LABORATORIO DE ELECTRÓNICOS III

INFORME FINAL ° 3
CARACTERÍSTICA CUADRÁTICA DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

I. OBJETIVO.-

El estudio de circuitos de característica cuadrática, teóricamente mediante el diseño y

simulación de sus componentes, y experimentalmente a través de procedimientos para obtener
sus curvas características.

II. CUESTIONARIO.-

1. ¿Cuáles fueron los valores, determinados para el FET, de V p e IDSS? (Verificar y

comparar con los datos del fabricante).

Datos del Fabricante:

El modelo del JET usado es 2n5485.

Luego el reemplazo para este FET es NTE312. Las características eléctricas † más
significativas son de este dispositivo son:

Figura 01. Resumen de las características eléctricas del dispositivo de la familia de JFET.

Entonces, los parámetros relevantes en esta experiencia son:

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4mA  I DSS  10mA
 4V  V p  0.5V

Procedimiento Experimental:
El procedimiento utilizado es el indicado en el informe previo, y es resumido a
continuación.

a) Determinación de IDSS.-

I DSS

 VGS


Figura 02. Circuito para determinar IDSS experimentalmente.

Síntesis del procedimiento:

Cortocircuito entre compuerta y fase: VGS = 0.
Aumentar VDD desde cero a valores positivos, cuidando de no sobrepasar el voltaje
de ruptura V(BR)GSS, hasta que ID alcance su nivel de saturación, esto es IDSS.

Resultados:
Vmeter VGS  0 3.212V
I DSS    6,83mA
RD 470

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b) Determinación de Vp.-

I DSS  0

 VGS


Figura 03. Circuito para determinar Vp experimentalmente.

Síntesis del procedimiento:

i. Alimentar el circuito con VDD = 12V.
ii. Variar Vgg_var desde cero a valores negativos hasta que el voltaje del
multímetro se haga cero al ser el Voltaje = 0 entonces IDSS = 0.

Resultados:
V p  VGS I D 0
 2.72V

Comparación de resultados:

Parámetro Valor Teórico Valor

Mín. Máx. Experimental
IDSS (mA) 4 10 6.83
Vp (V) -4 -0.5 -2.72

2. Presentar las tablas obtenidas en el laboratorio y con ellos graficar G m(x)/gm vs. –V1/Vp
y además In/Ip vs. –V1/Vp. Comparar sus resultados con los gráficos del Clarke & Hess y
determinar las desviaciones entre los valores teóricos y experimentales.

Presentación de Resultados:

Tabla 1. Valores con el tanque sintonizado a f0

V1/Vp 0.25 0.5 0.75 1.00 1.25 1.50 2.00
V0 (V) 1.30 2.12 2.28 2.10 2.00 1.88 1.68
VD (DC) (V) 8.76 9.66 10.16 10.40 10.55 10.67 10.82
V1 (V) 1.40 2.72 4.04 5.44 6.72 8.16 11.2

Tabla 2. Valores con el tanque sintonizado a f0/2

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V1/Vp 0.25 0.5 0.75 1.00 1.25 1.50 2.00
V0 (V) 0.320 0.568 1.12 1.28 1.40 1.54 1.6
VD (DC) (V) 8.77 9.66 10.16 10.41 10.55 10.69 10.83
V1 (V) 1.40 2.72 4.04 5.44 6.72 8.16 11.2

GRAFICAS:
El circuito utilizado en la presente experiencia de laboratorio es:

iL
iD 1: n


 V1 
v GS


Figura 04. Circuito equivalente en AC.

La corriente del JFET es:

i D  I 0  I1 cos t  I 2 cos 2t
Donde los coeficientes están determinados por las ecuaciones del Anexo A.

La señal de entrada en el FET es:

vGS  Vb  V1 cos t
Donde Vb es la componente DC. En este caso se diseñó el circuito para CB se cargue al
valor pico de v1, entonces: Vb = V1.
Además:

Ip 
I DSS
2
V1  V p  Vb 2  I DSS2 V1  V p  V1 2  I DSS2  V p 2  I DSS
Vp Vp Vp

La corriente de carga iL se relaciona con la corriente iD de la siguiente manera:

iD
iL 
n2
Luego el voltaje de salida es:
iD
v0  RL  iL  RL  … ()
n2
Donde:
iD  I 0  I1 cos 0 t  I 2 cos 20 t

GRAFICA 1: I2/Ip vs. –V1/Vp

I. En el segundo cuadro los datos están sintonizados a 20, luego:

iD 2 0
 I 2 cos 20 t
Reemplazando en ():

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RL RL  I1 
v0 2 0
  I 2 cos 2 0 t    I p  
I
cos 2 t
0 

n2 n2  p 
En valores picos:
R L I DSS  I2 
vˆ0   
2 0
n2 I 
 p 

Despejamos la relación I 1 I p : 
2
 I2  n vˆ0 20
  … (ii)
I  R I
 p  L DSS

Ahora, teniendo en cuenta los datos de la bobina amarilla n = 1.5 y los datos
experimentales, usamos la ecuación anterior para hacer la I2/Ip vs. –V1/Vp La gráfica se
muestra a continuación.

F
ig. 05 Gráfica I2/Ip vs. –V1/Vp

Tabla de valores para la gráfica de I2/Ip vs. –V1/Vp

–V1/Vp 0.25 0.5 0.75 1.00 1.25 1.5 2.00

I2/Ip 0.042825 0.068389 0.07510981 0.69180 0.658858 0.06193265 0.05534407

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GRAFICA 2: Gm(x)/gm vs. –V1/Vp
Transconductancia promedio de gran señal:
I1
Gm 
V1
Transconductancia de pequeña señal:
2 I DSS
g m0 
 Vp
Entonces la relación:
I1 I1 I1
Gm V1 V Ip
  1 
g m0 2 I DSS 2I p  V1 
2 
Vp  Vp  V 
 p 

Dando forma a la ecuación anterior, ésta queda como:

I1
Gm Ip
 … ()
g m0  V 
2  1 
 V 
 p 
 
Para usar los datos experimentales sintonizados a 0, utilizamos la relación I 1 I p de la
ecuación (i):
2
 I1  n vˆ0 0
 
I  R I
 p  L DSS

Reemplazando lo anterior en la ecuación ():

n 2 vˆ0 0
2
Gm R I n vˆ0
0
 L DSS 
g m0  V   V 
2  1  2 RL I DSS   1 
 V   V 
 p   p 
Finalmente:

Gm n 2 vˆ0
0

g m0  V 
2 RL I DSS   1 
 V 
 p 

Ahora, teniendo en cuenta los datos de la bobina amarilla n = 1.5 y los datos
experimentales, usamos la ecuación anterior para hacer la gráfica G m(x)/gm0 vs. –V1/Vp. La
gráfica se muestra a continuación.

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 Figura 06. Gráfica Gm/gmo vs. –V1/Vp.

Tabla de valores para hallar la gráfica Gm/gmo vs. –V1/Vp:

–V1/Vp: 0.25 0.5 0.75 1.00 1.25 1.50 2.00

Gm/gmo 0.08565164 0.06983895 0.05007321 0.03459004 0.02635432 0.02064422 0.01383602

3. ¿Qué conclusiones u observaciones ha obtenido de las formas de onda de salida para el

caso en que el tanque resonó a 20?

Observamos que cuando se sintoniza el tanque a 2Wo, los valores de Vo fueron menores que
cuando estaban sintonizados a Wo, esto es debido a que al generador ingresa una señal de
frecuencia menor y el segundo armónico se atenua al pasar por el dispositivo de característica
cuadrática.

4. Observaciones y Conclusiones.

 Los parámetros obtenidos del FET en el laboratorio se encuentran en el rango establecido

por el fabricante.

 El error debido al cálculo de los parámetros del Fet teóricos con respecto a los
experimentales son aceptables de 20 %, teniendo en cuenta todos los factores que afectan
las mediciones, tales como equipos, cables, ruido, el protoboard que altas frecuencias
aparecen corrientes parásitas (las que afectan en los cálculos), etc.
 El circuito que se usó desde el inicio para el valor de la señal de V1 se empezó en 100mV
(se escogió por ser más práctico), sólo para hallar los valores de los parámetros del Fet, ya
que luego será variado según los valores de las tablas 1 y 2.

 En la tabla 1 y 2 para hallar Vg en DC lo hallamos de ID = ( 1 - ( Vgs / Vp ) )2 , en donde

conocemos los valores de Idss y Vp, e ID se hallará de ( Va - Vdd ) / 0.47K, se obtiene
Vgs = Vg puesto que Vs = 0. El valor de V1 se obtiene de despejar al multiplicar Vp por
cada uno de los valores dados en las tablas como por ejmplo: 0.25, 0.50, etc.

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