2  I1R3  VC1  VC1  V2  I1R3  12  0,63mA 10k  5,7V
T II K pe ochiul care conţine VC2, VBE a lui Q2 şi R6 se scrie:
V  VBE 5,7  0,65
VC1  VBE  I 2 R6  I1  C1   1,01mA
R6 5k
I 1,01mA
Rezultă: I B 2  2   6,7 A
 150
T II K aplicată pe ochiurile de circuit care conţin tensiunile colector-emitor, VCE1, respectiv VCE2
permite determinarea tensiunilor colector-emitor:

VCE1  V2  I1 R3  R4   12V  0,63mA 11k  5,07V


VCE 2  V2  I 2 R5  R6   12V  1,01mA 10k  1,9V

După calculul aproximativ, PSF-urile celor două tranzistoare se caracterizează prin:

Page 29 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

VBE  0,65V VBE  0,65V


 I  4,2 A  I  6,7 A
 B1  B2
PSF1   , respectiv PSF2  
 I C1  0,63mA  I C 2  1,01mA
VCE1  5,07V VCE 2  1,9V
Parametrii de semnal mic sunt:
 150
rpi1    5,95k
40 I1 40  0,63m
 150
rpi 2    3,7k
40 I 2 40  1,01m

b) Calculul amplificării în tensiune se determină pe schema echivalentă de semnal mic (c.a.) din
fig. TB8-2:
RDC

ib1 ib2
in out
V1
R1 R2 rpi1 Bib1 rpi2 Bib2 R5 R7
Vin 100k 12k 5.95k 3.7k 5k 10k Vout
R3
10k
0 0 0 0 0
ib1(B+1)
0 0
Rin,Q2=rpi2
R4
1k
Rin,Q1=rpi1+(B+1)R4
0
Fig. TB8-2.
V
Av  out (1)
Vin
Vout   ib 2 R5 R7 
(2)
În nodul comun colectorului lui Q1 şi baza lui Q2 se poate aplica RDC pentru a găsi o relaţie între ib2
şi ib1:
ib 2 
R3
 ib1   R3  ib1 
R3  Rin,Q 2 R3  rpi 2 (3)
Vin Vin
ib1  
Rin,Q1 rpi1    1R4 (4)
Se înlocuieşte ib1 din rel. (4) în rel. (3), apoi ib2 din (3) în (2) şi apoi Vout din (2) în (1) şi rezultă
relaţia amplificării în tensiune:
 2 R5 R7 R3
Av    R5 R7    
R3 1

R3  rpi 2 
rpi1    1R4 R3  rpi 2  rpi1    1R4 
R5 R7 5k  10k
R5 R7    3,33k
R5  R7 15k
1502  3,33k  10k
Av   348,45
10k  3,7k 5,95k  150  11k 
P9. Tranzistoarele pnp din fig. TB9 se caracterizează în PSF prin: VEB=0,7V şi β=175. Dacă
semnalul de intrare are amplitudinea de 1mV să se determine amplitudinea semnalului de ieşire.

Page 30 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

Se va face calcul aproximativ (se neglijează IB faţă de IC la fiecare tranzistor şi IB1 faţă de curentul
prin divizorul R1, R2).
(-)

R1 R3 R6
120k 20k 5k
R5
I1 I2 C2
out
V1
Q1 Q2 10uF
C1 12V
in 50k R8
10uF 10k
V2 BC557A VEC1 BC557A VEC2
VOFF = 0V VEB VEB
VAMPL = 1mV
FREQ = 1kHz
I1 I2
R2 R4 R7 C3
12k 1k 5k 220uF (+)

0
Fig. TB9.
Rezolvare
Cu notaţiile de pe fig. TB9 şi ţinând seama de aproximarea propusă în enunţul problemei se obţine:
R2 12k
V  VEB 12  0,7
R2 R  R2
V1  I1R4  VEB  I1  1  132k  0,39mA
R1  R2 R4 1k
V  I R V 12  0,39m  20k  0,7
V1  I1R3  I 2 R7  VEB  I 2  1 1 3 EB   0,7mA
R7 5k
Parametrii de semnal mic sunt:
 175
r 1    11,2k
40 I1 40  0,39
 175
r 2    6,2k
40 I 2 40  0,7
Schema echivalentă de c.a. are forma din fig. TB9-1
ib1 R5 ib2
in out
V2
VOFF = 0V R1 R2 rpi1 R3 50k rpi2 R6 R8
VAMPL = 1mV 120k 12k 11.2k Bib1 20k 6.2k Bib2 5k 10k
FREQ = 1kHz Vin Vout
0 0 0 0 0 0
(B+1)ib1
0
R4
1k

Fig. TB9-1.

Vout   ib 2 R6 R8 

ib 2 
R3
 ib1 
R3  R5  rpi 2

Vin
ib1 
rpi1    1R4

Page 31 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

R3 175  20k


Av   R6 R8 
1 1
  175  3,3k    141,7
R3  R5  rpi 2 rpi1    1R4 20k  50k  6,2k 11,2k  176k

5 10
R6 R8   3,3k
15

Vout  Av Vin  141,7 1mV  141,7mV

Page 32 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

III. PROBLEME CU TRANZISTOARE CU EFECT DE CÂMP


Probleme cu TEC-J
P1. TEC-J din fig. P1-1 se caracterizează prin tensiune de prag, VGS(off)=-2V şi curent drenă-sursă
cu poarta scurtcircuitată la sursă, IDSS=6mA. Să se determine:
a) PSF-ul tranzistorului;
b) Conexiunea în care se află tranzistorul. Motivaţi;
c) Amplificarea în tensiune a circuitului (condensatoarele se consideră scurtcircuit).
RG1
2Meg

C1 J1
VDD
BF256A
100n
15V
C2
out
Vin
100n

RG2 RS RL
1Meg 6k 100k

0
Fig. P1-1.
Rezolvare
a) PSF-ul se determină pe schema echivalentă de c.c. din fig. P1-2:
RG1
2Meg

ID
J1
VG
BF256A VDS
VDD
VS
VGS 15V

IS=ID
RG2 RS
1Meg 6k

0
Fig. P1-2.
 Ecuaţia de circuit: VGS  VG  VS
RG 2 1M
VG  VDD  15V  5V
RG1  RG 2 1M  2M
VS  I S RS  I D RS  6I D
 VGS  5  6I D
Obs. RS este exprimat în k. Rezultă că ID va fi exprimat în mA.
2
 V 
 Ecuaţia de dispozitiv: I D  I DSS 1  GS 
 V 
 GS ( off ) 

 5  6I D 
I D  61 
2
 5  6I D  7  6 I D 
2 2

  61   6
 2   2  4

2I D  3 49  84I D  36I D
2

108I  254I D  147  0
2
D

Page 33 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

254  2542  4 108 147 254  31.8 I  1.32mA


I D1, 2     D1
216 216 I D 2  1.03mA
Se alege acea valoare a curentului de drenă pentru care este satisfăcută relaţia: VGS  VGS (off )
VGS1  5  6k  1.32 mA  2.92V  VGS1  VGS ( off )
VGS 2  5  6k  1.03mA  1.18V  VGS 2  VGS ( off )  I D  I D 2  1.03mA
VDS  VDD  RS I D  15V  6k 1.03mA  8.82V
VGS  1.18V

 PSF  I D  1.03mA
V  8.82V
 DS

b) Tranzistorul este în conexiune drenă-comună, deoarece semnalul se aplică în poartă şi se culege


din sursă.

c) Amplificarea se determină pe schema echivalentă de semnal mic din fig. P1-3:


Vin
RG1 RG2
2Meg 1Meg vgs 0
gmv gs
0 0 0

RS RL
6k 100k
Vout
0 0
Fig. P1-3.

Vout
Av 
Vin
Vout  g m v gs RS RL 

Vin  vgs  g mvgs RS RL   vgs 


Vin
1  g m RS RL 
g m RS RL  2.46m  5.66k
Av    0.933
1  g m RS RL  1  2.46m  5.66k

 
gm  1  VGS   2  6m 1   1.18   2.46mS
2 I DSS
 V
VGS ( off )  2  2 
 GS ( off ) 

6k 100k
RS RL   5.66k
106k

Obs. Amplificarea în tensiune este aproximativ egală cu unitatea (1), de unde provine şi denumirea
de repetor pe sursă dată acestui amplificator.

P2. TEC-J din fig. P2-1 se caracterizează prin tensiune de prag, VGS(off)=-2V şi curent drenă-sursă
cu poarta scurtcircuitată la sursă, IDSS=6mA. Să se determine:
a) PSF-ul tranzistorului;
b) Conexiunea în care se află tranzistorul. Motivaţi;
c) Amplificarea în tensiune a circuitului (condensatoarele se consideră scurtcircuit).

Page 34 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

RG1 RD
2Meg 4k
C3
out
100n
J1
VDD
BF256A RL
C1 RG2 100k 15V
100n 1Meg

0 0
C2

Vin
10u
RS
4k

0
Fig. P2-1.
Rezolvare
a) PSF-ul se determină pe schema echivalentă de c.c. din fig. P2-2:
RG1 RD
2Meg 4k

ID

0 J1
VG
BF256A VDD
RG2
1Meg VDS 15V
VS

IS=ID

RS
4k

0
Fig. P2-2.
 Ecuaţia de circuit: VGS  VG  VS
RG 2 1M
VG  VDD  15V  5V
RG1  RG 2 1M  2M
VS  I S RS  I D RS  4I D
 VGS  5  4I D
Obs. RS este exprimat în k. Rezultă că ID va fi exprimat în mA.
2
 V 
 Ecuaţia de dispozitiv: I D  I DSS 1  GS 
 V 
 GS ( off ) 

 5  4I D 
I D  61 
2
 5  4I D  7  4I D 
2 2

  61   6
 2   2  4

2I D  3 49  56I D  16I D
2

48I  170I D  147  0
2
D

170  1702  4  48 147 170  26  I  2.04mA


I D1, 2     D1
96 96  I D 2  1.5mA
Se alege acea valoare a curentului de drenă pentru care este satisfăcută relaţia: VGS  VGS (off )
VGS1  5  4k  2.04 mA  3.16V  VGS1  VGS ( off )

Page 35 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

VGS 2  5  4k  1.5mA  1V  VGS 2  VGS ( off )  I D  I D 2  1.5mA


VDS  VDD  RD I D  RS I D  15V  4k 1.5mA  4k 1.5mA  3V
Obs. Tranzistorul lucrează ca amplificator dacă PSF-ul este în regiunea de saturaţie, adică dacă VDS
satsface relaţia: VDS  VGS  VGS (off ) . Se observă că VDS  3V  1   2  1V deci TEC-MOS
poate lucra ca amplificator.
VGS  1V

 PSF   I D  1.5mA
V  3V
 DS
b) Tranzistorul este în conexiune poartă-comună, deoarece semnalul se aplică în sursă şi se culege
din drenă.
c) Amplificarea se determină pe schema echivalentă de semnal mic din fig. P2-3:
RD RL
0 vgs 4k 100k
gmv gs
Vout
0 0

Vin
RS
4k

0 0
Fig. P2-3.
Vout
Av 
Vin
Vout   g m vgs RD RL 
Vin  vgs
 Av  g m RD RL   3  10 3  3.85  10 3  11 .5
 
gm  1  VGS   2  6m 1   1   3mS
2 I DSS
 V
VGS ( off )  2  2
 GS ( off ) 

4k 100k
RD RL   3.85k
104k

Probleme cu TEC-MOS cu canal indus


P3. Tranzistorul din fig. P3-1 se caracterizează prin tensiune de prag VGS(th)=2V, curent de drenă în
starea ON, ID(ON)=75mA determinat pentru VGS=4,5V (conform foilor de catalog). Să se determine:
a) PSF-ul tranzistorului;
b) Conexiunea în care se află tranzistorul. Motivaţi;
c) Amplificarea în tensiune a circuitului (condensatoarele se consideră scurtcircuit).
RG1
2Meg

C1 M1
VDD
Vin 18V
100n
M2N7000 C2
out
1u
RG2 RS RL
2Meg 10k 100k

0
Fig. P3-1.

Page 36 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

Rezolvare
a) Relaţia curentului de drenă se poate pune sub forma:
I D  kn' VGS  VGS (th)   K n VGS  VGS (th)  , unde Kn este parametrul de conducţie.
1 W 2 2

2 L
Cu datele din foile de catalog se poate determina parametrul de conducţie, Kn:
I D ( on )  K n VGS  VGS (th )  de unde
2

I D ( on ) 75 75
Kn     12mA/V 2
V
GS  VGS (th ) 
2
4,5  22
6, 25
VGS  VG  VS (fig. P3-2)

RG1
2Meg

0 M1
VG

M2N7000 VDD
VS VDS 18V

IS=ID

RG2 RS
2Meg 10k

0
Fig. P3-2.

VDD  18  9V


RDT RG 2 2
VG 
RG1  RG 2 4
VS  RS I D  10 I D
Obs. RS este exprimat în k. Rezultă că ID va fi exprimat în mA.
 VGS  9  10I D
I D  K n VGS  VGS ( th )   12 9-10 I D  2   127  10 I D 
2 2 2

I D  1200I D2  1680I D  588


1200I D2  1681I D  588  0
1681  16812  4 1200  588 1681  58  I  0,72mA
I D1, 2     D1
2400 2400  I D 2  0,68mA
Se alege acea valoare a curentului ID pentru care se îndeplineşte condiţia VGS>VGS(th):
VGS1  9  10  0,72  1,8V VGS (th )  2V
VGS 2  9  10  0,68  2,2V VGS (th )  2V  I D  0,68 mA
VDS  VDD  RS I D  18  10k  0,68m  11,2V
VGS  2,2V

 PSF  I D  0,68mA
V  11,2V
 DS

b) Tranzistorul este în conexiune drenă-comună, deoarece semnalul se aplică în poartă şi se culege


din sursă.

c) Amplificarea se determină pe schema echivalentă de semnal mic din fig. P3-3:

Page 37 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
Vin

RG1 RG2
2Meg 2Meg
0
vgs
gmv gs
0 0 0

RS RL
10k 100k
Vout
0 0
Fig. P3-3.
Vout
Av 
Vin
Vout  g m v gs RS RL 

Vin  vgs  g mvgs RS RL   vgs 


Vin
1  g m RS RL 
g m RS RL  4,8m  9,1k
Av    0.977
1  g m RS RL  1  4,8m  9,1k
gm  2Kn VGS  VP   2 122,2  2  4,8mS
10k 100k
RS RL   9,1k
110k
Obs. Amplificarea în tensiune este aproximativ egală cu unitatea (1), de unde provine şi denumirea
de repetor pe sursă dată acestui amplificator.

P4. Tranzistorul din fig. P4-1 se caracterizează prin tensiune de prag VGS(th)=0,5V, curent de drenă
în starea ON, ID(ON)=1A determinat pentru VGS=4,5V (conform foilor de catalog). Să se determine:
a) PSF-ul tranzistorului;
b) Conexiunea în care se află tranzistorul. Motivaţi;
c) Amplificarea în tensiune a circuitului pentru fiecare din cele 2 ieşiri (out1 respectiv out2).
Condensatoarele se consideră scurtcircuit.
RD VDD
10k 10V

Vout1
M1
BSH105
RG

10Meg
C1
0 100n
0
Vout2
Vin

RS VSS
10k 10V
0

Fig. P4-1.

Rezolvare
a) Relaţia curentului de drenă se poate pune sub forma:
I D  kn' VGS  VGS (th)   K n VGS  VGS (th)  , unde Kn este parametrul de conducţie.
1 W 2 2

2 L
Cu datele din foile de catalog se poate determina parametrul de conducţie, Kn:
I D ( on )  K n VGS  VGS (th )  de unde
2

Page 38 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

I D ( on ) 1000 1000
Kn     62,5mA/V 2
V GS  VGS (th ) 
2
4,5  0,5 16
2

VGS  VG  VS (fig. P4-2)

RD VDD
RD VDD 10k 10V
10k 10V
ID
ID VD
M1
BSH105 VD
RG 0
VG
VS
10Meg 0
0 VS VDS 0

IS=ID IS=ID

RS VSS RS VSS
10k 10V 10k 10V

Fig. P4-2.
I G  0  VG  0
VSS  VS  RS I D  VS  RS I D  VSS  10I D  10
Obs. RS este exprimat în k. Rezultă că ID va fi exprimat în mA.
 VGS  10  10I D
I D  K n VGS  VGS (th )   62,510 -10 I D  0,5  62,59,5  10 I D 
2 2 2

I D  6250I D2  11875I D  5640,625


6250I D2  11876I D  5641  0
11876  118762  4  6250  5641 11876  120  I  0,96mA
I D1, 2     D1
12500 12500  I D 2  0,94mA

Se alege acea valoare a curentului ID pentru care se îndeplineşte condiţia VGS>VGS(th):


VGS1  10  10  0,96  0,4V VGS (th )  0,5V
VGS 2  10  10  0,94  0,6V VGS ( th )  0,5V  I D  0,94 mA
VDS  VDD  VSS  RD I D  RS I D  20  10k  0,94m  10k  0,94m  20  18,8  1,2V
VGS  0,6V

 PSF  I D  0,94mA
V  1,2V
 DS

b) Tranzistorul este în conexiune:


 sursă-comună dacă ieşirea este out1, deoarece semnalul se aplică în poartă şi se culege din
drenă, respectiv
 drenă-comună dacă ieşirea este out2, deoarece semnalul se aplică în poartă şi se culege din
sursă.

c) Amplificările se determină pe schema echivalentă de semnal mic din fig. P4-3:

Page 39 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

Vin
RG RD
10Meg 10k
vgs gmv gs Vout1
0 0 0

RS
10k
Vout2
0
Fig. P4-3.
V
Av1  out1
Vin
Vout1   g m vgs RD

Vin  vgs  g mvgs RS  vgs 1  g m RS   vgs 


Vin
1  g m RS
g m RD 12,5m 10k
Av1     0,992  1
1  g m RS 1  12,5m 10k
V
Av 2  out 2
Vin
Vout 2  g m RS
g m RS 12,5m  10k
Av 2    0,992  1
1  g m RS 1  12,5m  10k
g m  2 K n VGS  VGS (th )   2  62,50,6  0,5  12,5mS

Probleme cu TEC-MOS cu canal iniţial


P5. TEC-MOS cu canal iniţial din fig. P5-1 se caracterizează prin VGS(off)=-3V şi IDSS=9mA. Să se
determine:
a) PSF-ul tranzistorului;
b) Conexiunea în care se află tranzistorul. Motivaţi;
c) Amplificarea în tensiune a circuitului în 2 cazuri: cu şi fără C3 (condensatoarele se consideră
scurtcircuit).
RD
6k
C2
out

RL
C1 M1 50k VDD
20V

RG
Vin 1Meg

RS
6k C3

0
Fig. P5-1.
Rezolvare
a) PSF-ul tranzistorului se determină pe schema echivalentă de c.c. din fig. P5-2:

Page 40 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

RD
6k
ID

0 M1
VG VDD
20V
VDS
RG VS
1Meg
IS=ID

RS
6k

0
Fig. P5-2.
IG  0  VG  0
VS  RS I D  6I D
Obs. RS este exprimat în k. Rezultă că ID va fi exprimat în mA.
 VGS  0  6I D  6I D
3  6I D 
2
 VGS    6I D 
2 2

I D  I DSS 1   91   9  91  2 I D 
2
 V   3  9
 GS ( off ) 

I D  36I D2  36I D  9
36 I D2  37 I D  9  0
37  37 2  4  36  9 37  8,5 I  0,632mA
I D1, 2     D1
72 72 I D 2  0,396mA
Se alege acea valoare a curentului de drenă pentru care este satisfăcută relaţia: VGS  VGS (off )
VGS1  6k  0,632 mA  3.79V  VGS1  VGS ( off )
VGS 2  6k  0,396 mA  2,38V  VGS 2  VGS ( off )  I D  I D 2  0,396 mA
VDS  VDD  I D RS  RD   20V  12k  0,396mA  15,25V
VGS  2,38V

 PSF  I D  0,396mA
V  15,25V
 DS

b) Tranzistorul este în conexiune sursă-comună, deoarece semnalul se aplică în poartă şi se culege


din drenă.

c) Amplificările se determină pe schemele echivalente din fig. P5-3:


Vin
RG RD RL
1Meg vgs 6k 50k
Vin gmv gs
RG RD RL
1Meg vgs 6k 50k
0 0 0 0 Vout2
gmv gs
0 0 0 0 Vout1 RS
6k
0

0
a) b)
Fig. P5-3.

Page 41 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

Vout1
Av1 
Vin
Vout1   g m vgs RD RL 
  Av1   g m RD RL 
vgs  Vin 
V
Av 2  out 2
Vin
Vout 2   g m vgs RD RL  
  g m RD RL 
Vin   Av 2 
Vin  vgs  g m vgs RS  vgs  1  g m RS
1  g m RS 

6k  50k
RD RL   5,36k
56k
2 I DSS  V  2  9m   2,38 
gm  1  GS   1    1,24mS
VGS ( off )  VGS ( off )  3  3 
Av1  1,24m  5,36k  6,64
1,24m  5,35k
Av 2    0,79
1  1,24m  6k

P6. TEC-MOS cu canal iniţial din fig. P6-1 se caracterizează prin VGS(off)=-3V şi IDSS=9mA. Să se
determine:
a) PSF-ul tranzistorului;
b) Conexiunea în care se află tranzistorul. Motivaţi;
c) Amplificarea în tensiune a circuitului (condensatoarele se consideră scurtcircuit).
VDD
RD 18V
2k
C1 M1 C2

RG1
Vin RL
80k
1Meg
RS RG2
5k 1Meg

0
Fig. P6-1.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. P6-2)
VDD
VDS RD 18V
2k
IS=ID M1
VS

ID
VG
0 RG1

1Meg
RS RG2
5k 1Meg

0
Fig. P6-2.

Page 42 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate

RG 2 V
VGS  VG  VS  VDD  RS I D  DD  RS I D  9  5I D
RG1  RG 2 2
Obs. RS este exprimat în k. Rezultă că ID va fi exprimat în mA.
12  5I D 2  25I 2  120I  144
2
 V   9  5I D 
2

I D  I DSS 1  GS   91    9
 V   3  9
D D
 GS ( off ) 

25I D2  121I D  144  0


121  1212  4  25  144 121  15,5 I D1  2,73mA
I D1, 2   
50 50 I D 2  2,11mA
Se alege acea valoare a curentului de drenă pentru care este satisfăcută relaţia: VGS  VGS (off )
VGS1  9  5k  2,73mA  4.65V  VGS1  VGS ( off )
VGS 2  9  5k  2,11mA  1,55V  VGS 2  VGS ( off )  I D  I D 2  2,11mA
VDS  VDD  I D RS  RD   18V  7k  2,11mA  3,23V
VGS  1,55V

 PSF   I D  2,11mA
V  3,23V
 DS

b) Tranzistorul este în conexiune poartă-comună, deoarece semnalul se aplică în sursă şi se culege


din drenă.

c) Schema echivalentă de c.a. (fig. P6-3)


0

RG1 RG2 RD RL
1Meg 1Meg vgs 2k 80k
gmv gs Vout
0 0 0 0

Vin
RS
5k

0 0
Fig. P6-3.
Vout
Av 
Vin
Vout   g m vgs RD RL 
Vin  vgs , deoarece curentul alternativ prin poartă este egal cu zero.
 Av  g m RD RL   2,9m  1,95 k  5,65
 
gm  1  VGS   2  9m 1   1,55   2,9mS
2 I DSS
 V
VGS ( off )  3  3 
 GS ( off ) 

2k  80k
RD RL   1,95k
82k

Page 43 of 43