Curs Electronica Analogica

0.
Cuprins
Cuprins ..................................................................................................................... 5
1. Noţiuni introductive ........................................................................................ 9
1.1. Definiţii...................................................................................................... 9
1.2. Reprezentarea mărimilor ......................................................................... 10
2. Materiale semiconductoare. Dioda .................................................................... 11

2.1. Materialele semiconductoare şi joncţiunea p-n ........................................... 11
2.1.1. Structura materialelor semiconductoare ................................................... 11
2.1.2. Materiale semiconductoare p şi n ............................................................. 12
2.1.3. Tipuri de curenţi în materiale semiconductoare........................................ 13
2.1.4. Joncţiunea p-n ........................................................................................... 13
2.2. Dioda semiconductoare .................................................................................. 15
2.2.1. Prezentare generală .................................................................................. 15
2.2.2. Funcţionarea diodei .................................................................................. 15
2.2.3. Influenţa temperaturii asupra caracteristicei diodei ................................. 17
2.2.4. Modelarea diodei ...................................................................................... 18
2.2.5. Dioda în regim de comutaţie ..................................................................... 19
2.2.6. Polarizarea diodelor ................................................................................. 20
2.2.7. Tipuri de diode .......................................................................................... 20
2.3. Aplicaţii ale diodelor ...................................................................................... 22
2.3.1. Redresoarele electrice ............................................................................... 22
2.3.2. Detector de vârf ......................................................................................... 29
2.3.3. Limitatoare de tensiune ............................................................................. 30
2.3.4. Multiplicatoare de tensiune ....................................................................... 31
2.3.5. Circuite de comutare a bobinelor .............................................................. 32
2.3.6. Circuite logice cu diode............................................................................. 34
2.3.7. Stabilizatoare de tensiune.......................................................................... 37
3. Tranzistorul ............................................................................................................. 39

3.1. Tranzistorul bipolar ......................................................................................... 39
3.1.1. Clasificarea tranzistoarelor bipolare ........................................................ 40
3.1.2. Principiu de funcţionare ............................................................................ 41
3.1.3. Zone de funcţionare a tranzistorului bipolar............................................. 43
6 Introducere în electronică analogică şi digitală
3.1.4. Caracteristicile grafice ale tranzistorului ................................................. 44
3.1.5. Polarizarea tranzistoarelor ....................................................................... 46
3.1.6. Tranzistorul bipolar în regim de comutaţie ............................................... 48
3.2. Aplicaţii ale tranzistorului bipolar ................................................................ 50
3.2.1. Amplificator cu TB în conexiune emitor comun (EC)................................ 50
3.2.2. Amplificator cu TB în conexiune bază comună (BC)................................. 52
3.2.3. Amplificator cu TB în conexiune colector comun (CC) ............................. 53
3.2.4. Sursă de curent constant cu tranzistor bipolar.......................................... 54
3.3. Tranzistoare cu efect de câmp ....................................................................... 56
3.4. Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţiune (TEC-J) ................................. 57
3.4.1. Principiu de funcţionarea TEC-J .............................................................. 57
3.4.2. Caracteristicile grafice ale TEC-J............................................................. 58
3.4.3. Efectul variaţiilor de temperatură asupra TEC-J...................................... 61
3.5. Aplicaţii ale TEC-J.......................................................................................... 61
3.5.1. Sursă de curent cu TEC-J .......................................................................... 61
3.5.2. Repetor pe sursă ........................................................................................ 64
3.5.3. Atenuator controlat ................................................................................... 65
3.6. Tranzistoare cu efect de câmp cu grilă izolată (TEC-MOS) ..................... 67
3.6.1. Principiu de funcţionarea TEC-MOS ........................................................ 69
3.6.2. Caracteristicile grafice ale TEC-MOS ...................................................... 70
3.6.3. Efectul polarizării substratului .................................................................. 73
3.6.4. Aplicaţii ale tranzistoarelor TEC-MOS ..................................................... 73
4. Dispozitive multijoncţiune ................................................................................... 75

4.1. Dioda PNPN ..................................................................................................... 75
4.2. Diacul ................................................................................................................ 77
4.3. Tiristorul ........................................................................................................... 78
4.4. Triacul ............................................................................................................... 81
4.5. Aplicaţii ale dispozitivelor multijoncţiune .................................................. 82
4.5.1. Scheme simple cu tiristoare ....................................................................... 82
4.5.2. Scheme simple cu TRIAC........................................................................... 84
5. Noţiuni generale amplificatoare ......................................................................... 87

5.1. Parametrii amplificatoarelor .......................................................................... 88
5.1.1. Factori de amplificare ............................................................................... 88
5.1.2. Impedanţele de intrare şi ieşire ale amplificatoarelor .............................. 89
5.2. Caracteristicile unui amplificator ideal ........................................................ 90
5.3. Limitări apărute la amplificator ..................................................................... 91
5.3.1. Puterea maximă a amplificatorului ........................................................... 91
5.3.2. Distorsiunile şi zgomotul amplificatorului ................................................ 91
5.3.3. Răspunsul în frecvenţă .............................................................................. 92
5.4. Circuite de reacţie utilizate la amplificatoare .............................................. 93
Cuprins 7
5.5. Amplificatoare operaţionale (AO) ................................................................ 95
5.5.1. Caracteristici generale are AO ................................................................. 95
5.5.2. Caracteristicile grafice ale AO.................................................................. 95
5.5.3. Scheme tipice cu AO .................................................................................. 97
6. Noţiuni generale de electronică digitală ......................................................... 107

6.1. Sisteme de numeraţie .................................................................................... 107
6.1.1. Introducere .............................................................................................. 107
6.1.2. Sistemul roman de numeraţie .................................................................. 107
6.1.3. Sistemul de numerație zecimal ................................................................ 108
6.1.3. Sistemul de numerație binar .................................................................... 108
6.1.4. Sistemul de numerație hexazecimal ......................................................... 109
6.2. Algebra Booleană .......................................................................................... 111
6.2.1. Introducere .............................................................................................. 111
6.2.2. Funcția negație ........................................................................................ 112
6.2.3. Funcția SAU logic ................................................................................... 113
6.2.4. Funcția SI logic ....................................................................................... 113
6.2.5. Funcția SAU-NU logic ............................................................................ 114
6.2.5. Funcția SI-NU logic ................................................................................ 115
6.2.7. Funcția SAU-EXCLUSIV......................................................................... 115
6.2.8. Legile algebrei booleene ......................................................................... 116
6.2.9. Minimizarea funcțiilor logice. Diagrame Veitch-Karnaugh ................... 122
7. Structura circuitelor integrate digitale ........................................................... 125

7.1. Introducere ..................................................................................................... 125
7.2. Structuri de ieșire a circuitelor integrate digitale ...................................... 125
7.3. Structuri de ieșire a circuitelor integrate digitale. ..................................... 128
7.3.1. Poarta TTL SI-NU cu ieșire open-colector ............................................. 128
7.3.2. Poarta TTL SI-NU cu ieșire în contratimp .............................................. 131
7.3.3. Poarta TTL SI cu ieșire în contratimp ..................................................... 133
7.3.4. Poarta TTL SI-NU cu ieșire trei stări și ieșire în contratimp .................. 133
7.4. Circuite integrate digitale din familia Complementary Metal-Oxid-
Semiconductor (CMOS) ............................................................................................ 134
7.4.1. Inversorul CMOS..................................................................................... 135
7.4.2. Circuitul SI-NU din familia CMOS ......................................................... 137
7.4.3. Circuitul SI-NU din familia CMOS ......................................................... 138
7.5. Reguli de utilizare a circuitelor CMOS ...................................................... 139
8. Circuite logice combinaţionale.......................................................................... 141
8.1. Introducere ..................................................................................................... 141
8.2. Decodificatorul .............................................................................................. 141
8.3. Multiplexorul. ................................................................................................ 145
8.4. Codificatorul. ................................................................................................. 148
8.5. Codificatorul prioritar ................................................................................... 150
8.6. Demultiplexorul ............................................................................................. 151
8.7. Comparatorul numeric .................................................................................. 151
9. Circuite logice secvenţiale .................................................................................. 153

9.1. Introducere ..................................................................................................... 153
9.2. Circuite basculante bistabile ........................................................................ 153
9.2.1. Circuitul basculant bistabil asincron de tip Reset-Set (RS)..................... 154
9.2.2. Circuitul basculant bistabil sincron de tip Reset-Set (RS)....................... 154
9.2.3. Circuitul basculant bistabil de tip J-K..................................................... 155
9.2.4. Circuitul basculant bistabil de tip J-K master-slave (JK-MS)................. 157
9.2.5. Circuitul basculant bistabil de tip D ....................................................... 157
9.2.6. Circuitul Basculant Bistabil de tip T ....................................................... 159
9.3. Aplicații ale circuitelor basculante bistabile .............................................. 160
9.4. Numărătoare asincrone ................................................................................. 162
9.5. Numărătoare sincrone ................................................................................... 165
9.6. Registrele de deplasare ................................................................................. 166
10. Proiectarea cu circuite integrate liniare ......................................................... 169

10.1. Introducere ..................................................................................................... 169
10.2. Proiectarea unor circuite uzuale cu circuitul integrat LM 555................ 169
10.2.1. Proiectarea unui oscilator dreptunghiular asimetric de joasă frecvenţă cu
temporizatorul LM 555 ............................................................................................. 170
10.2.2. Proiectarea unui oscilator dreptunghiular simetric de joasă frecvenţă cu
temporizatorul LM 555 ............................................................................................. 173
10.2.3. Proiectarea unui monostabil cu temporizatorul LM 555 ........................ 174
10.3. Proiectarea unui modulator analogic pentru generarea unui semnal
modulat în lăţime de puls .......................................................................................... 176
10.4. Generarea unei tensiuni cu calculatorul PC ............................................... 181
Bibliografie ..................................................................................................................... 183
1. Capitolul 1
1. Noţiuni introductive
1.1. Definiţii
Electronica analogică reprezintă domeniu din ştiinţă care se ocupă de
prelucrarea semnalelor electrice în forma în care ele se găsesc în natură. Acest
lucru este demonstrat chiar de către denumirea domeniului, ştiindu-se că
„analogic” înseamnă „identic”.
Electronica digitală reprezintă domeniul ştiinţei care se ocupă de
prelucrarea semnalelor electrice transformate într-o formă matematică numită
formă booleană. Practic, orice semnal electric real poate fi prelucrat dacă este
convertit în formă binară, formată din şiruri de biţi, adică înşiruiri de cifre 0 şi 1.
Corespondenţa fizică a celor două cifre este următoarea: valoarea binară 0
înseamnă un semnal electric apropiat de 0V; valoarea binară 1 înseamnă un semnal
electric a cărui valoare măsurată în volţi este apropiată de valoarea electrică în care
operează circuitul. În general valoarea binară 1 aparţine unui semnal de 5V.
Elementul pasiv de circuit reprezintă acel element care modifică prin
micşorare, valoarea numerică a mărimilor de intrare (tensiune sau curent), fără a
avea capacitate de a controla sensul în care acestea parcurg circuitul. Cele mai
cunoscute elemente pasive sunt rezistorul, condensatorul şi bobina, a c
Elementul activ de circuit reprezintă acel element de circuit care poate
modifica valoarea numerică a mărimilor de intrare (tensiune sau curent), atât în
sens pozitiv (prin injecţie de energie) cât şi în sens negativ. În plus faţă de
elementul pasiv, elementul activ are capacitatea de a controla momentul de timp şi
sensul în care o mărime de intrare parcurge circuitul electric. Cele mai cunoscute
elemente pasive sunt: dioda în diversele sale forme, tranzistorul şi dispozitivele
multijoncţiune.
Sursa de tensiune reprezintă un circuit electric sau electronic care
furnizează o tensiune constantă în timp, indiferent de faptul că aceasta este de
curent alternativ sau de curent continuu.
Sursa de curent reprezintă un circuit electric sau electronic care furnizează
un curent constant în timp, indiferent de faptul că aceasta este de curent alternativ
sau de curent continuu.
1.2. Reprezentarea mărimilor

Din cele mai vechi timpuri omul a căutat să înțeleagă fenomenele naturale
pentru a încerca să le stăpâneasca și să le controleze în folosul lui. Acestea sunt
explicate și efectul lor este măsurat prin mărimi fizice a căror valori se exprima
prin unități de măsură. Multă vreme mărimile fizice au fost exprimate în așa-
numita formă analogică. Ca exemple de mărimi fizice se menționează: timpul,
tensiunea electrică, presiunea, viteza, masa, etc. În această formă de exprimare, o
mărime poate avea un număr infinit de valori (domeniu continuu). Pentru
exprimarea cantității unei mărimi se folosește un etalon, mărimea exprimându-se
într-un număr de etaloane. Forma analogică de reprezentare are și avantaje și
dezavantaje. Între avantaje se menționează simplicitatea ei (o cantitate este un
multiplu a etalonului iar acesta (multiplul) se determină prin măsurare. Între
dezavantaje se menționează aspecte legate de procesarea în această formă datorită
perturbațiilor (așa-numitului zgomot).
Odată cu revoluția tehnologică modernă, a apărut un al doilea mod de
reprezentare a mărimilor fizice: modul de reprezentare digitală (sau numerică).
Acest mod are la bază reprezentarea în baza doi (binară) a unei cantități. Deși în
această formă mărimea nu poate lua decât valori discrete (ceea ce înseamnă că o
există mai multe valori analogice pentru care se obține o valoare digitală. Deși
acest fapt poate conduce la concluzia că noul mod de reprezentare este mai
dezavantajoasă decât cea analogică, acest lucru nu este adevărat. Într-adevăr,
pentru mărirea rezoluției se poate mări numărul de biți pe care este reprezentată
mărimea. Cu toate acestea, numărul de valori este finit. Ca dezavantaje ale
sistemelor digitale se menționează necesitatea utilizării convertoarelor analog
numerice si a celor numeric analogice. Între avantajele acestora se menționează
precizia optenabilă mai ridicată, o prelucrare mai simplă a informației utilizând
procesoarele actuale și mai ales, o protecție mai bună la zgomote (fiecare bit
reprezentându-se fie cu 0V fie cu 5V), etc. În plus, în cazul transmiterii informației
la distanță, pentru protecție se pot utiliza coduri în măsură sa detecteze sau să
corecteze erorile ce apar în procesul de transmisie.
2. Capitolul 2
2. Materiale semiconductoare.
Dioda
2.1. Materialele semiconductoare şi joncţiunea p-n

2.1.1. Structura materialelor semiconductoare
Materialele semiconductoare au conductivitatea electrică intermediară între
materialele izolante si materialele bune conductoare. Sunt utilizate pentru
construcţia dispozitivelor semiconductoare, iar cel mai folosit este siliciul. Un atom
de siliciu are 4 electroni pe ultimul înveliş, iar siliciul în stare pură (numit şi
material intrinsec), din motive de stabilitate, este structurat în aşa fel încât un atom
este legat de încă 4 atomi vecini, cu fiecare cumulând câte doi electroni, unul
propriu, altul vecin, ajungând la un total de 8 (Fig.2.1.), reprezentând doar nucleul
şi ultimul înveliş). Întreaga structură este neutră electric, motiv pentru care s-a
figurat şi sarcina pozitiva corespondentă din nucleu.
Siliciul este stabil şi între particule sunt legături puternice. Cu toate
acestea, o dată cu creşterea temperaturii sau în urma iradierii, unii electroni se
desprind din legături, devenind electroni liberi.
Fig.2.1. Structura siliciului pur.

Concomitent zona părăsită rămâne încărcată pozitiv, se poate deplasa (din
aproape în aproape) şi se numeşte gol. Electronii liberi şi golurile (generate în
perechi) pot da naştere curenţilor electrici. Similar cu procesul de generare, există
şi un proces invers, numit recombinare. Numărul purtătorilor rămâne însă mic,
materialul intrinsec fiind mai apropiat de materialele izolante.
2.1.2. Materiale semiconductoare p şi n

Numărul purtătorilor liberi poate fi mărit în mod artificial printr-un proces
de impurificare realizat în două variante. În prima variantă se introduc în structura
siliciului un număr de atomi ai unui element din grupa a 5-a (arsen, stibiu), cu 5
electroni pe ultimul înveliş. Acest atom se fixează în structura siliciului, la fel ca
atomul de siliciu, cu 4 dintre electronii de pe ultimul înveliş, cel de-al 5-lea
devenind electron liber (Fig.2.2.). Zona părăsită de acesta rămâne încărcată pozitiv
dar nu mai este mobilă.
Fig.2.3. Formarea materialului semiconductor de tip n.

Prin impurificarea de acest tip se obţine materialul semiconductor tip n,
care se poate reprezenta electric (Fig.2.3.a) printr-o structura de sarcini pozitive
fixe, dublată de un număr egal de electroni liberi. Aceştia sunt numiţi şi purtători
majoritari deoarece concomitent există şi un număr, mult mai mic, de goluri
rezultate din procesul de generare termică, numiţi purtători minoritari.
Analog, prin impurificare cu atomi ai unui element din grupa a 3-a
(aluminiu, indiu), se obţine materialul semiconductor tip p, care se poate
reprezenta electric (Fig.2.3.b) printr-o structura de sarcini negative fixe, dublată de
un număr egal de goluri. Materialele semiconductoare tip n şi p se numesc şi
materiale extrinseci.
Fig.2.3. Reprezentarea simplificată a materialelor semiconductoare: a) semiconductor de

tip n; b) semiconductor de tip p.
2. Materiale semiconductoare. Dioda 13
2.1.3. Tipuri de curenţi în materiale semiconductoare
Existenţa purtătorilor liberi, majoritari şi minoritari, permite, în anumite
condiţii, deplasarea acestora, adică apariţia curenţilor electrici. După mecanismul
generator, există curenţi de câmp şi curenţi de difuzie.
Curentul de câmp apare când materialul este supus unui câmp electric Ē şi
are densitatea σĒ. Curentul de difuzie apare atunci când densitatea purtătorilor este
neomogenă şi are loc fenomenul de difuzie, adică deplasarea purtătorilor din zonele
cu densitate mai mare spre zonele cu densitate mai mică până când distribuţia
purtătorilor devine omogenă. În Fig.2.4. este ilustrat fenomenul de difuzie
prezentând o secţiune a unui material semiconductor în două momente de timp.
Iniţial există o distribuţie neomogenă a purtătorilor, apare un curent de difuzie iar
în final distribuţia este omogenă şi curentul se anulează. Dacă există un mecanism
de generare continuă a purtătorilor într-o zonă anumită, cum e de exemplu
generarea prin iluminare, se poate asigura un curent permanent aşa cum este cazul
fotocelulelor.
Fig.2.5. Fenomenul de difuziune: a) structură înainte de difuziune;

b) structură după difuziune.
2.1.4. Joncţiunea p-n

Tehnologii speciale permit alăturarea intimă a celor două tipuri de
materiale semiconductoare p şi n, despărţite de o zonă îngustă de trecere şi formând
o structură denumită joncţiunea p-n (Fig.2.5.). Joncţiunea p-n are proprietăţi
speciale şi stă la baza majorităţii dispozitivelor semiconductoare şi implicit a
electronicii moderne.
Fig.2.5. Formarea joncţiunii p-n.

În momentul iniţial distribuţia de purtători liberi este accentuat neuniformă,
cu multe goluri în zona p şi mulţi electroni liberi în zona n. Tendinţa naturală a
purtătorilor liberi, fie ei electroni liberi sau goluri, corespunzătoare fenomenului de
difuzie, este să se deplaseze din zonele unde sunt în exces spre zonele sărace.
Golurile se vor deplasa din zona p spre zona n iar electronii liberi în sens contrar.
De fapt începe un proces de recombinare şi perechi de purtători dispar începând de
la suprafaţa de separaţie. Se creează o zonă fără purtători liberi, marcată în Fig.2.5
şi denumită zonă de sarcină spaţială, fiind formată din două straturi încărcate cu
sarcină de semn contrar. Se creează concomitent un câmp electric intern cu sensul
din Fig.2.5, câmp ce se opune difuziei şi recombinării în continuare, iar astfel se
atinge o stare de echilibru.
O tensiune continuă pate fi aplicată joncţiunii p-n prin intermediul a doi
electrozi conectaţi la capete. Acţiunea poartă denumirea de polarizare, existând
două situaţii distincte, polarizare inversă (Fig.2.6.) când plusul este la zona p şi
polarizare directă (Fig.2.7), cu plusul la zona n.
Fig.2.6. Polarizarea inversă a joncţiunii Fig.2.7. Polarizarea directă a joncţiunii p-

p-n. n
Când joncţiunea este polarizată invers, sursa de tensiune creează în
joncţiune un câmp electric extern care are acelaşi sens cu cel intern. Câmpul total
este suma lor şi duce la lărgirea zonei de sarcină spaţială, zonă fără purtători liberi,
cu rezistivitate mare. Nu există circulaţie de purtători majoritari şi curentul este
practic zero. În realitate există o circulaţie de purtători minoritari şi în consecinţă
un curent foarte mic, care este denumit şi curent invers. Atunci când este polarizată
direct, sursa de tensiune creează în joncţiune un câmp electric extern care are sens
contrar celui intern, favorizează deplasarea purtătorilor majoritari şi conduce la
apariţia unui curent direct important.
2.2. Dioda semiconductoare

2.2.1. Prezentare generală
Dioda semiconductoare este cel mai simplu dispozitiv semiconductor.
Dioda semiconductoare este un dispozitiv cu două terminale, furnizată de către
producători sub diverse forme, una din cele mai uzuale fiind prezentată în Fig.2.8.
Cele două terminale ale diodei au denumiri diferite şi anume anod, respectiv catod.
Pentru a utiliza corect dioda în circuit, catodul este indicat pe capsula diodei prin
intermediul unui inel desenat, ca în Fig.2.8.
Fig.2.8. Dioda semiconductoare.

Proprietatea principala a unei diode este aceea că permite circulaţia
curentului într-un singur sens, fiind un dispozitiv unidirecţional. În circuitele
electronice, dioda semiconductoare este simbolizată ca în Fig.2.9.
La nivelul diodei apar 2 mărimi electrice: curentul prin diodă, notat IA, care
prin convenţie are sensul de la anod spre catod, respectiv tensiunea pe diodă, notată
UA, care prin convenţie are referinţa de la anod spre catod (Fig.2.9).
Fig.2.9. Simbolul şi mărimile electrice ale diodei semiconductoare.
2.2.2. Funcţionarea diodei

Funcţionarea diodei este descrisă prin intermediul unui grafic denumit
caracteristică de funcţionare (Fig.2.10). Aceasta furnizează informaţii despre
modul în care curentul prin diodă variază în funcţie de tensiunea care apare între
terminalele acesteia. În cazul în care tensiunea pe diodă este pozitivă, se aceasta
funcţionează în conducţie directă, iar în cazul în care tensiunea pe diodă este
negativă, aceasta funcţionează în conducţie inversă.
Fig.2.10. Caracteristica de funcţionare a diodei semiconductoare.

În conducţie directă: există o tensiune de prag (notată UD) care delimitează
funcţionarea diodei; dacă valoarea tensiunii pe diodă este sub prag, prin diodă nu
trece curent electric; dacă valoarea tensiunii pe diodă atinge pragul, atunci prin
diodă trece curent electric – acesta creşte exponenţial în funcţie de tensiunea pe
diodă – se remarcă faptul că tensiunea rămâne la o valoare apropiată de valoarea
UD. Valoarea tensiunii de prag este cuprinsă între 0,5V÷0,7V. Curentul prin diodă
nu trebuie să depăşească o anumită valoare maximă, notată în cataloagele de diode
IF, impusă de puterea maximă pe care o poate disipa dioda fără a se distruge termic.
Limitarea curentului prin diodă la o valoare mai mică decât valoarea IF se
realizează în circuitul în care este utilizată dioda, de obicei, prin intermediul unui
rezistor.
În conducţie inversă: se observă o tensiune specifică denumită tensiune de
străpungere, (notată UBR) a cărui valoare este de ordinul zecilor sau sutelor de volţi;
dacă valoarea în modul a tensiunii pe diodă este mai mică decât valoarea UBR,
curentul electric nu trece prin diodă; dacă valoarea tensiunii pe diodă atinge
valoarea UBR, atunci prin diodă curentul electric creşte necontrolat – acest fenomen
se numeşte străpungerea diodei; în acest caz, se spune că dioda funcţionează în
regiunea de străpungere. Din acest motiv, în circuitul în care este montată dioda,
este necesar să se limiteze tensiunea negativă pe diodă la valoare mai mică în
modul decât valoare UBR.
Din punct de vedere analitic, funcţionarea diodei semiconductoare este
descrisă de ecuaţia de funcţionare a diodei semiconductoare. Aceasta furnizează
relaţia matematică dintre curentul prin diodă şi tensiunea de la terminalele sale şi
este reprezentată de relaţia (2.1):
 v  
i A  I S exp A   1 (2.1)
  VT  
unde:
IS reprezintă curentul de saturaţie al diodei, care este aproximativ egal cu curentul
ce trece prin diodă în conducţie inversă (10-16÷10-14A);
VT reprezintă tensiunea termică, care este direct proporţională cu temperatura de
lucru;
vA şi iA sunt tensiunea, respectiv curentul total ce străbate dioda.
Din expresia de mai sus se poate observa că funcţionarea diodei depinde de
temperatura la care lucrează. La creşterea temperaturii de lucru, curentul prin diodă
creşte (în special curentul invers prin diodă).
Tot din relaţia de mai sus se observă că dioda este un element de circuit
neliniar şi prin urmare circuitul care o conţine devine un circuit neliniar.
2.2.3. Influenţa temperaturii asupra caracteristicei diodei

Temperatura influenţează mult funcţionarea diodelor, ca de altfel a tuturor
dispozitivelor semiconductoare. Temperatura de 200°C este o valoare limită
maximă pentru dispozitivele semiconductoare realizate din Si. Temperatura
diodelor se modifică atât ca urmare a variaţiei temperaturii mediului cât şi ca
urmare a pierderilor prin efect Joule. Acestea din urmă cresc odată cu creşterea
valorii curentului sau a frecvenţei de funcţionare.
Când pierderi de putere sunt mari diodele sunt menţinute sub limita
temperaturii maxim admisibile prin montarea lor pe radiatoare cu suprafaţă
radiantă mare care permite disiparea în mediul exterior a căldurii rezultate prin
efect Joule. În numeroase situaţii se utilizează suplimentar răcirea forţată a
radiatoarelor, fie cu ventilatoare, fie cu circuit de răcire cu lichid.
Creşterea temperaturii are un dublu efect asupra diodelor, efect care este
prezentat în Fig.2.11. În primul rând se măreşte curentul invers care poate străbate
dioda. Acesta se dublează la fiecare creştere de aproximativ 10 grade a
temperaturii. Al doilea efect este micşorarea tensiunii de intrare în conducţie a
diodei. Micşorarea este de aproximativ 0,002 V/°C, iar din acest motiv uneori
dioda se poate utiliza ca şi senzor de temperatură pentru măsurarea temperaturii.
Fig.2.11. Influenţa temperaturii asupra diodelor.
2.2.4. Modelarea diodei

Pentru calculul circuitelor cu diode se poate utiliza relaţia analitică de mai
sus sau se poate utiliza metoda grafică, folosind caracteristica grafică curent-
tensiune a diodei. Metodele de mai sus sunt rar utilizate, fiind complicate sau chiar
inoperante în cazul circuitelor cu mai multe elemente. Din acest motiv cea mai
utilizată metodă este liniarizarea diodei, adică înlocuirea acesteia cu o schemă
echivalentă formată cu elemente liniare. În funcţie de precizia dorită a calculelor,
dioda poate fi echivalată cu o schemă mai simplă sau mai complicată. După
înlocuirea diodei cu schema echivalentă, calculul urmează cursul obişnuit pentru
circuitele liniare.
Sunt utilizate trei nivele de aproximare liniară a diodelor. În Fig.2.12 sunt
prezentate atât modelele liniare împreună cu caracteristica grafică a acestora, cât şi
modelul dinamic. Cel mai simplu model este un comutator, K (Fig.2.12.a). Acesta
este deschis, când se aplică o tensiune inversă şi este închis, când se aplică o
tensiune directă mai mare decât zero. Un al doilea model ţine cont de tensiunea de
deschidere a diodei, UD≈0,7V (Fig.2.12.b). Modelul cel mai precis (Fig.2.12.c) ţine
cont şi de rezistenţa diodei în zona de conducţie, Rd, iar panta caracteristicii grafice
este mai mică de 90 grade.
Fig.2.12. Modele ale diodelor diode.

Modelele liniare sunt utilizate atunci când diodele sunt în regim de curent
continuu sau în regim de curent alternativ de frecvenţă mică, de exemplu la 50 Hz,
frecvenţa reţelei. Când diodele sunt utilizate în regim de curent alternativ cu
amplitudine mică şi frecvenţă mai mare, se foloseşte un model al diodei, denumit
model dinamic de semnal mic, care ţine cont de capacitatea electrică a joncţiunii p-
n, dioda fiind echivalată cu o rezistenţă dinamică (diferită pentru zona de conducţie
sau de blocare) în paralel cu capacitatea totală a joncţiunii (Fig.2.12.d).
2.2.5. Dioda în regim de comutaţie

Un dispozitiv electronic este în regim de comutaţie atunci când tensiunile
la borne şi implicit curenţii se modifică cu viteză foarte mare. Într-un astfel de
regim au importanţă timpii de tranziţie sau de comutaţie şi nu pot fi utilizate
schemele echivalente simplificate prezentate anterior.
Comutaţia directă este atunci când dispozitivul trece din starea de blocare
în starea de conducţie. Comutaţia inversă este atunci când dispozitivul trece din
starea de conducţie în starea deblocare. La comutaţia directă curentul prin diodă nu
creste instantaneu (tensiunea U de comandă fiind presupusă ideală, cu timp de
comutaţie zero), ci într-un timp numit timp de comutaţie directă, td sau ton. Similar
evoluează tensiunea la bornele diodei.
La comutaţia inversă curentul prin diodă ajunge aproape de valoarea zero
după un interval de timp numit timp de comutaţie inversă, ti sau toff. Fenomenul de
comutaţie inversă cuprinde şi un interval de timp, numit timp de revenire, în care
există un curent invers prin diodă. Simultan tensiunea inversă la bornele diodei are
o supracreştere accentuată, uiM, care depinde de panta iniţială di/dt cu care revine
curentul invers la zero. Dacă panta de revenire a curentului este mare atunci se
apare o comutaţie de tip hard, cu supratensiuni foarte mari, iar dacă panta de
revenire a curentului este mică atunci apare o comutaţie de tip soft, cu
supratensiuni mai mici. Aceste supratensiuni pot distruge dioda. Pentru limitarea
acestora sunt utilizate diverse elemente de protecţie, cel mai des fiind utilizat un
grup rezistentă-condensator (grup RC) conectat la bornele diodei (Fig.2.13).
Fig.2.14. Protecţia diodei la supratensiuni.

Din punct de vedere al timpului de comutaţie există diode lente dacă timpii
de comutaţie sunt de ordinul microsecunde şi diode rapide dacă aceşti timpi sunt de
ordinul nanosecunde.
2.2.6. Polarizarea diodelor
Aşa cum s-a prezentat anterior, o diodă poate funcţiona în 2 regimuri
diferite şi anume în conducţie directă, respectiv inversă. Prin noţiunea de polarizare
a unei diode se înţelege stabilirea tipului de conducţie în curent continuu. Astfel,
dacă dioda funcţionează în curent continuu în conducţie directă, se spune că
aceasta este polarizată direct. Analog, dacă dioda funcţionează în curent continuu
în conducţie inversă, se spune că aceasta este polarizată invers.
Funcţionarea în curent continuu a unei diode este caracterizată de către
valoarea curentului continuu care trece prin acesta şi de tensiunea continuă între
terminalele diodei. Perechea de mărimi electrice compusă din curentul continuu
prin diodă şi de tensiunea continuă pe diodă se numeşte Punct Static de
Funcţionare, prescurtat PSF. Punctul static de funcţionare furnizează întotdeauna
informaţii despre regimul în care funcţionează dioda. Această observaţie este
valabilă şi pentru celelalte tipuri de dispozitive semiconductoare.
Polarizarea diodei este realizată prin intermediul unui circuit special, numit
circuit de polarizare. Circuitul de polarizare conţine întotdeauna o sursă de
alimentare (o sursă de tensiune continuă sau o sursă de curent continuu), care se
mai numeşte şi sursă de polarizare şi o rezistenţă de polarizare care are rolul de a
limita curentul prin diodă astfel încât aceasta să nu se distrugă.
2.2.7. Tipuri de diode

Există variante diverse de diode care se deosebesc prin particularităţi
funcţionale şi destinaţie. Principalele categorii sunt prezentate în continuare.
Diode redresoare
Diodele redresoare (Fig.2.14.a) sunt destinate utilizării în circuite
redresoare care au scop de transformare a curentului alternativ în curent continuu.
Parametrii principali ai diodei sunt curentul maxim, IM şi tensiunea inversă
maximă, UM. Plaja de valori ale acestor parametrii este:
 amperi-zeci de mii de amperi, pentru IM;
 zeci volţi - zeci de mii de volţi pentru UM.
Diodele de curenţi mari sunt construite în aşa mod încât să le poată fi
ataşate radiatoare de răcire. Diodele de curenţi mici sunt închise în capsule de
plastic sau ceramică şi au catodul marcat cu o bandă albă sau neagră.
Diode Schottky
Sunt diode realizate într-o tehnologie specială, de tip metal-semiconductor
şi au simbolul prezentat în Fig.2.14.b. Avantajele acestor diode sunt:
 tensiune mică în conducţie, aproximativ 0,3 V;
 timpi de comutaţie foarte mici.
Dezavantajul principal este dat de faptul că tensiune inversă maximă este
destul de mică (zeci de volţi).
Dioda varicap
Denumirea diodei vine de la expresia capacitate variabilă. Simbolul este
prezentat în Fig.2.14.c. Dioda este utilizată în polarizare inversă, iar proprietatea
principală este că se comportă ca un condensator cu capacitate variabilă,
dependentă de tensiunea la borne. Toate diodele au această proprietate dar diodele
varicap sunt construite astfel încât dependenţa capacitate-tensiune să aibă un profil
optim. Zona de variaţie este în intervalul 1...100 picofarazi. Domeniul principal de
utilizare sunt radiocomunicaţiile, mai precis acordul circuitelor oscilante din
emiţătoare şi receptoare.
Fig.2.14. Tipuri de diode.

Dioda Zener
Este o diodă construită pentru a fi utilizată în zona de străpungere inversă a
cărui simbol poate fi identificat în Fig.2.14.d. Caracteristica grafică este
asemănătoare cu cea a diodei redresoare. În polarizare directă este similară diodelor
redresoare. În polarizare inversă dioda se străpunge la o tensiune numită tensiune
Zener, UZ, constantă pentru o anumită diodă. În zona de străpungere curentul creşte
până la o valoare maxim admisibilă, iM dar tensiunea rămâne aproape constantă.
Rezistenţa dinamică rZ în zona de străpungere este foarte mică. Proprietatea de a
menţine contantă tensiunea pe o plajă mare de curenţi face ca dioda să fie utilizată
îndeosebi în circuitele stabilizatoare de tensiune.
Dioda tunel
Dioda tunel a cărui simbol se prezintă în Fig.2.14.e, este o diodă care
lucrează la tensiuni mici în circuite de frecvenţă mare. Caracteristica pe zona activă
a acestei diode este împărţită în trei zone: în prima zonă are o comportare aproape
liniară similară cu cea a unui rezistor; a doua zonă are o scădere exponenţială care
poate fi liniarizată şi asimilată unui rezistor cu rezistenţa negativă; a treia zonă are
o creştere exponenţială asemănătoare cu cea a unei diode redresoare.
Diodă electroluminiscentă (LED)
La fel ca şi dioda redresoare, dioda electroluminiscentă permite trecerea
curentului doar în conducţie directă, conducând la generarea unei unde luminoase
denumită aprinderea ledului. Spre deosebire de dioda semiconductoare, ledul are o
tensiune de prag VLED de aproximativ 1,6V. Simbolizarea ledurilor în circuite
electrice se realizează cu ajutorul simbolului prezentat în Fig.2.14.f.
Ledurile sunt furnizate de către producători sub diverse forme, cum ar fi
cele prezentate în Fig.2.15. Totuşi în prezent tehnologia de fabricaţie a ledurilor a
evoluat atât de mult încât este imposibil de prezentat toate formele constructive de
leduri.
Fig.2.15. Forme constructive de leduri.

Fotodioda
Fotodioda este un dispozitiv electronic capabil să transforme unda de
lumină în energie electrică (tensiune electrică). Simbolul ei este prezentat în
Fig.2.14.g, iar câteva forme constructive se pot analiza în Fig.2.16.
Fig.2.16. Forme constructive de fotodiode.

Fotodioda poate funcţiona nepolarizată. Acesta este cazul tipic al surselor de
energie solară, care sunt formate practic din mai multe fotodiode nepolarizate. Al
doilea mod de funcţionare este cel polarizat invers. Practic o fotodiodă polarizată
invers funcţionează ca şi senzor de lumină, iar în funcţie de nivelul polarizării se pot
determina diverse spectre de lumină, respectiv diverse intensităţi luminoase.
2.3. Aplicaţii ale diodelor

2.3.1. Redresoarele electrice
Cea mai utilizată aplicaţie a diodelor este redresarea. Redresarea înseamnă
conversia curentului alternativ în curent continuu. Există mai multe tipuri de
redresoare:
 redresor monofazat:
o mono-alternanţă;
o bi-alternanţă;
 redresor polifazat (cel mai utilizat este cel trifazat).
Redresorul monofazat mono-alternanţă

Redresorul monofazat mono-alternanţă este cel mai simplu redresor.
Practic el permite trecerea doar a unei alternanţe a curentului prin consumator.
Schema de bază a redresorului este prezentată în Fig.2.17, unde D1
reprezintă o diodă semiconductoare, denumită diodă redresoare, iar R2 este
rezistenţa de sarcină a redresorului. În cazul în care se alimentează circuitul din
Fig.2.17 cu o tensiune alternativă cu amplitudinea de 5 V (Fig.2.18 – curba marcată
cu pătrat), pe alternanţa pozitivă va apărea la bornele consumatorului tot o formă
sinusoidală dar mai mică în amplitudine cu aproximativ 0.7 V (căderea de tensiune
pe diodă), iar pe alternanţa negativă va apărea la bornele consumatorului o tensiune
nulă datorită polarizării inverse a diodei (Fig.2.18 – curba marcată cu triunghi).
D1
V0 V1 R2
Res2
Diode 1000
50Hz
VSIN=5V
GND
Fig.2.17. Schema redresorului monofazat mono-alternanţă.
Fig.2.18. Variaţia tensiunilor de intrare respectiv de ieşire a redresorului monofazat

mono-alternanţă.
Funcţionarea redresorului depinde de alternanţa tensiunii sinusoidale de
intrare. Astfel, în alternanţa pozitivă, când tensiunea de intrare este pozitivă (mai
mare decât 0), dioda D1 este polarizată direct. Deoarece amplitudinea tensiunii de
intrare este mult mai mare decât valoarea tensiunii de prag a diodei (VD≈0,7V),
aceasta din urmă se poate considera nulă. În consecinţă, comportamentul
redresorului pentru cazul în care avem alternanţa pozitivă este aceea că tensiunea
de ieşire este egală cu tensiunea de intrare.
În alternanţa negativă, când tensiunea de intrare este negativă (mai mică
decât 0), dioda D1 este polarizată invers. Deoarece dioda D1 este alimentată invers
ea este blocată şi nu permite trecerea curentului prin ea. În acest caz tensiunea de
ieşire devine la rândul său zero.
Se observă că variaţia tensiunii de ieşire s-a redus la jumătate din variaţia
tensiunii de intrare. Chiar şi cu această reducere, rezultatul nu este satisfăcător –
este de dorit ca la ieşirea redresorului să se obţină o variaţie a tensiunii cât mai
redusă. În formă ideală se aşteaptă ca la ieşirea unui redresor tensiunea să fie
continuă în timp.
Pentru obţinerea unei variaţii şi mai reduse pentru tensiunea de ieşire a
redresorului, la ieşirea acestuia, în paralel cu rezistenţa de sarcină (R2), se
introduce un condensator de capacitate foarte mare, denumit condensator de filtrare
(Fig.2.19). Rolul condensatorului este de a limita variaţia tensiunii de ieşire. În
Fig.2.20 se prezintă variaţia tensiunii de ieşire pentru cazul în care redresorul
dispune de un condensator de filtrare.
Pentru cele mai multe aplicaţii redresarea obţinută în urma redresorului
mono-alternanţă nu este suficientă. Un mare defect a acestui redresor este acela că
sursa de alimentare nu furnizează putere consumatorului decât pe o singură
alternanţă şi prin urmare sursa este folosită doar la jumătate din capacitatea ei.
D1
V0 V1 R2
Res2
Diode 1000
50Hz C2
VSIN Cap2
GND 100uF
Fig.2.19. Schema redresorului monofazat mono-alternanţă cu condensator de filtrare.

Fig.2.20. Variaţia tensiunilor de intrare respectiv de ieşire a redresorului monofazat mono-

alternanţă cu condensator de filtrare.
Redresor monofazat bi-alternanţă
Redresoarele monofazate bi-alternanţă sunt mai performante şi permite
folosirea ambelor alternanţe ale sursei de alimentare (cea pozitivă şi cea negativă).
Există două variante de bază a redresorului bi-alternanţă: cu priză mediană şi în
punte.
Redresorul cu priză mediană (Fig.2.21) foloseşte un transformator (a cărui
secundar are o priză mediană) şi două diode.
D1
Uin R1 T1 V0 V1 R2 V2
Res2 Res2
100 Diode 1K
50Hz
VSIN
D2
Trans CT
Diode
Fig.2.21. Schema redresorului monofazat bi-alternanţă cu priză mediană.

În Fig.2.22 este prezentat modul de circulaţie a curenţilor în funcţie de
alternanţa sursei de alimentare. Dacă se consideră că sursa este în alternanţa
pozitivă (Fig.2.22.a), se observă că doar dioda D1 este în conducţie (polarizată
direct), dioda D2 fiind blocată (polarizată invers). În acest caz se poate observa
circuitul de închidere a curentului, din partea superioară a transformatorului, prin
dioda D1 ajunge la rezistenţa de sarcină (R) şi în final la priza mediană.
Dacă se consideră că sursa este în alternanţa negativă (Fig.2.22.b), se
observă că dioda D1 este blocată, dioda D2 este în conducţie. În acest caz circuitul
de închidere a curentului este de la partea inferioară a transformatorului, prin dioda
D2 ajunge la rezistenţa R şi în final la priza mediană.
D1 D1
Uin R1 T1 V0 V1 R2 V2 Uin R1 T1 V0 V1 R2 V2
Res2 Res2 Res2 Res2
+ 100 Diode 1K - 100 Diode 1K
50Hz 50Hz
VSIN VSIN
- D2 + D2
Trans CT Trans CT
Diode Diode
a) Dioda D1 în conducţie b) Dioda D2 în conducţie

Fig.2.22. Modul de funcţionare a redresorului cu priză mediană în funcţie de alternanţa
sursei.
În concluzie se poate spune că redresorul prezentat mai sus utilizează
ambele alternanţe ale sursei de alimentare, furnizând consumatorului aproape toată
puterea sursei. Dezavantajul principal al acestui redresor este faptul că necesită un
transformator cu priză mediană. Din acest motiv acest tip de redresor este folosit
doar în aplicaţii de putere mică, deoarece la o aplicaţie de putere mare
transformatorul ar avea o dimensiunea ridicată.
Pentru înlăturarea acestui dezavantaj s-a realizat varianta în punte. Acest
redresor conţine patru diode şi este prezentat în Fig.2.23.
D4 D1
V0
Diode Diode V1 R2
D2 D3 Res2
50Hz 1K
VSIN C3
Diode Diode
V2
Cap2
100uF
Fig.2.23. Schema redresorului monofazat bi-alternanţă în punte.

Funcţionarea redresorului depinde de alternanţa sursei de alimentare, iar în
Fig. 2.24 se prezintă circulaţia curentului în funcţie de alternanţa sursei de
alimentare. Dacă se consideră că sursa este în alternanţa pozitivă (Fig.2.24.a)
atunci circulaţia curentului este de la partea superioară a sursei prin dioda D1
ajunge la rezistenţa R. De aici prin dioda D2 ajunge la partea inferioară a sursei. În
acest caz se poate spune că diodele D1 şi D2 sunt în conducţie (polarizate direct),
iar diodele D3 şi D4 sunt blocate (polarizate invers).
D4 D1 D4 0V D1
V0 4.3V V0 0.7V V1
5V V1 R2
0.7V Diode Diode R2 Diode Diode
+ D2 D3 - D2 D3 Res2
Res2
50Hz 0V 50Hz 5V 1K
1K
VSIN VSIN 4.3V
- Diode Diode + Diode Diode
V2 V2
a) Dioda D1 şi D2 în conducţie b) Dioda D3 şi D4 în conducţie

Fig.2.24. Modul de funcţionare a redresorului în punte în funcţie de alternanţa sursei.
Dezavantajul principal al redresorului în punte este acela că la fiecare
alternanţă se înseriază două diode, iar în cazul diodelor de Si căderea de tensiune
totală este de 1,4V. Bineînţeles acesta este un dezavantaj major pentru
consumatorii ce necesită o tensiune de alimentare foarte mică.
Pentru redresorul din Fig.2.23, în Fig.2.25 se prezintă variaţia tensiunii de
ieşire (curba marcată cu triunghi) în cazul unei alimentări cu tensiune alternativă cu
o amplitudine de 5V (curba marcată cu pătrat).
Fig.2.25. Variaţia tensiunilor redresorului monofazat bi-alternanţă.

Pentru obţinerea unei variaţii mai reduse a tensiunii de la ieşirea
redresorului, se va monta în paralel cu R, un condensator de capacitate foarte mare,
denumit condensator de filtrare (Fig.2.26). În această configuraţie, în Fig.2.27 se
prezintă variaţia tensiunii de ieşire pentru cazul în care redresorul dispune de un
condensator de filtrare.
D4 D1
V0
Diode Diode V1 R2
D2 D3 Res2
50Hz 1K
VSIN C3
Diode Diode
V2
Cap2
100uF
Fig.2.26. Variaţia tensiunii de ieşire pentru redresorul monofazat bi-alternanţă cu

condensator de filtrare.
Fig.2.27. Variaţia tensiunilor de intrare respectiv de ieşire a redresorului monofazat bi-

alternanţă.
Redresor trifazat
Acest redresor (Fig.2.28) transformă curentul alternativ trifazat în curent
continuu. El conţine câte o pereche de diode pentru fiecare fază. O diodă
funcţionează în alternanţa pozitivă şi cealaltă în alternanţa negativă.
D1 D2
Va Vb Vc
Diode Diode
D3 D4
V1 R2
50Hz1 50Hz2 50Hz3 Res2
V1SIN V2SIN V3SIN Diode Diode 1K
D5 D6
Diode Diode V2
Fig.2.30. Schema redresorului trifazat.

Redresarea curentului alternativ trifazat va conduce la o formă mai dreaptă
a curbei curentului continuu, deci curba curentului continuu va conţine o
componentă alternativă mai scăzută (Fig.2.29). Acesta este şi principalul avantaj al
redresării curentului trifazat alternativ.
Fig.2.29. Variaţia tensiunii de ieşire pentru redresorul trifazat.
2.3.2. Detector de vârf

Un detector de vârf (Fig.2.30) este format din conectarea în serie a unei
diode şi un condensator, care scoate la ieşire o tensiune în curent continuu egală cu
valoarea tensiunii de vârf din curent alternativ.
Practic dacă se aplică o tensiune alternativă detectorului de vârf, în
alternanţa pozitivă, dioda acestuia intră în conducţie şi încarcă condensatorul cu o
tensiune egală cu amplitudinea tensiunii alternative. În momentul în care tensiunea
sursei scade sub valoarea tensiunii din condensator, dioda se blochează şi nu
permite descărcarea condensatorului spre sursă. Din acest motiv condensatorul
reţine valoarea de vârf chiar şi când curba tensiunii trece prin zero (Fig.2.31).
Din punct de vedere funcţional detectorul de vârf este identic cu redresorul
monofazat mono-alternanţă cu condensator de filtrare.
D1
V0 R2 V1 V2
Res2
1000 Diode
C3
50Hz Cap2
VSIN=5V 1uF
GND
Fig.2.30. Schema detectorului de vârf.

Fig.2.31. Variaţia tensiunii de alimentare (Usursa) şi tensiunea pe condensator (Uvarf).
2.3.3. Limitatoare de tensiune

Limitatoarele de tensiune sunt circuite care conţin o rezistenţă cu rol de a
stabili un curent în circuit şi una sau două diode care se folosesc pentru limitarea
tensiunii de ieşire pe alternanţa pe care este montată dioda, la o valoare care
depinde de tipul diodei folosite.
În Fig.2.32 se prezintă un limitator de tensiune care limitează tensiunea pe
ambele alternanţe. Efectul acestuia se poate vedea în Fig.2.33.
V0 R2 V1
Res2
1000
50Hz D1 D2
VSIN=5V Diode Diode
GND
Fig.2.32. Schema limitatorului de tensiune pe ambele alternanţe.
Fig.2.33. Variaţia tensiunii de alimentare (Usursa) şi a tensiunii remanentă (Ulimitat).

Practic pe alternanţa pozitivă tensiunea este limitată de dioda D2 care intră
în conducţie, cealaltă fiind blocată. În alternanţa negativă tensiunea este limitată de
dioda D1 care intră în conducţie. În acest caz, în Fig.2.33 se poate observa
limitarea tensiunii la valoare de 0.7V ceea ce indică faptul că s-au folosit două
diode normale de siliciu.
2.3.4. Multiplicatoare de tensiune

Un multiplicator de tensiune este un circuit care creşte valoarea tensiunii în
curent continuu la o valoare care este de câteva ori mai mare decât amplitudinea
tensiunii de alimentare. În continuare se va prezenta în detaliu circuitul denumit
dublor de tensiune (Fig.2.34) urmat de prezentarea schematică a unui multiplicator
de tensiune general.
D1 C1
V0 V1
50Hz Diode Cap2

VSIN 100uF
V2
D2 C2
Diode Cap2
100uF
Fig.2.34. Schema dublorului de tensiune.

Dublorul de tensiune este un circuit electronic care are la ieşire o tensiune
continuă care are valoarea egală cu dublul tensiunii de alimentare (Fig.2.35).
Fig.2.35. Variaţia tensiunilor din circuit dublorului de tensiune.

De exemplu dacă tensiunea de alimentare este de 5V, în alternanţa pozitivă
dioda D1 intră în conducţie, ceea ce conduce la încărcarea condensatorului C1 cu
5V (4,3V dacă se ţine cont de căderea de tensiune pe diodă). În alternanţa negativă,
dioda D2 intră în conducţie şi se încarcă condensatorul C2, dioda D1 fiind blocată
nu permite descărcarea condensatorului C1 spre sursă. În final tensiunea de ieşire
este suma tensiunilor pe cele două condensatoare (Fig.2.35 – Ufinal), adică 10V
(8,6V dacă se ţine cont de căderea de tensiune pe diode).
Pornind de la schema din Fig.2.34 se poate definii un multiplicator de
tensiune general (Fig.3.36), în care se observă că fiecare pereche diodă-condensator
dublează valoarea tensiunii de la nivelul imediat inferior. Curbele de tensiune
rezultate în urma utilizării multiplicatorului din Fig.2.36 sunt prezentate în Fig.2.37.
C1 C3
V0 V1 V3
Cap2 Cap2
100uF 100uF
D1 D2 D3 D4
50Hz Diode Diode Diode Diode
VSIN C2 C4
V2 V4
Cap2 Cap2
100uF 100uF
Fig.2.36. Schema unui multiplicator de tensiune.
Fig.2.37. Variaţia tensiunilor din circuit multiplicatorului de tensiune.
2.3.5. Circuite de comutare a bobinelor

Dacă se consideră un circuit simplu în care o bobină este alimentată în curent
continuu prin intermediul unui comutator (Fig.2.38). La închiderea comutatorului se
stabileşte continuitatea circuitului şi astfel apare un curent care străbate bobina şi care
generează un câmp magnetic în jurul bobinei. La deschiderea comutatorului curentul
devine nul, iar câmpul magnetic existent se reduce rapid generând în bobină o
supratensiune. Aşa cum se poate observa din graficul din Fig.2.38 impulsul de
tensiune poate ajunge la valori foarte mari (2.2 kV).
Fig.2.38. Fenomenul de cuplare şi decuplare a unei bobine prin intermediul unui

comutator.
Dacă în circuitul prezentat anterior se introduce o diodă de protecţie
(Fig.2.39.a), se observă că aceasta nu intervine în circulaţia curentului atât timp cât
comutatorul este închis deoarece dioda este polarizată invers.
a) b)
Fig.2.39. Fenomenul de decuplare a bobinei prin intermediul unui comutator dacă în
circuit există: a) o diodă de protecţie, b) o diodă în serie cu un rezistor de stingere.
În momentul deschiderii comutatorului, curentul din bobină generează o
tensiune inversă care polarizează direct dioda şi aceasta intră în conducţie. Aşa
cum se poate observa şi din graficul din Fig.2.39.a, un dezavantaj major a acestei
scheme este faptul că dispariţia câmpului magnetic din bobină este foarte lentă,
deoarece curentul care se stabileşte în circuit se disipă pe rezistenţa diodei care are
o valoare foarte mică. Din fericire există o metodă de înlăturare a acestui defect.
Dacă în serie cu dioda se conectează o rezistenţă (Fig.2.39.b), demagnetizarea este
cu atât mai rapidă cu cât rezistenţa are o valoare mai mare. Dacă se analizează
Fig.2.39.b se poate observa că în circuit va apărea un curent mai mare decât în
cazul anterior dar care va tinde spre 0 într-un timp mult mai scurt.
2.3.6. Circuite logice cu diode

Un circuit logic este acel circuit care operează în matematica Booleană.
Într-un circuit logic o tensiune egală sau apropiată de tensiunea sursei de
alimentare înseamnă “1” logic, iar o tensiune nulă, negativă sau pozitivă apropiată
de zero reprezintă “0” logic. Cu ajutorul diodelor se pot obţine diferite circuite
logice. Cele mai uzuale circuite logice sunt cele care realizează funcţii logice cum
ar fi funcţiile „SI”, „SAU” etc.
În Fig.2.40 se prezintă un circuit cu trei intrări care realizează o funcţie SI
conform logicii prezentate în Tabelul 2.1. La ieşirea OUT va fi tensiunea de 5V
prin rezistenţa R, atât timp cât diodele D1, D2 sau D3, nu intră în conducţie.
Diodele pot intra în conducţie în momentul când tensiunea aplicată la catod este
mai mică decât diferenţa dintre tensiunea de alimentare şi căderea de tensiune pe
diodă. În concluzie, dacă în punctele A, B şi C se vor aplica tensiuni de 5V (1
logic), atunci diodele sunt blocate şi la ieşirea OUT va rămâne 5V (1 logic). Dacă
la oricare dintre intrări se aplică 0 V (0 logic) atunci dioda care are catodul la
ieşirea respectivă intră în conducţie şi la ieşirea OUT va apărea 0 V (0 logic).
Tabelul 2.1. Valori tensiuni şi valori logice a unui circuit logic SI.
VA VB VC Vout A B C OUT
0V 0V 0V 0V 0 0 0 0
0V 0V 5V 0V 0 0 1 0
0V 5V 0V 0V 0 1 0 0
0V 5V 5V 0V 0 1 1 0
5V 0V 0V 0V 1 0 0 0
5V 0V 5V 0V 1 0 1 0
5V 5V 0V 0V 1 1 0 0
5V 5V 5V 5V 1 1 1 1
Fig.2.40. Schemă de simulare pentru funcţia SI.

În Fig.2.41 se prezintă rezultatul analizei realizate cu schema din Fig.2.40.
S-au folosit trei surse de semnal periodic dreptunghiular cu frecvenţe diferite şi cu
amplitudinile de 5 V, care au fost astfel realizate încât să apară pe rând toate stările
prezentate în Tabelul 2.1. Din Fig.2.41 se poate observa că semnalul Vout are
valoarea 5 V doar pe perioada în care toate semnalele (Va, Vb, Vc) au valoarea de 5
V. Se remarcă faptul că ieşirea are chiar valoarea de 5 V deoarece aceasta dispune
de propria sursă de alimentare.
Fig.2.41. Diagrama semnalelor pentru circuitul care realizează funcţia SI.

În Fig.4.42 se prezintă un circuit cu trei intrări care realizează o funcţie SAU.
Dacă la intrările A, B şi C se aplică tensiuni de 0 V (0 logic), diodele sunt blocate şi
la ieşirea OUT va rămâne tot 0 V (0 logic). Dacă la oricare dintre cele trei intrări se
aplică o tensiune de 5 V (1 logic), dioda care are anodul conectat la intrarea
respectivă intră în conducţie şi la ieşirea OUT va apărea o tensiune de 5 V (1 logic).
Fig.2.42. Schemă de simulare pentru funcţia SAU.

În Fig.2.43 se prezintă diagrama semnalelor pentru poarta SAU din care se
observă că semnalul de ieşire este în majoritatea cazurilor la valoarea de
aproximativ 4,3V. Acest lucru se datorează faptului că schema nu are o sursă de
alimentare proprie şi practic din semnalul surselor de intrare care este de 5 V se
pierde aproximativ 0.7 V valoare care reprezintă pierderea de tensiune pe o diodă.
Doar în cazul în care toate sursele de intrare au valoarea de 0 V şi semnalul de
ieşire are valoarea de 0V, circuitul respectând logica prezentată în Tabelul 2.2.
Fig.2.43. Diagrama semnalelor pentru circuitul care realizează funcţia SAU.

Tabelul 2.2. Valori tensiuni şi valori logice a unui circuit logic SAU.
VA VB VC Vout A B C OUT
0V 0V 0V 0V 0 0 0 0
0V 0V 5V 5V 0 0 1 1
0V 5V 0V 5V 0 1 0 1
0V 5V 5V 5V 0 1 1 1
5V 0V 0V 5V 1 0 0 1
5V 0V 5V 5V 1 0 1 1
5V 5V 0V 5V 1 1 0 1
5V 5V 5V 5V 1 1 1 1
2.3.7. Stabilizatoare de tensiune

Un stabilizator de tensiune este un circuit electronic care păstrează
constantă tensiunea de ieşire la variaţii între anumite limite ale tensiunii de intrare.
În general stabilizatoarele de tensiune se realizează cu diode Zener.
Se consideră schema din Fig.2.44 în care s-a utilizat o sursă de tensiune
continuă care furnizează amplitudini diferite la momente de timp diferite.
V0 R1 V1
Res2
1
R2
12Vpos D1 Res2
VSRC DZ=10V 1000
GND
Fig.2.44. Stabilizator de tensiune cu diodă Zener.

Circuitul conţine o diodă Zener (DZ) polarizată invers care are tensiunea
Zener (căderea de tensiune inversă) de 10V. Mai există o rezistenţă R1 de limitare
a curentului prin circuit şi o rezistenţă de sarcină R2 (rezistenţa consumatorului).
Datorită diodei Zener tensiunea la bornele rezistenţei de sarcină va fi aproximativ
constantă (10V), cu excepţia situaţiei în care tensiunea sursei va fi mai mică de
10V (Fig.2.45). Bineînţeles acest lucru este valabil atât timp cât valoarea rezistenţei
R1 nu este prea mare cea ce ar produce o cădere de tensiune mare pe ea, iar la
bornele consumatorului va fi o tensiune mai mică de 10V. În această situaţie dioda
Zener nu mai are nici un rol în circuit.
Valoarea tensiunii inverse pentru cele mai utilizate diode Zener sunt
prezentată în Tabelul 2.3.
Fig.2.45. Variaţia tensiunilor din circuitul cu DZ.

Tabelul 2.3. Valori standard ale tensiunilor inverse pentru diode Zener.
0.5W 1.3W
2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.7 5.1 6.8 7.5 8.2
5.6V 6.2V
V V V V V V V V V V
4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 9.1
10V 11V 12V 13V 15V 16V
V V V V V V
6.8 7.5 8.2 9.1
10V 18V 20V 22V 24V 27V 30V 33V
V V V V
11V 12V 13V 15V 16V 36V 39V 43V 47V 51V 56V 62V
100 200
18V 20V 24V 27V 30V 68V 75V
V V
Trebuie remarcat că în practică circuitele care conţin diode pot fi utilizate

împreună pentru îndeplinirea funcţiilor complexe. Un astfel de circuit folosit pe
scară largă este reprezentat de sursa de alimentare clasică a consumatorilor de
curent continuu. Aceasta este formată dintr-un redresor de tensiune care are ca şi
rol redresarea tensiunii alternative pentru obţinerea unei tensiuni continue, şi un
stabilizator de tensiune cu diodă Zener care are rol de a asigura o tensiune
constantă la bornele consumatorului. O sursă tipică este formată din:
 un transformator pentru a transforma semnalul de 230 Vca (valoare
efectivă) sau 325 Vca (valoare maximă) în semnal de aproximativ 7
Vca (valoare maximă);
 un redresor în punte care va transforma 7 Vca (valoare maximă) în 5.4
Vcc (datorită pierderilor de tensiune pe diode);
 un stabilizator cu diodă Zener care va asigura o tensiune continuă de 5
Vcc.
3. Capitolul 3
3. Tranzistorul
Tranzistorul este un dispozitiv semiconductor activ cu trei terminale, care

conţine două sau mai multe joncţiuni p-n. Tranzistorul este dispozitivul esenţial al
oricărui circuit electronic. De exemplu se ştie că procesoarele de generaţie nouă de
la Intel au zeci de milioane de tranzistoare cu efect de câmp.
Clasificarea tranzistoarelor:
 tranzistor bipolar (TB): n-p-n; p-n-p;
 tranzistor cu efect de câmp (TEC):
o TEC-J: canal n; canal p;
o TECMOS:
 cu canal indus: canal n; canal p;
 cu canal iniţial: canal n; canal p.
3.1. Tranzistorul bipolar

Tranzistorul bipolar este un dispozitiv format din trei straturi de material
semiconductor la care se conectează trei electrozi. Cele trei straturi
semiconductoare formează două joncţiuni p-n. În funcţie de ordinea de amplasare a
straturilor semiconductoare se disting două tipuri de TB:
 PNP care conţine două straturi semiconductoare de tip p, între care se
găseşte un strat semiconductor de tip n (Fig.3.1.a);
 -NPN care conţine două straturi semiconductoare de tip n, între care se
găseşte un strat semiconductor de tip p (Fig.3.1.b)
Pentru ambele tipuri de tranzistoare, stratul din mijloc este foarte subţire,
iar electrodul corespunzător se numeşte Bază şi se notează cu B. Nici straturile
exterioare nu sunt identice. Un strat este mai subţire şi este mai puternic
impurificat, iar electrodul corespunzător se numeşte Emitor şi se notează cu E.
Ultimul strat este cel mai gros, iar electrodul corespunzător se numeşte Colector şi
se notează cu C.
a) Tranzistor p-n-p. b) Tranzistor n-p-n..

Fig.3.1. Structura şi simbolul tranzistorului..
3.1.1. Clasificarea tranzistoarelor bipolare

Un tranzistor este caracterizat printr-o multitudine de parametrii, valori
limită sau valori maxim admisibile date de fabricant ca şi date de catalog.
Depăşirea acestor valori maxim admisibile pot provoca distrugerea tranzistorului.
Tot ca şi date de catalog se regăsesc şi caracteristicile de intrare, de ieşire, de
transfer, etc.
Dacă se notează cu ICM valoarea maximă a curentului din colector şi cu PDM
valoarea puterii maxime ce poate fi disipată (prin efect Joule), atunci tranzistoarele
pot fi clasificate astfel:
 tranzistoare de mica putere, cu ICM 100 mA-500 mA şi PDM 100 mW-1
W;
 tranzistoare de putere medie, ICM: 500 mA-5 A; PDM: 1 W-5 W;
 tranzistoare de putere, ICM: 5 A-50 A; PDM: 5 W-100 W;
 tranzistoare de mare putere, ICM: 50 A-sute A; PDM: 100 W- kW.
Dacă se notează cu UCE0 valoarea maxim admisibila a tensiunii între
colector şi emitor, valoare ce reprezintă valoarea maximă a tensiunii sursei de
alimentare care alimentează circuitul care utilizează tranzistorul respectiv, atunci
tranzistoarele pot fi clasificate astfel:
 tranzistoare de joasă tensiune, cu UCE0 în plaja 20V…100V;
 tranzistoare de înaltă tensiune, UCE0: 100V…mii V.
Tranzistoarele mai pot fi clasificate în funcţie de frecvenţa pentru care sunt
proiectate să funcţioneze:
 tranzistoare de joasă frecvenţă sau de audiofrecvenţă (sute KHz -
MHz);
 tranzistoare de înaltă frecvenţă sau radiofrecvenţă (MHz-sute MHz);
 tranzistoare de foarte înaltă frecvenţă (MHz-GHz).
3. Tranzistorul 41
3.1.2. Principiu de funcţionare
După cum s-a precizat anterior, tranzistorul are două joncţiuni p-n, una
între bază şi emitor (BE) şi una între bază şi colector (BC). Dacă s-ar considera
cele două joncţiuni ca fiind independente s-ar putea spune că „tranzistorul este o
conexiune între două diode conectate una invers faţă de cealaltă” (Fig.3.2.a). Dacă
se ia în considerare un tranzistor NPN se poate spune că este format din două diode
care au anodul comun şi conectat la electrodul B. În această situaţie oricum s-ar
alimenta circuitul, o diodă va fi în conducţie iar cealaltă va fi blocată, iar prin
circuitul în care sunt montate nu va circula curent.
Fig.3.2. Comportarea tranzistorului în circuit:a) Schemă echivalentă cu două diode;

b) comportarea reală.
În realitate datorită faptului că stratul semiconductor median este foarte
subţire apare aşa numitul efect de tranzistor, care permite circulaţia curentului între
C şi E (Fig.3.2.b). Efectul de tranzistor permite trecerea curentului printr-o
joncţiune polarizată invers (BC) datorită interacţiunii ei cu o joncţiune polarizată
direct (BE) situată în imediata ei vecinătate. Circulaţia curenţilor prin tranzistor
este prezentată în Fig.3.3.
a) Tranzistor PNP. b) Tranzistor NPN.

Fig.3.3. Circulaţia curenţilor prin tranzistor.
Dacă se ia în considerare tranzistorul NPN, la care joncţiunea BE este
polarizată direct şi joncţiunea BC este polarizată invers atunci se poate spune că
tensiunea dintre colector şi emitor este pozitivă şi mai mare decât tensiunea dintre
bază şi emitor care este de aproximativ 0,7V. În aceste condiţii va exista o
circulaţie de curent de la colector la emitor, curent care depinde de valoarea
curentului de comandă, adică curentul dintre bază şi emitor.
Din cele prezentate anterior, rezultă că pentru a conecta un tranzistor într-
un circuit, trebuie să se cunoască succesiunea terminalelor sale. Acest lucru se
poate identifica în datele de catalog ale tranzistorului respectiv. Dacă nu există la
dispoziţie aceste date sau dacă nu se cunoaşte tipul de tranzistor, succesiunea
bornelor acestuia, precum şi tipul acestuia se pot determina printr-o metodă
practică. Se consideră tranzistorul din Fig.3.4. Pentru a determina terminalele
tranzistorului şi tipul său este nevoie de un aparat de măsură care are funcţie de
măsurat diode.
Fig.3.4. Determinarea bornelor unui tranzistor necunoscut: a) tranzistor necunoscut; b)

tranzistor după determinare
Cu ajutorul aparatului de măsură se efectuează şase măsurători după cum
urmează:
 borna „+” conectată la terminalul 1 şi borna „–” la terminalul 2: „OL”
 borna „+” conectată la terminalul 2 şi borna „–” la terminalul 1: „0,628V”
 borna „+” conectată la terminalul 3 şi borna „–” la terminalul 1: „0,664V”
În urma măsurătorilor se observă că există indicaţie de prezenţă tensiune
pentru două măsurători. Tensiunea apare la borne când o joncţiune este polarizată
direct. Din prima măsurătoare care indică tensiune rezultă o joncţiune care are
anodul la terminalul 2 şi catodul la terminalul 1. Din a doua măsurătoare care
indică tensiune rezultă o joncţiune care anodul la terminalul 3 şi catodul la
terminalul 1.
Dacă se analizează construcţia tranzistorului se observă că cele două
joncţiuni ale sale au un terminal comun şi anume Baza. Din măsurătorile de mai
sus se poate spune că Baza este conectată la terminalul 1. Ţinând cont că din
măsurătorile care au indicat tensiune de fiecare dată borna „–” a fost conectată la
terminalul 1 rezultă că acest terminal este conectat la un stat semiconductor de tip
n, de unde rezultă ca tranzistorul este de tip PNP. Din măsurătoarea care indică
3. Tranzistorul 43
tensiune mai mare, rezultă joncţiunea dintre bază şi emitor şi de aici rezultă că
terminalul 3 este Emitorul. În cele din urmă rezultă că terminalul 2 este Colectorul.
Dacă după efectuarea tuturor măsurătorilor există o singură măsurătoare
care indică tensiune sau există măsurători care în loc de „OL” indică o valoare
mică sau chiar „0”, înseamnă că tranzistorul este defect sau este de alt tip (nu este
tranzistor bipolar).
3.1.3. Zone de funcţionare a tranzistorului bipolar

Funcţionarea tranzistorului este strict dependentă de modul cum este
conectat în circuit, mai precis în funcţie de modul de alimentare a celor trei
electrozi. În funcţie de tensiunile aplicate electrozilor, cele două joncţiuni ale
tranzistorului pot fi polarizate direct sau invers. Rezultă că tranzistorul poate avea
patru zone de funcţionare (Fig.3.5).
UBC UBC
Regiune Regiune
activă Regiune de Regiune de
activă
inversă saturaţie blocare
UBE UBE
Regiune de Regiune Regiune de Regiune
blocare activă saturaţie activă
inversă
a) Tranzistor NPN. b) Tranzistor PNP.

Fig.3.5. Zonele de funcţionare a tranzistorului ca funcţie de tensiunile de alimentare.
Regimul de blocare.
Regimul de blocare se obţine atunci când tensiune dintre Bază şi Emitor
scade sub valoarea de polarizare a joncţiunii (0,7 V pentru Si), iar joncţiunea dintre
Bază şi Colector rămâne polarizată invers. În acest regim prin tranzistor nu circulă
curent şi el se comportă ca şi o rezistenţă de valoare infinită, sau un contact deschis
(Fig.3.6.a).
Regimul de saturaţie.
Un tranzistor este în regim de saturaţie când valoarea curentului de
comandă creşte şi implicit creşte curentul principal până la o limita la care
tensiunea între colector şi emitor scade sub 0,7V, deci potenţialul colectorului
devine mai mic decât al bazei. Din acest moment joncţiunea dintre Bază şi
Colector este polarizată direct. În practică tensiunea Colector-Emitor nu poate fi
scăzută sub o valoare de 0,2V. Din momentul intrării în saturaţie curentul principal
rămâne la valoarea de saturaţie şi nu mai este proporţional cu acela de comanda.
Curentul de comandă poate să crească în continuare fără a influenţa curentul
principal. Neglijând căderile de tensiune pe joncţiunile deschise tranzistorul este
echivalent cu un nod de circuit (Fig.4.6.b).
În acest regim tranzistorul poate fi folosit ca şi element de comutaţie.
Practic tranzistorul va fi în regim blocat pentru a avea rol de contact deschis şi va fi
în regim de saturaţie pentru a avea rol de contact închis.
Regimul activ.
Regimul activ este regimul normal al tranzistorului pentru majoritatea
aplicaţiilor. În acest regim tranzistorul este străbătut de un curent de valoare mare
între Colector şi Emitor, valoare care depinde de valoarea curentului dintre Bază şi
Emitor.
În acest regim tranzistorul poate fi echivalat cu o diodă conectată între
Bază şi Emitor şi o sursă de curent conectată între Colector şi Emitor (Fig.4.6.c).
Sursa de curent echivalentă generează un curent constant iE    iB , care este
proporţional cu valoarea curentului iB (denumit şi curent de comandă) care
parcurge dioda.
Fig.3.6. Simbolizarea şi echivalarea tranzistorului în scheme electronice: a) Regim de

blocare; b) Regim de saturaţie; c) Regim activ
3.1.4. Caracteristicile grafice ale tranzistorului

Pentru a utiliza un tranzistor trebuie să se cunoască modul în care el poate
fi echivalat în schemele electrice. Din punct de vedere al calculului numeric există
mai multe posibilităţi de a considera un tranzistor. Una dintre posibilităţi ar fi
considerarea ecuaţiilor matematice, dar această metodă este foarte dificilă. Din
acest motiv cele mai utilizate metode sunt: liniarizarea circuitului şi
caracteristicile grafice.
Pentru a discuta de caracteristicile grafice ale tranzistorului, trebuie să se
cunoască modurile în care el poate fi conectat într-un circuit. Pentru conectarea
într-un circuit tranzistorul se conectează cu un terminal la intrare, unul la ieşire şi
3. Tranzistorul 45
cel de-al treilea va fi comun. Din acest punct de vedere tranzistorul poate fi întâlnit
în trei ipostaze: bază comună (BC), emitor comun (EC), colector comun (CC)
(Fig.3.7).
a) Bază comună b) Emitor comun c) Colector comun

Fig.3.7. Moduri de conectare a tranzistorului în circuit: a) Bază comună; b) Emitor
comun; c) Colector comun.
În continuare se vor prezenta caracteristicile grafice ale tranzistorului
pentru varianta cu emitor comun. Producătorii furnizează în cataloage o mulţime de
caracteristici grafice. Dintre acestea cele mai importante sunt caracteristica de
intrare şi caracteristica de ieşire.
Dacă se reprezintă grafic curentul din bază ca funcţie de tensiune Bază-
Emitor se obţine caracteristica de intrare (Fig.3.8). Practic această caracteristică
este asemănătoare cu caracteristica grafică a unei diode. Ca şi în cazul diodei,
joncţiunea Bază-Emitor întră în conducţie la o tensiune de aproximativ 0,7V (în
cazul tranzistorului din Si). Bineînţeles această joncţiune are şi o tensiune inversă
maximă care poate fi aplicată, dar care are valori mult mai mici (datorită faptului
că stratul semiconductor din Bază este de dimensiuni foarte reduse) decât în cazul
diodelor. În general tensiunea maximă inversă poate fi de aproximativ 5V, şi din
acest motiv tranzistorul poate fi protejat la tensiune inversă cu ajutorul unei diode
conectată cu anodul la emitor şi cu catodul la bază.
Caracteristica de ieşire este o reprezentare grafică a curentului din
colector ca funcţie de tensiunea Colector-Emitor. În general această grafic se
reprezintă ca şi o familie de caracteristici, fiecare caracteristică depinzând de
curentul de comandă (curentul din Bază) (Fig.3.9).
Pe caracteristica de ieşire există patru zone:
 zona A este zona de blocare a tranzistorului;
 zona B este zona de saturaţie a tranzistorului;
 zona C este zona cu putere maximă de disipaţie;
 zona cuprinsă între aceste zone este zona activă a tranzistorului.
Fig.3.8. Caracteristica de Fig.3.9. Caracteristica de ieşire a tranzistorului în

intrare a tranzistorului. conexiune Emitor comun.
Tot din grafic se poate observa că un tranzistor la un moment dat trebuie să
funcţioneze într-un anumit punct de funcţionare P(UCE, IC). Acest punct de
funcţionare depinde de mai mulţi factori cum ar fi: valoarea curentului de
comandă, valoarea factorului de amplificare în curent, valoarea temperaturii
tranzistorului, caracteristica grafică a consumatorului, etc.
Pentru determinarea punctului static de funcţionare a unui tranzistor trebuie
să se determine valoarea curentului din colector şi tensiunea Colector-Emitor.
Pentru determinarea lor se poate utiliza orice teoremă de calcul a circuitelor
electrice. În special pentru aplicaţii simple cel mai rapid mod de obţinere a
rezultatului este aplicarea teoremei a doua a lui Kirchhoff.
3.1.5. Polarizarea tranzistoarelor

Din cele prezentate anterior se ştie că tranzistorul în zona activă are rol de
amplificator. Pentru a-şi face funcţia cât mai corect acesta trebuie să respecte
câteva condiţii dintre care se menţionează:
 polarizarea corectă a joncţiunilor;
 stabilitate la variaţii ale tensiunii de alimentare;
 stabilitate la variaţii de temperatură.
Pentru înlăturarea efectelor variaţiilor de tensiune se folosesc surse de
tensiune stabilizate. Variaţiile de temperatură care apar datorită modificărilor de
temperatură din mediul înconjurător şi datorită pierderilor din tranzistor prin efect
Joule, sunt mai greu de controlat. În general pentru controlarea lor intervin costuri
considerabile care în general nu sunt justificabile. Cel mai important lucru pentru o
3. Tranzistorul 47
funcţionare corectă este polarizarea tranzistorului. Aceasta se poate face prin mai
multe metode.
Cel mai simplu circuit de polarizare a tranzistorului este circuitul de
polarizare în curent (Fig.3.10.a). Dacă se aplică o teoremă de calcul a circuitului
electric, se obţin valorile curentului din Colector (3.1) şi a tensiunii Colector-
Emitor (3.2) ca fiind:
VCC  U BE
IC  0  (3.1)
RB
U CE  VCC  RC  I C (3.2)
Din relaţiile de mai sus se observă dezavantajele acestei scheme. Primul
dezavantaj ar fi sensibilitatea foarte mare la variaţiile de temperatură. Practic la o
variaţie de câteva zeci de grade tranzistorul poate ajunge din regimul activ în
regimul de saturaţie. Un al doilea dezavantaj este că pentru cunoaşterea punctului
de funcţionare trebuie să se cunoască foarte exact valoarea factorului de
amplificare în curent (β0).
Dacă se ia în considerare circuitul de polarizare cu rezistenţă de
compensare termică (Fig.3.10.b) şi se aplică o teoremă de calcul al circuitului se
obţin următoarele relaţii:
VCC  U BE
IC  (3.3)
R
RE  B
0
U CE  VCC  RC  R E   I C (3.4)

Din relaţiile de mai sus se observă că valoarea curentului din colector
depinde şi de rezistenţa din emitor care în general are o valoare mai mare. Din
acest motiv această schemă este mai puţin sensibilă la variaţia de temperatură.
Deoarece valoarea rezistenţei din emitor este mai mare, variaţia termenului RE/β0
influenţează mai puţin valoarea curentului din colector şi deci schema este mai
puţin sensibilă şi la variaţia factorului de amplificare în curent.
Circuitul de polarizare cu divizor rezistiv (Fig.3.10.c) are următoarele
formule de calcul ale mărimilor de ieşire:
RE
 VCC  U BE
R  R2
IC  1 (3.5)
R R 1
RE  1 2 
R1  R2  0
U CE  VCC  RC  R E   I C (3.6)

Din relaţiile (3.5) şi (3.6) se observă că factorului de amplificare are o
influenţă mai redusă decât la schemele anterioare. Deci acest circuit este mai bun
pentru realizarea polarizării tranzistorului.
Circuitul cu diodă Zener din Fig.3.10.d, are avantajul că datorită diodei
Zener, potenţialul aplicat Bazei este în permanenţă constant.
Fig.3.10. Scheme de polarizarea ale tranzistorului: a) Circuit de polarizare în curent; b)

Circuit de polarizare cu rezistenţă de compensare termică; c) Circuit de polarizare cu
divizor rezistiv; d) Circuit de polarizare cu diodă Zener.
3.1.6. Tranzistorul bipolar în regim de comutaţie

În regim de comutaţie rolul tranzistorului este de a permite sau nu permite
stabilirea unui curent între terminalele Colector şi Emitor. În concluzie pentru ca
un tranzistor să funcţioneze în regim de comutaţie el trebuie să funcţioneze în
regimul de saturaţie (pentru închiderea circuitului) şi în regimul de blocaj (pentru
deschiderea circuitului).
3. Tranzistorul 49
Din Fig.3.11 se observă că în momentul când se aplică o tensiune mai mare
de 0,7V terminalului Bază, joncţiunea bază-emitor intră în conducţie. Timpul de
intrare în conducţie a acestei joncţiuni (ti) este similar cu timpul de intrare în
conducţie a unei diode. După ce această joncţiune conduce, intră în conducţie şi
joncţiunea bază-colector care are un timp de întârziere (tcr) ceva mai mare.
Împreună cei doi timpi formează timpul de închiderea a circuitului denumit şi timp
de comutaţie directă (tcd).
Fig.3.11. Forma de undă a curenţilor prin tranzistor când acesta funcţionează în regim de
comutaţie.
La anularea tensiunii de comandă din Bază, joncţiunea bază-emitor se
blochează, iar curentul din bază scade până la o valoare maximă negativă (a se
vedea funcţionarea diodei în regim de comutaţie), valoare care se păstrează un
anumit timp. Momentul de la dispariţia tensiunii din bază şi până când începe
creşterea curentului din bază de la valoarea maximă negativă spre 0 poartă
denumirea de timp de stocare (ts), deoarece pe această durată joncţiunea bază-
colector rămâne în conducţie, iar curentul din colector se păstrează aproape la
aceiaşi valoare. Durata în care curentul din bază creştere de la valoarea maximă
negativă până la 0, poartă denumirea de timp de cădere (tc). Împreună cei doi timpi
formează timpul de comutaţie inversă a tranzistorului (tci).
În concluzie, tranzistorul în regim de comutaţie funcţionează ca şi un
comutator comandat.
3.2. Aplicaţii ale tranzistorului bipolar

3.2.1. Amplificator cu TB în conexiune emitor comun (EC)
În Fig.3.12 este prezentată schema cea mai frecvent întâlnită a unui etaj de
amplificare cu tranzistor bipolar, aflat în conexiunea EC.
RB1 RC
Res2 Res2
20k 1k C3
VC
C1 Cap
Uin VB Q1 1pF
2N3904
Cap C2
1uF VE
20V 4V50Hz RB2 RE Cap

VSRC VSIN Res2 Res2 1pF
20k 5K
Fig.3.12. Schemă amplificator cu TB în conexiune EC.

Elementele din Fig.3.12 au următoarele semnificaţii:
RB1, RB2 – rezistoarele care formează divizor de tensiune pentru polarizare cu rol
în crearea potenţialului necesar pentru ca tranzistorul să funcţioneze în regiunea
activă normală;
RE – rezistenţa din emitor cu rol de stabilizare termică;
C1, C2 – condensatoare de cuplaj care separă în curent continuu etajul blocând
componenta continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă;
CE – condensator de decuplare care are rol de punere a emitorului la masă în
curent alternativ;
RC – rezistenţa de sarcină;
Uin – amplitudinea tensiunii semnalului de intrare;
U0 – amplitudinea tensiunii semnalului de ieşire.
Dacă se aplică teoremele de calcul a circuitelor electrice, se obţine valoarea
tensiunii de polarizare a joncţiunii BE:
RB 2
U B  EC  (3.7)
R B1  R B 2
Din relaţia (3.7) se observă că tensiunea de intrare depinde de valorile
rezistenţelor divizorului de tensiune.
3. Tranzistorul 51
Amplificarea în tensiune a acestui amplificator se determină astfel:
AU   g m  RC (3.8)
unde gm reprezintă panta tranzistorului.
Amplificatorul din Fig.3.12 este limitat la o funcţionare într-un anumit
domeniu de frecvenţe. Partea inferioară a intervalului este limitat de
condensatoarele de cuplare, iar partea superioară este limitată de modul de
comportare a tranzistorului la frecvenţe ridicate. Deci se poate spune că acest
amplificator funcţionează la frecvenţe medii.
În curent alternativ, rezistenţa din emitor care are rol de stabilizare termică,
are un rol negativ, şi anume micşorează amplificarea de tensiune a etajului.
Problema este rezolvată prin conectarea în paralel a condensatorului de decuplarea.
Denumirea de condensator de decuplare vine de la faptul că în curent alternativ
condensatorul are o impedanţă mică ceea ce conduce la o impedanţă în emitor de
asemenea mică. Variaţia mărimilor electrice (tensiuni şi curenţi) pentru schema din
Fig.3.12 se poate observa în Fig.3.13.
Fig.3.13.Variaţia tensiunilor şi curenţilor la bornele tranzistorului în conexiune EC.

Amplificatorul este limitat în funcţionare şi de valorile de intrare. Dacă nu
se respectă aceste limite semnalul de ieşire poate fi trunchiat, în partea superioară
de către intrarea în saturaţie a tranzistorului iar în partea inferioară de către intrarea
în zona de blocare a tranzistorului.
Observaţii:
 amplificarea în tensiune este mare (de ordinul zecilor sau sutelor);
 amplificarea în curent este mare (de ordinul zecilor sau sutelor);
 amplificarea în putere este foarte mare;
 defazează mărimea de intrare cu 180° deci poate fi folosit ca şi
inversor de fază;
 impedanţa de intrare are valoare medie, iar amplificatorul nu poate fi
utilizat ca şi amplificator ideal;
 impedanţa de ieşire are valoare medie (aproximativ egală cu RC).
În concluzie acest tip de amplificator se poate folosi ca şi amplificator de
audiofrecvenţă şi videofrecvenţă de puteri mici şi la aparate electrocasnice.
3.2.2. Amplificator cu TB în conexiune bază comună (BC)

În Fig.3.14 este prezentată schema unui etaj de amplificare cu tranzistor
bipolar, aflat în conexiunea BC.
RB2 RC
Res2 Res2
20k 1k
C1 C3
Uin VE Q1 VC
Cap Cap
1uF 1pF
2N3904
VB
20V 4V50Hz RE C2 RB1

VSRC VSIN Res2 Cap Res2
5K 1uF 20k
Fig.3.14. Schemă amplificator cu TB în conexiune BC.

RB1, RB2 – sunt rezistoarele care formează divizorul de tensiune pentru
polarizarea bazei cu rol în crearea potenţialului necesar pentru ca tranzistorul să
funcţioneze în regiunea activă normală;
RE – rezistenţa din emitor cu rol de stabilizare termică;
C1,C2 – condensatoare de cuplaj care separă în curent continuu etajul blocând
componenta continuă, dar lasă să treacă componenta alternativă;
CB – condensator de decuplare care are rol de punere a bazei la masă în curent
alternativ;
RC – rezistenţa de sarcină;
Amplificarea în tensiune a acestui amplificator se determină astfel:
AU  g m  RC (3.9)
unde gm reprezintă panta tranzistorului.
3. Tranzistorul 53
Variaţia mărimilor electrice (tensiuni şi curenţi) pentru schema din
Fig.3.15. Variaţia tensiunilor şi curenţilor la bornele tranzistorului în conexiune BC.

Observaţii:
 amplificarea în tensiune este mare;
 etajul nu defazează mărimea de ieşire faţă de cea de intrare;
 impedanţa de intrare are valoare mică (zeci de ohmi), iar din acest
motiv poate fi utilizat ca şi amplificator ideal de curent;
 impedanţa de ieşire are valoare medie (aproximativ egală cu RC).
În concluzie acest tip de amplificator se poate folosi ca şi amplificator de
frecvenţe ridicate cu sarcină acordată.
3.2.3. Amplificator cu TB în conexiune colector comun (CC)

În Fig.3.16 este prezentată schema unui etaj de amplificare cu tranzistor
bipolar, aflat în conexiunea CC.
RB1
C1 Res2
Vin 20k VB Q1
2N3904
Cap C2
1uF VE
20V 4V50Hz RB2 RE Cap

VSRC VSIN Res2 Res2 1pF
20k 1K
Fig.3.16. Schemă amplificator cu TB în conexiune CC.

RB1, RB2 – rezistoare care formează divizorul de tensiune pentru polarizare cu rol
în crearea potenţialului necesar pentru ca tranzistorul să funcţioneze în regiunea
activă normală;
RE – rezistenţa de sarcină;
C1,C2 – condensatoare de cuplaj care separă în curent continuu etajul, blocând
componenta continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă;
Amplificarea în tensiune a acestui amplificator este unitară, adică acest
amplificator nu amplifică în tensiune.
Variaţia mărimilor electrice (tensiuni şi curenţi) pentru schema din
Fig.3.17. Variaţia tensiunilor şi curenţilor la bornele tranzistorului în conexiune CC.

Observaţii:
 amplificarea în tensiune este unitară;
 amplificarea în curent este mare;
 etajul nu defazează mărimea de ieşire faţă de cea de intrare;
 impedanţa de intrare are valoare foarte mare mică (RE multiplicată cu
factorul de amplificare);
 impedanţa de ieşire are valoare (rezistenţa echivalentă din bază
împărţită la factorul de amplificare).
În concluzie acest tip de amplificator este folosit ca etaj tampon, adaptor de
impedanţă (repetor pe emitor).
3.2.4. Sursă de curent constant cu tranzistor bipolar

Scopul acestui circuit este să furnizeze curent constant altor etaje, fără a fi
afectat de semnalul care se propagă dinspre acele etaje. Întrucât sursa de curent trebuie
3. Tranzistorul 55
să aibă o impedanţă internă mare, cea mai bună soluţie este să se folosească colectorul
pentru ieşirea în curent. În Fig.3.18 se prezintă schema unui generator de curent cu
tranzistor bipolar, a cărui curbe de tensiune şi curent pot fi observate în Fig.3.19.
RB1 RC
Res2 Res2
20k 1k
VC
C1
VB Q1
2N3904
Cap
1uF VE
20V RB2 RE
VSRC Res2 Res2
20k 5K
Fig.3.18. Generator de curent cu tranzistor bipolar.
Fig.3.19. Variaţia tensiunilor şi curenţilor la bornele sursei de curent constant.

Pentru ca schema din Fig.3.18 să funcţioneze ca şi generator de curent trebuie
ca tranzistorul să funcţioneze în regiunea activă normală şi să respecte anumite
restricţii. Prima restricţie este legată de valoarea căderii de tensiune pe rezistenţa de
sarcină care trebuie să fie anumite limite definite de relaţia (3.10). A doua restricţie este
aceea că rezistenţa de sarcină trebuie să respecte condiţia din relaţia (3.11).
R1
0  U RS  E  (3.10)
R1  R2
E  R E  I C  U CEsat
RS  E  (3.11)
IC
unde:
ΔURS este căderea de tensiune pe rezistenţa de sarcină;
UCEsat este tensiunea aplicată între colector şi emitor când tranzistorul este în regim
de saturaţie.
3.3. Tranzistoare cu efect de câmp

Tranzistoarele cu efect de câmp (prescurtat TEC; în engleză Field Effect
Transistor, FET) sunt cele mai importante semiconductoare active. Această
denumire a apărut datorită faptului că au în componenţa lor un canal a cărui
conductivitate se poate modifica cu ajutorul unui câmp electric mai intens sau mai
slab în funcţie de potenţialul electrodului de comandă, numit Grilă.
Tehnologia acestor tranzistoare este simplă, dispozitivul ocupă puţin loc,
au o rezistenţă de intrare mult mai mare decât tensiunea bipolară (tipic de ordinul
MΩ), un zgomot mai redus comparativ cu tranzistoarele bipolare, iar dependenţa
de temperatură a parametrilor tranzistorului este mai slabă decât a tranzistorului
bipolar. Tranzistoarele cu efect de câmp utilizează un singur tip de purtători de
sarcină, care circulă printr-un canal semiconductor. Electrodul de comandă are
rolul de a modifica conductivitatea canalului, în acest fel modificându-se valoarea
curentului comandat. Funcţionarea lui se bazează pe modificarea conductibilităţii
unui canal realizat dintr-un material semiconductor prin aplicarea unui câmp
electric. Întrucât conducţia electrică este asigurată de un singur tip de purtători de
sarcină asemenea dispozitive se numesc şi tranzistoare unipolare.
Curentul se închide printr-o zonă semiconductoare (care reprezintă însăşi
canalul) între doi electrozi unul numit Sursă - pentru că furnizează purtătorii de
sarcină (goluri sau electroni) şi celălalt numit Drenă - care are rolul de a colecta
purtătorii. Curentul din canal este numit curentul de drenă. De notat că prin canal
circulă purtătorii majoritari (circulă şi cei minoritari dar contribuţia lor la curentul
din canal este mică).
După cum canalul este realizat în volum sau la suprafaţa substratului
semiconductor putem deosebii doua tipuri de tranzistoare cu efect de câmp:
 TEC-J tranzistor cu efect de câmp cu grilă joncţiune;
 TEC-MOS tranzistor cu efect de câmp cu grilă izolată. Materialul
folosit pentru izolaţie este bioxidul de siliciu (metal-oxid-
semiconductor).
Din punct de vedere funcţional TEC-MOS este asemănător cu TBJ,
diferenţele majore dintre aceste două tipuri fiind:
 TEC-MOS consumă un curent mult mai mic în partea de comandă
(curent la borna Grilă) în comparaţie cu TBJ (curent la borna Bază);
 TEC-MOS are nevoie de o tensiune mai mare (≈4V) pentru a intra în
conducţie, în comparaţie cu TBJ (≈0.7V).
3. Tranzistorul 57
3.4. Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţiune (TEC-J)

Tranzistorul cu efect de câmp cu poartă joncţiune este un dispozitiv
electronic cu patru electrozi (D-drenă, S-sursă, G-grilă sau poartă şi B-substrat).
La tranzistoarele cu efect de câmp cu poartă joncţiune (TEC-J), între grilă
şi canalul conductor există o joncţiune invers polarizată. Tensiunea aplicată între
grilă şi sursă controlează conducţia în canalul dintre drenă si sursa. Curentul de
grilă este mult mai mic decât curentul de bază de la tranzistoarele bipolare, având
valori de ordinul zecilor de nanoamperi.
După tipul constructiv, există două tipuri de tranzistoare TEC-J: cu canal
de tip n şi cu canal de tip p (Fig.3.20).
În Fig. 3.20 săgeata arată sensul curentului direct prin joncţiunile grilă-
canal şi bază-canal; în aplicaţii, joncţiunea porţii trebuie totdeauna polarizată
invers.
Fig.3.20. Structura şi simbolul TEC-J: a) canal de tip n; b) canal de tip p.

Structura unui TEC-J conţine două joncţiuni PN: joncţiunea grilă-canal şi
joncţiunea bază-canal. Regulile de trecere ale acestor joncţiuni delimitează partea
activă a componentei. Curentul de drenă al tranzistorului este controlat prin câmpul
electric aplicat regiunilor de trecere ale joncţiunilor, care modifică grosimea
efectivă a canalului.
3.4.1. Principiu de funcţionarea TEC-J

În Fig.3.21 se prezintă un TEC-J la care canalul este de tipul N, iar grila
este conectată la canal prin intermediul unui strat semiconductor de tipul P.
Tranzistorul este TEC-J cu canal n (sunt cele mai frecvent utilizate). Dacă se
polarizează joncţiunea invers, zona de golire se extinde mai mult în
semiconductorul mai slab dopat, se extinde deci în zona canalului, astfel
tranzistorul prezintă între grilă şi sursă o rezistenţă de intrare foarte mare. Astfel
curentul de grilă este curentul invers de saturaţie al joncţiunilor PN.
Fig.3.21. TEC-J cu canal n.

Zona P se numeşte substrat. Grila este legată la electrodul substratului B,
aşa încât secţiunea canalului să se modifice şi prin intermediul acestei joncţiuni
aflată în polarizare inversă.
3.4.2. Caracteristicile grafice ale TEC-J

Pentru determinarea principiului de funcţionare se porneşte de la Fig.3.22.
Deoarece joncţiunea grilă-canal este invers polarizată rezultă că acest
tranzistor nu are caracteristică de intrare. În consecinţă, se va urmări funcţionarea
studiind caracteristicile de ieşire ID=f(UDS)UGS=const şi respectiv caracteristica de
transfer a dispozitivului ID=f(UGS)UDS=const.
Fig.3.22. Funcţionare TEC-J cu canal n.

Caracteristica de ieşire.
Pentru evidenţierea funcţionării TEC-J se porneşte de la trasarea
caracteristicii de ieşire din Fig.3.23.
3. Tranzistorul 59
Fig.3.23. Caracteristica de ieşire pentru TEC-J.

În Fig.3.23 s-au făcut următoarele notaţii:
IDS - curentul de drena;
UGS - tensiunea grilă-sursă;
UDS - tensiunea drenă-sursă;
(UDS)sat - tensiunea drenă-sursă de saturaţie;
UP - tensiunea drenă-sursă de prag la care are loc strangularea canalului.
Se constată existenţa în planul caracteristicilor de ieşire a trei regiuni:
regiunea triodă caracterizată de relaţia (3.12), regiunea de strangulare caracterizată
de relaţia (3.13) şi regiunea pentodă caracterizată de relaţia (3.14).
U DS  U P  U GS  
I DS  K  2  U GS  U P   U DS  U DS
2
 (3.12)
2 2
 U   U 
U DS  U P  U GS  iD  K  U P2  1  GS   I DSS  1  GS  (3.13)
 U P0   UP 
unde:
IDSS – curentul de drenă între grilă şi sursă, pentru tranzistoare cu tensiune nulă.
2
 U 
U DS  U P  U GS  I DS  I DSS  1  GS  (3.14)
 UP 
La valori mici ale UDS, curentul de drenă este aproximativ proporţional cu
tensiunea drenă-sursă, tranzistorul comportând-se ca un rezistor (regiunea de
triodă). Valoarea rezistenţei ohmice echivalente depinde de tensiunea aplicată pe
grilă, prin urmare se poate spune că există o regiune de rezistenţă controlată de
tensiunea aplicată pe grilă.
U P2
RDS  (3.15)
2  I DSS  U GS  U P 
Valoarea minimă a acestei rezistenţe este obţinută când grila este legată la
sursă, UGS=0.
UP
RDS  (3.16)
2  I DSS
La valori mari ale UDS, curentul încetează practic să mai depindă de

tensiunea drenă-sursă, ieşirea comportându-se ca o sursă de curent controlată de
tensiunea de grilă. Analiza comportării tranzistorului în această zonă se face prin
ridicarea caracteristicii de transfer.
Caracteristica de transfer.
Această caracteristică prezintă utilitate practică numai pentru regiunea
pentodă, regiune în care funcţionează tranzistorul atunci când este utilizat ca
amplificator. Deoarece în regiunea pentodă IDS nu se modifică practic cu UDS, va
exista o singură caracteristică de transfer a tranzistorului. Această caracteristică
Fig.3.24. Caracteristica de ieşire Fig.3.25. Transconductanţă pentru

pentru TEC-J. TEC-J.
Canalul existent iniţial poate fi închis progresiv prin aplicarea unei tensiuni
grilă-sursă negative. Pentru tensiuni UDS suficient de mari, curentul depinde
parabolic de tensiunea grilă-sursă UGS.
La variaţii mici în jurul unui punct de funcţionare, acţiunea tranzistorului
poate fi descrisă prin transconductanţă (Fig.3.25).
Valoarea maximă a transconductanţei se obţine cu grila legată la sursă,
când UGS=0, iar aceasta este dată de relaţia
I DSS
g m max  2  (3.17)
UP
Comparaţia între cele două zone analizate arată un lucru extrem de

interesant: alegând o tensiune de grilă, rezistenţa din regiunea de rezistenţă
controlată este inversul transconductanţei din regiunea de saturaţie. Este util să se
cunoască o limită aproximativă între aceste două regiuni. Astfel, pentru o tensiune
poartă-sursă fixată, frontiera între regiunea de rezistor controlat şi aceea de sursă de
3. Tranzistorul 61
curent controlată este la o valoare a tensiunii drenă-sursă egală cu comanda grilei,
adică coincide cu curba de ştrangulare.
3.4.3. Efectul variaţiilor de temperatură asupra TEC-J

La fel ca în cazul oricărui dispozitiv semiconductor, caracteristicile statice
ale lui TEC-J depind şi ele de temperatură. Această dependenţă este însă mai slabă
comparativ cu tranzistoarele bipolare şi mai mult decât atât există un punct static
de funcţionare pentru care influenţa temperaturii este practic nulă (Fig.3.25).
Fig.3.25. Caracteristica de transfer pentru TEC-J ca funcţie de temperatură.
3.5. Aplicaţii ale TEC-J

3.5.1. Sursă de curent cu TEC-J
Cel mai simplu circuit cu TEC-J este cel din Fig.3.26, în care prin legarea
grilei la sursă se obţine o sursă de curent. Acest lucru este evident pe caracteristica
de ieşire trasată la VGS=0, adică cu grila şi sursa în scurtcircuit. Singurul lucru de
care trebuie să se ţină cont este ca să nu se scadă tensiunea drenă-sursă sub punctul
de intrare în zona liniară a tranzistorului, unde acesta se comportă ca o rezistenţă.
Pentru exemplificare, în Fig.3.6 s-a realizat trei scheme de sursă de curent, fiecare
alimentată de la aceiaşi sursă de tensiune de 12 Vcc. Diferenţa dintre cele trei
scheme este dată doar de valoarea rezistenţei de sarcină utilizată.
În Fig.3.27 se observă că toate cele trei scheme sunt parcurse de curenţi
care au aceiaşi valoare. Acest lucru demonstrează faptul că sursa de curent realizată
este una ideală şi nu depinde de consumator.
Uin
Uin (5Vpos )R11 R13

VSRC 1K 2K
1
Q1 Q2 Q3
2 JFET-N 2 JFET-N 2 JFET-N
3
3
GND GND GND
Fig.3.26. Sursă de curent cu TEC-J.

Circuitul precedent este simplu, dar prezintă două dezavantaje. În primul
rând, valoarea curentului sursei nu poate fi programată de către utilizator, aceasta
fiind egală cu IDSS (în cazul de faţă 0.4 mA). Există însă asemenea circuite, gata
selectate de producător după valorile lui IDSS şi vândute ca surse de curent. Totuşi,
în aplicaţii este nevoie uneori să se ajusteze fin valoarea sursei de curent. Un al
doilea dezavantaj al circuitului este dat de faptul că intensitatea curentului de drenă
nu este constantă, acesta crescând uşor odată cu creşterea tensiunii UDS: acest lucru
conduce la ideea că sursa de curent nu este una ideală.
Fig.3.27. Variaţia curenţilor unei surse de curent cu TEC-J, la diferite valori ale rezistenţei
consumatorului.
3. Tranzistorul 63
O rezolvare comună pentru aceste dezavantaje poate fi găsită dacă se ia în
considerare faptul că o problemă asemănătoare s-a întâlnit la tranzistoarele bipolare
când se menţinea UBE constant. Soluţia era să se intercaleze o rezistenţă în circuitul
emitorului şi aceasta este rezolvarea parţială şi a dezavantajelor amintite mai sus.
Se ajunge, astfel, la sursa de curent perfecţionată din Fig.3.28, în care s-a utilizat
rezistenţă în borna sursă de o valoare de 1kΩ, obţinându-se variaţiile curenţilor din
Fig.3.29.
Uin
Uin R11 R13

VSRC 1K 2K
1
1
Q1 Q2 Q3
2 JFET-N 2 JFET-N 2 JFET-N
3
3
R21 R22 R23
1k 1k 1k
GND GND GND
Fig.3.28. Sursă de curent îmbunătăţită cu TEC-J.
Fig.3.29. Variaţia curenţilor unei surse de curent îmbunătăţite cu TEC-J, la diferite valori
ale rezistenţei consumatorului.
Determinarea punctului de funcţionare se poate face prin rezolvarea
ecuaţiilor de funcţionare care sunt ecuaţii de gradul II. Dacă s-ar rezolva sistemul
de ecuaţii s-ar găsi două soluţii; cea cu valoare mai mare pentru ID corespunde
ramurii din dreapta a parabolei, care nu face parte din caracteristică, şi trebuie
ignorată. O altă variantă de determinarea a punctului de funcţionare este utilizarea
caracteristicilor grafice.
Dacă se modifică valoarea rezistenţei din drenă, se modifică şi panta
„dreptei de sarcină” şi se poate astfel ajusta valoarea sursei de curent între zero şi
IDSS. Introducerea rezistentei RS îmbunătăţeşte şi comportarea sursei de curent, iar
dacă se utilizează o rezistenţă semireglabilă (potenţiometru), valoarea curentului
sursei de curent poate fi reglată la orice valoare între 0 şi IDSS.
3.5.2. Repetor pe sursă

În aplicaţia anterioară, introducerea rezistentei RS a permis să se aducă
tranzistorul în punctul de funcţionare dorit fără să fie nevoie de utilizarea unei
surse negative pentru polarizarea porţii. Acelaşi circuit poate fi utilizat şi pentru a
îndeplini o cu totul altă funcţie (Fig.3.30).
VCC
Uds
VSRC
1
Q1
2 JFET-N
Ugs Uout
3
50Hz RS
VSIN 1k
GND GND GND
Fig.3.30. Repetor pe sursă cu TEC-J.

Dacă se conectează drena direct la alimentarea pozitivă, se desface grila de
la masă şi se leagă la o tensiune de intrare Uin variabilă, se obţine un repetor pe
sursă. Ca să se înţeleagă funcţionarea sa, se revine la metoda dreptei de sarcină.
Acum însă, expresia lui UGS are forma:
U GS  U in  I D  RS (3.17)
Dreapta de sarcină are în continuare panta -1/RS dar nu mai trece prin
origine ci intersectează axa orizontală la coordonata Uin.
Dacă tensiunea de intrare Uin suferă variaţii în jurul valorii zero, dreapta de
sarcină se deplasează paralel cu ea însăşi, fiind translatată pe orizontală cu ΔUin.
3. Tranzistorul 65
Dacă dreapta de sarcină are panta (în modul) mult mai mică decât caracteristica de
transfer variaţiile tensiunii grilă-sursă sunt mult mai mici decât acelea ale tensiunii
de intrare.
În aceste condiţii, variaţiile tensiunii de intrare se regăsesc (puţin atenuate)
ca variaţii ale potenţialului sursei, aşa cum se observă în Fig.3.31), unde s-a trasat
evoluţiile în timp ale celor două potenţiale; s-a obţinut un circuit repetor. Avantajul
lui esenţial este că intensitatea curentului absorbit de la sursă de semnal este extrem
de mică (zeci de nA la frecvenţă nulă şi este determinată de capacitatea de intrare
la frecvenţe mari).
Fig.3.31. Variaţia tensiunilor unui repetor pe tensiune cu TEC-J.

În concluzie se poate spune că amplificarea repetorului pe sursă este în
permanenţă subunitară, iar între potenţialul ieşirii şi cel al intrării există un decalaj.
Mult mai important este faptul că la ieşirea repetorului semnalul este în întregime
pozitiv. Datorită acestei proprietăţi repetorul realizat cu TEC-J poate fi folosit
pentru adaptarea semnalelor la intrarea unui convertor analog numeric.
3.5.3. Atenuator controlat

Varianta clasică de control a atenuării unui semnal este formată dintr-un
divizor de tensiune în care o rezistenţă fixă este înlocuită cu un potenţiometru.
Acest dispozitiv poate fi utilizat ca atenuator, pentru a aplica pe o rezistenţă de
sarcină un semnal de tensiune de amplitudine mai mică decât cel produs de
generator. O aplicaţie standard este potenţiometrul de volum utilizat pentru
reglarea intensităţii semnalului sonor la un amplificator audio. Dezavantajul
potenţiometrului este acela că atenuarea sa nu poate fi controlată decât mecanic, iar
dacă s-ar dori să se controleze electronic, ar trebui un motoraş care să rotească axul
potenţiometrului. Tranzistoarele cu efect de câmp, datorită regiunii lor de rezistenţa
controlată, permit realizarea unor atenuatoare controlate de o tensiune electrică.
Pentru obţinerea sa se va înlocui rezistenţa potenţiometrul mecanic al divizorului
cu un tranzistorul TEC-J la care se controlează tensiunea grilă-sursă (Fig.3.32).
Tensiunea urmărită are forma sinusoidală cu o frecvenţă de 50Hz şi o amplitudine
de 5V. Rezistenţa de sarcină utilizată este de 10kΩ.
1KHz
Uds
VSIN
R1
10k
GND Uout
R2
1
Vgs 100k Q1
Ugs R3 2 JFET-N
100k
VSRC
3
GND GND
Fig.3.32. Atenuator de tensiune cu TEC-J.

La valoarea nulă a tensiunii de control, tranzistorul prezintă o rezistenţă de
valoare minimă. În aceste condiţii, între amplitudinile semnalelor de intrare şi
ieşire avem relaţia:
uout RDS UP
  (3.18)
uin RDS  R1 U P  2  I DSS  R1
Pe de altă parte, când tensiunea de control, negativă, ajunge la -VP

tranzistorul este blocat şi pe sarcină ajunge întregul semnal de intrare. La frecvenţe
mari se produce, totuşi, o atenuare datorită capacităţii tranzistorului.
Pentru a apropia şi mai mult comportarea tranzistorului de aceea a unui
rezistor, în schema din Fig.3.32 s-au utilizat două rezistoare a căror scop este de a
aduce centrul curbei de tensiune în axa 0. Chiar şi cu acest truc, amplitudinea
semnalului nu poate fi mai mare de câteva zecimi de volt, altfel acesta va fi
distorsionat de dependenţa neliniară a caracteristicii de ieşire.
Dacă se analizează schema din Fig.3.32 se poate observa că prin
modificarea tensiunii aplicate pe grilă se poate produce diferite atenuări. Pentru
exemplificare, în Fig.3.33 se prezintă două grafice rezultate în urma simulării. În
primul grafic se poate observa că la o tensiune pe grilă de -2V se obţine o atenuare
a semnalului de la 5 Vca la aproximativ 1.5 Vca. În al doilea grafic din Fig.3.33 se
poate observa că la o tensiune pe grilă de -3V se obţine o atenuare a semnalului de
la 5 Vca la aproximativ 2.2 Vca. Rezultă că prin comandarea tensiunii pe grilă, se
va regla electronic atenuarea pe care o are divizorul de tensiune.
3. Tranzistorul 67
Fig.3.33. Variaţia tensiunilor unui atenuator de tensiune cu TEC-J.
3.6. Tranzistoare cu efect de câmp cu grilă izolată (TEC-

MOS)
Până în 1970, când a apărut tehnologia de realizare a tranzistoarelor MOS
de mare putere, tranzistoarele cu efect de câmp realizate abia puteau comanda
curenţi de câteva zeci de mA la tensiuni de zeci de volţi. Aceste noi tranzistoare
sunt capabile să opereze la tensiuni de ordinul a 1000 V şi să vehiculeze curenţi
medii de până la 70 A; pentru durate scurte, ele pot conduce curenţi de până la 280
A (curenţi de vârf). În plus, tranzistoarele MOS de putere sunt mult mai stabile
termic decât corespondentele lor bipolare, la acelaşi tip de capsulă putând opera la
puteri disipate mai mari.
Tranzistoarele TEC-MOS sunt dispozitive electronice cu trei terminale
active: poarta G (de la Gate - în limba engleză) , Drena D şi Sursa S. În plus, ele
mai au un terminal numit substrat Ss, care este legat la stratul pe care a fost realizat
tranzistorul, care trebuie menţinut la cel mai coborât (sau ridicat, după tipul
tranzistorului) potenţial din circuit.
Principala diferenţă între acest tip de tranzistor şi tranzistoarele cu grilă
joncţiune o constituie faptul că de această dată grila tranzistorului este izolată de
canal printr-un strat de oxid.
Stratul de oxid izolator fiind foarte subţire există pericolul străpungerii
acestuia prin descărcare electrostatică de către sarcina electrică acumulată în mod
nedorit (operator sau echipamentul care îl manipulează). Fabricantul prevede, de
regulă, circuite complexe pe fiecare terminal care limitează valoarea maximă a
tensiunii electrostatice pe terminalul respectiv. În cazul tranzistorului MOS
prezenţa circuitelor de protecţie micşorează rezistenţa de intrare. În unele situaţii
baza nu este conectată electric la sursa tranzistorului. Acest electrod trebuie astfel
polarizat încât întotdeauna joncţiunea canal-substrat să fie invers polarizată. În
consecinţă, în cazul tranzistoarelor cu canal N baza trebuie conectată la cel mai
scăzut potenţial din circuit respectiv, în cazul tranzistoarelor cu canal P, baza
trebuie conectată la cel mai ridicat potenţial.
La tranzistoarele TEC-MOS (Metal Oxid Semiconductor) poarta este
izolată prin intermediul unui strat de oxid de siliciu şi curentul de poartă este de
ordinul zecilor de picoamperi.
Ţinând cont de modul de funcţionare tranzistoarele TEC-MOS sunt de 2
feluri:
 cu canal iniţial, caz în care canalul superficial este întotdeauna prezent
fiind realizat prin mijloace tehnologice;
 cu canal indus, situaţie în care canalul apare în condiţiile în care
tranzistorul este polarizat corespunzător (sunt cele mai folosite tipuri
de tranzistoare).
După tipul joncţiunii pot fi:
o cu canal n (NMOS)
o cu canal p (PMOS),
Dintre acestea cea mai largă utilizare o au cele de tip N constatându-se că
realizează performanţe mult mai bune. Modul lor de comandă este asemănător cu
acela al tranzistoarelor bipolare NPN.
Simbolurile prin care se reprezintă aceste tranzistoare (cu canal iniţial şi cu
canal indus) sunt prezentate în Fig.3.34.
Fig.3.34. Simbolurile tranzistoarelor TEC-MOS. a) cu canal iniţial; b) cu canal indus.

3. Tranzistorul 69
3.6.1. Principiu de funcţionarea TEC-MOS
Funcţionarea tranzistorului TEC-MOS se bazează pe controlul conductanţei
electrice a canalului între drenă şi sursă, control efectuat prin tensiunea poartă-sursă.
În afara terminalelor "active" (poarta, sursa şi drena), tranzistoarele TEC-
MOS mai au un al patrulea terminal, legat la substratul pe care a fost construit.
Între canal şi substrat există o joncţiune semiconductoare, reprezentată pe
simboluri prin săgeata desenată pe terminalul substratului. Sensul săgeţii arată
sensul în care această joncţiune conduce; joncţiunea trebuie însă menţinută
întotdeauna invers polarizată, altfel ar compromite funcţionarea tranzistorului.
Pentru ca această joncţiune să fie blocată în orice moment, pentru un tranzistor cu
canal N substratul trebuie să fie legat la cel mai coborât potenţial din circuit. Se
precizează că cea mai utilizată conexiune este acea „cu Sursa comună”
asemănătoare conexiunii „emitor comun” specifică tranzistoarelor bipolare.
Principiu de funcţionare TEC-MOS cu canal iniţial

În cazul acestui tip de tranzistor canalul superficial între sursă şi drenă prin
care se realizează conducţia de curent între cei doi electrozi, este realizat
tehnologic (şi nu indus) (Fig.3.35).
Deoarece canalul este realizat din acelaşi tip se semiconductor ca şi sursa şi
drena, rezultă că pentru o tensiune uGS=0 tranzistorul este deschis. De aici apare şi
simbolizarea tranzistorului cu o linie continuă între drenă şi sursă.
Fig.3.35. Schemă de alimentare TEC-MOS cu canal iniţial.

Pentru uGS=0 canalul împreună cu substratul reprezintă o joncţiune p-n
polarizată invers. În consecinţă, apare o regiune de trecere care pătrunde mai adânc
în semiconductorul mai puţin dopat (p) lipsită de purtători mobili de sarcină şi care
izolează astfel canalul de substrat.
Ca şi în cazul TEC-J, şi acest tranzistorul nu prezintă caracteristica de
intrare. Pe măsură ce creşte (uDS) se extinde regiunea de sarcină spaţială dar fără
efect asupra conducţie canalului care, spre deosebire de TEC-J este un canal
superficial şi nu unul de volum. În schimb, apariţia câmpului electric E sărăceşte
canalul de purtători mobili de sarcină şi prin urmare scade conducţia în canal până
când aceasta se optimizează.
Spre deosebire de TEC-J cu canal n, uGS poate avea orice polaritatea. O
tensiune de grilă pozitivă va conduce la îmbogăţirea cu electroni a canalului şi deci
la o mai bună conductibilitate, în timp ce o tensiune negativă va sărăci canalul în
purtători mobili de sarcină.
TEC-MOS cu canal indus

La acest tip de tranzistor canalul este format prin apariţia stratului de
inversie la suprafaţa substratului (Fig.3.36).
La o tensiune uGS=0 tranzistorul este blocat, ceea ce înseamnă că indiferent
de valoarea tensiunii dintre drenă şi sursă curentul prin tranzistor va fi nul. Din
acest motiv la simbolizarea tranzistorului se utilizează linia întreruptă între drenă şi
sursă.
Fig.3.36. Schemă de alimentare TEC-MOS cu canal indus.

Canalul n se formează la suprafaţa substratului doar dacă se polarizează
tranzistorul între grilă şi sursă cu o tensiune uGS=UP, unde UP este tensiunea de
prag a tranzistorului. Curentul de drenă se modifică în funcţie de uDS similar cu
situaţia de la MOS cu canal iniţial. Canalul se strangulează pentru uGD=UP. Rezultă
că strangularea canalului apare pentru uDS= uGS-UP.
3.6.2. Caracteristicile grafice ale TEC-MOS

Caracteristicile de ieşire
Pentru evidenţierea funcţionării TEC-J se porneşte de la trasarea
caracteristicii de ieşire din Fig.3.37.
3. Tranzistorul 71
Fig.3.37. Caracteristica de ieşire TEC-MOS: a) cu canal iniţial; b) cu canal indus.

Caracteristicile de ieşire prezintă două zone de funcţionare:
 zonă liniară, în care pentru o tensiune UGS impusă, curentul de drenă ID
creşte la creşterea tensiunii aplicate canalului UDS;
 zonă de saturaţie, în care pentru o tensiune UGS impusă, curentul de
drenă ID nu se modifică cu tensiunea aplicată canalului UDS.
În zona de saturaţie curentul de drenă nu se schimbă prin modificarea UDS
ci numai prin modificarea potenţialului grilei UGS. Această dependenţă este
exprimată astfel:
I DSS   U GS  U P m m  1,2 (3.19)

unde:
IDSS – curentul de saturaţie;
Β – coeficient specific tranzistorului cu dimensiunea Ω-1;
VT – tensiunea de tăiere;
m=2 coeficient teoretic care are valoarea specificată.
În zona liniară a caracteristicilor statice curentul de drenă ID, pentru o
tensiune aplicată grilei (UGS = constant), se modifică liniar cu tensiunea UDS, ceea
ce înseamnă că dispozitivul între drenă şi sursă se comportă ca o rezistenţă.
Curentul de drenă respectă relaţia lege lui Ohm pentru rezistenţe.
U DS
ID   G  U DS (3.20)
Rcanal
unde G este conductanţa canalului (drenei).

Valoarea rezistenţei ohmice echivalente depinde de tensiunea aplicată pe
poartă; avem o regiune de rezistenţă controlată. Un rezistor adevărat este însă un
dispozitiv simetric: bornele sale pot fi inversate şi comportarea sa rămâne aceeaşi.
În consecinţă, pentru a putea înlocui un rezistor, tranzistorul ar trebui să-şi extindă
comportarea liniară a caracteristicii şi la tensiuni negative. Aşa se şi întâmplă
pentru tensiuni drenă-sursă mici în valoare absolută, după cum se poate constata pe
Fig.3.37.
În această regiune, tranzistorul este echivalent cu un rezistor a cărui
rezistenţă se calculează cu relaţia (3.21). Rezistenţa este controlată de tensiunea
aplicată pe poartă. Cum parametrul K nu este dat explicit în foile de catalog, este
mult mai util să se scrie relaţia (3.21) în forma particulară din relaţia (3.22) scrisă
ca funcţie de rezistenţa RDS0 obţinută la o valoare particulară UGS0 a tensiunii
poartă-sursă.
1
RDS  (3.21)
2  K  U GS  U P 
U GS 0  U P
RDS  RDS 0 (3.22)
U GS  U P
În a doua regiune, tranzistorul se comportă cu totul altfel: la valori UDS

mari, curentul încetează practic să mai depindă de tensiunea drenă-sursă, ieşirea
comportându-se ca o sursă de curent controlată de tensiunea de poartă. Se observă
aici saturaţia curentului de drenă în raport cu tensiunea drenă-sursă. În regiunea de
sursă de curent controlată, se poate ridica caracteristica de transfer şi se poate
defini transconductanţa. Cu tranzistorul în acest regim de funcţionare se pot realiza
amplificatoare (pentru că ID nu este saturat în raport cu mărimea de intrare UGS ci,
din contră, este controlat practic numai de aceasta). Este foarte important să se
cunoască limita aproximativă între cele două regiuni de funcţionare. Astfel, pentru
o tensiune poartă-sursă fixată, frontiera între regiunea de rezistor controlat şi aceea
de sursă de curent controlată este la o valoare a tensiunii drenă-sursă egală cu
comanda porţii UDSlimita=UGS-UP.
Caracteristicile de transfer
Această caracteristică prezintă utilitate practică numai pentru regiunea
pentodă, regiune în care funcţionează tranzistorul atunci când este utilizat ca
amplificator. Deoarece în regiunea pentodă ID nu se modifică practic cu UDS, va
exista o singură caracteristică de transfer a tranzistorului. Această caracteristică
3. Tranzistorul 73
Fig.3.38. Caracteristica de ieşire pentru TEC-MOS: a) TEC-MOS cu canal iniţial;

b) TEC-MOS cu canal indus .
Pentru tensiuni UDS suficient de mari, caracteristica de transfer arată ca în
Fig.3.38. Dacă UGS este mai mică decât UP, atunci nu există curent de drenă. La
aplicarea unei tensiuni UGS mai mari decât UP, apare o dependenţă între valoarea
curentului şi tensiunea pe grilă. Dacă tensiunea grilă-sursă UGS depăşeşte tensiunea
de prag UP, curentul depinde parabolic de UGS.
3.6.3. Efectul polarizării substratului

Până în prezent s-a considerat că sursa şi substratul se află la acelaşi
potenţial. Dacă potenţialul substratului este diferit de 0, atunci acest potenţial
trebuie să polarizeze invers joncţiunea sursă-substrat. Rezultă că potenţialul
substratului, în cazul nMOS, trebuie să fie mai mic decât cel al sursei iar în cazul
pMOS trebuie să fie mai mare decât potenţialul sursei. Dacă sursa nMOS este
conectată la masă atunci substratul trebuie să fie legat la un potenţial negativ sau
tensiunea sursă-substrat să fie totdeauna pozitivă, USB>0. La pMOS, asemănător,
trebuie USB<0. Efectul polarizării substratului cu USB>0 în cazul tranzistorului
nMOS cu canal indus constă în creşterea valorii tensiunii de prag (creştere spre
valori pozitive). Efectul polarizării substratului cu USB<0 în cazul tranzistorului
pMOS cu canal indus constă în creşterea, în modul, a valorii tensiunii de prag
(creştere spre valori negative).
3.6.4. Aplicaţii ale tranzistoarelor TEC-MOS

Tranzistoarele de tip TEC-MOS au aplicabilitate practică atât electronică
analogică cât şi în electronică digitală, în prezent fiind cele mai utilizate
tranzistoare. Din acest motiv toate schemele prezentate în acest capitol pot fi testate
cu ajutorul tranzistoarelor de tip TEC-MOS. O aplicaţie din electronica digitală o
reprezintă inversor de semnal realizat cu ajutorul unui singur TEC-MOS
(Fig.3.39.a), sau realizat cu două tranzistoare de tip TEC-MOS aşa cum se observă
în Fig.3.39.b.
Vds2
Vds R1 Uds2
Uds
Res2
VSRC 1000k
VSRC R1 Q2
1000k MOSFET-N
Uout Uout2
1KHz Uin2
Uin Q1 Uin2 Q3
MOSFET-N MOSFET-N
VPULSE VPULSE
GND GND
a) GND b) GND
Fig.3.39. Circuit logic inversor realizat cu tranzistoare de tip TEC-MOS: a) variantă cu un

tranzistor; b) variantă cu două tranzistoare.
Pentru simulare la borna Grilă se aplică o sursă dreptunghiulară cu
frecvenţa de 1 kHz. La ieşirea circuitului se obţine un semnal dreptunghiular cu
frecvenţa de 1 kHz. Aşa cum se poate observa în Fig.3.40, semnalul de ieşire este
în opoziţie de fază faţă de semnalul de intrare ceea ce confirmă comportarea
schemei ca şi circuit logic inversor. În Fig.3.40, Uin este semnalul de intrare la
ambele scheme, Uout este semnalul de ieşire la prima schemă şi Uout2 este semnalul
de ieşire la a doua schemă.
Fig.3.40. Tensiunile dintr-un circuit inversor cu TEC-MOS.

4. Capitolul 4
4. Dispozitive multijoncţiune
Dispozitivele multijoncţiune sunt dispozitive semiconductoare cu mai mult

de două joncţiuni. Tehnologia actuală permite realizarea unor dispozitive compuse
având mai multe joncţiuni. În cadrul capitolului vor fi prezentate dispozitivele
clasice care pot constitui structuri de sine stătătoare şi anume:
 dioda PNPN;
 diacul;
 tiristorul;
 triacul;
 tranzistorul unijoncţiune – realizat aşa cum spune numele şi realizat cu
structuri multijoncţiune
Aceste dispozitive multijoncţiune sunt folosite în circuite care funcţionează
în impuls, în circuite pentru conversia energiei electrice sau în circuite de
comutaţie.
4.1. Dioda PNPN

Dioda PNPN este o structura de siliciu cu patru zone alternativ dopate cu
impurităţi acceptoare şi donoare. În Fig.4.1 este prezentat schematic modelul
unidimensional al acestui dispozitiv cu trei joncţiuni (J1,J2,J3). Zonele extreme
mai puternic dopate se numesc anod (P1), respectiv catod (N2). Joncţiunile se află
la distante mici între ele. Dioda PNPN se mai numeşte şi dioda Shockley sau dioda
cu patru straturi. Simbolul grafic al acestui dispozitiv, precum şi sensurile pozitive
pentru curent şi tensiune sunt prezentate în Fig.4.1.
Fig.4.1. Structura şi simbolul diodei PNPN.

Ca şi în cazul diodei semiconductoare, dacă tensiunea dintre anod şi catod
este pozitivă atunci dioda este polarizată direct, iar dacă este negativă dioda este
polarizată invers.
La nivel mic al tensiunii la bornele diodei, oricare ar fi polaritatea acesteia,
dioda are cel puţin o joncţiune polarizată invers şi curentul este practic zero. Dioda
este blocată şi este echivalentă cu un contact deschis.
Dacă dioda este polarizată direct joncţiunea centrală este polarizată invers
iar, cele două joncţiuni laterale sunt polarizate direct. Joncţiunea centrală se
străpunge dacă tensiunea depăşeşte o valoare maximă directă şi dioda intră în
conducţie. Tensiunea la bornele diodei scade la o valoare mică, în jurul a 1,5V.
Tensiunea pe dioda în conducţie este neglijabilă în majoritatea situaţiilor şi dioda
este echivalentă cu un contact închis.
Dacă dioda este polarizată invers cele două joncţiuni laterale sunt
polarizate invers. În această situaţie dioda este blocată. Joncţiunile se vor străpunge
dacă tensiunea atinge o anumită valoare maximă inversă situaţia în care dioda se
distruge prin supraîncălzire. Din cele prezentate mai sus se poate obţine
caracteristica grafică a diodei PNPN prezentată în Fig.4.2.
Fig.4.2. Caracteristica grafică a diodei PNPN.

4. Dispozitive multijoncţiune 77
Dioda PNPN are trei zone de funcţionare:
1. Polarizata direct, blocată, zona în care tensiunea de alimentare a diodei este
pozitivă dar nu depăşeşte tensiunea directă maximă sau pragul de deschidere
(UDM). În această situaţie curentul este neglijabil.
2. Polarizată direct, în conducţie, zonă în care dioda ajunge dacă se depăşeşte
tensiunea directă maximă. Tensiunea pe diodă scade brusc la o valoare mică,
neglijabilă, iar curentul este mai mare decât un curent minim numit curent de
menţinere (iH). Dioda este echivalentă cu un contact închis şi valoarea curentului
depinde doar de circuitul în care este legată diodă.
3. Polarizată invers, blocată, zonă în care tensiunea pe diodă este negativă dar nu
depăşeşte tensiunea inversă maximă (UIM) şi curentul este neglijabil.
Trecerea în starea de conducţie se face prin depăşirea tensiunii directe
maxime. Trecerea inversă, din starea de conducţie în starea de blocare are loc
atunci când curentul prin diodă scade sub curentul de menţinere, iH. În practică,
pentru blocarea diodei se inversează tensiunea la borne.
4.2. Diacul
Diacul (DIode Alternating Current) este un dispozitiv multijoncţiune care
are proprietăţile diodei PNPN în ambele sensuri de conducţie. Acesta are cinci
straturi şi patru joncţiuni (Fig.4.3.a), poate fi considerat ca fiind realizat din două
structuri PNPN aşezate antiparalel în acelaşi monocristal de siliciu (Fig.4.3.b).
Diacul are conductibilitate bidirecţională, cei doi electrozi notându-se cu A1 şi A2.
Simbolul diacului este prezentat în Fig.4.3.
Fig.4.3. Diacul: a) structură; b) structură echivalentă; c) simbol.

La aplicarea unei tensiuni pozitive, structura PNPN din dreapta schemei
echivalente din Fig.4.4 este polarizată direct, iar amorsarea se face la tensiune de
amorsare naturală (UDM) şi are caracteristica din cadranul I.
Când polaritatea tensiunii se inversează, intră în conducţie structura PNPN
din stânga, la care amorsarea se face la tensiunea UIM. În general construcţia
diacului se face astfel încât tensiunile de amorsare să fie egale în modul de unde
rezultă o caracteristică simetrică.
Fig.4.4. Caracteristica grafică a diacului.

Datorită caracteristicii bidirecţionale, simetrice, diacul se foloseşte în
circuitele de curent alternativ, fiind un dispozitiv de putere mică, se utilizează în
circuitele de comandă ale tiristoarelor şi dispozitivelor triac.
4.3. Tiristorul
Tiristorul are aceeaşi structură ca dioda PNPN, la care se conectează în
plus un electrod conectat la al doilea stat de tip P, electrod denumit grilă sau poartă.
Simbolul şi structura tiristorului sunt prezentate în Fig.4.5.
Fig.4.5. Structura şi simbolul tiristorului.

Funcţionarea tiristorului
Dacă grila este nepolarizată (lăsată în gol) atunci tiristorul se comportă ca
şi o simplă diodă PNPN. Grila este un electrod de comandă iar comanda se face
prin polarizarea joncţiunii J3 dintre grilă şi catod. Grila are rol de comandă doar în
situaţia în care tiristorul este polarizat direct şi este blocat.
Dacă grila se polarizează cu o tensiune negativă, atunci joncţiunea grilă-
catod va fi polarizată invers şi nu va produce nici un efect asupra funcţionării
tiristorului. Prin urmare grila trebuie polarizată pozitiv.
Dacă grila sa polarizează pozitiv atunci joncţiunea grilă-catod va fi
polarizată direct şi astfel se va injecta un curent numit curent de grilă. Acest curent
va micşora tensiunea la care tiristorul intră în conducţie. Acest lucru se poate
observa pe graficul din Fig.4.6. După aprindere tiristorul se comportă exact ca o
diodă PNPN adică tensiunea va scădea în la o valoarea aproximativă de 1,5V, iar în
circuit se va obţine un curent în funcţie de sarcina la care este conectat.
Fig.4.6. Caracteristicile grafice ale tiristorului.

Aprinderea şi stingerea tiristorului
În funcţionare normală, tiristorul intră în conducţie (se aprinde) prin
comandă pe grilă. Pentru aceasta trebuie ca tiristorul să fie polarizat direct, şi
curentul de grilă sa fie mai mare decât o valoare minimă denumit şi curent de
aprindere sigură.
După aprindere, dacă curentul din circuit va fi mai mare decât curentul de
menţinere atunci tiristorul rămâne aprins şi în lipsa curentului de comandă. Din
acest motiv tensiunea de comandă grilă-catod este, în cazul obişnuit, sub forma de
impulsuri scurte, de ordinul microsecundelor.
Pentru ca tiristorul să poată funcţiona corect trebuie evitate unele situaţii în
care acesta se poate aprinde accidental.
 tensiunea anod-catod depăşeşte tensiunea maximă şi tiristorul se
aprinde la fel ca dioda PNPN. În general aceste situaţii se întâlnesc în
medii în care apar supratensiuni. Prevenirea se face prin utilizarea
schemelor de protecţie la supratensiuni;
 creşterea temperaturii poate duce la mărirea nivelului curenţilor
reziduali şi apoi la aprinderea accidentală a tiristorului;
 tensiunea anod-catod la bornele tiristorului creşte cu viteză prea mare
şi tiristorul se aprinde datorită variaţiei rapide a tensiunii şi nu datorită
stabilirii curentului de comandă.
Trecerea tiristorului din starea de conducţie în starea de blocare se mai
numeşte şi stingerea tiristorului. Stingerea se face ca şi la dioda PNPN în
momentul în care curentul anodic scade sub o valoare denumita curent de
menţinere, iH. Cea mai folosită metodă pentru scăderea curentului sub valoarea de
curentului de menţinere este inversarea polarităţii tensiunii anod-catod sau, cu alte
cuvinte, aplicarea la bornele tiristorului a unei tensiuni de polarizare inversă.
Din cele prezentate mai sus rezultă că electrodul de comandă (grila), nu are
nici un rol în stingerea tiristorului. Întreruperea curentului de grilă nu conduce la
stingerea tiristorului. Nici inversarea tensiunii de comandă şi a sensului curentului
de comanda nu provoacă stingerea tiristorului.
Simpla inversare a tensiunii la bornele tiristorului nu provoacă automat şi
stingerea acestuia. Pentru stingerea tiristorului tensiunea inversă trebuie menţinută
cel puţin un interval de timp care se numeşte timp de revenire.
Clasificare tiristoarelor.
După valorile parametrilor principali tiristoarele se clasifică în:
o tiristoare de mică putere, cu IM în plaja 1..10A şi UM de sute
de volţi;
o tiristoare de putere, cu IM în plaja zeci-sute amperi şi UM de
sute - mii de volţi;
o tiristoare de mare putere, IM mii-zeci de mii amperi si UM de
mii – zeci de mii de volţi.
După valoarea timpului de revenire:
o tiristoare lente sau de reţea, cu timp de revenire mai mare de
50 microsecunde, utilizate în aplicaţii la frecvenţa reţelei, 50
Hz sau puţin peste;
o tiristoare rapide, cu timp de revenire în plaja 5-50
microsecunde, utilizate în aplicaţii la frecvenţe de până la 50
KHz.
Tiristorul se utilizează în circuite de redresare, circuite pentru conversia
puterii, invertoare, circuite de control a puterii transmise sarcinii, circuite pentru
comanda acţionărilor electrice, circuite pentru îmbunătăţirea factorului de putere.
4.4. Triacul
Triacul este un dispozitiv cu cinci straturi, echivalent cu două tiristoare
aşezate antiparalel, având un singur electrod de comandă (TRIode Alternating
Current).
Structura de principiu a triacului este prezentată în Fig.4.7.a, iar schema
echivalentă se poate analiza în Fig.4.7.b. Simbolul triacului se poate vedea în
Fig.4.9.c.
Fig.4.9. Structura şi simbolul triacului.

Datorită conductibilităţii bidirecţionale, cei doi electrozi între care circulă
curentul principal se notează A1 şi A2. Comanda pe grilă se poate face cu semnale
de ambele polarităţi faţă de terminalul A1 pentru fiecare dintre cele două sensuri ale
curentului principal. În concluzie este foarte important de reţinut că într-un circuit
dacă grila triacului este polarizată de la terminalul vecin acesta nu va aprinde
niciodată. Prin urmarea triacul va fi polarizat tot timpul de la terminalul opus grilei
(în cazul reprezentării din Fig.4.9.a de la terminalul A1).
Funcţionarea triacului se poate identifica din caracteristica grafică din
Fig.4.8, şi poate fi descrisă astfel: dacă potenţialul terminalului A1 este pozitiv în
raport cu A2 şi dacă se aplică pe Grilă un impuls pozitiv în raport cu A2, atunci
intră în conducţie tiristorul din sus din Fig.4.7.b. Dacă potenţialul terminalului A2
este pozitiv în raport cu A1 şi se aplică pe poartă un impuls negativ în raport cu A2,
intră în conducţie tiristorul de jos din Fig.4.7.b.
Fig.4.8. Caracteristicile grafice ale triacului.

Raportul între puterea din circuitul principal şi puterea de comandă este în
favoarea utilizării tiristorilor, cu toate că circuitele de comandă sunt mai
complicate. Din acest motiv triacul este utilizat în circuite pentru comanda
maşinilor electrice, invertoare, circuite de control a puterii transmise sarcinii,
circuite pentru comanda iluminatului, toate de puteri mici sau medii.
4.5. Aplicaţii ale dispozitivelor multijoncţiune

4.5.1. Scheme simple cu tiristoare
Există mai multe aplicaţii care pot fi realizate cu ajutorul tiristoarelor. O
aplicaţie simplă este cea de pornire a unui motor electric conform schemei din
Fig.4.9.
În starea implicită a schemei prin circuitul motorului nu se stabileşte curent
deoarece tiristorul este blocat. În momentul apăsării butonului „S2_ND” care este
în stare normal deschis, acesta închide circuitul grilei tiristorului care ajunge la
potenţialul sursei de alimentare ceea ce conduce la aprinderea tiristorului. La
eliberarea butonului „S2_ND” circuitul continuă să funcţioneze deoarece tiristorul
rămâne în conducţie (curentul la care se stabilizează funcţionarea tiristorului este
egal cu curentul motorului care este mai mare decât curentul IH de menţinere a
tiristorului).
12Vpos B1 S1_NI Q1
1 2
SW-PB
M
VSRC Motor Thyristor
3
S2_ND
SW-PB
GND GND
Fig.4.10. Circuit pornire motor de curent continuu.

Când se doreşte oprirea motorului se apasă butonul „S1_NI” care este în
stare normal închis, operaţie care conduce la deschiderea circuitului motorului şi
automat anulării curentului anod-catod al tiristorului. După trecerea timpului de
revenire, tiristorul ajunge în stare blocat, iar prin eliberarea butonul „S1_NI”
circuitul este pregătit pentru o nouă pornire.
O altă aplicaţie care prezintă importanţă este aceea de control al puterii
aplicate unui circuit. Se consideră circuitul din Fig.4.10 pentru care în circuitul
consumatorului s-a înseriat un tiristor. Circuitul principal este alimentat de la o
sursă de tensiune alternativă cu frecvenţa de 50 Hz şi cu amplitudinea de 325 V
(aproximativ 230 V valoare efectivă – tensiunea reţelei electrice). Comanda
tiristorului se realizează de la o sursă de tensiune în impuls cu amplitudinea de 100
V şi frecvenţă de 50 Hz. Momentul de comandă a tranzistorului se realizează prin
intermediul momentului în care se generează impulsul.
Vin200V50Hz Q1 R1
Uin1 1 2 Uout1
Res2
VSIN Thyristor 1K
Vg1
3
Ug1
VPULSE
GND GND GND
Fig.4.10. Circuit de control al puterii furnizate consumatorului cu tiristor.

În Fig.4.11 se prezintă curbele de tensiune aferente circuitului din Fig.4.10.
Primul grafic conţine curba de tensiune a sursei de alimentare. Al doilea grafic
conţine două curbe şi anume: curba de tensiune care ajunge la bornele
consumatorului şi curba tensiunii de comandă. Din circuitul de comandă se observă
că se realizează aprinderea tiristorului la 3 ms de la trecerea prin 0 a curbei de
tensiune. În plus întreaga alternanţă negativă este tăiată la valoarea 0. Prin urmare,
într-o perioadă fundamentală de 20 ms, consumatorul este alimentat doar 7 ms.
Acelaşi lucru se prezintă şi în graficul al treilea din Fig.4.11, cu precizarea circuitul
intră în conducţie doar în alternanţa pozitivă, la 6 ms după trecerea prin 0. În aceste
condiţii consumatorul este alimentat doar 4 ms într-o perioadă ceea ce conduce la
concluzia că puterea primită de el este 20% din puterea furnizată de sursa de
tensiune.
Fig.4.11. Undele de tensiune din circuitul de control al puterii cu tiristor.

Această soluţie de control al puterii are un dezavantaj major: deoarece
alternanţa negativă este în permanenţă blocată, schema utilizează doar jumătate din
puterea sursei de alimentare. Acest lucru limitează capacitatea de control al puterii
consumatorului. Pentru remedierea acestei probleme se poate realiza o schemă cu
două tiristoare montate în antiparalele, fiecare dintre acestea fiind comandate
individual.
4.5.2. Scheme simple cu TRIAC

Aceiaşi problemă prezentată anterior poate fi rezolvată utilizând o schemă
cu un TRIAC, aşa cum se poate vedea în Fig.4.12. Pentru partea de comandă a
triacului din Fig.4.12 s-au utilizat două surse de impuls, ambele cu frecvenţa de 50
Hz. Prima sursă are o amplitudine a impulsului de 100V, iar a doua sursă utilizează
un impuls negativ de –100 V. Pentru ca cele două surse să nu se afecteze reciproc,
fiecare dintre ele are montat în circuit o diodă de protecţie la tensiune inversă.
Vin200V50Hz (Vin10V50Hz1) Q1 (Q4)
R1
Uin1 Uout1 GND
Res2
VSIN Triac 1K
Vg1 D1 (D2)
Ug1 Ug
VPULSE Diode 1N914

GND Vg2 D2 (D3) GND
Ug2
GND
VPULSE Diode 1N914
Fig.4.12. Circuit de control al puterii furnizate consumatorului cu TRIAC.

Aşa cum se poate observa din Fig.4.13 ambele alternanţe intră în conducţie
la 2 ms după trecerea prin 0. În aceste condiţii se poate spune că din totalul de 20
ms ale unei perioade a frecvenţei de 50 Hz, consumatorul este alimentat doar 16 ms
ceea ce înseamnă ca acesta primeşte 80 % din puterea sursei de alimentare.
Fig.4.13. Undele de tensiune din circuitul de control al puterii cu TRIAC – caz 1.

Bineînţeles că în situaţia în care triacul este comandat de două surse
distincte de impuls, controlul puterii este mult mai precis. Acest lucru se poate
observa şi din Fig.4.14 în care cele două alternanţe sunt comandate diferit.
Fig.4.14. Undele de tensiune din circuitul de control al puterii cu TRIAC – caz 2.

Aşa cum se observă din Fig.4.14, triacul intră în conducţie pe alternanţa
pozitivă la 4 ms de la trecerea prin 0. În acelaşi timp, intră în conducţie pe
alternanţa negativă la 6 ms de la trecerea prin 0. În aceste condiţii consumatorul
este alimentat la 50% din puterea furnizată de reţea, cu precizarea că 30% va fi
furnizată pe alternanţa pozitivă şi 20% pe alternanţa negativă.
5. Capitolul 5
5. Noţiuni generale
amplificatoare
Amplificatorul este un circuit (bloc funcţional) care realizează creşterea

puterii semnalului, păstrând informaţia din semnalul original. Creşterea puterii
semnalului se face pe seama energiei absorbite de la sursa de alimentare. În
general, la amplificarea unui semnal se doreşte ca acesta să nu se modifice ca şi
formă, de unde rezultă că amplificatorul trebuie să lucreze liniar. Există totuşi
situaţii în care amplificatorul lucrează liniar, dar forma semnalului este afectată de
distorsiunile de amplitudine sau de fază. Un caz de acest gen se întâlneşte în
domeniul circuitelor de impulsuri, unde forma semnalului poate fi uşor afectată,
fără a se pierde informaţia. Cea mai simplă relaţie care poate caracteriza un
amplificator este următoarea:
xt   A  y t  (5.1)
unde:
x(t) este vectorul mărimilor de intrare;
y(t) – vectorul mărimilor de ieşire;
A – amplificarea.
Amplificatorul este prezent în majoritatea circuitelor care realizează alte
funcţii de prelucrare a semnalului (oscilatoare, stabilizatoare, modulatoare,
demodulatoare, convertoare).
Clasificări ale amplificatoarelor:
 după transmiterea componentei continue:
o amplificatoare de c.c.;
o amplificatoare de c.a.;
 după gama de frecvenţe:
o amplificatoare de audiofrecvenţă – 20Hz-20kHz;
o amplificatoare de videofrecvenţă – 100kHz;
o amplificatoare de radiofrecvenţă – 700MHz;
oamplificatoare de microunde – 70GHz;
oamplificatoare selective (amplifică semnalele dintr-o bandă
îngustă);
 după puterea transmisă sarcinii:
o amplificatoare de mică putere;
o amplificatoare de putere mare.
5.1. Parametrii amplificatoarelor

5.1.1. Factori de amplificare
Pentru că un amplificator poate creşte amplitudinea tensiunii sau
curentului de la ieşire faţă de intrare se definesc diferiţi factori de amplificare, şi
anume:
 factorul de amplificare în tensiune;
U0
AU  (5.2)
Ui
 factorul de amplificare în curent;

I0
Ai  (5.3)
Ii
 factorul de amplificare în putere;

P0
AP  (5.4)
Pi
 factorul de transfer, numit transimpedanţă, cu dimensiunea Ω;

U0
AZ  (5.5)
Ii
 factorul de transfer numit transadmitanţă, cu dimensiunea Ω-1;

I0
AY  (5.6)
Ui
Factorii de amplificare sunt adimensionali şi se pot exprima şi în decibeli

(dB), conform relaţiilor (5.7).
P  U 
AP  10 lg 0 dB  şi AU  20 lg 0 dB  (5.7)
 Pi   Ui 
5. Noţiuni generale amplificatoare 89
Spre exemplu o amplificare în tensiune de 60dB înseamnă că raportul
dintre tensiunea de ieşire şi tensiunea de la intrare este de 103.
Amplificatoarele mai pot fi clasificate în funcţie de sarcină astfel:
 amplificatoare de tensiune, când sarcina are impedanţă mare şi
amplificatorul are Ai≤1;
 amplificatoare de curent, când sarcina are impedanţă mică şi
amplificatorul are Au≤1;
 amplificatoare în putere, când sarcina primeşte putere de la
amplificator şi amplificatorul are Ai≥1 şi Au≥1 .
5.1.2. Impedanţele de intrare şi ieşire ale amplificatoarelor

În general, amplificatorul este conectat între un generator de semnal şi o
sarcină. Transferul semnalului între generator şi amplificator, ca şi cel între
amplificator şi sarcină, se face cu un anumit consum de energie. Acest fenomen
este modelat prin impedanţele generatorului, amplificatorului şi sarcinii.
Un model din care să reiasă comportarea reală a amplificatorului este cel
prezentat în Fig.5.1.
Fig.5.1. Variante de amplificatoare operaţionale în funcţie de mărimea amplificată: a)

amplificator de tensiune; b) amplificator de curent; c) amplificator transimpedanţă; d)
amplificator transadmitanţă
În funcţie de natura mărimilor considerate ca intrare şi ieşire, există patru
variante de reprezentare. Ele corespund unui amplificator de tensiune, amplificator
de curent, amplificator transimpedanţă şi amplificator transadmitanţă.
Dacă se ia in considerare amplificatorul de tensiune se poate determina
relaţia dintre tensiunea de intrare şi tensiunea de ieşire astfel:
RC Z in RC
U S  au  U i   au  E g   (5.8)
Z out  RC Z in  Rg Z out  RC
De menţionat că, în model, valoarea amplificării este calculată considerând
amplificatorul fără sarcină. Aceasta înseamnă:
 pentru semnal de ieşire în tensiune, se consideră rezistenţa de sarcină foarte
mare;
 pentru semnal de ieşire în curent, se consideră rezistenţa de sarcină foarte mică.
5.2. Caracteristicile unui amplificator ideal

Dacă se analizează modul de realizare a unor circuite realizate cu
amplificatoare, folosite pentru măsurare sau pentru reglare automată se constată că
cel mai important lucru este ca valoarea cu care se amplifică semnalul trebuie să fie
fixă şi foarte bine cunoscută. În astfel de cazuri, o valoare incertă a amplificării nu
este acceptabilă. Pe de altă parte, se ştie că este foarte dificil să se determine
valoarea impedanţelor sursei de semnal şi a sarcinii. Din acest motiv trebuie folosit
un amplificator care să nu îşi modifice parametrii în urma variaţiilor apărute la
impedanţa sursei de semnal şi la impedanţa sarcinii.
Din cele precizate mai sus se poate spune că un amplificator ideal este un
amplificator al cărui amplificare nu depinde de impedanţa sursei de semnal şi nici
de impedanţa sarcinii conectate la ieşire.
În urma analizei Fig.5.1.a) şi a relaţiei (5.8) se poate observa că acel
amplificator devine ideal dacă se respectă următoarele inegalităţi:
Z in  Rg şi Z out  RC (5.9)
Dacă în relaţia (5.8) dintre intrare şi ieşire se consideră neglijabile valorile

lui Rg şi Zout rezultă următoarea relaţie:
RC Z in
U out  au  U in   au  U in  au  E g   au  E g (5.10)
0  RC Z in  0
Se poate spune că dacă Zin>>Rg intrarea este ideală în tensiune şi dacă

Zout<<RC ieşirea este ideală în tensiune.
Dacă se consideră Fig.5.1.b) se poate observa că amplificatorul devine
ideal dacă se respectă următoarele inegalităţi:
Z in  Rg şi Z out  RC (5.11)
Se poate spune că dacă Zin<<Rg intrarea este ideală în curent şi dacă

Zout>>RC ieşirea este ideală în curent.
Pornind de la aceste două exemple şi luând în considerare Fig.5.1 se poate
spune că există patru tipuri de amplificatoare ideale:
o amplificatoare ideale de tensiune: Zin>>Rg şi Zout<<RC;
o amplificatoare ideale de curent: Zin<<Rg şi Zout>>RC;
o amplificatoare transadmitanţă: Zin>>Rg şi Zout>>RC;
o amplificatoare transimpedanţă: Zin<<Rg şi Zout<<RC.
5.3. Limitări apărute la amplificator

5.3.1. Puterea maximă a amplificatorului
Limitarea în putere a amplificatorului apare datorită limitării în tensiune şi
în curent. Limitarea tensiunii este în general dată de limitarea tensiunii furnizate de
sursa de alimentare. Limitarea curentului apare în general datorită modului de
polarizare a circuitelor din amplificator. O limitare a tensiunii şi a curentului pot
apărea şi datorită dispozitivelor electronice utilizate în realizarea amplificatorului.
Spre exemplu dacă se consideră un tranzistor bipolar, limitele în tensiune
sunt date la un capăt de intrarea în zona de blocare şi la celălalt capăt de intrarea în
zona de saturaţie.
În cele din urmă limitarea puterii este dată de tipul sarcinii pe care o
alimentează. În general producătorul indică valoarea maximă a rezistenţei de
sarcină şi a puterii maxime pe sarcina respectivă.
5.3.2. Distorsiunile şi zgomotul amplificatorului

Mai sus s-a precizat că principala caracteristică a unui amplificator este
liniaritatea. În realitate liniaritatea unui amplificator depinde şi de sursa de
alimentare şi de tipul sarcinii alimentate.
Cel mai des neliniaritatea amplificatorului apare datorită mărimii
semnalului de intrare. Astfel dacă semnalul are o valoarea prea mare poate duce la
limitarea în funcţionare a unor dispozitive electronice.
O altă situaţie de neliniaritate se obţine dacă puterea cerută de sarcină este
prea mare, ceea ce poate conduce la modificarea proprietăţilor dispozitivelor
electronice care formează amplificatorul.
Tot o neliniaritate a circuitului se obţine dacă amplificatorul funcţionează la
o frecvenţă neadecvată pentru dispozitivele electronice pe care le are în componenţă.
Pentru exemplificare se observă semnalul de ieşire pentru un amplificator
cu tranzistor bipolar în conexiune emitor comun, la care semnalul de intrare nu
respectă valorile proiectate (Fig.5.2). Din Fig.5.2 se poate observa că dacă
semnalul este prea mare tranzistorul intră în zona de saturaţie, iar semnalul este
trunchiat superior (a); dacă semnalul este prea mic, tranzistorul intră în zona de
blocare şi semnalul este trunchiat inferior. Pentru toate cazurile din Fig.5.2
semnalul de intrare se consideră sinusoidal.
Fig.5.2. Limitarea tensiunii de ieşire din cauza: a) saturaţiei; b) blocării; c) saturaţiei şi

blocării.
Toate analizele efectuate până acum au pornit de la premiza că sistemul
este cunoscut, din punct de vedere al semnalului de intrare dar şi din punct de
vedere a componenţei amplificatorului. Prin urmare se putea calcula cu exactitate
semnalul de ieşire. În realitate atât semnalul de intrare cât şi comportarea
amplificatorului pot fi influenţate de diferiţi factori interni sau externi. Factorii
principali care pot influenţa semnalul de ieşire sunt: calitatea semnalului de intrare,
modificarea temperaturii (a se vedea influenţa temperaturii asupra tranzistoarelor),
surse de câmp electromagnetic apropiate etc. Toate acestea introduc anumite
perturbaţii care poartă denumirea generică de zgomote, şi care influenţează
valoarea şi forma semnalului de ieşire.
5.3.3. Răspunsul în frecvenţă

Una dintre caracteristicile sursei de semnal aplicate la intrarea unui
amplificator este frecvenţa. Pentru a cunoaşte funcţionarea amplificatorului este
necesar şi cunoaşterea efectului pe care îl are frecvenţa asupra amplificatorului.
Acest efect se poate observa cel mai bine din caracteristica de frecvenţă a
amplificatorului Fig.5.3.
Fig.5.3. Caracteristica de frecvenţă a amplificatorului.

Dacă frecvenţa semnalului aplicat la intrarea amplificatorului este în mică,
cuprinsă în intervalul (0,fmin) factorul de amplificare în tensiune este zero. Dacă
frecvenţa semnalului respectiv este mai mare decât fmin, atunci valoarea amplificării
înceapă să crească dependent de frecvenţă. Această creştere a factorului de
amplificare are loc atât timp cât frecvenţa semnalului aplicat la intrarea
amplificatorului este mai mare decât fmin şi mai mică decât frecvenţa fJ. Se spune că
amplificatorul funcţionează la frecvenţă joasă.
Dacă frecvenţa semnalului aplicat la intrarea amplificatorului este mai
mare decât fJ se constată că factorul de amplificare în tensiune rămâne la o valoare
constantă. Factorul de amplificare în tensiune rămâne la această valoarea atâta timp
cât frecvenţa este cuprinsă în intervalul [fJ,fS]. Această valoarea a amplificării se
numeşte Amplificare în bandă şi se notează cu A0. În aceste condiţii se spune că
amplificatorul funcţionează la frecvenţe medii sau funcţionează în bandă.
Dacă frecvenţa semnalului aplicat la intrarea amplificatorului este mai
mare de fS se constată că factorul de amplificare în tensiune scade La frecvenţa fmax
factorul de amplificarea ajunge la valoarea 0. Se spune că amplificatorul
funcţionează la frecvenţă înaltă.
Valoarea frecvenţei în punct fJ se mai numeşte şi frecvenţă inferioară, iar
valoarea frecvenţei în punctul fS se mai numeşte şi frecvenţă superioară.
Diferenţa dintre cele două frecvenţe se numeşte Bandă de frecvenţă şi se
notează B.
5.4. Circuite de reacţie utilizate la amplificatoare

Reacţia este o tehnică aplicată în electronică, prin care se poate exercita un
control al intrării funcţie de cerinţa ieşirii. Reacţia poate fi negativă sau pozitivă,
ele având efecte contrare şi din acest motiv sunt folosite în categorii diferite de
aplicaţii. În Fig.5.4. se prezintă un circuit cu reacţie.
Fig.5.4. Circuit cu reacţie negativă.

Mărimile care intervin în această figură sunt:
Ureal – mărimea sursei de intrare;
Uin – mărimea de intrare în amplificator;
Uout – mărimea de ieşire a amplificatorului;
Uf – mărimea reacţiei negative;
a – amplificarea de bază a amplificatorului;
f – factorul de reacţie.
Din Fig.5.4 se pot deduce următoarele relaţii:
U out Uf
a şi f  şi U in  U real  U f (5.12)
U in U out
De unde rezultă că:
U out  a  (U real  f  U out )
U out a (5.13)
A 
U real 1  a  f
unde:
A – este amplificarea reală a sistemului.
Prin definiţie:
o dacă af>0, atunci reacţia este negativă;
o dacă af<0, atunci reacţie este pozitivă.
Din relaţia de mai sus se observă pentru reacţie negativă că amplificarea
reală a amplificatorului scade faţă de cea de bază în funcţie de factorul de reacţie.
În cazul extrem când af>>1 factorul de amplificare devine A=1/f.
Topologia circuitelor cu reacţie
Pentru a determina ce topologii de reacţii se pot folosi trebuie analizat cum
se conectează reacţia la intrarea amplificatorului, respectiv la ieşirea acestuia.
Efectul reacţiei la intrare este de comparare a semnalului de intrare cu
semnalul de reacţie după cum urmează:
o compararea curenţilor – conectare în paralel (Fig.5.5.a)
o compararea tensiunilor – conectare în serie (Fig.5.5.b)
Fig.5.5. Conectarea reacţiei negative la amplificator: a) conectare paralel la intrare; b)

conectare serie la intrare; c) conectare serie la ieşire; d)conectare paralel la ieşire
La ieşire circuitul de reacţie face o eşantionare a semnalului de ieşire după
cum urmează:
o eşantionarea curenţilor – conectare în serie (Fig.5.5.c);
o eşantionarea tensiunilor – conectare în paralel (Fig.5.5.d).
Rezultă patru topologii posibile:
o reacţie de curent cu eşantionare paralel;
o reacţie de curent cu eşantionare serie;
o reacţie de tensiune cu eşantionare paralel;
o reacţie de tensiune cu eşantionare serie.
5.5. Amplificatoare operaţionale (AO)

5.5.1. Caracteristici generale are AO
Amplificatoarele operaţionale reprezintă familia cea mai cunoscută dintre
circuitele integrate analogice. Ele sunt amplificatoare electronice integrate, care au
câteva caracteristici importante cum ar fi:
 se comportă ca amplificatoare ideale de tensiune având amplificarea în
tensiune foarte mare;
 impedanţă de intrare foarte mare şi impedanţă de ieşire foarte mică;
 amplificare diferenţială foarte mare.
Simbolul AO este prezentat în Fig.5.6.
Fig.5.6. Simboluri amplificator operaţional.

Semnificaţia notaţiilor din Fig.5.6 este următoarea:
Uin+ – semnal de intrare neinversoare; semnalul de ieşire este în fază cu semnalul
aplicat pe această intrare;
Uin- – semnal de intrare inversoare; semnalul de ieşire este defazat cu 1800 faţă de
semnalul aplicat pe această intrare;
Uout – semnal de ieşire;
+E – sursă pozitivă de alimentare;
-E – sursa negativă de alimentare.
5.5.2. Caracteristicile grafice ale AO

Ca la orice circuit sau dispozitiv electronic analizat până în acest moment,
şi pentru AO trebuie cunoscute caracteristicile grafice care îi caracterizează
funcţionare. Astfel:
 caracteristica de intrare care reprezintă dependenţa curentului de
intrare ca funcţie de tensiunea de intrare; această caracteristică nu
prezintă importanţă deoarece curenţii de intrare sunt aproape zero
(datorită impedanţei mari de intrare);
 caracteristica de ieşire care reprezintă dependenţa curentului de ieşire
ca şi funcţie de tensiunea de ieşire în condiţiile date de semnalul de
intrare; nici această caracteristică nu prezintă importanţă deoarece
impedanţa de ieşire are valoare foarte mică, iar caracteristica depinde
exclusiv de sarcină;
 caracteristica de transfer care reprezintă caracteristica grafică între
mărimile de intrare şi cele de ieşire. În general – mărimea de intrare
este tensiunea diferenţiala de intrare Ud=Uin+ – Uin-, iar mărimea de
ieşire este tensiunea de ieşire care în cazul unui AO ideal este U0=A*Ud
, unde A este amplificarea AO.
În Fig.5.7 se prezintă caracteristica de transfer a AO. Pe această
caracteristică se poate observa că există trei zone de funcţionare a amplificatorului:
regiunea de saturaţie negativă, regiunea liniară şi regiunea de saturaţie pozitivă.
Fig.5.7. Caracteristica de transfer a AO.

Regiunea de saturaţie negativă reprezintă zona pentru care AO are la ieşire
tensiunea U0min adică tensiunea maximă de valoarea negativă pe care o poate avea
la ieşire indiferent de valoarea tensiunii de intrare. Această zonă poate fi
caracterizată de relaţia (5.14).
U 0 min
Ud  (5.14)
A
unde A este amplificarea AO
În această zona tensiunea de ieşire nu depinde de tensiunea de intrare, iar
tensiunea de ieşire este aproximativ egală cu tensiunea negativă de alimentare EE.
Regiunea liniară reprezintă zona în care AO funcţionează ca amplificator
după relaţia:
U 0  A U d (5.15)
Amplificarea poate fi de finită ca fiind egală cu: A=tg(α). Doar în această
regiune AO funcţionează ca şi amplificator.
Regiunea de saturaţie pozitivă reprezintă zona pentru care AO are la ieşire
tensiunea U0max adică tensiunea maximă de valoarea pozitivă. Această zonă poate fi
caracterizată de relaţia:
U 0 max
Ud  (5.16)
A
Pentru această regiune tensiunea de ieşire nu depinde de tensiunea de
intrare, iar tensiunea de ieşire este aproximativ egală cu tensiunea pozitivă de
alimentare EC.
5.5.3. Scheme tipice cu AO

a) Conexiunea inversoare
Pentru a obţine o conexiune inversoare, se conectează borna de intrare
neinversoare la masă, iar borna de intrare inversoare la o sursă de tensiune. Schema
trebuie să dispună şi de reacţie negativă. Schema este prezentată în Fig.5.8.
R2
5K
VCC
8 AR1
7
Uin R1 2 Op Amp
1K 6 Uout RC
3 10k
50Hz (1KHz) 1
VSIN 5
GND
4
VCC-
Fig.5.8. Conexiunea inversoare a AO.

În această schemă apar rezistenţele R1 care are rol de limitare a semnalului
de intrare şi R2 care are rol de reacţie negativă.
Dacă se aplică teoremele de calcul electric pe acest circuit va rezulta
relaţia:
R2
U out    U in (5.17)
R1
de unde se constată că:
U out R
A  2 (5.18)
U in R1
Semnul minus din relaţia amplificării indică că tensiunea de ieşire este
defazată cu 180° faţă de tensiunea de intrare ceea ce justifică denumirea de
amplificare inversoare.
Dacă se aplică relaţia (5.18) parametrilor din Fig.5.8, rezultă o amplificare
de valoare 5, iar dacă la intrarea amplificatorului se utilizează un semnal sinusoidal
de 50 Hz cu amplitudinea de 1 V, va rezulta un semnal inversat de 50 Hz cu
amplitudinea de 5 V (aşa cum se poate observa în Fig.5.9).
Fig.5.9. Variaţia tensiunilor unui AO în conexiune inversoare.
b). Conexiunea neinversoare

Pentru a obţine o conexiune neinversoare, se conectează borna de intrare
neinversoare la sursa de tensiune, iar borna de intrare inversoare la masă printr-o
rezistenţă. Schema trebuie să dispună şi de reacţie negativă. Schema este prezentată
în Fig.5.10.
În această schemă atât rezistenţa R1 cât şi rezistenţa R2 au rol de reacţie.
Dacă se aplică teoremele de calcul electric pe acest circuit va rezulta relaţia:
 R 
U out  1  2   U in (5.19)
 R1 
de unde se constată că:

U out R
A  1 2 (5.20)
U in R1
R2
4K
VCC
8 AR1
7
R1 2 Op Amp
1K 6 Uout RC
Uin 3 10k
1
50Hz 5
VSIN GND
4
VCC-
Fig.5.10. Conexiunea neinversoare a AO.

Se poate observa că de această dată semnalul de ieşire este în fază cu
semnalul de intrare, de unde rezultă că amplificarea este neinversoare.
de 50 Hz cu amplitudinea de 1 V conectat la intrarea neinversoare, va rezulta un
semnal de 50 Hz cu amplitudinea de 5 V (aşa cum se poate observa în Fig.5.11).
Fig.5.11. Variaţia tensiunilor unui AO în conexiune neinversoare.

Trebuie remarcat că pentru obţinerea unui factor de amplificare de ordinul
5, la conexiunea inversoare s-a utilizat o rezistenţă de reacţie cu valoarea R2=5 kΩ,
în timp ce la conexiunea inversoare se foloseşte o rezistenţă de reacţie cu valoarea
R2=4 kΩ.
c) Conexiunea diferenţială
Pentru a obţine o conexiune diferenţială avem nevoie de două surse de
semnal, una care se conectează la borna de intrare neinversoare, iar cealaltă care se
conectează la borna de intrare inversoare. Schema este prezentată în Fig.5.12. În
această schemă atât rezistenţa R1 cât şi rezistenţa R2 au rol de reacţie, iar R3 şi R4,
au rol de divizor pentru intrarea neinversoare cu rol de polarizare.
R2
2K
VCC
8 AR1
7
Uin1 R1 2 Op Amp
1K 6 Uout RC
R3 Uin2 3 10k
1K 1
50Hz 1Vpos R4 5
VSIN VSRC 2K GND
4
VCC-
Fig.5.12. Conexiunea diferenţială a AO.

relaţia:
 R  R4 R
U out  1  2    U in 2  2  U in1 (5.21)
 R1  R3  R4 R1
Dacă realizarea circuitului se face astfel încât:

R2 R4
 (5.22)
R1 R3
Rezultă:
R2
U out   U in 2  U in1  (5.23)
R1
Din relaţia (5.23) se poate observa că amplificatorul amplifică tensiunea

obţinută ca şi diferenţă dintre tensiunile de intrare de unde vine şi denumirea de
AO diferenţial.
de 50 Hz cu amplitudinea de 1 V conectat la intrarea inversoare şi un semnal de 1
Vcc la intrarea neinversoare, va rezulta un semnal de 50 Hz cu amplitudinea de 2
V. Aşa cum se poate observa în Fig.5.13, semnalul sinusoidal variază între 0 V şi 4
V. Acest lucru se datorează faptului că în primă fază cele două semnale se adună,
iar semnalul rezultat este amplificat prin înmulţire cu 2.
Fig.5.13. Variaţia tensiunilor unui AO în conexiune diferenţială.

d) Circuit sumator
Circuitul sumator este un circuit care are la ieşire suma semnalelor de
intrare. Pentru aceasta se porneşte de la o conexiune inversoare, doar că la borna
inversoare se conectează toate sursele de semnal. În Fig.5.14 se conectează trei
surse de semnal.
În astfel de scheme, rezistenţele R11 … R1n (R11, R12, R13 pentru cazul
concret din Fig.5.14) au rol de limitare a curenţilor furnizaţi de sursele de semnal,
iar rezistenţa R2 are rol de reacţie.
Uin1 R11
1K R2
1k
Uin2 R12
VCC
1K
8 AR1
7
Uin3 R13 2 Op Amp
1K 6 Uout RC
3 10k
1
50sin1V (U1)
1DC (1Vpos ) 200sin1V (U3)
5
VSIN VSRC VSIN GND
4
VCC-
Fig.5.14. Conexiunea sumatoare a AO.

Dacă se aplică teoremele de calcul electric pe acest circuit va rezulta relaţia:
n
U in _ j
U out   R2  
j 1
R1 j
(5.24)
Dacă realizarea circuitului se face astfel încât toate rezistenţele de limitare

a semnalului să fie egale:
R11  R12  ...  R1n  R1 (5.25)
Rezultă:
n
R2
U out  
R1
 U
j 1
in _ j (5.26)
Din relaţia de mai sus se poate observa că amplificatorul amplifică suma

tensiunilor de intrare. Semnul minus semnifică faptul că tensiunea de ieşire este
defazată cu 180° faţă de tensiunea rezultată ca sumă a tensiunilor de intrare.
de valoare 1. În partea de semnal s-au utilizat trei surse, după cum urmează: o sursă
sinusoidală de 50 Hz cu amplitudinea de 1 V, o sursă de curent continuu de 1 V şi
o sursă de 200 Hz cu amplitudinea de 1 V. Atât aceste semnale cât şi semnalul
rezultat se poate observa în Fig.5.15.
Fig.5.15. Variaţia tensiunilor unui AO în conexiune sumatoare.
e) Circuit de integrare
Circuitul de integrare are scoate la ieşire valoarea integrată a semnalului de
intrare. Pentru aceasta se porneşte de la o conexiune inversoare, în care rezistenţa
de reacţie este înlocuită cu un condensator (Fig.5.12).
C2
10uF
VCC
8 AR1
7
Uin R1 2 Op Amp
10 6 Uout RC
3 10k
50Hz 1
VSIN 5
GND
4
VCC-
Fig.5.16. Circuit de integrare cu AO.

În această schemă rezistenţa R1 are rol de limitare a curentului de la sursa
de semnal, iar condensatorul C2 are rol de reacţie.
relaţia:
t
1
U out    U in t dt
 (5.27)
R1C2
0
În relaţia de mai sus, se poate face notaţia τ=RC, termenul astfel obţinut se
numeşte constantă de timp.
Utilizând parametrii din Fig.5.16, şi aplicând o tensiune sinusoidală cu
frecvenţa de 50 Hz şi amplitudine de 1V se obţine curba din Fig.5.17.
Fig.5.17. Variaţia tensiunilor unui AO în conexiune integratoare.

f) Circuit de derivare
Circuitul de derivare este un circuit care are la ieşire valoarea derivată a
semnalului de intrare. Pentru aceasta se porneşte de la o conexiune inversoare, doar
că se va monta condensatorul pe canalul de intrare inversor (Fig.5.18). În această
schemă, rezistenţa R2 şi condensatorul C1 au rol de reacţie. Ele formează constanta
de timp a circuitului.
R2
1K
VCC
C1 8 AR1
7
Uin 2 Op Amp
6 Uout RC
100uF 3 10k
50Hz 1
VSIN 5
GND
4
VCC-
Fig.5.18. Circuit de derivare cu AO.

relaţia:
dU in t 
U out   R2C1  (5.28)
dt
Utilizând parametrii din Fig.5.18, şi aplicând o tensiune sinusoidală cu
frecvenţa de 50 Hz şi amplitudine de 1 V se obţine curba din Fig.5.19.
Fig.5.19. Variaţia tensiunilor unui AO în conexiune derivativă.
g) Circuit de logaritmare
Circuitul de logaritmare este un circuit care are la ieşire valoarea
logaritmică a semnalului de intrare. Pentru aceasta se porneşte de la o conexiune
inversoare, doar că rezistenţa de reacţie va fi înlocuită cu o diodă (Fig.5.20).
În această schemă rezistenţa R1 are rol de limitare a curentului de intrare şi
dioda D2 are rol de reacţie. Circuitul se numeşte circuit de logaritmare deoarece
caracteristica diodei este definită de o funcţie logaritmică. Dacă se aplică teoremele
de calcul electric pe acest circuit va rezulta relaţia:
kT  U 
U out    ln in 
 (5.29)
e  R1  I C 
Unde:
k – constanta lui Boltzman;
T – temperatura absolută;
e – sarcina electronului;
IS – curentul rezidual al diodei.
D1
VCCDiode 1N914
8 AR1
7
Uin R2 2 Op Amp
500 6 Uout RC
3 10k
50Hz 1
VSIN 5
GND
4
VCC-
Fig.5.20. Circuit de logaritmare cu AO.

Deoarece s-a utilizat în schemă o diodă, circuitul rezultat va fi unul
neliniar. Termenul KT/e se mai numeşte şi tensiune termică.
Din relaţia (5.29) se poate observa că în logaritm apare şi curentul rezidual
care introduce o tensiune de decalaj. În montaje practice aceasta se compensează.
Utilizând parametrii din Fig.5.20 şi aplicând o tensiune sinusoidală cu
frecvenţa de 50 Hz şi amplitudine de 1 V se obţine curba din Fig.5.21. După cum
se observă, pentru a obţine efectul dorit semnalul de intrare trebuie să fie negativ.
În acest sens s-a ales pentru sursă o componentă continuă de -1 V.
Fig.5.21. Variaţia tensiunilor unui AO în conexiune logaritmică.

h) Circuit de antilogaritmare
Circuitul de antilogaritmare este un circuit care are la ieşire valoarea
exponenţială a semnalului de intrare. Pentru aceasta se porneşte de la o conexiune
inversoare, doar dioda va fi montată pe circuitul de intrare inversor (Fig.5.22).
D2
VCCDiode 1N914
8 AR1
7
Uin R1 2 Op Amp
1k 6 Uout RC
3 10k
1
50Hz 5
VSIN GND
4
VCC-
Fig.5.22. Circuit de antilogaritmare cu AO.

În această schemă rezistenţa R şi dioda D au rol de reacţie. Dacă se aplică
teoremele de calcul electric pe acest circuit va rezulta relaţia:
e
U in 
VO   R2  I S  e kT (5.30)
Utilizând parametrii din Fig.5.22 şi aplicând o tensiune sinusoidală cu
frecvenţa de 50 Hz şi amplitudine de 5 V se obţine curba din Fig.5.23.
Fig.5.23. Variaţia tensiunilor unui AO în conexiune exponenţială.

După cum se observă, pentru a obţine efectul dorit semnalul de intrare
trebuie să fie pozitiv. În acest sens s-a ales pentru sursă o componentă continuă de
+5 V.
6. Capitolul 6
6. Noţiuni generale de
electronică digitală
6.1. Sisteme de numeraţie

6.1.1. Introducere
Din cele mai vechi timpuri a existat necesitatea de cuantificare a bunurilor
materiale. Cum atunci ele se reduceau la animalele deținute, problema era de a
cuantiza efectivul acestora. Ca urmare era necesară existența unui sistem de
numeraţie. Toate sistemele de numerație cunoscute se bazează pe existența cifrelor.
De-a lungul timpului s-au impus mai multe sisteme de numerație descrise
în continuare. Unul dintre primele astfel de sisteme a fost sistemul de numerație
roman.
6.1.2. Sistemul roman de numeraţie

Sistemul roman de numerație este unul dintre primele apărute. El se
bazează pe existența câtorva cifre. Deși în zilele noastre acesta nu se mai folosește,
existența lui demonstrează necesitatea de numărare prezentă încă de la începuturile
civilizației. Cifrele folosite și semnificația lor în sistemul de numerație curent sunt
reliefate mai jos în Tabelul 6.1.
Tabelul 6.1. Cifrele folosite în sistemul de numerație roman.
I V X L C D M
1 5 10 50 100 500 1000
Sistemul roman de numerație este unul de tip aditiv. Astfel, pentru a

determina un număr cifrele se adună (dacă cifrele mai mici se află după cifra mai
mare) sau se scad (dacă cifrele mai mici se află înainte de cifra mai mare) între ele:
VIII = 5+1+1+1=8 sau IV = 5-1=4.
Dezavantajele acestui sistem de numerație sunt:
o Scriere și citire greoaie;
o Reprezentări multiple ale numerelor;
o Nu există numărul/valoarea zero.
6.1.3. Sistemul de numerație zecimal

Conceptul de număr în înţelegerea actuală este de cele mai multe ori legat
de sistemul zecimal folosit în mod curent și cu care suntem familiari. Alegerea
acestuia este mai mult arbitrară.
Sistemul de numerație zecimal este cel mai folosit sistem de numerație la
ora actuală. Se bazează pe existența a 10 cifre (de la 0 la 9). Fiecare grupă de 10
elemente formează o grupă de rang superior, și acestea apar în partea stângă. Orice
număr poate fi scris ca o sumă așa cum este exprimat în ecuația (6.1).
N
A  b 10
i 0
i
i
(6.1)
Numerele bi din ecuația (6.1) sunt cifrele folosite pentru scrierea

numărului. Ca exemplu se poate considera un număr particular, de exemplu
1528  8 100  2  101  5 10 2  1  10 2 . Cifra 8 corespunde unităților, cifra 2
corespunde zecilor, cifra 5 corespunde sutelor iar cifra 1 corespunde miilor.
Ordinele superioare includ cel al zecilor de mii, sutelor de mii, milioanelor, zecilor
de milioane, miliardelor, zecilor și sutelor de miliarde, etc.
Este important de menționat faptul că ecuația (6.1) se poate folosi și la alte
sisteme de numerație (aceasta suferă modificări minore).
6.1.3. Sistemul de numerație binar

Implementarea fizică a unui sistem de calcul ce folosește baza 10 s-a
dovedit a fi imposibilă la vremea dezvoltării sistemelor de calcul.
Deși apărut de multă vreme, sistemul de numerație binar (în baza 2) a
câştigat o importanță considerabilă în zilele dezvoltării sistemelor electronice
digitale. Sistemul binar folosește doar două cifre 0 și 1. Fiecare element poate avea
doar aceste două valori. Dacă acestuia i se atribuie unui semnal numeric, acesta
poate avea doar două stări: 0 sau 1 logic. Ca urmare, pentru circuitele numerice cel
mai indicat sistem este cel binar. Acest sistem permite efectuarea calculului
aritmetic și logic. El este format din cifrele binare 0 şi 1 cu ajutorul cărora se
caracterizează cel mai bine, din punct de vedere electric, comportarea sistemelor
digitale (numerice).
Un număr zecimal A se poate scrie în baza 2 după cum se vede în ecuația
1.2. În ecuația 1.2, bi sunt așa-numiții biți ai secvenței numerice.
6. Noţiuni generale de electronică digitală 109
N 1
A b  2
i 0
i
i
(6.2)
Ecuația (6.2) reprezintă și ecuația de trecere de la baza 2 la baza 10

(numărul A este în format zecimal în partea stângă a semnului egal în vreme ce
biții bi reprezintă biții secvenței binare a numărului A). Bitul b0 se mai numește și
bitul cel mai puțin semnificativ (Least Signifficant Bit – LSB). Bitul bN-1 se
numește bitul cel mai semnificativ (Most Signifficant Bit – MSB). Numărul N
reprezintă numărul de biți necesari pentru reprezentarea lui A.
Pentru estimarea numărului de biți necesari pentru reprezentarea unui
număr A se caută o putere a lui 2 în vecinătatea numărului necesar a fi reprezentat.
Dacă numărul putere a lui 2 este mai mare decât A atunci cele două numere se
reprezintă pe același număr de biți. În cazul în care numărul A este mai mare,
numărul de biți necesari pentru A crește cu 1. De exemplu numărul 10 are în
apropiere numărul 8 = 23. Fiind mai mare decât acesta nu poate fi scris pe trei biți
ci pe patru. Și numărul 7 se află în apropierea lui 8 dar fiind mai mic decât acesta
se poate scrie pe 3 biți. În electronica digitală, numerele de biți cel mai adesea
folosite sunt 8, 10 (mai ales la convertoarele analog numerice), 16, 32, etc. Practic
un număr se scrie in binar aşa cum se poate vedea în cele două exemple de mai jos:
 numărul zecimal 11 se poate scrie în binar ca fiind: 11 = 1011 el
necesitând 4 biți;
 numărul zecimal 1286 se poate scrie în binar ca fiind 1286 =
10100000110, el necesitând 11 biți.
Trebuie reţinut că este foarte important să se cunoască puterile lui 2. Aici
se pot menționa următoarele:
 în conformitate cu relația matematică 2a=2·2a-1 fiecare număr din
coloana din dreapta se obține prin înmulțirea cu 2 (dublarea) aflat
deasupra lui (pe aceeași coloană);
 prin adăugarea unui bit la un număr binar se obține un număr dublu de
numere reprezentabile;
 în general în electronică se utilizează un număr de puteri a lui 2 de biţi,
rezultând reprezentarea numerelor pe 1, 2, 4, 8, 16, 32 biţi; pentru
cazul prezentat anterior în care numărul 1286 se poate reprezenta pe 11
biţi, el se poate reprezenta şi pe 16 biţi prin adăugarea în faţă de biţi cu
valoarea 0 (0000 0101 0000 0110).
6.1.4. Sistemul de numerație hexazecimal

Acesta este practic sistemul de numeraţie în baza 16. Este utilizat pentru a
exprima mai uşor un număr reprezentat pe mai mulţi biţi (16, 32 sau mai mulţi
biţi). Sistemul hexazecimal a apărut după dezvoltarea calculatoarelor.
Reprezentarea are la bază tabelul de corespondenţă dintre numerele binare
reprezentate pe patru biţi şi numerele hexazecimale (aşa cum se poate vedea în
Tabelul 6.2).
Tabelul 6.2. Numere hexazecimale.
Număr pe patru Valoare zecimală Valoare
biţi hexazecimală
0000 0 0H
0001 1 1H
0010 2 2H
0011 3 3H
0100 4 4H
0101 5 5H
0110 6 6H
0111 7 7H
1000 8 8H
1001 9 9H
1010 10 AH
1011 11 BH
1100 12 CH
1101 13 DH
1110 14 EH
1111 15 FH
În Tabelul 6.2 notaţia "H" arată faptul că numărul este reprezentat în

hexazecimal. Se observă că numărul 10 în reprezentare zecimală se notează cu A,
numărul 11 cu B şi aşa mai departe până la F. Este important de remarcat faptul că
un număr reprezentat pe patru biţi se reprezintă pe o cifră hexa. Ca urmare, un octet
se va reprezenta pe două cifre hexa. Pentru conversie, numărul în binar se grupează
câte patru biţi (începând de la cel mai puţin semnificativ bit către cel mai
semnificativ). Fiecare grup se va converti în hexazecimal utilizând corespondenţele
din Tabelul 6.2. Dacă spre exemplu se consideră numărul 163, acesta se scrie: 163
=1010 0011 = A3H.
Pentru conversia din format hexazecimal în zecimal se utilizează ecuaţia (6.3).
N 1
A  b 16
i 0
i
i
(6.3)
În cazul de mai sus, numărul în reprezentare hexa este reprezentat pe două

numere. Deci, ecuaţia se scrie:
A  3  16 0  10  161  163 (6.4)
6.2. Algebra Booleană

6.2.1. Introducere
Circuitele de bază din electronica digitală au apărut și s-au dezvoltat pe
baza teoriei algebrei booleene. Această ramură a matematicii este legată de numele
matematicianului G. Boole care a fondat principiile de bază la mijlocul anilor 1800.
Cu toate acestea, primele aplicații au apărut aproape o sută de ani mai târziu atunci
când oamenii de știință au început construirea primului calculator.
Algebra booleană operează în baza doi. Cea mai mică variabilele
independentă poate lua două valori: 1 (adevărat) sau 0 (fals). În literatura de
specialitate, o asemenea entitate se mai numește şi bit și reprezintă cea mai mică
unitate de informație existentă. Cu o singură astfel de variabilă (un bit) se pot
reprezenta doua stări (1 – adevărat sau 0 – fals). Cu ajutorul a două astfel de
variabile (biți) se pot reprezenta patru stări adică 22. Cu un număr de n astfel de
variabile (biți), se pot așadar reprezenta un număr de 2n stări.
În algebra booleană operațiile definite și valorile intrărilor și ieșirilor se pot
reprezenta prin așa-numitele tabele de adevăr. În aceste tabele apar și mărimile de
intrare în funcție/operație și cele de ieșire
Stările menționate mai sus se reprezintă fizic prin nivele de tensiune. Starea
0 (fals) se reprezintă cel mai adesea printr-un nivel de tensiune de 0V iar starea 1
(adevărat) se reprezintă printr-un nivel de 5V. Acest mod de reprezentare mai este
cunoscut și sub numele de logică pozitivă. Logica de reprezentare în care starea 0
(fals) se reprezintă printr-un nivel de tensiune de 5V iar starea 1 (adevărat) se
reprezintă printr-un nivel de 0V se mai numește logică negativă. Totuși, din cauza
dispersiei de fabricație a circuitelor integrate (numite și porți logice uneori în
literatură) folosite în sistemele digitale, în locul acestor două valori precise (0V și
5V) se folosesc intervale de tensiuni (Fig.6.1).
Intervalele de tensiuni au marginile garantate de producătorii de circuite
integrate. În Fig.6.1. acestea s-au notat cu UOLM și UOLm - pentru ieșirea în stare 0
(LOW – jos) UOHM și UOHm - pentru ieșirea în stare 1 (HIGH – sus). In Fig.6.1 s-a
considerat logica pozitivă care este și cea mai întâlnită. Astfel, ieșirea trebuie să se
afle în aceste două benzi de tensiune iar intrarea trebuie să interpreteze corect
mărimile aflate în aceste benzi. Acest lucru se va detalia în capitolele următoare în
care vor fi prezentate și structuri și scheme de circuite integrate.
Fig.6.1. Marginile de tensiune de ieșire pentru un circuit TTL.

În cele ce urmează, se definesc funcțiile de bază și teoremele ce
guvernează algebra booleana. Totodată se prezintă și simbolurile folosite pentru
modulele ce realizează aceste operații matematice.
6.2.2. Funcția negație

Funcția negație este funcția (sau complementul logic) este funcția ce are la
ieșire complementul logic al intrării. Astfel, dacă intrarea este mărimea a, ieșirea
va fi mărimea notată cu a . Între mărimea de intrare și cea de ieșire are loc relația
reprezentată de ecuația (6.5):
a  a 1 (6.5)
Tabelul de adevăr al funcției negație se prezintă în Tabelul 6.3. Se observă
ca valoarea la ieșire este complementul valorii de la intrare. Modulul folosit pentru
operația de negație se numește inversor. Simbolul acestuia se prezintă în Fig.6.2.
Tabelul 6.3. Tabelul de adevăr al funcției negație.
Intrare Ieșire
0 1
1 0
Fig.6.2. Inversorul TTL.

Partea principală a modulului o reprezintă triunghiul cu vârful către ieșirea
circuitului. Cerculețul aflat la ieșire arată faptul că semnalul este complementat.
Funcția de negare are componentă corespondentă în electronica de putere.
6.2.3. Funcția SAU logic
Funcția SAU logic se mai numește și reuniune sau sumă logică sau
disjuncție (în unele lucrări). În cazul funcției SAU logic există doi operanzi la
intrare și o mărime de ieșire. Între mărimile de intrare și cea de ieșire are loc relația
reprezentată de ecuația (6.6).
y  ab (6.6)
După cum se poate vedea în ecuația (6.6), simbolul funcției SAU logic este
semnul ”+”. Pentru a înţelege mai bine, se prezintă tabelul de adevăr în Tabelul 6.4.
Tabelul 6.4. Tabelul de adevăr al funcției SAU logic.
a b y
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 1
Din tabelul de adevăr al funcției SAU logic se poate observa faptul că

ieșirea y este 1 dacă cel puțin o intrare este pe 1. Dacă ambele intrări sunt pe 0,
atunci ieșirea este 0. Relativ la această funcție se face mențiunea că poate avea mai
multe intrări (nu numai două). Simbolul porții SAU se poate vedea în Fig.6.3.
Fig.6.3. Poarta SAU.
6.2.4. Funcția SI logic

Funcția SI logic se mai numește și intersecție, produs logic sau conjuncție
(în unele lucrări). La fel ca în cazul funcției SAU logic și în cazul funcției SI logic
există doi operanzi la intrare și o mărime de ieșire. Între mărimile de intrare și cea
de ieșire are loc relația reprezentată de ecuația (6.7).
y  a b (6.7)
După cum se poate vedea în ecuația (6.7), simbolul funcției SI logic este
semnul ”  ”. Pentru a înţelege mai bine, în Tabelul 6.5 se prezintă tabelul de adevăr
al acestei funcţii.
Tabelul 6.5. Tabelul de adevăr al funcției SI logic.

a b y
0 0 0
0 1 0
1 0 0
1 1 1
Din tabelul de adevăr al funcției SI logic se poate observa faptul că ieșirea

y este 1 numai dacă ambele intrări sunt pe 1. Dacă o singură intrare are valoarea 0,
multe intrări (nu numai două). Simbolul porții SI se poate vedea în Fig.6.4.
Fig.6.4. Poarta SI.
6.2.5. Funcția SAU-NU logic

Funcția SAU-NU logic este derivată din funcția SAU prin inversarea se
mai numește și intersecție, produs logic sau conjuncție (în unele lucrări). La fel ca
în cazul funcției SAU logic și în cazul funcției SAU-NU logic există doi operanzi
la intrare și o mărime de ieșire. Între mărimile de intrare și cea de ieșire are loc
relația reprezentată de ecuația (6.8).
y  ab (6.8)
semnul ”+”. Cantitatea din partea dreaptă a semnului egal este barată pentru a arăta
faptul că ieșirea este barată. Pentru a înţelege mai bine, în Tabelul 6.6 se prezintă
tabelul de adevăr al acestei funcţii. Din tabelul de adevăr al funcției SAU-NU logic
se poate observa faptul că ieșirea y este 1 numai dacă o singură intrare este pe 1.
Dacă ambele intrări sunt pe 1, atunci ieșirea este 0. Relativ la această funcție se
face mențiunea că poate avea mai multe intrări. Simbolul porții SAU-NU se poate
vedea în Fig.6.5.
Fig.6.5. Poarta SAU-NU.

Tabelul 6.6. Tabelul de adevăr al funcției SAU-NU logic.
a b y
0 0 1
0 1 0
1 0 0
1 1 0
6.2.5. Funcția SI-NU logic

Funcția SI-NU logic este derivată din funcția SI prin complementarea
ieșirii. La fel ca în cazul funcției SI logic și în cazul funcției SI-NU logic există doi
operanzi la intrare și o mărime de ieșire. Între mărimile de intrare și cea de ieșire
are loc relația reprezentată de ecuația (6.9).
y  a b (6.9)
semnul ”  ”. Pentru a înţelege mai bine, în Tabelul 6.7 se prezintă tabelul de adevăr
al acestei funcţii.
Tabelul 6.7. Tabelul de adevăr al funcției SI-NU logic.
a b y
0 0 1
0 1 1
1 0 1
1 1 0
Din tabelul de adevăr al funcției SI logic se poate observa faptul că ieșirea

y este 1 numai dacă ambele intrări sunt pe 1. Dacă o singură intrare are valoarea 0,
multe intrări (nu numai două). Simbolul porții SI-NU se poate vedea în Fig.6.6.
Fig.6.6. Poarta SI-NU.
6.2.7. Funcția SAU-EXCLUSIV

Funcția SAU-ECLUSIV logic se mai numește și a modulo 2 b în unele
publicații. Și în cazul funcției SAU-ECLUSIV logic există doi operanzi la intrare și
o mărime de ieșire. Între mărimile de intrare și cea de ieșire are loc relația
reprezentată de ecuația (6.10).
y  ab (6.10)
După cum se poate vedea în ecuația (6.8), simbolul funcției SAU logic este
semnul ”  ”. Pentru a înţelege mai bine, în Tabelul 6.10 se prezintă tabelul de
adevăr al acestei funcţii.
Tabelul 6.8. Tabelul de adevăr al funcției SAU-EXCLUSIV logic.
a b y
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 0
Din tabelul de adevăr al funcției SAU-EXCLUSIV logic se poate observa

faptul că ieșirea y este 1 dacă o singură o intrare este pe 1. Dacă ambele intrări sunt
pe 0 sau pe 1, atunci ieșirea este 0. Relativ la această funcție se face mențiunea că
poate avea mai multe intrări (nu numai două). Simbolul porții SAU-EXCLUSIV
se poate vedea în Fig.6.7.
Fig.6.7. Poarta SAU-EXCLUSIV.
6.2.8. Legile algebrei booleene

În acest paragraf se prezintă un set de legi folosite în algebra booleana.
Importanța acestora apare ca evidentă mai ales când se urmărește minimizarea
funcțiilor logice.
1) Legea identităţii
Legea identității are două forme dependent de operația folosită. Astfel,
forma ce utilizează funcția SI se poate vedea în ecuația 6.11. Aceasta stipulează ca
un SI logic între o variabilă a și 1 are ca rezultat variabila a.
a 1  a (6.11)
Legea identității în forma ce utilizează funcția SAU se poate vedea în
ecuația (6.12). Aceasta stipulează că un SAU logic între o variabilă a și 0 are ca
rezultat variabila a. Demonstrația se face ușor pe baza tabelelor de adevăr (Tabelul
6.9). În Tabelul 6.9 se observă că ieșirea are valoarea intrării a.
a0a (6.12)
Tabelul 6.9. Legea identității.
formatul SI formatul SAU
a 1 y a 0 y
0 1 0 0 0 0
1 1 1 1 0 1
b) Legea elementului neutru

Legea elementului neutru arată rezultatul operațiilor SAU şi SI logic între
un operand a și elementul neutru complementar. Acestea se pot vedea în ecuația
(6.13). La fel ca și în cazul legii identității, demonstrația se face pe baza tabelului
de adevăr (prezentat în Tabelul 6.10).
a0  0
(6.13)
a 1  1
Tabelul 6.10. Legea elementului neutru.
a 0 y a 1 y
0 0 0 0 1 1
1 0 0 1 1 1
c) Legea idempotenței
La fel ca și celelalte două legi prezentate mai sus și legea idempotenței are
două forme (pentru că se aplică operațiilor SAU şi SI logic). Cele două forme ale
legii se pot vedea în ecuația 6.14. Demonstrația se face de asemenea pe baza
tabelelor de adevăr (Tabelul 6.11).
aa  a
(6.14)
aaa
Tabelul 6.11. Legea idempotenței.
a a y a a y
0 0 0 0 0 0
1 1 1 1 1 1
d) Legea dublei negări

Legea dublei negări se referă la negarea de două ori a unei variabile a.
Această lege este reprezentată de ecuația (6.15). Demonstrația se face ușor pe baza
tabelului de adevăr.
aa (6.15)
e) Legea comutativității
La fel ca și legile idempotenței si identității si legea comutativității are
două forme (se aplică atât operației SAU logic cât și operației SI logic). Cele două
forme ale legii se pot vedea în ecuația (6.16).
a b  b  a
(6.16)
ab ba
Demonstrația se face de asemenea pe baza tabelelor de adevăr. Pentru
demonstrarea primei legi a comutativității (format SI) s-au construit două tabelele
de adevăr prezentate în Tabelul 6.12 în care se calculează funcția SI odată dintr-o
parte, iar apoi din cealaltă parte, utilizând prima expresie din relaţia (6.16). Se
observă faptul că rezultatele obținute sunt egale.
Și pentru demonstrarea celei de a doua legi a comutativității (format SAU)
s-au construit două tabele de adevăr (Tabelul 6.13) în care se calculează funcția
SAU din cele două părți ale semnului utilizând a doua expresie din relaţia (6.16) Se
Tabelul 6.12. Legea comutativității format SI.
a b y (SI) b a y (SI)
0 0 0 0 0 0
0 1 0 0 1 0
1 0 0 1 0 0
1 1 1 1 1 1
Tabelul 6.13. Legea comutativității format SAU.

a b y (SAU) b a y (SAU)
0 0 0 0 0 0
0 1 1 0 1 1
1 0 1 1 0 1
1 1 1 1 1 1
f) Legea asociativității
La fel ca și legea idempotenței şi legea asociativității are două forme (se
aplică atât operației SAU logic cât și operației SI logic). Cele două forme ale legii
se pot vedea în ecuația 6.17.
a  (b  c)  (a  b)  c
(6.17)
a  (b  c)  (a  b)  c
demonstrarea primei legi a asociativității (format SI) s-au construit două tabelele de
adevăr prezentate în Tabelul 6.14 în care se calculează funcția SI odată dintr-o
Tabelul 6.14. Legea asociativității format SI.

a b c (b·c) a·(b·c) b a c (a·b) (a·b)·c
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 1 0 0 0 0 1 0 0
0 1 0 0 0 0 1 0 0 0
0 1 1 1 0 0 1 1 0 0
1 0 0 0 0 1 0 0 0 0
1 0 1 0 0 1 0 1 0 0
1 1 0 0 0 1 1 0 1 0
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
Și pentru demonstrarea celei de a doua legi a asociativității (format SAU)

Tabelul 6.15. Legea asociativității format SAU.

a b c (b+c) a+(b+c) b a c (a+b) (a+b)+c
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 1 1 1 0 0 1 0 1
0 1 0 1 1 0 1 0 1 1
0 1 1 1 1 0 1 1 1 1
1 0 0 0 1 1 0 0 1 1
1 0 1 1 1 1 0 1 1 1
1 1 0 1 1 1 1 0 1 1
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
g) Legea distributivității
La fel ca și legea idempotenței și legea distributivității are două forme (se
aplică atât operației SAU logic cât și operației SI logic). Cele două forme ale legii
se pot vedea în ecuația (6.18).
a  b  c  ( a  b)  ( a  c )
(6.18)
( a  b)  c  a  c  b  c
demonstrarea primei legi a distributivității (format SI) s-au construit două tabelele
de adevăr prezentate în Tabelul 6.16 în care se calculează funcția SI odată dintr-o
Tabelul 6.16. Legea distributivității format SI.

a b c (b·c) a+(b·c) b a c a+b a+c (a+b)·( a+c)
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 1 0 0 0 0 1 0 1 0
0 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0
0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1
1 0 0 0 1 1 0 0 1 1 1
1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1
1 1 0 0 1 1 1 0 1 1 1
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
Și pentru demonstrarea celei de a doua legi a distributivității (format SAU)

Tabelul 6.17. Legea distributivității format SAU.

a b c a+b (a+b)·c b a c a·c b·c a·c+b·c
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0
0 1 0 1 0 0 1 0 0 0 0
0 1 1 1 1 0 1 1 0 1 1
1 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0
1 0 1 1 1 1 0 1 1 0 1
1 1 0 1 0 1 1 0 0 0 0
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
h) Legea absorbției
La fel ca și mai sus și legea absorbției are două forme. Cele două forme ale
legii se pot vedea în ecuația (6.19).
a  (a  b)  a
(6.19)
a  ( a  b)  a
demonstrarea primei legi a absorbției (a) s-au construit tabelul de adevăr (Tabelul
6.18) în care se calculează cele două componente din partea stângă a semnului egal
ale primei legi (ecuațiile 6.19). Se observă faptul că rezultatele obținute sunt egale
cu variabila de la intrare, a.
Tabelul 6.18. Legea absorbției format SI.
a b a+b a·(a+b)
0 0 0 0
0 1 1 0
1 0 1 1
1 1 1 1
Pentru demonstrarea celei de a doua legi a absorbției (b) s-a construit

tabelul de adevăr (Tabelul 6.19) în care se calculează cele două componente din
partea stângă a semnului egal ale celei de a doua legi (ecuațiile 6.17). Se observă
faptul că rezultatele obținute sunt egale cu variabila de la intrare a
Tabelul 6.19. Legea absorbției format SAU.
a b a·b a+(a·b)
0 0 0 0
0 1 0 0
1 0 0 1
1 1 1 1
i) Legile lui De Morgan

Cele două forme ale legii se pot vedea în ecuația (6.20).
a b  a  b
(6.20)
a  b  a b
demonstrarea primei legi a lui De Morgan s-a construit tabelul de adevăr (Tabelul
6.20) în care se calculează cele două componente din partea stângă și dreaptă a
semnului egal ale primei legi din ecuațiile (6.20). Se observă faptul că rezultatele
obținute sunt egale (coloanele 4 și 7).
Tabelul 6.20. Prima lege a lui De Morgan.
a b a·b a·b a b a+b
0 0 0 1 1 1 1
0 1 0 1 1 0 1
1 0 0 1 0 1 1
1 1 1 0 0 0 0
Și pentru demonstrarea celei de a doua legi a lui De Morgan s-a construit
tabelul de adevăr (Tabelul 6.21) în care se calculează cele două componente din
partea stângă și dreaptă a semnului egal ale celei de a doua legi din ecuațiile (6.20).
Se observă faptul că rezultatele obținute sunt egale (coloanele 4 și 7).
Tabelul 6.21. A doua lege a lui De Morgan.
a b a+b a+b a b a·b
0 0 0 1 1 1 1
0 1 1 0 1 0 0
1 0 1 0 0 1 0
1 1 1 0 0 0 0
6.2.9. Minimizarea funcțiilor logice. Diagrame Veitch-Karnaugh

De multe ori funcția logică necesar a fi implementată se cunoaşte. Ca
urmare, aceasta se poate implementa fie în forma existentă, fie după ce trece prin
simplificări. Este important de subliniat faptul că simplificările nu trebuie să
schimbe comportarea funcției. Cu toate acestea, ele au un efect considerabil de
reducere a numărului de componente (porți) necesare implementării.
Termenul consacrat pentru aceste prelucrări este cel de minimizare. Pentru
minimizare se pot utiliza regulile algebrei booleene. Cu toate acestea, una dintre
cele mai cunoscute metode de minimizare a funcțiilor logice se numește Veitch-
Karnaugh (VK). Aceasta este prezentată în detaliu în acest paragraf.
Metoda de minimizare VK utilizează tabele formate din celule (numărul
acestora este dublu faţă de numărul de variabile utilizate în funcţie). Valorile
obţinute de către funcţie sunt trecute în celulele tabelului. Pentru un număr de
variabile relativ redus (mai mic decât 5) metoda este simplu de aplicat. Tabelele
VK se pot vedea în Fig.6.8.
a) Diagrama VK pentru funcţii de două b) Diagrama VK pentru funcţii de trei

variabile variabile
c) Diagrama VK pentru funcţii de patru variabile

Fig.6.8. Diagrame VK pentru funcţii cu două, trei şi patru variabile.
În partea din stânga sus a tabelului sunt marcate variabilele funcţiei. Este
important de menţionat faptul că trecerea de la o celulă la alta se face prin
modificarea unui singur parametru de intrare. Valorile corespunzătoare acestora
sunt marcate pe orizontală şi pe verticală deasupra şi în stânga diagramei VK.
Este uşor de observat faptul că pentru trecerea de la o celulă la alta este
necesară modificarea unei valori a unei variabile (sau a mai multora - dacă trecerea
se face pe direcţie oblică). În cazul în care, în tabelul VK în două celule alăturate
apare valoarea logică 1 înseamnă că variabila care variază la deplasarea de la o
celulă la alta nu afectează valoarea funcţiei. Ca urmare, ea poate fi eliminată din
funcţie pentru acest caz. Este posibil ca în această situaţie să fie mai multe variabile
nu doar una.
Înţelegerea facilă a modului în care diagramele VK funcţionează se face
printr-un exemplu. În acest sens se consideră funcţia care are tabelul de adevăr
prezentat mai jos (Tabelul 6.22).
Se observă că funcţia obţine valoarea logică 1 atunci în cazurile 1, 3, 4 şi 7.
Ca urmare acesta se poate scrie ca în ecuaţia (6.21).
f  a bc  a bc  a bc  a b c (6.21)
Tabelul 6.22. Exemplu de funcţie minimizată cu diagramele VK.
Nr. crt. a b c f
1 0 0 0 1
2 0 0 1 0
3 0 1 0 1
4 0 1 1 1
5 1 0 0 0
6 1 0 1 0
7 1 1 0 1
8 1 1 1 0
Dacă se consideră de pildă primii doi termeni, se poate observa că aceştia
se pot scrie ca în ecuaţia 6.22.

f  a b  c  c  (6.22)
Dar expresia din paranteză are valoarea logică 1. Ca urmare primii doi
termeni se pot reduce ca în ecuaţia 6.23.
f  a b (6.23)
Diagrama VK pentru această funcţie se prezintă în Fig.6.9.
Fig.6.9. Diagrama VK pentru funcţia specificată în Tabelul 6.22.

Pentru minimizare se vor forma regiuni de valori logice 1 adiacente şi cu
dimensiuni maxime egale cu puteri ale lui 2. Pentru funcţia dată ca exemplu există
trei astfel de regiuni. Prima regiune considerată este cea care păstrează pe b cu
valoarea logică 1. Această regiune formează primul termen al ecuaţiei (6.24).
f  a b  bc  a c (6.24)
Cea de a doua regiune formată este cea marcată cu dreptunghiul vertical ce
se întinde pe ambele rânduri. Acesta va fi independent de valoarea luată de
variabila de intrare a şi va constitui cel de-al doilea termen al ecuaţiei (6.24) şi va fi
produsul dintre b şi complementul lui c.
7. Capitolul 7
7. Structura circuitelor integrate

digitale
7.1. Introducere
Circuitele digitale lucrează cu nivele de tensiune ce corespund nivelelor de
tensiune din Fig.6.1. Acest lucru este necesar din motive de compatibilitate cu
modulele electronice anterioare și posterioare ale fiecărui circuit integrat.
În funcționarea unui sistem (circuit digital) atât mărimile de intrare cât și
cele de ieșire variază în timp și pot fi reprezentate prin diagrame de timp. Acestea
prezintă variația semnalului în raport cu timpul. Aceste variații caracterizează
funcționarea sistemelor numerice. După configurația etajului de ieșire al acestora
se cunosc două tipuri de structuri:
o cu etaj cu colector în gol;
o cu etaj în contratimp.
Ambele aceste configurații au avantaje și dezavantaje.
În cele ce urmează, în acest capitol se prezintă câteva structuri de circuite
integrate numerice din seria TTL si seria 4000 (CMOS). Familia TTL cuprinde mai
multe serii de circuite integrate numerice:
o Seria standard: 74XXX, 54XXX;
o Seria de mică putere: 74LXXX, 54LXXX;
o Seria rapidă: 74HXXX, 54HXXX;
o Seria Shottky 74SXXX.
7.2. Structuri de ieșire a circuitelor integrate digitale

Unul dintre cele mai importante etaje din circuitele integrate digitale este
circuitul de ieșire. Tipic, circuitele de ieșire trebuie să ofere o impedanță cât mai
mică și un timp de comutație cât mai redus. Pentru a satisface ultima cerință
circuitul de ieșire trebuie sa poată încărca și descărca cât mai repede capacitățile
parazite ale circuitelor comandate, deci trebuie să poată forța un curent de
încărcare/descărcare cât mai mare.
La ora actuală există două configurații tipice pentru circuitul de ieșire.
Fiecare dintre acestea prezintă atât avantaje cât și dezavantaje.
a) Circuitul de ieșire în contra-timp

Circuitul de ieșire în contratimp utilizează două tranzistoare. Fiecare dintre
acestea conduce pentru o stare/valoare a semnalului de ieșire. O structură a etajului
de ieșire se prezintă în Fig.7.1. Tranzistoarele de ieșire sunt comandate de către
același dispozitiv astfel că acestea nu pot fi în conducție simultan. Atunci când
nivelul de ieșire este ”1” logic în conducție se află tranzistorul T1. Când la ieșire se
scrie ”0” logic, T1 se blochează și se aduce în conducție tranzistorul T2. Rolul
diodei D este acela de a asigura o deplasare a nivelului de tensiune continuă
făcând posibilă conectarea bazei lui T2 cu colectorul lui T2.
Fig.7.1. Etajul de ieșire în contra-timp în cazul circuitelor TTL.

Etajul de ieșire are drept avantaj posibilitatea injectării unei sarcini
electrice în capacitățile parazite și deci a realizării unei frecvențe de comutație
ridicate. Ca dezavantaj se menționează imposibilitatea conectării directe a două
ieșiri (circuitul astfel realizat se cunoaște și sub denumirea de SAU-CABLAT
(Fig.7.2). Într-adevăr, într-un astfel de caz dacă într-una din ramuri tranzistorul
superior ar fi în conducție tranzistorul superior (ieșire pe 1 logic) iar în cealaltă
ramură ar fi în conducție cel inferior (ieșire pe 0 logic), rezultatul ar fi un scurt
circuit.
Între avantajele circuitului în contra-timp se menţionează:
o nu necesită rezistoare de pull-up;
o timpi de comutație mai mici.
7. Circuite electronice digitale 127
Fig.7.2. Circuit SAU cablat cu două etaje de ieșire în contra-timp.

Între dezavantajele circuitului în contra-timp se menţionează:
o imposibilitatea interconectării directe a mai multor CI;
o nu se pot comanda direct alte componente electronice (LED-
uri, relee, etc.) la alte tensiuni decât 5V (la tensiuni mai mari).
b) Circuitul de ieșire open-colector

Această configurație de ieșire are la bază un singur tranzistor. Așa cum îi
spune și numele, acesta are colectorul in aer (deschis). Utilizatorul va conecta un
rezistor între colector (acesta este accesibil) și tensiunea de alimentare. Acest
rezistor (adesea numit și rezistor de pull-up), va permite încărcarea capacităților
parazite de la circuitul comandat la trecerea pe ”1” logic a ieșirii circuitului. Pentru
comutarea ieșirii pe ”0” logic, tranzistorul este adus în saturație. Etajul de ieșire se
poate vedea în Fig.7.3.
Fig.7.3. Etajul de ieșire open colector în cazul circuitelor TTL.

Pentru a folosi, un astfel de circuit integrat utilizatorul trebuie să adauge (în
exterior pe placă) un așa-numit rezistor de ”pull-up”. Rolul acestuia este de a aduce
intrarea circuitului comandat de acest etaj de ieșire la 1 logic (5V), în cazul în care
tranzistorul din etajul final este blocat (din acest motiv rezistorul se numește
rezistor de pull-up – trage în sus).
În cazul unei tranziții H-L, capacitatea parazită de la intrarea circuitului
comandat de etajul de ieșire cu colector în gol este încărcată la tensiunea UOH. Prin
comanda tranzistorului spre conducție a tranzistorului final capacitatea parazită se
va descărca prin valoarea mică a rezistenței colector-emitor a tranzistorului. La
începutul unei tranziții L-H capacitatea parazită este aproape descărcată. Când
tranzistorul open colector se blochează aceasta începe să se încarce. Puterea
disipată pe rezistorul de pull-up se este dată de ecuația (7.1).
PDR 
U  U OL 2 (7.1)
pull  up R pull up
Între avantajele circuitului de ieșire open-colector se menționează:

o posibilitatea interconectării directe a mai multor CI;
o posibilitatea de comandă directă a altor componente
electronice (LED-uri, relee, etc.) la alte tensiuni decât 5V (la
tensiuni mai mari).
Între dezavantajele circuitului de ieșire open-colector se menționează:
o necesitatea rezistoarelor de pull-up;
o limitări ale timpilor de comutație.
7.3. Structuri de ieșire a circuitelor integrate digitale.

Una dintre cele mai cunoscute serii de circuite integrate numerice este seria
Transistor-Transistor-Logic (TTL). Seria TTL lucrează în logică pozitivă cu
nivelele de 0V (0 logic) și 5V (1 logic) și a ”botezat” și logica folosită (logica
TTL). Circuitele numerice din familia TTL folosesc tranzistoare bipolare în
structura lor. În cele ce urmează se prezintă câteva circuite din seria TTL standard.
7.3.1. Poarta TTL SI-NU cu ieșire open-colector

Primul circuit ce se prezintă este poarta SI-NU open-colector. Acesta este
unul din circuitele integrate de bază. Schema internă a acesteia se poate vedea în
Fig.7.4. Etajul de intrare este asigurat de tranzistorul T1 printr-o structură multi-
emitor. Etajul de ieșire este cu colector în gol așa cum se poate vedea în Fig.7.4. În
funcționare, utilizatorul trebuie să conecteze un rezistor între tensiunea de
alimentare și colectorul tranzistorului de ieșire. Rezistoarele au valorile de:
R1=4kΩ, R2=1.6kΩ și R3=1kΩ.
Dacă se consideră A=0, B=C=1, atunci joncțiunea B-E corespunzătoare
intrării A conduce. Ca urmare căderea de tensiune colector-emitor trebuie sa aibă
valoare mică. În aceste condiții, potențialul din baza tranzistorului T1 este egal cu
tensiunea de la intrare în stare jos plus căderea de tensiune bază-emitor fiind dată
de ecuația (7.2).
v B1  ViLow  v BE (7.2)
Fig.7.4. Poarta SI-NU.

Considerând o tensiune de intrare în stare jos de ViLow=0.2V și o cădere de
tensiune bază-emitor de 0.7V, rezultă un potențial în baza lui T1 de VB1=0.9V.
Căderea de tensiune pe joncțiunea bază-colector a lui T1 (joncțiune pn polarizată
direct) este 0.7V. Pentru ca T2 să fie deschis la limită, tensiune bază-emitor trebuie sa
fie minim 0.5V. În acest caz în baza lui T1 tensiunea ar trebui să fie 0.7+0.5=1.2V.
De aici rezultă că tranzistorul T2 este blocat (tensiunea fiind mai mică).
Dacă se consideră toate intrările pe 0 logic, atunci tranzistorul multiemitor
T1 de la intrare nu conduce. În aceste condiții, tranzistorul aflat în etajul
intermediar va conduce (baza sa fiind alimentată prin joncțiunea bază-colector a lui
T1) iar cel de ieșire este blocat. Ca urmare, dacă în colectorul acestuia se află un
rezistor de pull-up, ieșirea se află pe ”0” logic. Funcționarea porții SI-NU are loc
conform celor prezentate în Tabelul 7.1.
Având în vedere faptul că pentru obținerea unui sistem digital se folosesc
mai multe porţi TTL cascadarea acestora este inerentă. Acesta aspect pune în
evidență problema curenților de intrare și ieșire a unui circuit TTL. Pentru poarta
SI-NU prezentată mai sus există doi curenți de intrare ce corespund cu stările
circuitului: curentul în stare jos și cel în stare sus.
Tabelul 7.1. Tabelul de adevăr al porții SI-NU.
A B C Y
0 0 0 1
0 0 1 1
0 1 0 1
0 1 1 1
1 0 0 1
1 0 1 1
1 1 0 1
1 1 1 0
Curenții de intrare
Pentru determinarea curentului de intrare în stare jos în poartă se consideră
o tensiune de intrare în starea jos de 0.2V.
Va  v BE  viL 5  0.7  0.2
I iL    1.025mA (7.3)
R1 4
Ca urmare, curentul de intrare în stare jos este în jur de 1mA. Producătorii

garantează o valoare maxima a curentului de intrare de 1.6mA. Curentul de intrare
în starea sus corespunde joncțiunii BE a emitorului tranzistorului T1 polarizate
invers
Curenții de ieșire
Curentul de ieșire în starea jos este un curent ce intră în circuit. Acesta
corespunde situației în care T2 și T3 conduc în saturație. Pentru determinarea
acestuia se presupune ca avem conectate un număr NL de intrări ale altor circuite
aflate în stare jos (L – LOW). Deoarece curentul de intrare in starea jos iese din
circuit, rezultă ca circuitul driver trebuie să fie în stare sa absoarbă NL curenți de
intrare notați mai sus cu IiL. Ca urmare:
I C 3  N L  I IL  I R 3 (7.4)
În ecuația (7.4) s-a considerat și curentul care circulă prin rezistorul de

pull-up. Curentul de colector maxim se poate determina considerând un factor
h=10. Astfel curentul prin baza tranzistorului T3 se calculează ca în ecuația
(7.5).
U  U CES 2  U BES 2 U BES 3 5  0.2  0.8 0.8
I B3      1.7 mA (7.5)
RC 3 Re3 1.6 1
Curentul de colector maxim al tranzistorului T3 se poate determina

considerând un factor h=10 așa cum se arată în ecuația (7.6).
U  U OL
I C 3  h  I b3  N L  I IL  (7.6)
RC 3
În practică NL=9.9 și se poate considera ca fiind 10. Concluzia este

importantă deoarece arată faptul că un ieșirea unui circuit TTL poate comanda 10
intrări de circuite TTL.
7.3.2. Poarta TTL SI-NU cu ieșire în contratimp
În Fig.7.5 se prezintă poarta SI-NU cu ieșire în contratimp. Se observă ca
exceptând modificarea de adaptare a noii configurații de ieșire, structura circuitului
a rămas aceeași.
Fig.7.5. Poarta SI-NU cu ieșire în contratimp.

În funcționare, tranzistorul T2 va asigura comanda tranzistoarelor T3 și T4
din etajul final. Comanda în contratimp presupune faptul că tranzistoarele T3 și T4
nu se pot afla simultan în starea de conducție (în acest caz etajul final ar provoca
scurt circuit).
Pentru analiza funcționării circuitului se consideră situaţia în care toate
intrările sunt pe 1 logic. În acest caz joncțiunea p-n bază-emitor a tranzistorului T1
este polarizată direct și curentul prin aceasta comandă tranzistorul T2 în saturație.
Ca urmare tensiunea colector-emitor a acestuia este mică. Tensiunea în baza
tranzistorului T4 (față de masă) este dată de ecuația (7.7).
U bT4  U CEST2  U BEST3  0.2V  0.8V  1V (7.7)
În ecuația (7.7) s-au notat:

U CEST2 - tensiunea de saturație colector-emitor a tranzistorului T2;
U BEST3 - tensiunea de saturație bază-emitor a tranzistorului T3.
Valoarea tensiunii în baza tranzistorului T4 care ar asigura conducția la
limită a tranzistorului T4 este dată de ecuația (7.8).
U bT4  U BET4  U D  U CEST3  0.5V  0.6V  0.2V  1.3V (7.8)
În ecuația (7.8) s-au notat:

U BET4 - tensiunea de deschidere bază-emitor a tranzistorului T2;
UD - căderea de tensiune pe dioda D în conducția directă.
Ca urmare a ecuației (7.8), tranzistorul T4 este blocat iar ieșirea circuitului
este pe 0V (0 logic). În cazul în care una dintre intrări se află pe 0 logic, căderea de
tensiune pe joncțiunea colector-emitor a tranzistorului T1 este 0.7V (deci tensiunea
față de masă în colectorul acestuia este 0.7V). Aceasta nu poate deschide
tranzistorul T2 prin joncțiunea p-n bază-colector a tranzistorului T1. Ca urmare,
tranzistorul T2 este blocat. Tensiunea în emitorul acestuia (față de masă) este nulă,
ceea ce face ca tranzistorul T3 să fie blocat. Tensiunea în colectorul acestuia (față
de masă) este tensiunea de alimentare, ceea ce face ca tranzistorul T4 să fie saturat.
Ca urmare ieșirea circuitului în acest caz este pe 1.
La tranziția circuitului din starea H în starea L, capacitatea parazită de la
intrarea circuitului comandat este descărcată de tranzistorul T3 care este comandat
spre conducție în această tranziție. Constanta de timp a circuitului este Cp·RCEST3
(unde CP este capacitatea parazită iar RCEST3 este rezistența de saturație colector-
emitor a tranzistorului T3).
În ceea ce privește tranzistorul T4, este important de menționat faptul că
acesta lucrează în regim de repetor pe emitor. În aceste condiții la tranziția L-H a
circuitului tranzistorul T4 forțează un curent de încărcare prin capacitatea parazită.
Constanta de timp la tranziția L-H a circuitului este Cp·R4 unde R4 este valoarea
rezistenței în colectorul tranzistorului T4. Valoarea curentului prin borna colectorul
tranzistorului T4 este aproximativ egală cu cea din emitorul acestuia și se poate
calcula așa cum se arată în ecuația (7.9).
U  U CEST4  U D  U OL 5  0.2  0.7  0.2
IC4    39mA (7.9)
R4 0.1
Nivelele de tensiune aplicate la intrare și rezultate le ieșirea unei porți TTL

cu etaj de ieșire în contratimp sunt:
 Tensiunea de intrare în stare L maximă UILM = 0.8V;
 Tensiunea de intrare în stare H minimă UIHm = 2V;
 Tensiunea de ieșire în stare L maximă UOLM = 0.4V;
 Tensiunea de ieșire în stare H minimă UOHm = 2.4V.
Pentru circuitele logice o mărime importantă este așa-numita margine de
zgomot pentru fiecare dintre stările circuitului (L sau H). Pentru circuitele TTL
acesta se definește ca în ecuațiile (7.10).
U ZL  U ILM  U OLM  0.8V  0.4V  0.4V
(7.10)
U ZH  U IHM  U OHm  2V  2.4V  0.4V
Din ecuațiile (7.10) se observă faptul ca valorile sunt mici (în cazul unei
transmisii la distanță comunicația este ușor perturbabilă). Acesta este unul din
dezavantajele circuitelor TTL.
7.3.3. Poarta TTL SI cu ieșire în contratimp
Poarta TTL SI cu ieșire în contratimp se poate vedea în Fig.7.6. În schema
porții SI din Fig.7.6 se remarcă etajul inversor format cu tranzistorul T5. Rolul
diodei D este acela de a asigura o deplasare a nivelului de tensiune continuă făcând
posibilă conectarea bazei lui T2 cu colectorul lui T2 Tranzistorul T6 asigură
eliminarea sarcinii electrice din baza lui T2 la trecerea din saturație în blocare. T6
intră în conducție (atunci când T5 este în saturație) datorită căderii de tensiune pe
rezistorul R3. Prin aducerea în conducție a lui T6 se deschide o cale pentru curentul
invers de bază a tranzistorului T2 (acest lucru nefiind posibil fără tranzistorul T6).
Efectul este comutarea rapidă a lui T2 din conducție în blocare.
Fig.7.6. Poarta SI cu ieșire în contratimp.
7.3.4. Poarta TTL SI-NU cu ieșire trei stări și ieșire în contratimp

Într-unul din paragrafele anterioare s-a prezentat circuitul de ieșire în
contratimp. Totodată s-au prezentat și câteva avantaje și dezavantaje pentru acesta.
Unul dintre dezavantaje consta în imposibilitatea de conectare cablată a două ieșiri în
cazul în care acestea provin de la circuite cu etaje de ieșire în contratimp. Pentru a
menține avantajele acestor etaje de ieșire (în special viteza de comutație) și eliminării
dezavantajului principal legat de conectarea ieșirilor, s-au creat circuitele cu trei stări.
Ca urmare, ieșirea unui astfel de circuit se poate afla în stare jos (L), sus (H) sau în
stare de înaltă impedanță (Z). Trecerea dintr-o stare ”normală” în starea Z se face cu
ajutorul unei intrări suplimentare (Fig.7.7). Dacă la intrarea suplimentară se aduce un
0 logic, atunci conform schemei din Fig.7.7 cea de-al treilea pin a tranzistorului de
intrare (după inversor) este pus pe 1 logic. În acest caz, dioda conectată la ieșirea
inversorului este blocată. Ca urmare, întregul circuit funcționează ca o poartă SI-NU
cu două intrări și două stări. Dacă la intrarea suplimentară se aduce un 1 logic, atunci
conform schemei din Fig.7.7 cea de-al treilea pin a tranzistorului de intrare (după
inversor) este pus pe 0 logic. În acest caz, dioda conectată la ieșirea inversorului se
află în conducție iar tranzistorul T4 va fi blocat. Datorită faptului că cea de a treia
intrare a tranzistorului T1 se află pe 0, joncţiunea p-n bază-emitor 3 este polarizată
direct (și deci deschisă). Din acest motiv, potențialul în baza tranzistorului T2 (0.8V)
nu este suficient de ridicat pentru a comanda acest tranzistor în saturație și
deschiderea diodei din etajul de ieșire. Tranzistorul T2 fiind blocat, potențialul în
emitorul acestuia este 0V ceea ce asigură blocarea lui T3. Ca urmare, ambele
tranzistoare ale etajului de ieșire sunt blocate iar circuitul se află în starea de înaltă
impedanță. Reprezentarea simbolică a circuitului este asemănătoare cu cea standard,
în plus existând intrarea suplimentară negată.
Fig.7.7. Poarta SI-NU cu trei stări.

Între regulile de utilizare a circuitelor integrate TTL se menționează:
 este interzisă conectarea a două (sau mai multe) ieșiri ale circuitelor cu
etaj de ieșire în contratimp;
 intrările nefolosite ale porților se conectează fie la masă fie la tensiunea
de alimentare (în acest caz printr-un rezistor).
7.4. Circuite integrate digitale din familia Complementary

Metal-Oxid-Semiconductor (CMOS)
Familia de circuite integrate de tip CMOS a fost dezvoltată aproximativ în
aceeaşi perioadă cu familia TTL, dar iniţial a avut o extindere mai redusă datorită
timpilor de propagare mai mari şi implicit a frecvenţei de operare mai mici
(cuprinsă tipic între 1 şi 10 MHz). La realizarea acestor circuite sunt folosite numai
tranzistoare MOS cu canal n şi canal p (circuitele integrate CMOS nu utilizează
rezistoare). Una dintre cele mai cunoscute serii de circuite integrate digitale din
familia CMOS este seria 4000.
Familia CMOS oferă o serie de avantaje faţă de circuitele TTL:
 creştere a densităţii de integrare de circa zece ori, permiţând astfel
integrarea unor funcţii suplimentare;
 rezistenţă de intrare este foarte mare, curenţii de intrare sunt foarte
mici, ceea ce corespunde la un factor de branşament mai mare decât la
TTL;
 tehnologie simplă, deci şi ieftină;
 puterea consumată în regim static este foarte mică, neglijabilă;
 este posibilă folosirea unei plaje lărgite de tensiune de alimentare (pentru
seria 4000, tensiunea de alimentare se află în intervalul 3÷18 V);
 au o margine de zgomot (mult) mai mare decât cea întâlnită la familia
TTL;
Dezavantajul major al seriei 4000 constă în timpul de propagare mai mare
decât la TTL. Datorită perfecţionărilor tehnologice ulterioare, timpul a fost
considerabil redus la seriile CMOS.
Simbolul şi caracteristicile tranzistoarelor MOS pot fi analizate în
subcapitolul 3.6. În continuare sunt prezentate câteva porți logice CMOS.
7.4.1. Inversorul CMOS

Poarta fundamentală a seriei de circuite integrate CMOS 4000 este
inversorul. Schema electrică a acestuia (atât în detaliu cât și simplificată), precum
și simbolul inversorului (care este același ca și în cazul inversorului realizat în
tehnologie TTL) se poate vedea în Fig.7.8.
Componentele electronice din schema din figura 4.10 au rolul:
 R1 şi D1 asigură limitarea tensiunilor de intrare pozitive la o valoare
maximă UiMax = VDD + Ud;
 R2 şi D2 (diodă distribuită) protejează stratul de oxid al porţii faţă de
tensiunile de intrare negative care pot apare în regim tranzitoriu;
 T1 şi T2 formează etajul inversor cu două tranzistoare complementare
ce funcţionează în contratimp;
 fiecare tranzistor e însoţit de o diodă parazită intrinsecă conectată în
antiparalel cu tranzistorul.
Fig.7.8. Inversorul CMOS.

Pentru a obţine timpi de comutare apropiaţi pentru tranziţiile ieşirii din L în
H şi din H în L, este necesară egalizarea rezistenţelor drenă-sursă în conducţie R0N1
= R0N2, de aceea dimensiunile fizice ale celor două tranzistoare sunt diferite.
Puterea consumată în regim static are valoare foarte mică corespunzătoare
curentului rezidual al tranzistorului blocat (10 μW – pentru un circuit la care poarta
este realizată dintr-un strat de aluminiu, respectiv de 1 μW – pentru poartă din
siliciu).
Caracteristica de transfer (Fig.4.9) depinde de tensiunea de alimentare VDD
şi se reprezintă pentru o anumită valoare a acesteia. La trecerea din starea H în
starea L, tranzistorul T1 trece din blocare în saturație (Fig.7.9) în vreme ce
tranzistorul T2 trece din saturație în blocare.
Fig.7.9. Trecerea 1->0 in cazul inversorului CMOS.

După cum se poate observa, curentul crește semnificativ în timpul
comutării după care scade la zero (puterea electrică este neglijabilă în cele două
stări). Comportarea dinamică este determinate de constantele de timp CPRON1 și
CPRON2.
 pentru tranziţia ieşirii din starea SUS în starea JOS, T1 intră în
conducţie şi CP se va descărca pe R0N1;
 pentru tranziţia ieşirii din starea JOS în starea SUS, T2 intră în
conducţie, CP se va încărca prin R0N2, durata de încărcare fiind
aproximativ aceeaşi.
Deşi tranzistorul MOS comută mai rapid decât cel bipolar, din cauza
capacităţii parazite CP relativ mari aferente seriei 4000, timpul de propagare tp este
relativ mare. Expresia CP prezentată în (7.11), ţine cont de capacitatea intrinsecă de
ieşire a inversorului (C0), de capacitatea traseelor de PCB (CCON) și de capacitățile
parazite ale tuturor intrărilor porților conectate la ieșire.
n
C P  C0  CCON  C
1
i (7.11)
Timpii de propagare tipici pentru seria 4000 sunt în jur de 40nsec.
Puterea consumată în regim dinamic
Pentru a face o comparație între cele două serii se calculează puterea
consumată în regim dinamic. Aceasta are două componente:
 componenta puterii consumate datorită conducției simultane a
tranzistoarelor într-un interval de timp scurt, corespunzător comutației
(notată în acest paragraf cu Pd1);
 componenta puterii consumate datorită încărcării repetate a capacității
parazite la ieșirea circuitului (notată în acest paragraf cu Pd2).
Puterea corespunzătoare comutației se poate exprima ca o integrală a
produsului dintre curent și tensiune în timp ca cea din ecuația (7.12).
2 T
Pd 1 
T V
0
DD  i (t )dt (7.12)
Pentru reducerea acesteia se poate acționa asupra:

o tensiunii de alimentare;
o reducerea duratei fronturilor din intervalul de timp T de
comutație.
Reducerea tensiunii de alimentare este una dintre măsurile ce contribuie cu
succes la reducerea puterii disipate în procesul de comutație. Acest procedeu este
aplicat la procesoarele calculatoarelor personale unde tensiunea de alimentare este
în prezent de 3.3V.
7.4.2. Circuitul SI-NU din familia CMOS

La fel ca și inversorul, nici circuitul CMOS SI-NU nu folosește rezistoare.
Schema acestuia se poate vedea în Fig.7.10 (intrările sunt A și B iar ieșirea
circuitului este Y).
Fig.7.10. Circuitul CMOS SI-NU.

Schema din Fig.7.10 este una simplificată (nu s-au mai reprezentat
circuitele de protecție rezistor-diodă acestea neavând un rol în funcționarea
normală a circuitului).
Pentru analiza funcționării în primul caz se presupun ambele intrări pe 1
logic. În acest caz tranzistoarele T1a și T1b sunt saturate (celelalte două tranzistoare
din componența circuitului fiind blocate). Ca urmare căderile de tensiune drenă-
sursă ale acestor tranzistoare sunt aproape zero, iar ieșirea este pe 0 logic. În cazul
în care intrarea A este pe 0 logic și B este pe 1 logic, tranzistoarele T2a și T1b sunt
saturate în vreme ce celelalte două tranzistoare sunt blocate. Ca urmare, ieșirea se
află pe 1 logic (deoarece căderea de tensiune grilă-sursă a tranzistorului T2a este
aproximativ zero.
În cazul în care intrarea A este pe 1 logic și B este pe 0 logic, tranzistoarele
T1a și T2b sunt saturate în vreme ce celelalte două tranzistoare sunt blocate. Ca
urmare, ieșirea se află pe 1 logic (deoarece căderea de tensiune grilă-sursă a
tranzistorului T1a este aproximativ zero). Dacă ambele aceste tranzistoare sunt pe 0
logic, tranzistoarele T2a si T2b sunt saturate iar ieșirea circuitului se află pe 1 logic.
7.4.3. Circuitul SI-NU din familia CMOS

Analizând puțin schema circuitului CMOS SI-NU din Fig.4.10 se constată
două grupuri de tranzistoare: grupul tranzistoarelor legate ”în cascadă” (în care
sursa primului tranzistor este conectată direct la drena celui de al doilea) și grupul
tranzistoarelor legate ”în paralel” în care drenele respectiv sursele celor două
tranzistoare sunt conectate între ele. Prin schimbarea conectării celor două grupuri
se obține circuitul CMOS SAU-NU reprezentat în Fig.7.11.
Fig.7.11. Circuitul CMOS SI-NU.

Ca și în cazul circuitului SI-NU și schema din Fig.7.11 este una
simplificată (nici aici nu s-au mai reprezentat circuitele de protecție rezistor-diodă
ele neavând un rol în funcționarea normală a circuitului).
Pentru analiza funcționării în primul caz se presupun ambele intrări pe 1
logic. În acest caz tranzistoarele T1a și T1b sunt saturate (celelalte două tranzistoare
din componența circuitului fiind blocate). Ca urmare căderile de tensiune drenă-
sursă ale acestor tranzistoare sunt aproape zero, iar ieșirea este pe 0 logic. În cazul
în care intrarea A este pe 0 logic și B este pe 1 logic, tranzistoarele T2a și T1b sunt
saturate în vreme ce celelalte două tranzistoare sunt blocate. Ca urmare, ieșirea se
află pe 0 logic (deoarece căderea de tensiune grilă-sursă a tranzistorului T2a este
aproximativ zero.
În cazul în care intrarea A este pe 1 logic și B este pe 0 logic, tranzistoarele
T1a și T2b sunt saturate în vreme ce celelalte două tranzistoare sunt blocate. Ca
urmare, ieșirea se află pe 0 logic (deoarece căderea de tensiune grilă-sursă a
tranzistorului T1a este aproximativ zero).
Dacă ambele aceste tranzistoare sunt pe 0 logic, tranzistoarele T2a si T2b
sunt saturate iar ieșirea circuitului se află pe 1 logic.
Factorul de branșament
Datorită valorii mici a curentului de intrare (sub 1 μA), valoarea factorului
de branşament N = NL= NH este foarte mare (pentru curenţi maximi de ieşire de
câţiva miliamperi). Cele mai multe circuite logice din familia CMOS se fabrică cu
un curent de ieşire I0 = 3...4 mA, deci au factorul de branşament foarte mare în
regim static. În practică factorul de branşament este limitat de valoarea Cp a cărei
componentă principală este ΣCi. Creşterea Cp duce la înrăutăţirea
comportamentului dinamic al circuitului (Ci = 5 – 15 pF). Ca urmare, factorul de
branşament se limitează din cauza funcţionării în regim dinamic la o valoare
maximă de 50.
Curenții de intrare
Având în vedere faptul că la intrare acestea au tranzistoare CMOS ce au
rezistență de intrare de valoare mare, curentul de intrare are valori mici (între 0.1 -
1μA).
7.5. Reguli de utilizare a circuitelor CMOS

În ceea ce privește utilizarea circuitelor digitale CMOS se menționează
următoarele reguli:
 posibilitate de conectare pentru porţile SI-NU, respectiv SI este polarizarea
cu o tensiune VDD, în acest caz rezistenţa Rp utilizată în cazul circuitelor
TTL nu mai este necesară;
 la circuitele SAU, respectiv SAU-NU polarizarea se realizează prin legare
directă la masă;
 intrările nefolosite se pot lega la alte intrări folosite cu dezavantajul legat
de multiplicarea capacităţii de intrare Ci (creşte proporţional şi curentul de
intrare, dar rămâne la o valoare neglijabilă);
 intrările porţilor nefolosite pot fi conectate ori la masă, ori la VDD, puterea
consumată fiind aceeaşi (neglijabilă);
 este interzisă interconectarea ieşirilor a două sau mai multe circuite logice,
dacă există posibilitatea ca aceste ieşiri să ajungă la nivele logice diferite;
 niciodată ieşirile circuitelor logice nu se conectează direct la masă sau VDD;
 cerinţele de decuplare ale circuitelor integrate CMOS sunt mult diminuate
faţă de omoloagele TTL datorită consumului de curent mai redus. Un
singur condensator de decuplare de 100 nF la fiecare rând de 10 – 15
circuite CMOS şi un condensator electrolitic de 10 ... 100 μF pentru
întreaga placă sunt de obicei suficiente;
 există cerinţe speciale referitor la manipularea sau stocarea acestor circuite
derivate din dorinţa de a minimiza efectele descărcărilor electrostatice
(ESD – electrostatic discharge).
8. Capitolul 8
8. Circuite logice
combinaţionale
8.1. Introducere
Circuitele logice combinaționale sunt acele circuite la care valoarea la
ieșire depinde numai de valoarea variabilelor de intrare. Simplu spus, aceste
circuite nu conțin elemente ce pot memora stări anterioare de care ar putea depinde
ieșirea. Acest paragraf prezintă in detaliu topologia, funcționarea și câteva aplicații
ale acestor circuite. Primul circuit important este decodificatorul.
8.2. Decodificatorul
În unele cazuri este necesară activarea unui circuit dependent de o
combinație a unor variabile (de intrare). Un caz des întâlnit în practică este acela al
accesării unui periferic. În calculator, perifericele au o adresă individuală.
Diferențele între adrese sunt date de valorile diferite ale liniilor magistralei de
adrese. Este deci ușor de înțeles faptul că pentru două adrese diferite se vor activa
periferice diferite (și deci circuite fizice diferite). Ca urmare, este necesar un circuit
care dependent de valorile liniilor aduse la intrare să selecteze o anumită ieșire. Un
asemenea circuit se numește decodificator iar operația rezultată se numește
decodificare.
Numărul de intrări (mai mic) și cel de ieșiri (mai mare) sunt legate prin
ecuația (8.1). În realitate, numărul de intrări și cel de ieșiri au valori mici (unul
dintre cele mai cunoscute decodificatoare este circuitul 74LS138 cu trei intrări și
opt ieșiri). Tabelul de adevăr al unui decodificator cu trei intrări și opt ieșiri se
prezintă în Tabelul 8.1.
N O  2 NI (8.1)
Tabelul 8.1. Tabelul de adevăr al porții SI-NU.
C B A Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7
0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1
0 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1
0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 1
0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1
1 0 0 1 1 1 1 0 1 1 1
1 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1
1 1 0 1 1 1 1 1 1 0 1
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0
Un asemenea decodificator este circuitul 74LS138. Decodificatorul

74LS138 beneficiază de câteva intrări de validare (trei intrări de tip ENABLE -
două active pe zero logic si una activă pe 1 logic). În Tabelul 8.1 s-a presupus că
acestea sunt active (de aceea ele nu apar în tabel). Pentru fiecare combinație de
valori adusă la intrare decodificatorul 74LS138 poate activa câte un chip prin
punerea pe zero a ieșirii conectate la pinul chip select al chipului respectiv. În cele
ce urmează se prezintă două aplicații de decodificare cu circuitul 74LS138.
Aplicații ale decodificatoarelor

În continuare se prezintă câtva aplicații de decodificare. Primele două
utilizează circuitul 74LA138 iar cea de a treia aplicație prezentată prezintă
decodificarea pentru un afișaj pe şapte segmente. Decodificatorul 74LS138 permite
activarea a opt chipuri diferite dependent de secvența numerică adusă la cei trei
pini de la intrare. Schema se poate vedea în Fig.8.1. Dependent de aceasta, o ieșire
a decodificatorului va fi pusă pe 0 logic și un chip va fi activat. Activarea se face
după tabelul de adevăr din Tabelul 8.1.
Fig.8.1. Activarea a opt chipuri cu ajutorul 74LS138.

O a doua aplicație cu decodificatorul 74LS138 prezentată aici descrie
decodificarea unei plăci ISA cu convertor analog numeric în interiorul
calculatorului. Se presupune un convertor numeri analogic realizat cu DAC08
(pentru conversia curentului de ieșire în tensiune se utilizează un amplificator
8. Circuite logice combinaţionale 143
operațional LF353). Întregul convertor se realizează fizic pe o placă ce se introduce
în slotul unui PC. Pentru adresarea circuitului se folosește un decodificator
74LS138 (Fig.8.2). Ieșirile decodificatorului se conectează la un set de jumpere din
care se folosește doar unul (Fig.8.2 – stânga). Convertorul numeric-analogic
construit cu circuitul integrat DAC08 se poate vedea în partea dreaptă a Fig.8.2.
Fig.8.2. Adresarea unui CNA cu ajutorul 74LS138.

Pentru adresarea plăcilor utilizatorilor, IBM a alocat spații de adresare ce pot
fi folosite. O adresă posibil de folosit este 608. În cele ce urmează, se presupune că
aceasta va fi adresa plăcii. Această valoare zecimală se poate scrie în binar ca fiind:
608 = 10 0110 0000 (acestea fiind liniile de adresă de la A10 la A0). Dacă se
consideră intrarea A ca fiind linia de adresă A7, intrarea B ca fiind linia de adresă A6
iar intrarea C ca fiind intrarea de adresă A5, atunci la intrarea decodificatorului
74LS138 se aduce secvența numeric 110=6. Ca urmare cea de a patra ieșire a
decodificatorului va fi pe zero. Pentru selecția CNA jumperul se va pune deci în
poziția a șasea (pe ieșirea Y5). Setul de jumperi permite modificarea adresei plăcii. Să
presupunem astfel că se dorește modificarea adresei de la 608 la 610 (00 0011 1100).
În acest caz, secvența adusă la intrare este 100 (valoarea zecimală corespunzătoare
fiind 4). Jumperul se va amplasa în acest caz în poziția a patra.
O a treia aplicație prezentată aici este decodificarea binar-7 segmente.
Aceasta este utilizată pentru comanda afișajelor cu LED-uri. Un asemenea afișaj se
Diodele ce formează cele șapte segmente sunt notate cu a, b, c, d, e, f, g și
respectiv DP pentru punctul zecimal (în engleză decimal point). Deși sunt în total 8
diode leduri (7 segmente și punctul zecimal) afișajele pe şapte segmente folosesc
șapte diode LED pentru a ”construi” o cifră. Aceste diode pot fi conectate în două
moduri: cu anod comun sau catod comun. Comanda se face corespunzător cu
nivele de 1 sau 0 logic.
Fig.8.3. Afișajul LED cu șapte segmente.

Modul de afișare a caracterelor numerice (circuitul având posibilitate sa
afișeze și câteva litere) se poate vedea în Fig.8.4 (punctul zecimal nu este folosit).
Pentru reprezentarea binară a unui număr între 0 și 9 se folosesc 4 biți
(reprezentarea se poate vedea în Tabelul 8.2).
Fig.8.4. Formarea cifrelor pe afișajul cu șapte segmente.

Tabelul 8.2. Reprezentarea binară a unui număr.
D3 D2 D1 D0 Număr
0 0 0 0 0
0 0 0 1 1
0 0 1 0 2
0 0 1 1 3
0 1 0 0 4
0 1 0 1 5
0 1 1 0 6
0 1 1 1 7
1 0 0 0 8
1 0 0 1 9
Având în vedere Tabelul 8.2, prima problemă în comanda afișajului este

”la care LED-uri ar trebui conectate cele 4 linii ce formează numărul” (întrucât
afișorul are 7 intrări). Răspunsul este că cele 4 liniile nu pot fi conectate direct la
afișaj, motivul nefiind de natură electrică (cu alte cuvinte nu este vorba de o
incompatibilitate electrică). Între componenta care generează numărul în binar și
afișaj trebuie conectat un modul care să aibă 4 intrări si 7 ieșiri. Acest modul este
un decodificator. Tabelul de adevăr al decodificatorului Binary Code Digit (BCD)
la 7 segmente este prezentat în Tabelul 8.3.
Tabelul 8.3. Tabelul de adevăr al decodificatorului BCD – 7 segmente.
I3 I2 I1 I0 a b c d e f g
0 0 0 0 ON ON ON ON ON ON OFF
0 0 0 1 OFF ON ON OFF OFF OFF OFF
0 0 1 0 ON ON OFF ON ON OFF ON
0 0 1 1 ON ON ON ON OFF ON ON
0 1 0 0 OFF ON ON OFF OFF ON ON
0 1 0 1 ON OFF ON ON OFF ON ON
0 1 1 0 ON OFF ON ON ON ON ON
0 1 1 1 ON ON ON OFF OFF OFF OFF
1 0 0 0 ON ON ON ON ON ON ON
1 0 0 1 ON ON ON ON OFF ON ON
Exemple de astfel de decodificatoare sunt CDB 446 EM (fabricat în

Romania până la un moment dat), SN54/74LS47 și altele.
Un alt exemplu de decodificare este acela în care afișorul este format cu
diode LED circulare astfel încât mai multe leduri formează un segment (uneori
cunoscute sub numele de dot matrix). Acest caz de decodificare este lăsat ca
exercițiu cititorului.
8.3. Multiplexorul
Multiplexorul este un circuit electronic ce asigură transmiterea datelor
furnizate de către ”m” circuite emitore către un singur receptor. Transmiterea
datelor se face multiplexat in timp astfel ca receptorul primește date de la un singur
circuit emitor intr-un moment.
Circuitul multiplexor se mai numește și circuit selector pentru ca realizează
selecția unuia din cele ”m” circuite emitore. Selecția intrării se face cu ajutorul
unui cod de intrare pe n biți. Ca urmare, există 2n numere/valori diferite ale intrării
de selecție. Aceste valori trebuie să corespundă numărului de circuite emitore.
Adică m = 2n. Funcția implementată de un astfel de circuit este reprezentată de
ecuația (8.2).
    
Y  EN  1D  A  B  C  2 D  A  B  C  ..  8 D  ( A  B  C )  (8.2)
Simplu spus, cu ajutorul a ”n” linii de comandă se face selecția a ”2n”
intrări. Tabelul de adevăr al circuitului multiplexor este prezentat în Tabelul 8.4.
Dependent de valorile intrărilor de comandă (Tabelul 8.4) una dintre intrări va fi
adusă la ieșirea multiplexorului.
Tabelul 8.4. Tabelul de adevăr al circuitului multiplexor.
Validare (Enable) C2 C1 C0 O
0 0 0 0 I0
0 0 0 1 I1
0 0 1 0 I2
0 0 1 1 I3
0 1 0 0 I4
0 1 0 1 I5
0 1 1 0 I6
0 1 1 1 I7
1 X X X NONE
Exemple de circuite multiplexoare sunt 74LS151 și 74HC4052D. Cu toate

acestea multe microcontrolere au incorporate multiplexoare pentru selecția unor
canale de intrare (în special în cazul utilizării modulelor de conversie analog-
numerică atunci când pentru un singur convertor deservește mai multe canale de
intrare). Unul dintre cazurile care apar mai des în utilizarea multiplexoarelor este
extinderea capacității de multiplexare. Această problemă are două aspecte:
 extinderea numărului de biți pe canal (numărul de canale rămânând
constant),
 extinderea numărului de canale.
Pentru extinderea numărului de biți pe canal se pot folosi mai multe
multiplexoare identice. Liniile de intrare (din care se face selecția) și intrările de
comandă de același tip se leagă împreună la multiplexoare (Fig.8.5). Presupunând
un multiplexor cu 8 intrări (3 intrări de comandă), extinderea numărului de la unul
la patru biți presupune utilizarea a 4 multiplexoare.
Necesitatea extinderii numărului de canale poate fi chiar o cerință de
proiectare. Una dintre soluțiile în acest caz este folosirea mai multor multiplexoare
și validarea pe rând a acestora. De exemplu, dacă se consideră 32 de canale, atunci
pentru multiplexare avem nevoie de 5 pini de cod. Trei dintre aceștia vor stabili
care din cei 8 pini ai multiplexoarelor vor fi selectați în vreme ce alți doi voi decide
care multiplexor va fi folosit. Schema se poate vedea în Fig.8.6. În Fig.8.5 şi
Fig.8.6, intrările din care se face selecția s-au notat cu 1D...8D.
Fig.8.5. Extinderea capacității de multiplexare prin creșterea numărului de biți.
Fig.8.6. Extinderea capacității de multiplexare prin creșterea numărului de canale.

Aplicații ale multiplexoarelor
Transmiterea succesivă a datelor furnizate de ”m” surse către un receptor
Transmiterea succesivă a datelor presupune de fapt o transmisie serială.
Pentru a transmite succesiv datele furnizate de m surse se utilizează un numărător
binar a cărui ieșire se aplică multiplexorului (acesta furnizează codul de selecție).
Fiecare intrare de tact modifică ieșirea numărătorului cu 1 si deci selectează
intrarea următoare. Ca urmare, acestea vor fi selectate una după alta. Schema se
Fig.8.7. Transmiterea succesivă a datelor furnizate de m surse.

Una dintre aplicațiile ce utilizează acest principiu este conversia analog-
numerică. Astfel, pentru a putea achiziționa date pe mai multe canale cu un singur
convertor analog-numeric, se utilizează un multiplexor care aduce pe rând intrările.
Conversia paralel-serială a unei secvențe numerice

Principiul de funcționare în acest caz este similar cu cel prezentat în
paragraful anterior. Datele se aduc la intrarea multiplexorului în format paralel.
Numărătorul binar (ce primește semnal de la un generator de tact) modifică valorile
intrărilor de comandă și deci conectează succesiv liniile de intrare la ieșirea
multiplexorului. Efectul obținut este conversia paralel-serie a secvenței binare
adusă la intrare. Schema convertorului paralel-serial se poate vedea în Fig.8.8.
Fig.8.8. Conversia paralel-serială a unei secvențe numerice binare.

Dependent de ordinea de conectare a intrărilor (dar și de sensul de
numărare al numărătorului binar NB din Fig.8.8), primul bit al secvenței binare
seriale de la ieșire poate fi LSB sau MSB.
8.4. Codificatorul
Codificatorul este un circuit electronic ce generează la ieșire un cod binar
pe N biți atunci când numai una dintre intrări este activată. Drept exemplu se poate
considera codificatorul zecimal-binar. La intrarea acestuia se aplică datele
zecimale, iar la ieșire acesta generează un cod. Numărul codurilor generate la ieșire
este egal cu numărul intrărilor (Fig.8.9). Tabelul de adevăr al codificatorului se
poate vedea în Tabelul 8.5.
Fig.8.9. Codificatorul.
Tabelul 8.5. Tabelul de adevăr al codificatorului.
INTRARE ACTIVĂ Y3 Y2 Y1 Y0
I0 0 0 0 0
I1 0 0 0 1
I2 0 0 1 0
I3 0 0 1 1
I4 0 1 0 0
I5 0 1 0 1
I6 0 1 1 0
I7 0 1 1 1
I8 1 0 0 0
I9 1 0 0 1
Pentru cele patru ieșiri ale decodificatorului se pot scrie ecuațiile 8.3.
Y0  I1  I 3  I 5  I 7  I 9
Y1  I 2  I 3  I 6  I 7
(8.3)
Y2  I 4  I 5  I 6  I 7
Y3  I 8  I 9
Relațiile (8.3) relevă faptul că circuitul codificator se poate realiza și cu

porți logice. O implementare posibilă se poate vedea în Fig.8.10. Este de remarcat
structura simplă a codificatorului. Totuși, dacă din anumite motive se activează mai
mult de o intrare (așa cum s-a presupus la dezvoltarea schemei cu porți a acestuia)
funcționarea acestuia pune probleme.
Fig.8.10. Codificatorul – implementare cu porți logice l.

Pentru ilustrarea acestei afirmații se presupune că la intrare sunt activate
simultan intrările I7 și I8. În acest caz, în conformitate cu ecuațiile (8.3), la ieșire se
va găsi: Y0=1 (datorită intrării I7), Y1=1 (datorită intrării I7), Y2=1 (datorită intrării
I7), Y3=1 (datorită intrării I8). Ca urmare, codul este 1111 = Fh. În Tabelul 8.5,
acest cod nu există. Acest lucru arată o problemă în funcționare atunci când se
activează simultan două intrări. Pentru rezolvarea situațiilor de acest fel se folosesc
codificatoarele prioritare.
8.5. Codificatorul prioritar

Pentru surmontarea acestei probleme s-au creat codificatoarele prioritare.
În cazul acestora, la activarea simultană a mai multor intrări intră în funcțiune un
sistem de prioritizare a acestora. Ca urmare, numai una dintre intrări (cea cu
prioritate mai mare) va fi selectată (considerată ca fiind activă).
În cazul codificatoarelor prioritare intrarea I7 are prioritate absolută. Intrarea I0 este
activă numai când intrările I1 – I7 nu sunt active. Se introduc așadar variabilele
intermediare Z7 – Z0 definite precum se arată în ecuațiile (8.4).
Z7  I7
Z6  I7  I6
(8.4)
Z5  I7  I6  I5
Z 0  I 7  I 6  .....I1  I 0
Un exemplu de codificator prioritar des folosit este 74HC/HCT 148.

Principala aplicație a codificatoarelor prioritare este arbitrarea cererilor de
întrerupere ce apar la funcționarea microcalculatoarelor. 74HC/HCT 148 are opt
intrări. În cazul în care numărul de intrări este mai mare se utilizează mai multe
codificatoare prioritare.
8.6. Demultiplexorul
Demultiplexorul este un circuit numeric ce conectează o intrare la o
anumită ieșire (dintr-o multitudine). Ca urmare acesta realizează o operație de
distribuție (invers față de multiplexor). Ieșirea la care se conectează intrarea este
stabilită cu ajutorul unor intrări de comandă/selecție. Tabelul de adevăr după care
funcționează un demultiplexor se prezintă în Tabelul 8.6.
Tabelul 8.6. Tabelul de adevăr al demultiplexorului.
S1 S0 Y0 Y1 Y2 Y3
0 0 I 0 0 0
0 1 0 I 0 0
1 0 0 0 I 0
1 1 0 0 0 I
Din tabelul de adevăr se poate vedea faptul că intrarea I este conectată la

una dintre ieșiri stabilită pe baza liniilor de comandă. Un demultiplexor poate fi
construit și cu porți logice.
8.7. Comparatorul numeric

Comparatorul numeric este un circuit electronic ce poate compara două
secvențe numerice cu același număr de biți. Pentru ca acest lucru să fie posibil,
comparatorul trebuie să aibă un număr dublu de intrări. Pentru semnalizarea stărilor
(relative) ale celor două numere, circuitul are trei ieșiri. Fiecare semnalizează una
dintre stările A=B, A>B, respectiv A<B.
În analiza circuitului se consideră că fiecare din cei doi operanzi binari are k biți.
Egalitatea între doi biți (de același rang) se poate determina utilizând o poartă
SAU-NU-EXCLUSIV. Astfel ieșirea acesteia este pe 1 logic dacă cele două intrări
au aceeași valoare logică (Fig.8.11). Ecuația (8.5) descrie funcția SAU-
EXCLUSIV-NU. Tabelul 8.7 este tabelul de adevăr al acestei funcții.
E  E0  E1  E2  E3 (8.5)
Așa cum se observă în Tabelul 7.8, ieșirea porții este 1 dacă operanzii au
aceeași stare logică. În cazul în care cele două nu sunt egale, circuitul trebuie sa
determine care dintre operanzi este mai mare. Această inegalitate se poate
determina utilizând o poartă SI ce are o intrare inversată. O astfel de poartă se
Fig.8.11. Poarta SAU-EXCLUSIV-NU. Fig.8.12. Poarta SI-NU cu intrare inversată.
Tabelul 8.7. Tabelul SAU-EXCLUSIV-NU.

b a y
0 0 1
0 1 0
1 0 0
1 1 1
Pentru compararea a două secvențe binare de 1 bit se folosesc două porți

SI-NU cu o intrare inversată și o poartă SAU-EXCLUSIV-NU. Schema se prezintă
în Fig.8.13. Ieșirile acestuia sunt S (superior), E (egal) și I (inferior). Dacă se
presupune că A=1 și B = 0 ieșirea S va fi 1, ieșirea E va fi 0 (vezi Tabelul 8.7) iar
ieșirea I va fi de asemenea pe 0 logic. Într-adevăr A este mai mare decât B.
Fig.8.13. Comparatorul numeric pe 1 bit.

Un comparator numeric pe mai mulți biți se construiește din module
comparator de 1 bit (Fig.8.13). Între ieșirile de egalitate se face un SI. Astfel ieșirea
de egalitate a unui comparator numeric pe patru biți se poate vedea în ecuația
(7.17). Două secvențe binare sunt egale atunci când biții de același rang sunt egali.
Expresiile ieșirilor S și I sunt prezentate în ecuațiile (8.6).
S  S 3  E3  S 2  E3  S 2  S1  E3  S 2  S1  S 0
(8.6)
I  I 3  E3  I 2  E3  I 2  I1  E3  I 2  I1  I 0
9. Capitolul 9
9. Circuite logice secvenţiale
9.1. Introducere
Circuitele logice în care valoarea ieșirii depinde de valorile mărimilor de
intrare dar și de valori anterioare se numesc circuite logice secvențiale. O stare
anterioară poate fi adusă în circuit doar dacă aceasta este memorată.
Stările circuitelor secvențiale se modifică pe fronturile impulsurilor de tact.
Un impuls de tact este activ pe ”1” dacă modificarea stării circuitului se face pe
frontul crescător al impulsului de tact. Dacă modificarea se face pe frontul căzător
al impulsului de tact, atunci semnalul de tact este activ pe ”0” logic. Unul dintre cei
mai importanți membri aici este Circuitul Basculant Bistabil. Prima parte a acestui
capitol prezintă în detaliu aceste componente. Al doilea paragraf prezintă circuite
din familia celor secvențiale construite cu ajutorul bistabililor. Împreună cu acestea
sunt prezentate și unele aplicații ale acestora.
9.2. Circuite basculante bistabile

Așa cum indică și numele, Circuitele Basculante Bistabile (CBB) sunt
circuite electronice digitale a căror ieșire poate avea stările 1 sau 0 până când se
acționează asupra lor ca să-și schimbe starea. Este important de notat faptul că o
funcționalitate de acest gen permite și o acțiune de memorare a unei variabile. CBB
există și ca circuite integrate și pot fi construite și cu porți logice discrete.
Un aspect important al CBB este faptul că acestea pot fi sincrone sau
asincrone. CBB asincrone comută dependent de schimbarea variabilelor la intrare
și a timpilor de întârziere a elementelor componente (porților). În cazul CBB
sincrone însă, pe lângă intrările de date există și o intrare de tact. Rolul acesteia
este acela de a comanda comutare CBB. În acest fel este asigurată comutarea
tuturor circuitelor ce compun un sistem digital. De cele mai multe ori semnalul de
tact este dreptunghiular cu factor de umplere de 0.5 și de frecvență cunoscută.
9.2.1. Circuitul basculant bistabil asincron de tip Reset-Set (RS)
Primul și cel mai important CBB este cel de tipul RS. Un astfel de CBB se
poate construi cu porți logice SI-NU sau SAU-NU. Schemele CBB RS asincron
realizat cu cele două tipuri de porți logice se pot vedea în Fig.9.1 și Fig.9.2.
Fig.9.1. CBB RS asincron SI-NU. Fig.9.2. CBB RS asincron SAU-NU.

Așa cum se poate vedea în Fig.9.1 și Fig.9.2 intrările celor două
configurații se notează cu R și respectiv S. Ieșirile sunt notate cu Q și respectiv Q
(ieșire ce reprezintă mărimea Q negată).
Tabelul de adevăr al CBB asincron RS prezentate în Fig.9.1 și Fig.9.2 se
pot vedea în Tabelul 9.1. În aceste tabele s-au notat mărimile de intrare cu R și S.
În ceea ce privește cele de ieșire, de importanță aici este ieșirea Q. Aceasta apare în
tabel la momentul curent (Qt) și respectiv la cel următor (Qt+1) indicând faptul că
la momentul următor ieșirea își păstrează valoarea.
Tabelul 9.1. CBB RS asincron.
CBB RS asincron cu porți SI-NU CBB RS asincron cu porți SAU-NU
S R Qt+1 S R Qt+1
0 1 0 0 1 0
1 0 1 1 0 1
0 0 Qt 0 0 Qt
1 1 - 1 1 -
După cum se poate vedea în tabelele de adevăr, bistabilul RS asincron va

reseta ieșirea Q atunci când pinul de reset R are valoarea 1 (în condițiile în care
intrarea S este 0). CBB va seta ieșirea Q atunci când intrarea set S este 1 (în
condițiile în care intrarea R este 0). În cazul în care ambele intrări sunt pe 0, ieșirea
bistabilului RS nu se schimbă (aceasta rămâne Qt). Cazul în care ambele intrări
sunt 1 logic reprezintă o nedeterminare.
9.2.2. Circuitul basculant bistabil sincron de tip Reset-Set (RS)

În cazul unui CBB de tip sincron, funcționarea se face pe baza unui impuls
de tact aplicat din exterior și în sincronism cu acesta.
9. Circuite logice secvenţiale 155
Schema CBB RS sincron se poate vedea în Fig.9.3. După cum se poate
observa, partea din dreapta Fig.9.3 este un CBB de tipul R–S construit cu porți SI-
NU. Acesteia i se adaugă o parte formată din alte două porți SI-NU a căror ieșire se
conectează la bistabilul R–S. Porțile permit semnalului să treacă numai atunci când
intrarea de tact (notată CLK) este pe 1. În acest fel comutația CBB este controlată
de semnalul de tact. CBB pot comuta pe frontul crescător sau căzător. Simbolurile
pentru două astfel de circuite se pot vedea în Fig.9.4.
Fig.9.3. CBB sincron de tipul RESET- Fig.9.4. CBB RS sincron cu comutare pe front
SET. crescător respectiv descrescător.
9.2.3. Circuitul basculant bistabil de tip J-K

În cazul CBB de tip J–K între intrările ce se aduc acestuia se regăsesc și
ieșirile acestuia. Această structură urmărește să elimine nedeterminarea CBB de tip
R–S, în cazul în care ambele intrări sunt puse pe 1 logic.
CBB J–K de tip sincron mai conține și o intrare de tact CLK). Pe lângă
aceste intrări CBB J–K mai poate avea intrări de ștergere (clear – CLR) și
presetare (preset - PR). Acestea din urmă sunt active pe 0 logic (deci negate).
Schema CBB J–K se poate vedea în Fig.9.5.
În analiza funcționării circuitului se consideră intrările de ștergere și
presetare pe 1 logic. Este însă important de menționat faptul că aceste intrări sunt
prioritare față de J, K și CLK. Pentru CBB de tip J–K se pot scrie ecuațiile (9.1).
Qn1  J n  K n  Qn  J n  K n  Qn  J n  K n  Qn  J n  K n  Qn (9.1)
Fig.9.5. CBB JK sincron.

Din ecuația (9.1) se obține ecuația (9.2).
Qn1  J n  Qn  K n  Qn (9.2)
Tabelul de adevăr al CBB J–K se poate vedea în Tabelul 9.2. Simbolul
CBB J–K se poate vedea în Fig.9.6.
Fig.9.6. Simbolul CBB J–K sincron.

Tabelul 9.2. Tabelul de adevăr al CBB J-K.
Jn Kn Qn Qn Qn+1
0 0 0 1 1 Qn
0 0 1 0 0 Qn
0 1 0 1 0 0
0 1 1 0 0 0
1 0 0 1 1 1
1 0 1 0 1 1
1 1 0 1 1 Qn
1 1 1 0 0 Qn
Considerând intrările CLR și PR pe 1 logic, după cum se poate vedea din

tabelul de adevăr, ieșirea Q a CBB J–K este pe 1 logic atunci când intrările J
respectiv K sunt pe 1 respectiv pe 0. De asemenea ieșirea Q este pe 0 atunci când
intrările J respectiv K sunt pe 0 respectiv pe 1.
9.2.4. Circuitul basculant bistabil de tip J-K master-slave (JK-MS)
CBB JK-MS elimină complet nedeterminarea în cazul în care ambele
intrări sunt pe 1 logic. Structural, acesta se compune din două CBB R–S (numite
master – circuitul de la intrare, și slave – circuitul de la ieșire) și o legătură de
reacție de la ieșirile celui de al doilea CBB (numit slave) la intrarea primului
(numit master).
Pentru CBB slave, semnalul de tact este inversat. Transferul informației de
la intrările J și K la CBB master se face fie pe front fie pe durata tactului.
Transferul informației spre bistabilul slave nu se poate face în acest interval de
timp datorită faptului că intrarea de tact a porților de intrare a bistabilului slave este
pe zero logic. Starea CBB slave nu se modifică în acest interval de timp. Transferul
informației din CBB master in CBB slave se face după terminarea impulsului de
tact CLK (începând cu frontul căzător al acestuia). Schema electronică a CBB JK-
MS se poate vedea în Fig.9.7.
Fig.9.7. CBB J–K Master-Slave.

În Fig.9.7 se pot vedea clar cele două structuri ce formează CBB JKMS.
Ieșirea CBB la momentul n+1 se obține cu ecuația 9.3.
Qn1  J n  Qn  K n  Qn (9.3)
9.2.5. Circuitul basculant bistabil de tip D

CBB de tip D (delay – întârziere) are o singură intrare notată cu D. Acesta
este realizabil cu bistabile de tip J–K sau R–S prin conectarea intrărilor împreună.
Astfel, dependent de CBB din care se obține, D  J n  K n sau D  S  R . La fel cu
cele prezentate mai sus si CBB de tip D poate comuta pe front crescător sau
coborâtor, Fig.9.8 și Fig.9.9. Bistabilul obținut poate comuta pe front crescător sau
coborâtor.
Fig.9.8. CBB de tip D cu comutare pe Fig.9.9. CBB de tip D cu comutare pe

front crescător. front descrescător.
O altă funcție a acestuia este aceea de memorare a informației (latch).
Pentru memorarea unui cuvânt de 8 biți se folosesc 8 astfel de bistabile (ele
formează un registru). În Fig.9.8 se prezintă un CBB de tip D – latch. CBB
funcționează așa cum se arată în Tabelul 9.3. Pinul notat Latch Enable (LE) se
folosește pentru a memora / stoca informația în bistabil. Astfel, dacă pinul LE este
0, valoarea adusă la intrare este memorată de circuit. Dacă intrarea LE este pusă pe
1 logic, CBB copiază intrarea D la ieșire. Astfel, valoarea intrării D se va regăsi la
ieșire.
Tabelul 9.3. Tabelul de adevăr al CBB D.
LE D Qn+1
1 0 0
1 1 1
0 0 Qn - nemodificat
0 1 Qn - nemodificat
Dacă intrarea LE este pe 0, atunci ieșirea circuitului rămâne nemodificată.

Circuitul prezentat în Fig.9.9 comută pe frontul descrescător al semnalului LE și
funcționează în mod similar celui din Fig.9.8. Funcționarea se poate vedea și din
formele de undă prezentate în Fig.9.10. Modul în care CBB D lucrează se poate
vedea în Fig.9.10. Atunci când LE este pus pe 1, bistabilul copiază valoarea intrării
D la ieșirea Q pe frontul coborâtor (sau crescător) al semnalului de tact CLK.
Fig.9.10. Funcționarea CBB de tip D cu comutare pe front căzător.

9.2.6. Circuitul Basculant Bistabil de tip T
CBB de tip ”toggle” este un bistabil care basculează la aplicarea
semnalului de tact (toggle - basculant). Fizic, acesta se obține dintr-un CBB de tip
J–K prin conectarea împreună a celor două intrări.
Pentru eliminarea completă a nedeterminărilor (ce pot apărea atunci când
intrările J și K sunt pe 1) se utilizează bistabile JK master-slave (JKMS). Construcția
unui CBB de tip T cu ajutorul unui bistabil de tip J–K se poate vedea în Fig.9.11.
Fig.9.11. Simbol CBB de tip T.

Atâta vreme cât T este pe zero ieșirea circuitului nu se modifică. Când însă
intrarea T este pe 1 logic, ieșirea oscilează (Fig.9.12). Comutarea se face pe frontul
căzător al semnalului de tact. Se poate observa aici cu datorită faptului că ieșirea
comută pe frontul căzător al semnalului de tact, frecvența semnalului de ieșire este
jumătate din aceea a semnalului de tact (Fig.9.12). Acest lucru ilustrează o
proprietate importantă a CBB de tip T: divizarea de frecvență. În cazul în care se
dorește divizarea în continuare a frecvenței, se utilizează încă un bistabil de tip T.
Fig.9.12. Divizarea de frecvență cu ajutorul CBB de tip T.

O altă concluzie este faptul ca informație de la intrare se ”mută” către
ieșire atunci când T este pe 1 logic. Acest lucru este important mai ales atunci când
aplicația cere o asemenea trăsătura. Acest lucru stă la baza construcției modulelor
cunoscute sub numele de ”registre de deplasare”. Acestea vor fi prezentate in
paragraful următor.
Un CBB de tip T se poate construi și cu ajutorul unui bistabil de tip D.
Pentru acest lucru se utilizează schema din Fig.9.13 în care se intercalează un
modul logic între linia T și intrarea de comandă D a bistabilului. Logica modulului
L urmează a fi determinată. Comportarea modulului construit, trebuie să
corespundă tabelului de adevăr al CBB de tip T (Tabelul 9.4). Din Tabelul 9.4,
intrarea D a bistabilului se poate scrie ca în ecuația (9.4).
Dn  Tn  Qn  Tn  Qn (9.4)
Fig.9.13. Construcția unui CBB de tip T dintr-un CBB de tip D.

Tabelul 9.4. Tabelul de adevăr al CBB D.
Tn Qn Qn+1 Dn
0 0 0 0
0 1 1 1
1 0 1 1
1 1 0 0
Ecuația (9.4) este similară ecuației ce descrie funcționarea unei porți SAU-
ECLUSIV. Ca urmare, modulul logic este de fapt o poartă SAU-EXCLUSIV.
9.3. Aplicații ale circuitelor basculante bistabile

Aplicaţia a I-a: Pornirea și oprirea unui circuit electric / electronic.
Una dinte cele mai simple aplicații pentru un bistabil o reprezintă pornirea
și respectiv oprirea unui circuit electronic (LED, motor electric, etc.). Datorită
faptului că ieșirea rămâne pe 1, se elimină astfel necesitatea unei structuri
electromecanice cu automenținere (operatorul apăsând butonul de pornire care
revine la starea inițială după pornirea circuitului). Pentru multe aplicații (de
exemplu luminile într-o cameră) această problema este rezolvată prin utilizarea
unui comutator mecanic care funcționează asemănător unui bistabil electronic.
Aplicaţia a II-a: Eliminarea vibrațiilor unui comutator mecanic.

O a doua aplicație a unui bistabil o reprezintă eliminarea vibrațiilor unui
comutator mecanic. Intr-adevăr atunci când comutatorul mecanic comută, există
posibilitatea ca acesta sa genereze un semnal electric ce conține oscilații. Acestea
apar din cauza închiderii și deschiderii contactului atunci când armătura mobilă
lovește armătura fixă. De multe ori efectul este considerabil atenuat printr-un
condensator.
O soluție mai elegantă presupune utilizarea unui CBB ce asigură fermitatea
comutării. Schema comutatorului cu CBB se prezintă în Fig.9.14.
Fig.9.14. Eliminarea vibrațiilor cu un CBB R–S.

În această schema comutatorul pune pe rând intrările R și S ale CBB pe 1
pentru a seta / reseta bistabilul. Este important de subliniat faptul că ambele intrări
nu sunt puse pe 1 logic în nici un moment în funcționare. Dacă se presupune o
mișcare de la pinul S spre pinul R, în momentul în care contactul mobil părăsește
pinul S, potențialul acestuia ajunge la tensiunea de alimentare 0V prin rezistorul
conectat între masă și intrarea S a CBB. Chiar dacă sunt generate vibrații la
atingerea contactului fix legat intrarea R efectul acestora este eliminat pentru că
bistabilul comută ieșirea la 0V la prima punere pe 0 a intrării R. În momentul în
care contactul mobil ”sare” de pe cel fix datorită vibrațiilor, potențialul intrării R
ajunge (pentru o scurtă durată de timp) din nou la 0V. În acest interval ambele
intrări sunt puse pe 0 și CBB își păstrează starea. O nouă comutare (de pe 0 pe 1)
va loc numai când pinul S este adus la 1 logic (adică la revenirea armăturii mobile
a contactului pe pinul S). În acest fel, eventualele vibrații generate de mișcarea
armăturii mobile sunt eliminate cu ajutorul CBB.
Aplicaţia a III-a: Identificarea sensului de rotație a unui motor electric

O a treia aplicație folosește un bistabil de tip D pentru identificarea
sensului de rotație a unui motor electric pe baza semnalelor generate de un
Traductor Incremental Rotativ Optic (de multe ori cunoscute sub numele de TIRO).
Aceste traductoare sunt formate dintr-un disc transparent pe marginea căruia sunt
prevăzute marcaje radiale negre ce opresc trecerea luminii. De o parte și de alta a
discului se află un emițător respectiv un receptor de lumină. La rotirea discului
sistemul generează semnale rectangulare a căror frecvență depinde de viteza de
rotație. Numărând aceste pulsuri intr-un interval fix de timp se poate determina
turația discului (și implicit turația motorului care-l învârte). Cu toate acestea,
pentru determinarea un singur tren de pulsuri nu este de ajuns. Ca urmare, aceste
traductoare generează două astfel de trenuri de impulsuri defazate cu 90 de grade
între ele (Fig.9.15).
Fig.9.15. Semnalele unui Traductor Incremental Rotativ Optic (TIRO).

Dacă se presupune că aceste impulsuri sunt aduse la intrarea unui
microcontroler, atunci acesta poate distinge între cele două sensuri de rotație ale
motorului. O soluție elegantă folosește un CBB de tip D așa cum se poate vedea în
Fig.9.16.
Fig.9.16. Detecția sensului de rotație cu TIRO și microcontroler.

Semnalele de la intrare (Fig.9.16) sunt generate de către TIRO. Semnalul
canalului A este adus la intrarea D a unui CBB de tip D în vreme ce semnalul
generat de al doilea canal (B) joacă rol de tact. Bistabilul D comută pe frontul
căzător al semnalului B. Din Fig.9.15 rezultă că pentru un sens de rotație semnalul
A este 0 în momentul frontului căzător al semnalului B, iar pentru sensul de rotație
invers este 1. Ca urmare pentru un sens de rotație, ieșirea Q a bistabilului D este 1
în vreme ce pentru sensul opus ieșirea Q este 0. Ieșirea Q a bistabilului este adusă
la o linie de port (de exemplu Px.0). Presupunând funcționarea în întreruperi,
semnalul unuia dintre canale este conectat la un pin de întrerupere externă iar
aceasta este validată pe frontul căzător. În momentul în care semnalul A (Fig.9.16)
cade pe zero este generată o întrerupere. În subrutina de tratare a acesteia,
microcontrolerul verifică starea liniei de port Px.0. Dacă la intrare este adus un 1,
atunci motorul se rotește într-un sens, iar dacă este adus un zero, atunci sensul de
rotație este contrar. Într-un caz microcontrolerul va incrementa numărul de pulsuri
numărate, iar în celalalt îl va decrementa.
9.4. Numărătoare asincrone

După cum s-a arătat mai sus, ieșirea unui bistabil T oscilează cu o valoare
egală cu jumătatea frecvenței semnalului de tact dacă intrarea T este pusă pe 1.
Dacă la ieșirea Q a acestuia se conectează intrarea de tact a unui al doilea CBB de
tip T și acesta va diviza semnalul de la intrare. Așa cum s-a arătat mai sus, un
bistabil de tip T se poate obține dintr-un bistabil de tip J-K prin conectarea
împreună a intrărilor J și K. Se consideră în continuare o structură formată din
patru bistabile T derivate din bistabile J–K (Fig.9.17).
Fig.9.17. Structură de numărător asincron pe patru biți cu CBB de tip J–K.

Așa cum se poate observa din figură, ieșirea Q a primului bistabil este
intrare de tact pentru cel de al doilea, ieșirea Q a celui de al doilea este intrare de
tact pentru cel de al treilea, etc. Semnalul de tact aplicat primului bistabil se poate
vedea în Fig.9.18. Din cele precizate mai sus rezultă următoarele:
 fiecare CBB va diviza cu doi frecvența semnalului adus la intrare;
 fiecare CBB comută pe frontul căzător al semnalului adus la intrarea
lui de tact.
Fig.9.18. Formele de undă ale numărătorului asincron pe patru biți.

Având în vedere cele de mai sus, semnalul Q0 se obține ușor. Se consideră
pornirea din starea zero (ieșirea fiecărui bistabil este zero). Ca urmare la sfârșitul
prime perioade de tact (perioadele de tact sunt notate cu numere negre în Fig.9.18),
ieșirea Q0 va trece pe 1. La sfârșitul celei de a doua perioade de tact, Q0 va trece
înapoi pe 1. Astfel Q0 va bascula pe frontul căzător al fiecărei perioade de tact. Se
observă faptul ca perioada lui Q0 este de două ori mai mare decât cea a semnalului
de tact. Cum acest semnal este intrare pentru cel de al doilea bistabil, ieșirea Q1 va
bascula la fiecare front căzător al lui Q0. La fel ieșirea Q2 va bascula la fiecare
front căzător al lui Q1. La fel și Q3. Se obțin formele de undă din Fig.9.18. Se
notează starea fiecărei ieșiri (Q0, Q1, Q2, și Q3) în fiecare perioadă de tact (cu roșu
în Fig.9.18). Citind stările ieșirilor pe fiecare perioadă de tact se obține Tabelul 9.5.
Deși aparent numărătorul asincron lucrează bine, în Fig.9.18 nu s-a ținut
cont de timpii de propagare a informației de la intrarea fiecărui bistabil la ieșirea
acestuia. Într-adevăr, fiecare bistabil are un timp de propagare propriu. Ca urmare
cei patru bistabili nu comuta în același timp. Timpii de propagare generează stări
false (în electronica digitală aceste stări se numesc si ”hazard”). Apariția stărilor de
hazard se poate vedea în Fig.9.19. Situațiile de hazard datorate timpilor de
propagare se pot vedea în Fig.9.19.
Tabelul 9.5. Funcționarea numărătorului asincron.
Perioadă de Q3 Q2 Q1 Q0 Număr zecimal
tact corespondent
1 0 0 0 0 0
2 0 0 0 1 1
3 0 0 1 0 2
4 0 0 1 1 3
5 0 1 0 0 4
6 0 1 0 1 5
7 0 1 1 0 6
8 0 1 1 1 7
9 1 0 0 0 8
10 1 0 0 1 9
11 1 0 1 0 10
12 1 0 1 1 11
Fig.9.19. Formele de undă ale numărătorului asincron pe patru biți.

Dacă stările vor fi din nou trecute în tabel, în perioada a treia de tact, după
starea 0 0 0 1 (Q3 Q2 Q1 Q0) urmează o perioadă de hazard (prima) în care Q0 a
comutat pe zero și Q1 încă nu a comutat pe 1, astfel că starea estede forma 0 0 0 0
(deși după starea 0 0 0 1 ar fi trebuit să urmeze starea 0 0 1 0). Pentru a corecta
această problemă se introduc numărătoarele sincrone.
9.5. Numărătoare sincrone

Deși relativ simplu de obținut, numărătoarele asincrone au totuși probleme
legate de situațiile de hazard (așa cum s-a arătat mai sus). În plus, întârzierile ce
dau naștere situaţiilor de hazard sunt cumulative. Pentru numărătoare pe mai mulți
biți acestea vor limita și frecvența de tact.
Pentru eliminarea situațiilor de hazard s-au construit numărătoarele
sincrone. Funcționarea acestora se face în strânsă legătură cu semnalul de tact. Este
important de subliniat faptul că în cazul acestora, bistabilii comută toți odată (ceea
ce poate solicita în plus sursa de alimentare a acestuia). Pentru a construi un astfel
de numărător sincron se consideră succesiunea de numere zecimale reprezentate în
binar pe patru biți în Tabelul 9.6.
Tabelul 9.6. Succesiunea de numere reprezentate în binar.
Q3 Q2 Q1 Q0 Valoare zecimală
0 0 0 0 0
0 0 0 1 1
0 0 1 0 2
0 0 1 1 3
0 1 0 0 4
0 1 0 1 5
0 1 1 0 6
0 1 1 1 7
1 0 0 0 8
1 0 0 1 9
1 0 1 0 10 (A)
1 0 1 1 11 (B)
1 1 0 0 12 (C)
1 1 0 1 13 (D)
1 1 1 0 14 (E)
1 1 1 1 15 (F)
Din Tabel 9.6 se poate deduce că ieșirea primului bistabil Q0 comută tot
timpul (fiecare stare diferă de precedenta). Spre deosebire de acesta însă, ieșirea
celui de al doilea bistabil Q1 comută doar atunci când ieșirea primului bistabil Q0
este pe 1 logic (liniile a doua, a patra, a șasea, etc. din Tabelul 9.6). Din teoria
bistabilului T explicată în paragrafele anterioare, se cunoaște faptul că acesta se
poate obține din bistabile J – K și că pentru funcționare, intrările J și K se
conectează împreună la 1 logic. Cu alte cuvinte, pentru ca bistabilul al doilea să
comute numai când ieșirea Q0 este pe 1, pinii de intrare J și K se conectează la
ieșirea Q0 (Fig.9.20). Cel de al treilea bistabil comută atunci când ieșirile ambelor
bistabile dinaintea lui (Q0 și Q1) sunt pe 1 (liniile a patra, a opta, etc. din Tabelul
9.6). Ca urmare, pinii de intrare J și K se vor trece pe 1 logic numai când ieșirile
ambelor bistabile dinainte (Q0 și Q1) sunt pe 1. Pentru acest lucru se folosește o
poartă SI cu două intrări. În ceea ce privește ultimul bistabil, acesta comută atunci
când ieșirile primelor trei bistabile (Q0, Q1 și Q2) sunt toate trei pe 1. Pentru ca
acest lucru să se întâmple, intrările J și K ale acestuia se conectează la ieșirea unei
porți SI cu trei intrări la care se aduc Q0, Q1 și Q2. Schema numărătorului sincron
cu patru biți se poate vedea în Fig.9.20.
Fig.9.20. Numărătorul sincron cu bistabile T obținute din bistabile J–K.
9.6. Registrele de deplasare

În domeniul electronicii digitale se numește registru un modul capabil să
rețină o anumită informație. De obicei această informație este codificată în binar.
Registrele de deplasare sunt module electronice care realizează deplasarea
informației de la o celulă la alta pe baza unui semnal de tact.
În vederea introducerii registrelor de deplasare, se consideră schema
electronică formată din bistabile de tipul J–K din Fig.9.21. În cazul acestuia, datele
vin pe intrarea notată Date în formă serială. Circuitul lucrează sub acțiunea unui
semnal de tact (notat CLK – clock în Fig.9.21).
Conform celor din Tabelul 9.2. un bistabil de tip J–K obține la ieșire
valoarea 1 dacă J este pe 1 logic iar K este pe 0 logic. Bistabilul este resetat (ieșire
pe 0 logic) dacă la intrare J este pe 0 logic, iar K este pe 1 logic. Aceeași valoare a
intrărilor J, respectiv K determină bistabilul să-și păstreze starea. Pentru analiza
circuitului din Fig.9.21 se consideră că ieșirile bistabililor sunt pe zero logic
(bistabilii sunt resetați).
Fig.9.21. Registru de deplasare cu CBB de tip J – K.

Dacă la intrarea de date se aduce un 1 logic, atunci intrările J și K ale
primului bistabil vor fi pe 1 logic, respectiv pe 0 logic. Ca urmare, pe frontul
tactului ieșirea Q primului bistabil din Fig.9.21 se va schimba în acord cu Tabelul
9.2. La următorul front al semnalului de tact, intrările celui de al doilea bistabil
sunt J=1 și K=0. Ca urmare pe frontul semnalului ieșirea acestuia va fi pusă pe 1
logic. Dacă la următorul ciclu de tact intrarea de date este 0, atunci ieșirea primului
bistabilului va trece din nou în zero logic. În acest fel, informația se deplasează
practic de la primul la ultimul bistabil, de unde și numele de registru de deplasare.
Dacă ieșirile Q ale bistabililor sunt folosite pentru comanda unor diode
LED, se poate vedea cum valoarea 1 adusă la un moment dat la intrarea de date
trece de la un LED la celalalt. O aplicație interesantă a unui astfel de circuit este
panoul de afișaj publicitar unde un registru de deplasare cu mai multe bistabile este
multiplicat de câteva ori astfel încât fiecare LED din panou va fi comandat de
ieșirea unui asemenea bistabil.
La intrare se aduc date seriale corespunzătoare caracterelor alfa-numerice
(disponibile la ieșirea unui circuit generator de caractere) așa cum se arată în
Fig.9.22. Așa cum se poate vedea caracterul se reprezintă pe o matrice de 7 linii și
5 coloane. Dacă se consideră un ”spațiu” între caractere se poate considera încă o
coloană de LED-uri stinse în partea dreaptă a caracterului. Pentru fiecare linie de
leduri se consideră un registru de deplasare ca cel din Fig.9.21. Numărul de
bistabile din fiecare registru de deplasare este egal cu numărul de LED-uri de pe un
rând. Sistemul se poate vedea în Fig.9.22. La fiecare ciclu de tact la intrarea
acestuia se aduce informația de pe o coloană.
Fig.9.22. Reprezentarea pe nivele a caracterului ”A”.

Dacă se consideră o mișcare de la dreapta la stânga a informației pe panoul
cu LED-uri, în cazul afișării caracterului ”A” (așa cum apare în Fig.9.22) atunci
informația transmisă pe perioade de tact către cele 7 registre de deplasare este
prezentată în Tabelul 9.7.
Fig.9.22. Panou cu LED-uri pentru reclame comerciale.

Tabelul 9.7. Informația necesară afișării caracterului ”A”.
Coloana 6 Coloana 5 Coloana 4 Coloana 3 Coloana 2 Coloana 1
0 0 1 1 1 0
0 1 0 0 0 1
0 1 0 0 0 1
0 1 1 1 1 1
0 1 0 0 0 1
0 1 0 0 0 1
0 1 0 0 0 1
Prima coloană din tabel semnifică faptul că toate ledurile exceptând primul
de pe prima coloană din dreapta caracterului (în cazul caracterului ”A”) sunt
aprinse (informația transmisă este 1 logic). Ultima coloană din Tabelul 9.7
reprezintă spațiul dintre două caractere succesive. Generarea acestor linii de
informație este sarcina generatorului de caractere. Acesta fie primește la intrare un
cod numeric pentru caracterul ce se dorește a fi generat, fie are informația stocată
într-o memorie sub forma șirului de caractere (așa cum apare în Tabelul 9.7).
Pentru modificarea mesajului afișat se modifică fie succesiunea de coduri fie se
modifică chiar conținutul memoriei.
10.Capitolul 10
10.Proiectarea cu circuite
integrate liniare
10.1. Introducere
Este cunoscut faptul că la începuturile ei electronica a fost analogică. Deşi în zilele
noastre moda "digital" este omniprezentă, lucrurile stăteau cu totul altfel la
începuturi.
Cu toată "era" digitală, trebuie menționat faptul că electronica analogică
nu şi-a pierdut din importanţă. Principiile şi metodele folosite de acesta stau şi azi
la baza multor aplicaţii. În plus, circuitele electronice digitale folosesc tranzistoare
şi operează cu tensiuni analogice chiar dacă interpretarea acestora este numerică.
Paragraful de faţă prezintă câteva aplicaţii (de proiectare) din electronica
analogică. Capitolul următor prezintă câteva aplicaţii din electronica digitală.
10.2. Proiectarea unor circuite uzuale cu circuitul integrat

LM 555
Temporizatorul LM 555 este un circuit integrat linear ce utilizează
tranzistoare bipolare. El poate realiza temporizări sau oscilaţii prin încărcarea şi
descărcarea unui condensator extern. Performanţele sunt bune datorită modului de
control al tensiunilor. Etajul final al acestuia este capabil de a livra curenţi mari
(până la 200mA). Structura internă a acestuia conţine două comparatoare accesibile
din exteriorul circuitului, un bistabil de tip R-S un etaj final de ieşire şi o reţea de
trei rezistoare de intrare (Fig.10.1).
Modulul ce joacă un rol central în funcţionarea circuitului este circuitul
basculant bistabil R-S. Valoarea logică la ieşirea acestuia se stabileşte prin
intermediul comparatoarelor de la intrare. Funcţionarea acestuia se face după
Tabelul 10.1.
Fig.10.1. Temporizatorul LM 555 - structură internă.

Tabelul 10.1. Funcţionarea bistabilului din circuitul LM555.
S R QN QN+1
0 0 QN QN
0 1 QN 0
1 0 QN 1
Aşa cum se arată în tabelul 10.1, atunci când intrarea R ia valoarea 1,

ieşirea Q bistabilului obţine valoarea 0. Când S ia valoarea 1 ieşirea Q a
bistabilului obţine valoarea 1. Circuitul bistabil poate fi resetat din exterior printr-
un pin notat "Aducere La Zero - ALO". Condensatorul de descărcare poate fi
folosit la descărcarea condensatorului extern utilizat pentru generarea oscilaţiilor.
În acest paragraf sunt prezentate două aplicaţii de proiectare ce utilizează
timerul LM 555. Prima dintre ele este un oscilator de joasă frecvenţă, iar a două
este un circuit monostabil. Tensiunile de alimentarea pentru toate circuitele
descrise sunt V=15V.
10.2.1. Proiectarea unui oscilator dreptunghiular asimetric de joasă

frecvenţă cu temporizatorul LM 555
Prin termenul de „oscilator dreptunghiular asimetric” se înţelege un circuit
astabil care generează o formă de undă dreptunghiulară asimetrică (Fig.10.2).
Pentru proiectarea unui astfel de oscilator se poate folosi circuitul
temporizator LM 555. Schema unui asemenea oscilator se poate vedea în figura
10.3.
10. Proiectarea cu circuite integrate liniare 171
Fig.10.2. Forma de undă a oscilatorului dreptunghiular simetric.

În funcţionare, condensatorul C se încarcă prin rezistoarele R1 şi R2
(acestea fiind conectate în serie) de la sursa de tensiune V ce alimentează circuitul.
În momentul în care aceasta devine mai mare decât două treimi din tensiunea de
alimentare V, circuitul comparator sus comută şi intrarea R a bistabilului devine
„1” logic. Ca urmare bistabilul se resetează şi ieşirea Q devine 0, iar ieşirea
complementară /Q devine 1. Ca urmare, tranzistorul de descărcare va fi comandat
spre saturaţie şi deci condensatorul se va descărca prin rezistorul R2.
Fig.10.3. Schema oscilatorului dreptunghiular asimetric.

Constanta de timp la încărcare este dată de ecuaţia (10.1). În această
ecuaţie, C este capacitatea condensatorului, iar R1 şi R2 sunt rezistenţele celor două
rezistoare din Fig.10.3.
tinc  R1  R2   C (10.1)
Încărcarea condensatorului se face după ecuaţia (10.2).

vC  V  1  e t /   (10.2)
Mărimea notată cu τ se este constanta de timp la încărcare. Bascularea se
produce atunci când tensiunea vC depăşeşte două treimi din tensiunea V. Intervalul
de timp T1 este deci:
T1  R1  R2   C  ln 2 (10.3)
În mod similar, intervalul de timp T2 este:
T1  R2  C  ln 2 (10.4)
Adunând cele două intervale de timp se obţine perioada. Inversul acesteia
reprezintă frecvența de oscilaţie. Factorul de umplere este dat de ecuaţia (10.5):
T1
k (10.5)
T1  T2
Forma de undă a tensiunii de pe condensator este prezentată în Fig.10.4.
Fig.10.4. Forma de undă a oscilatorului dreptunghiular asimetric.

De cele mai multe ori tema de proiectare specifică frecvenţa de oscilaţie şi
factorul de umplere. În exemplu de mai jos se va dimensiona un oscilator cu
LM555 cu frecvenţa de 10kHz şi factor de umplere 3/4. Ca urmare perioada de
încărcare este:
T1  k  T  75s (10.6)
Intervalul de timp T2 se determină ca diferenţă între perioada de oscilaţie şi
intervalul T1:
T2  k  T  25s (10.7)
La acest pas valorile intervalelor de timp sunt cunoscute. Se poate alege deci
valoarea condensatorului. Alegând un condensator de 22nF, rezistorul R2 rezultă ca
fiind:
T2
R2   1639 (10.8)
C  ln 2
În mod similar se determină suma celor două rezistenţe ca fiind:
T1
R1  R2   4919 (10.9)
C  ln 2
Ca urmare R1 devine:
R1  3279 (10.10)
Este foarte posibil ca valorile obţinute pentru rezistoare să nu fie
standardizate. În acest caz valorile rezistoarelor trebuie alese din catalog cât mai
aproape posibil de valorile din rezultat. Se aleg aşadar valorile R1=3.3kΩ şi
respectiv R2=1.6kΩ. Cu un condensator de 10nF, constanta de timp T2=24,39µsec.
Intervalul de timp T1=74.70µsec. Frecvenţa de oscilaţie rezultă deci ca fiind:
f  10,091kHz (10.11)
Se observă faptul că valorile obţinute sunt apropiate de cele de proiectare.
10.2.2. Proiectarea unui oscilator dreptunghiular simetric de joasă

frecvenţă cu temporizatorul LM 555
Prin termenul de „oscilator dreptunghiular simetric” se înţelege un circuit
astabil care generează o formă de undă dreptunghiulară simetrică (Fig.10.5).

Pentru proiectarea unui astfel de oscilator se va folosi circuitul
temporizator LM 555. Pentru a obţine un oscilator simetric, este necesar ca
încărcarea condensatorului să se facă prin rezistoare de aceeași valoare. Schema
oscilatorului simetric se poate vedea în Fig.10.6.
În acest caz, încărcarea şi descărcarea condensatorului se realizează prin
rezistorul R şi prin pinul de ieşire. Ca urmare, cele două intervale de timp T1 şi T2
sunt egale. Câtă vreme tensiunea pe condensatorul C este mai mică decât o treime
din tensiunea de alimentare, intrările bistabilului sunt S=1 şi R=0. Ca urmare
ieşirea /Q este 0, iar ieşirea circuitului este egală cu tensiunea de alimentare. Deci,
condensatorul se încarcă.
Fig.10.6. Schema oscilatorului dreptunghiular asimetric.

În momentul în care tensiunea pe acesta depăşeşte o treime din cea de
alimentare dar este mai mică decât două treimi din aceasta, intrările bistabilului
sunt nule. Ca urmare acesta îşi păstrează starea (Tabelul 10.1). În momentul în care
tensiunea pe condensator depăşeşte două treimi din tensiunea de alimentare,
intrarea R a bistabilului devine 1 şi acesta se resetează. Ieşirea /Q devine deci 1 iar
ieşirea circuitului devine 0. Condensatorul va începe să se descarce. Formele de
undă ale ieşirii şi tensiunii pe condensator se pot vedea în Fig.10.7.

În acest caz se va proiecta un oscilator cu frecvenţa de 10kHz. Perioadele
de timp T1 şi T2 sunt egale, iar suma lor reprezintă perioada oscilatorului care în
acest caz este 100µsec. Alegând un condensator C=22nF, se obţine o valoare a
rezistenţei R de:
T
R  3607 (10.12)
2  C  ln 2
Se alege deci un rezistor de 3.6kΩ.
10.2.3. Proiectarea unui monostabil cu temporizatorul LM 555

În cazul în care condensatorul este lăsat să se încarce de la sursa de
alimentare prin rezistorul R, tensiunea pe acesta se poate folosi pentru a genera un
puls de tensiune la ieşire. Circuitul astfel obţinut este un monostabil. Pentru
"acţionarea" acestuia se poate folosi pragul jos dacă acesta este decuplat de la
terminalul condensatorului. Schema monostabilului cu LM555 se poate vedea în
Fig.10.8.
Fig.10.8. Schema circuitului monostabil cu LM555.

În cazul în care tensiunea de intrare adusă la pinul PJ este mai mare decât
o treime din tensiunea de alimentare, intrarea S a bistabilului este 0. Tensiunea pe
condensator este mai mică decât două treimi din tensiunea de alimentare. Deci şi
intrarea de reset a bistabilului este 0. Ca urmare ea rămâne în aceiaşi stare. Dacă
această stare ar fi fost 0, atunci ieşirea complementară a bistabilului ar fi fost 1, iar
tranzistorul de descărcare ar fi fost saturat şi deci ar descărca condensatorul.
În cazul în care ieşirea bistabilului ar fi 1, atunci ieşirea complementară a
bistabilului ar fi fost 0 fapt ce ar permite încărcarea condensatorului până la două
treimi din tensiunea de alimentare ceea ce ar duce la setarea intrării de reset a
bistabilului şi deci la descărcarea condensatorului. Când tensiunea de intrare adusă
la pinul PJ scade sub o treime din tensiunea de alimentare, intrarea S a bistabilului
devine 1. Ca urmare ieşirea acestuia devine 1, iar ieşirea complementară devine 0.
Tranzistorul de descărcare se blochează, iar condensatorul începe să se încarce. În
momentul în care tensiune pe acesta depăşeşte două treimi din cea de alimentare,
intrare R a bistabilului devine 1. Ieşirea Q a bistabilului devine 0 (/Q devine 1).
Tranzistorul de descărcare se saturează, iar tensiunea pe condensator devine 0.
Cerinţele de proiectare a monostabilului specifică durata de timp în care
condensatorul se încarcă pentru că în acest caz tensiunea la ieşirea circuitului este 1
(acesta generează practic un puls pe durata încărcării condensatorului). Acesta este
timpul necesar încărcării condensatorului de la tensiunea 0 la două treimi din
tensiunea de alimentare.
2
3

 V  V  1  e  t / R C  (10.13)
Sau prin simplificări:

eT / R  C  3 (10.14)
Aceasta este echivalent cu:
T  R  C  ln 3  1.1  R  C (10.15)
În exemplul de mai jos se va proiecta un monostabil ce generează un puls
dreptunghiular de 1 secundă. În acest caz produsul dintre rezistenţă şi capacitate
este:
T 2
RC    1.8181s (10.16)
1.1 1.1
Alegând un condensator de 1µF va rezulta o valoare a rezistenţei de:
1.8181
R  1,8M (10.17)
10  6
10.3. Proiectarea unui modulator analogic pentru generarea

unui semnal modulat în lăţime de puls
Aşa numita "modulare în lăţime de puls" vine din termenul englez Pulse
Width Modulation. Această tehnică a fost folosită de către ingineri pentru comanda
motoarelor electrice de curent continuu pentru variaţia de turaţia. Astfel, pentru
acest deziderat, inginerii alimentau motorul cu întreaga tensiune variind intervalul
de timp al acesteia într-o perioadă.
Deşi un asemenea semnal (Fig.10.9) este uşor generabil în cazul operării cu
microcontrolere / microprocesoare, în electronica analogică acesta este generat prin
compararea unei tensiuni în dinte de fierăstrău cu un nivel de tensiune continuă.
Deşi există şi posibilitate modificării perioadei, de cele mai multe ori
mărimea variabilă este factorul de umplere, iar perioada T este fixă. Acesta este dat
de ecuaţia (10.18).
t
fu  (10.18)
T
Fig.10.9. Schema circuitului monostabil cu LM555.

Principiul de generare a unui asemenea semnal este arătat în Fig.10.10.
Pentru acesta se compară un semnal "dinte de fierăstrău" cu un nivel de tensiune
continuă. Ieşirea comparatorului este pe "1" atunci când nivelul de tensiune
continuă îl depăşeşte pe cel în dinte de fierăstrău. Pentru modificarea lăţimii
pulsului este suficientă ridicarea nivelului de tensiune continuă.
Fig.10.10. Semnal modulat în lăţime de puls (semnal PWM).

În acest paragraf se va prezenta proiectarea unui astfel de modulator şi a
circuitelor electronice componente folosite de acesta. Următorul paragraf prezintă
proiectarea unui convertor numeric analogic folosit împreună cu un calculator PC
pentru modificarea tensiunii continue.
Deşi sunt posibile şi alte metode de generare a tensiunii în dinte de
fierăstrău, în acest caz aceasta se generează prin încărcarea periodică a unui
condensator şi extragerea unui curent constant din acesta. Curentul extras este
reglabil, ca urmare perioada semnalului în dinte de fierăstrău este variabilă.
Modulele necesare sunt prezentate în Fig.10.11.
Fig.10.11. Circuit de modulare în lăţime de puls (semnal PWM).

Proiectarea oscilatorului asimetric
Pentru oscilatorul asimetric se va folosi circuitul temporizator LM 555
descris în paragraful anterior. Cerinţele acestuia sunt:
- frecvenţă f=1000Hz (T=1000µsec),
- factor de umplere al oscilaţiei la ieşire fu=10%
Pentru acesta se adoptă schema din Fig.10.3 la care semnalul va fi inversat
printr-un tranzistor (în acest caz factorul de umplere pentru oscilator va fi de 10%),
noua schemă fiind prezentată în Fig.10.12. Tensiunea de alimentare se consideră a
fi 15V. Evident, utilizarea tranzistorului de inversare este opţională (schema de
oscilator putând fi dimensionată pentru un factor de umplere de 90%).
Fig.10.12. Schema oscilatorului folosită în modulator.

Folosind ecuaţiile prezentate mai sus se pot calcula cele două constante de
timp T1 şi T2, rezistoarele şi condensatorul necesare. Alegând un condensator cu
capacitatea C=22nF, acestea sunt:
T1 900  10 6
R1  R2    59k (10.19)
0.693  C 0.693  22  10  9
În mod similar, rezistorul R2 rezultă:
T2 100  10 6
R2    6.55k (10.20)
0.693  C 0.693  22  10  9
Combinând ecuaţiile (10.19) şi (10.20) rezultă valoarea rezistorului R1 ca
fiind R1=52.47kΩ. Se aleg rezistoarele cu valori 6.3kΩ şi 51kΩ.
Tranzistorul de ieşire este unul de putere mică capabil să comute la o
frecvenţă de 1kHz. Acesta se va considera ca fiind de tipul BC171 sau echivalent
(un echivalent poate fi considerat un tranzistor de mică putere folosit în sistemele
audio). Pentru dimensionarea rezistorului din baza tranzistorului de ieşire se
consideră o tensiune bază emitor de 0.7V şi un curent de bază de 10-15mA.
Valoarea acestuia este:
15  0.7
Rb   1.43k (10.21)
10
Se va alege un rezistor de 1.5kΩ.
Proiectarea circuitului de încărcare

Pentru încărcare se foloseşte un tranzistor al cărui emitor este conectat la
condensatorul de încărcare (Fig.10.13). Timpul de încărcare al condensatorului este
dat de lăţimea pulsului din Fig.10.9 şi Fig.10.10. În acest caz lăţimea pulsului pe
care se realizează încărcarea este 100µsec.
Fig.10.13. Schema oscilatorului folosită în modulator.

Condensatorul va fi încărcat după 5 constante de timp RiC. Cu alte cuvinte:
t puls  5  Ri  Ci (10.22)
Alegând un condensator de 22nF rezultă un rezistor de 0.91kΩ. Se poate

deci alege un rezistor de încărcare de 8.2kΩ.
Dimensionare sursei de curent

Sursa de curent este cea responsabilă de formarea tensiunii dinte de
fierăstrău prin extragerea unui curent constant din sarcina acumulată pe
condensatorul de încărcare Ci. Condiţiile pe care trebuie s-o îndeplinească sursa de
curent sunt:
 să extragă curent în aşa fel încât tensiunea pe condensator să ajungă pe
zero la începutul perioadei de încărcare următoare;
 acest curent să fie reglabil.
Există multe scheme de surse de curent în literatura de specialitate. Schema
aleasă în acest caz se poate vedea în Fig.10.14. Ea este construită în jurul unui
tranzistor npn şi beneficiază de simplitate.
Fig.10.14. Schema sursei de alimentare.

Dioda luminiscentă folosită este de culoare verde. Aceasta este polarizată
cu ajutorul unui rezistor de 1.5kΩ. Rezistoarele din emitorul tranzistorului se
folosesc pentru a modifica curentul de descărcare. Sarcina electrică iniţială este:
Q  Ci  V (10.23)
Din motive de simplitate şi fără a diminua rezultatele se poate considera
încărcarea condensatorului în locul descărcării. În acest caz tensiunea pe acesta
este:
1
vC 
Ci 
 i  dt (10.24)
În cazul celui mai mare curent de descărcare (când rezistorul variabil este
practic nul) valoarea acestuia este limitată doar de R1 şi are valoarea:
V
I (10.25)
R1
Pentru a permite o anumită plajă de reglaj se consideră că un asemenea

curent trebuie să descarce complet condensatorul în jumătate din timpul necesar.
Ca urmare, curentul fiind constant (valoarea acestuia se notează cu I) expresia
tensiunii pe condensator devine:
1 T
V I  1 (10.26)
Ci 2
Înlocuind 10.25 în 10.26 se obţine:

1 V T1
V   (10.27)
Ci R1 2
Ca urmare:
T1
Ci  R1  (10.28)
2
De aici valoare rezistenţei este R1=20kΩ. Ca urmare rezistorul R1 se va
alege de 20kΩ. Pentru încărcarea cu cel mai mare curent (atunci când rezistorul R2
are valoarea maximă) se alege timpul de 1.5·T1. Ca urmare R1+R2=60kΩ. Se va
alege un rezistor variabil cu rezistenţa de 50kΩ. Pentru stabilirea / reglarea lui R2 se
va utiliza un osciloscop cu două canale. La primul dintre canale se va aduce
semnalul de la tranzistorul de încărcare, iar la cel de al doilea canal se va aduce
tensiunea de pe condensator. Se va roti potenţiometrul R2 astfel încât tensiunea pe
condensator să devină zero în momentul în care va reîncepe încărcarea sa.
Este important de menţionat faptul că pentru a nu afecta tensiunea pe
condensator, etajul următor va trebui să aibă un etaj repetor (ce oferă la intrare o
rezistenţă mare). Semnalul în dinte de fierăstrău rezultat va fi comparat cu un nivel
de tensiune continuă aşa cum se arată în Fig.10.9. Variind nivelul tensiunii
continue se variază lăţimea pulsurilor rezultate la ieşire. În mod obişnuit pentru a
obţine un nivel de tensiune variabilă se utilizează un potenţiometru analogic
conectat între sursa de alimentare şi masă.
10.4. Generarea unei tensiuni cu calculatorul PC

Pentru generarea unei tensiuni cu ajutorul calculatorului PC se foloseşte un
convertor numeric analogic. Calculatorul va trimite acestuia o secvenţă numerică
ce va fi convertită în formă analogică ce va fi trimisă modulatorului proiectat în
paragraful anterior. Cele două tensiuni vor fi comparate şi la ieşire rezultă un
semnal modula în lăţime de puls (PWM) (Fig.10.15). Circuitul propus foloseşte un
convertor numeric analogic de tipul DAC08. Circuitul poate fi conectat la portul
paralel, ISA, etc. În cel de-al doilea caz acesta trebuie să conţină un decodor de
adresă.
Curentul de ieşire, atunci când toate intrările sunt pe "1 logic", este dat de:
255
I max   I REF (10.29)
256
Dimensionarea constă în determinarea rezistorului R. Pentru aceasta se
scrie ecuaţia tensiunilor între intrare şi ieşire:
Vies  0  R  I max (10.30)
Ca urmare tensiunea Vies este maximă atunci când curentul este maxim.
Curentul maxim este limitat de tensiunea de referinţă şi rezistorul RREF aşa cum
arată ecuaţia (10.29).
Convertorul este realizat în formă unipolară utilizând schema din
Fig.10.15.a. În schema din Fig.10.15.a intrările numerice vin de la calculator.
Tensiunea lor este 0V sau 5V după cum intrarea este pusă pe "0 logic" sau pe "1
logic". Circuitul utilizează un amplificator operaţional ce converteşte curentul de la
intrare într-o tensiune la ieşire. Tensiunea de referinţă VREF trebuie să fie una bine
stabilizată. O posibilitate foarte convenabilă este utilizarea sursei de alimentare a
calculatorului cunoscut fiind faptul că aceasta este foarte bine stabilizată. Schema
circuitului se poate vedea în Fig.10.15.b. Circuitul LF363 este utilizat pe post de
convertor curent-tensiune.
Ieşirea circuitului convertor numeric analogic se aduce la modulator în
locul tensiunii continue. Aceasta este comparată cu tensiunea în dinte de fierăstrău
de către un comparator. Rezultatul este o formă de undă similară cu cea din
Fig.10.10. Aceasta poate fi amplificată şi aplicată unui motor electric a cărui turaţia
va fi reglată prin modificarea secvenţei numerice aplicate la intrarea convertorului
analog numeric.
a) b)
Fig.10.15. Utilizarea convertorului DAC08 în variantă unipolară.
11.
Bibliografie
[1]. Ionel S., Dispozitive şi Circuite Electronice, Editura Politehnica,

Timişoara, 2007.
[2]. Tănase, M.E., Lie, I., Marinca, B., Electronică analogică şi digitală,
Editura Politehnica, Timişoara, 2006.
[3]. Tony R. Kuphaldt, Lessons In Electric Circuits - Volume III, variantă
online http://ibiblio.org/kuphaldt/electricCircuits/
[4]. Ciugudean, M., Tiponut, V., Tănase, M., E., Bogdanov, I., Cârstea, H.,
Filip, A., Circuite integrate liniare, Aplicaţii, Ed. Facla, Timişoara, 1986,
[5]. Ciugudean, M., Mureşan, T., Cârstea, H., Tănase, M., E., Electronică
aplicată cu circuite integrate lineare, dimensionare, Editura de Vest,
Timişoara, ISBN: 973-36-0081-4, 1991,
[6]. Bodea, M., Vătăşescu, A., Marinescu, N., Segal, A., Râpeanu, R.,
Puchianu, S., Gheorghiu, V., Circuite integrate liniare, Manual de
utilizare, Vol. III, Editura Tehnică, Bucureşti, 1984.
[7]. *** Altium Designer - Mediul de proiectare şi simulare circuite electronice.
[8]. *** Circuit, mediul de simulare dispozitive şi circuite electronice,
http://www.falstad.com/circuit/

Curs Electronica Analogica

Încărcat de

Informații document

Descriere:

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Descriere:

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Curs Electronica Analogica

Încărcat de

Descriere:

Drepturi de autor:

Formate disponibile

0.

2. Materiale semiconductoare. Dioda .................................................................... 11

3. Tranzistorul ............................................................................................................. 39

4. Dispozitive multijoncţiune ................................................................................... 75

5. Noţiuni generale amplificatoare ......................................................................... 87

6. Noţiuni generale de electronică digitală ......................................................... 107

7. Structura circuitelor integrate digitale ........................................................... 125

9. Circuite logice secvenţiale .................................................................................. 153

10. Proiectarea cu circuite integrate liniare ......................................................... 169

1.2. Reprezentarea mărimilor

2.1. Materialele semiconductoare şi joncţiunea p-n

Fig.2.1. Structura siliciului pur.

2.1.2. Materiale semiconductoare p şi n

Fig.2.3. Formarea materialului semiconductor de tip n.

Fig.2.3. Reprezentarea simplificată a materialelor semiconductoare: a) semiconductor de

Fig.2.5. Fenomenul de difuziune: a) structură înainte de difuziune;

2.1.4. Joncţiunea p-n

Fig.2.5. Formarea joncţiunii p-n.

Fig.2.6. Polarizarea inversă a joncţiunii Fig.2.7. Polarizarea directă a joncţiunii p-

2.2. Dioda semiconductoare

Fig.2.8. Dioda semiconductoare.

Fig.2.9. Simbolul şi mărimile electrice ale diodei semiconductoare.

2.2.2. Funcţionarea diodei

Fig.2.10. Caracteristica de funcţionare a diodei semiconductoare.

2.2.3. Influenţa temperaturii asupra caracteristicei diodei

Fig.2.11. Influenţa temperaturii asupra diodelor.

2.2.4. Modelarea diodei

Fig.2.12. Modele ale diodelor diode.

2.2.5. Dioda în regim de comutaţie

Fig.2.14. Protecţia diodei la supratensiuni.

2.2.7. Tipuri de diode

Fig.2.14. Tipuri de diode.

Fig.2.15. Forme constructive de leduri.

Fig.2.16. Forme constructive de fotodiode.

2.3. Aplicaţii ale diodelor

Redresorul monofazat mono-alternanţă

Fig.2.17. Schema redresorului monofazat mono-alternanţă.

Fig.2.18. Variaţia tensiunilor de intrare respectiv de ieşire a redresorului monofazat

Fig.2.19. Schema redresorului monofazat mono-alternanţă cu condensator de filtrare.

Fig.2.20. Variaţia tensiunilor de intrare respectiv de ieşire a redresorului monofazat mono-

Fig.2.21. Schema redresorului monofazat bi-alternanţă cu priză mediană.

a) Dioda D1 în conducţie b) Dioda D2 în conducţie

Fig.2.23. Schema redresorului monofazat bi-alternanţă în punte.

a) Dioda D1 şi D2 în conducţie b) Dioda D3 şi D4 în conducţie

Fig.2.25. Variaţia tensiunilor redresorului monofazat bi-alternanţă.

Fig.2.26. Variaţia tensiunii de ieşire pentru redresorul monofazat bi-alternanţă cu

Fig.2.27. Variaţia tensiunilor de intrare respectiv de ieşire a redresorului monofazat bi-

Fig.2.30. Schema redresorului trifazat.

Fig.2.29. Variaţia tensiunii de ieşire pentru redresorul trifazat.

2.3.2. Detector de vârf

Fig.2.30. Schema detectorului de vârf.

Fig.2.31. Variaţia tensiunii de alimentare (Usursa) şi tensiunea pe condensator (Uvarf).

2.3.3. Limitatoare de tensiune

Fig.2.32. Schema limitatorului de tensiune pe ambele alternanţe.

Fig.2.33. Variaţia tensiunii de alimentare (Usursa) şi a tensiunii remanentă (Ulimitat).

2.3.4. Multiplicatoare de tensiune

50Hz Diode Cap2

Fig.2.34. Schema dublorului de tensiune.

Fig.2.35. Variaţia tensiunilor din circuit dublorului de tensiune.

Fig.2.36. Schema unui multiplicator de tensiune.

Fig.2.37. Variaţia tensiunilor din circuit multiplicatorului de tensiune.