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INFORME DE PRÁCTICAS

Formato
FR-FAC-PAC-GLB-018 Versión: 01 Fecha: 02/03/2017

Asignatura: Electrónica automotriz Grupo Nº:

Carrera: ingeniería automotriz Integrantes


Nivel y paralelo: 5° D Jhony Moreira
Fecha de práctica: 28/05/2018 Rhony Izurieta
Fecha presentación informe: 04/06/2018 Stiven Morales
Nº Práctica: 2 Informe Nº:2

TÍTULO DE LA PRÁCTICA: Circuito de polarización del transistor, Simulación de


Polarización de Transistores.

1. OBJETIVOS:
General:
 Conocer el concepto, las partes y cómo se puede polarizar un transistor de unión
bipolar BJT
Específicos:
 Identificar la forma de conexión del transistor
 Familiarizarse con los modos de operación DEL TRANSISTOR BJT.
 Comprobar de manera práctica la función que cumple la polarización del
transistor.

2. INTRODUCCIÓN:
POLARIZACION FIJA
El circuito estará formado por un transistor NPN,
dos resistencias fijas: una en la base Rb (podría ser
variable) y otra en el colector Rc, y una batería o
fuente de alimentación Vcc. Este circuito recibe el
nombre de circuito de polarización fija y determina
el punto Q de reposo del transistor para unos
valores dados de Vcc, Rc y Rb. Es el circuito más
sencillo, pero también el más inestable con las
variaciones de la temperatura.

Del circuito de arriba es fácil obtener la relación que existe entre la corriente de colector Ic

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y la tensión colector-emisor VCE del transistor, aplicando la ley de Kirchoff resulta:

Vcc=Vce+Ic.Rc

Esta expresión se conoce como ecuación de la recta de carga. En ella Vcc y Rc son
constantes, y Vce e Ic las variables. La intersección entre esta recta de carga con la curva
característica de salida del transistor determina el punto de reposo Q.

Cuando la corriente de colector es cero IC = 0, la tensión colector-emisor es igual al


potencial del generador VCE = Vcc:

IC = 0; VCE = Vcc

Por otro lado, cuando la tensión colector-emisor es igual a cero VCE = 0, la corriente de
colector vale el potencial del generador entre la resistencia de colector IC = Vcc/RC:

VCE = 0; IC = Vcc/RC

En la figura se muestra el circuito de polarización y la recta de carga estática con el punto


de reposo Q que representa la intersección de esta recta con la curva IB correspondiente.
El valor de la corriente de base IB se puede calcular aplicando la ley de Kirchoff al circuito
de entrada o de base, así tenemos:

Vcc = VBE + IB . RB

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Sabemos que el transistor entre base-emisor se comporta como un diodo, así que la tensión
base-emisor para el silicio suele ser de 0,7 V, es decir:

VBE = 0,7 V

Sabemos también que existe una relación entre las tres corrientes del transistor:

IC = β.IB

POLARIZACIÓN UNIVERSAL

En la figura se muestra un circuito con


polarización universal capaz de
compensar los
desequilibrios producidos por la Icbo (1),
β y VBE. El circuito está constituido por
un divisor de tensión, formado por R1 y
R2, conectado a la base del transistor, y
por una resistencia de emisor RE. Las
variaciones de ICB0, β y VBE por efecto
de la temperatura se traducen en un
aumento de la corriente de colector IC.
Cuando IC tiende a aumentar la caída de
tensión en RE también aumenta, como la tensión en el divisor de tensión en el
punto A es casi constante, el aumento de voltaje en RE provoca que disminuya el
voltaje entre base-emisor y esto a su vez disminuye la IB lo que provoca una
reducción de IC y esto compensa su subida, en consecuencia, manteniéndola
estable ante variaciones de la temperatura.
Al utilizar el sistema de polarización universal, la ecuación de la recta de carga viene dada
por:
Vcc = VCE + IC . (RC+RE)

El punto de corte con el eje de ordenadas IC, es decir cuando VCE = 0, tendrá el valor:

IC = Vcc /(RC+RE)

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En la figura siguiente se muestra la recta de carga que corresponde a la ecuación 2.1 (en
color verde) junto a la recta de carga de un circuito equivalente donde la RE = 0 (en color
azul).

Estudio simplificado
En este apartado haremos un análisis aproximado del circuito de polarización universal y
de la estabilidad ante variaciones de la temperatura.
Las resistencias R1 y R2 del circuito de la Figura 1 proporcionan en el punto A un
determinado
nivel de tensión y que corresponde a la base del transistor. Para hallar ese valor de tensión
recurrimos a lo visto en el divisor de voltaje:

De esta manera el circuito simplificado


aplicando estos cambios quedará así:

VA = Vcc .[R2/(R1+R2]

La resistencia equivalente que se


observa desde la base del transistor es:

RB = R1.R2/(R1+R2)

De este circuito podemos obtener la


siguiente ecuación:

VA = IB.RB + VBE + IE.RE

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En la cual, si IB.RB << VA e IE ≈ IC, podemos escribir la siguiente expresión:

IC = (VA - VBE)/RE

Que nos indica que la corriente de colector IC es independiente de la ganancia de corriente


en continua β del transistor, y por lo tanto la sustitución de un transistor por otro de la misma
serie, con un valor de β distinto no perturba el punto de reposo Q.

Criterios para el diseño del circuito


La estabilidad del punto de funcionamiento en continua Q es mayor cuanto más grande sea
la resistencia RE, pero un valor muy elevado de esta reduciría considerablemente la
corriente de colector IC y en consecuencia la amplitud de una posible señal de salida del
amplificador; por esta razón es necesario encontrar un valor de compromiso para la
resistencia de emisor RE. La RE suele ser menor que la RC, siendo válida la siguiente
regle:
RE ≈¼. RC
de la cual deducimos que la resistencia de emisor debe tener un valor de aproximadamente
el 25% del valor de la de colector.
Conocido el valor de RE y de la corriente de colector, podemos calcular la caída de tensión
sobre RE:
VRE = IC. RE

Si despreciamos la caída de tensión en RB, es decir IB. RB, el valor de la tensión en la


base será la misma que en el divisor de tensión, o sea que VA, por lo tanto tendremos:

VA = VRE + VBE = IC. RE + VBE

La estabilidad del punto de reposo también depende de la relación entre RB y RE, siendo
más estable cuanto menor es dicha relación. Para limitar el consumo de energía de las
resistencias del divisor de tensión R1 y R2 se suele utilizar una RB de valor comprendido
entre u y 10 veces el valor de RE:

10. RE > RB ≥ 5. RE

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3. METODOLOGÍA:
 Polarización fija
1 conectamos el transistor y las resistencias en los diferentes puntos de la forma que
indica el diagrama, pero esta vez prácticamente en el protoboard
2 conectamos una fuente de voltaje directa en nuestro caso usamos un cargador de
teléfono que emite 9 voltios de tensión
3 comprobamos su funcionamiento y sacamos datos de los diferentes componentes

 Polarización universal
1 ubicamos el transistor y las resistencias como lo indica el diagrama en este caso se
usarán cuatro resistencias
2 conectamos una resistencia al colector y otra al emisor
3 hacemos una línea de cable conectando dos resistencias y entre las dos resistencias
sacamos un puente que ira conectado a la base del transistor
4 conectamos la fuente de 9 voltios en los polos sobrantes de las resistencias haciendo
puente de la fuente con positivo y negativo
5 comprobamos su funcionamiento y sacamos los datos para sus debidos cálculos.

puente H
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4. RESULTADOS Y DISCUSIÓN:

Polarización fija

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Polarización universal

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Puente H

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5. CUESTIONARIO DE INVESTIGACIÓN:
1. ¿Qué función cumple de un transistor?
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal
de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador.
2. ¿Las partes de un Transistor?
 Colector
 Base
 emisor
3. ¿Escribir los tipos de polarización de los transistores?

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 NPN
 PNP
4. ¿El transistor exteriormente está formado por?

5. ¿Qué tipo de transistor tiene internamente una región P entre dos regiones N?
Transistor (NPN)
6. ¿Qué tipo de transistor tiene internamente una región N entre dos regiones P?
Transistor (PNP)
7. ¿Escriba la numeración del Transistor (PNP) existente en el mercado?

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2N5642 2N2221A 2N5298 2SC3039 2N3714 IR409 BU941ZPFI # 2N3724


2N5643 2N2221A 2N5299 2SC3040 2N3715 IR410 BU941ZPFI # 2N3725
2N5644 2N2221A 2N5300 2SC3041 2N3716 IR411 BU941ZPFI # 2N3726
2N5645 2N2221A 2N5301 2SC3042 2N3717 IR412 BU941ZPFI # 2N3727
2N5646 2N2221A 2N5302 2SC3043 2N3718 IR413 BU941ZPFI # 2N3728
2N5647 2N2221A 2N5303 2SC3044 2N3719 IR414 BU941ZPFI # 2N3729
2N5648 2N2221A 2N5304 2SC3045 2N3720 IR415 BU941ZPFI # 2N3730
2N5649 2N2221A 2N5305 2SC3046 2N3721 IR416 BU941ZPFI # 2N3731
2N5650 2N2221A 2N5306 2SC3047 2N3722 IR417 BU941ZPFI # 2N3732
2N5651 2N2221A 2N5307 2SC3048 2N3723 IR418 BU941ZPFI # 2N3733
2N5652 2N2221A 2N5308 2SC3049 2N3724 IR419 BU941ZPFI # 2N3734
2N5653 2N2221A 2N5309 2SC3050 2N3725 IR420 BU941ZPFI # 2N3735
2N5654 2N2221A 2N5310 2SC3051 2N3726 IR421 BU941ZPFI # 2N3736
2N5655 2N2221A 2N5311 2SC3052 2N3727 IR422 BU941ZPFI # 2N3737
2N5656 2N2221A 2N5312 2SC3053 2N3728 IR423 BU941ZPFI # 2N3738
2N5657 2N2221A 2N5313 2SC3054 2N3729 IR424 BU941ZPFI # 2N3739
2N5658 2N2221A 2N5314 2SC3055 2N3730 IR425 BU941ZPFI # 2N3740
2N5659 2N2221A 2N5315 2SC3056 2N3731 IR426 BU941ZPFI # 2N3741
2N5660 2N2221A 2N5316 2SC3057 2N3732 IR427 BU941ZPFI # 2N3742
2N5661 2N2221A 2N5317 2SC3058 2N3733 IR428 BU941ZPFI # 2N3743
2N5662 2N2221A 2N5318 2SC3059 2N3734 IR429 BU941ZPFI # 2N3744
2N5663 2N2221A 2N5319 2SC3060 2N3735 IR430 BU941ZPFI # 2N3745
2N5664 2N2221A 2N5320 2SC3061 2N3736 IR431 BU941ZPFI # 2N3746
2N5665 2N2221A 2N5321 2SC3062 2N3737 IR432 BU941ZPFI # 2N3747
2N5666 2N2221A 2N5322 2SC3063 2N3738 IR433 BU941ZPFI # 2N3748
2N5667 2N2221A 2N5323 2SC3064 2N3739 IR434 BU941ZPFI # 2N3749
2N5668 2N2221A 2N5324 2SC3065 2N3740 IR435 BU941ZPFI # 2N3750
2N5669 2N2221A 2N5325 2SC3066 2N3741 IR436 BU941ZPFI # 2N3751
2N5670 2N2221A 2N5326 2SC3067 2N3742 IR437 BU941ZPFI # 2N3752
2N5671 2N2221A 2N5327 2SC3068 2N3743 IR438 BU941ZPFI # 2N3753
2N5672 2N2221A 2N5328 2SC3069 2N3744 IR439 BU941ZPFI # 2N3754
2N5673 2N2221A 2N5329 2SC3070 2N3745 IR440 BU941ZPFI # 2N3755
2N5674 2N2221A 2N5330 2SC3071 2N3746 IR441 BU941ZPFI # 2N3756
2N5675 2N2221A 2N5331 2SC3072 2N3747 IR442 BU941ZPFI # 2N3757
2N5676 2N2221A 2N5332 2SC3073 2N3748 IR443 BU941ZPFI # 2N3758
2N5677 2N2221A 2N5333 2SC3074 2N3749 IR444 BU941ZPFI # 2N3759
2N5678 2N2221A 2N5334 2SC3075 2N3750 IR445 BU941ZPFI # 2N3760
2N5679 2N2221A 2N5335 2SC3076 2N3751 IR446 BU941ZPFI # 2N3761
2N5680 2N2221A 2N5336 2SC3077 2N3752 IR447 BU941ZPFI # 2N3762
2N5681 2N2221A 2N5337 2SC3078 2N3753 IR448 BU941ZPFI # 2N3763
2N5682 2N2221A 2N5338 2SC3079 2N3754 IR449 BU941ZPFI # 2N3764
2N5683 2N2221A 2N5339 2SC3080 2N3755 IR450 BU941ZPFI # 2N3765
2N5684 2N2221A 2N5340 2SC3081 2N3756 IR451 BU941ZPFI # 2N3766
2N5685 2N2221A 2N5341 2SC3082 2N3757 IR452 BU941ZPFI # 2N3767
2N5686 2N2221A 2N5342 2SC3083 2N3758 IR453 BU941ZPFI # 2N3768
2N5687 2N2221A 2N5343 2SC3084 2N3759 IR454 BU941ZPFI # 2N3769
2N5688 2N2221A 2N5344 2SC3085 2N3760 IR455 BU941ZPFI # 2N3770
2N5689 2N2221A 2N5345 2SC3086 2N3761 IR456 BU941ZPFI # 2N3771
2N5690 2N2221A 2N5346 2SC3087 2N3762 IR457 BU941ZPFI # 2N3772
2N5691 2N2221A 2N5347 2SC3088 2N3763 IR458 BU941ZPFI # 2N3773
2N5692 2N2221A 2N5348 2SC3089 2N3764 IR459 BU941ZPFI # 2N3774
2N5693 2N2221A 2N5349 2SC3090 2N3765 IR460 BU941ZPFI # 2N3775
2N5694 2N2221A 2N5350 2SC3091 2N3766 IR461 BU941ZPFI # 2N3776
2N5695 2N2221A 2N5351 2SC3092 2N3767 IR462 BU941ZPFI # 2N3777

8. ¿Escriba la numeración del Transistor (PNP) existente en el mercado?

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2N3638 2N3672 2N3706 2N3658 2N3692 2N3652 2N3686 2N3720


2N3639 2N3673 2N3707 2N3659 2N3693 2N3653 2N3687 2N3721
2N3640 2N3674 2N3708 2N3660 2N3694 2N3654 2N3688 2N3722
2N3641 2N3675 2N3709 2N3661 2N3695 2N3655 2N3689 2N3723
2N3642 2N3676 2N3710 2N3662 2N3696 2N3656 2N3690 2N3724
2N3643 2N3677 2N3711 2N3663 2N3697 2N3657 2N3691 2N3725
2N3644 2N3678 2N3712 2N3664 2N3698 2N3649 2N3717 2N3669
2N3645 2N3679 2N3713 2N3665 2N3699 2N3650 2N3718 2N3670
2N3646 2N3680 2N3714 2N3666 2N3700 2N3651 2N3719 2N3671
2N3647 2N3681 2N3715 2N3667 2N3701 2N3683 2N3703 2N3685
2N3648 2N3682 2N3716 2N3668 2N3702 2N3684 2N3704 2N3705

9. ¿Escriba los materiales semiconductores tipo PN?


 Tipo p puede ser de germanio o de silicio dopado con impurezas de boro,
aluminio o bario
 Tipo n puede ser de germanio o silicio dopado con impurezas de fosforo o
arsénico
10. ¿Escriba los materiales semiconductores tipo PN?
 Tipo n puede ser de germanio o silicio dopado con impurezas de fosforo o
arsénico
 Tipo p puede ser de germanio o de silicio dopado con impurezas de boro,
aluminio o bario

11. CONCLUSIONES:

Se concluye que mediante estos elementos electrónicos haciendo una buena


conexión del circuito podemos amplificar oscilar o rectificar una corriente para así
de esta manera poder conectar un consumidor de cierto consumo de amperaje sin
exceder el consumo, en este caso hicimos la conexión de un puente H con
transistores, exactamente 4 transistores, estos conectado a un motor, el cual nos
permitió hacer giros al motor mediante switchs en dos sentidos que son horario y
anti horario.

12. RECOMENDACIONES:

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 Se recomienda que, al momento de hacer la práctica, tener en cuenta bien las


conexiones que se hacen en el protoboard para que de esta manera no quememos
los transistores,

 Asesorarse bien antes de comenzar la practica ya que de esta forma haremos el


circuito de una manera más segura y sin problemas.

 También se debe hacer la simulación en el programa proteus para poder dibujar el


circuito y comprobar su correcto funcionamiento.

13. BIBLIOGRAFÍA:

 Donate, A. H. (2004). Electrónica digital fundamental: Teoría práctica. Marcombo.

 TÉLLEZ, A. M. (19 de Noviembre de 2007). Fundamentos de Lógica Digital .


Obtenido de http://logica-digital.blogspot.com/2007/11/suplemento-1-las-familias-
lgicas.html
 Tocci, R. J. (1991). Digital Systems: principles and applications. Pearson Education
India.

14. EVALUACIÓN:

ASPECTOS A EVALUAR PUNTUACIÓN


PRESENTACIÓN DEL CIRCUITO DISEÑADO
ARMADO EN EL PROTOBOARD EN EL
LABORATORIO (funcionando correctamente)
Presentación del informe
Preguntas realizadas por el profesor
Presentación de estética del protoboard
Exposición del trabajo realizado
Total

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