Ministerul Educaţiei, Tineretului şi Sportului al Republicii Moldova

Universitatea Tehnică a Moldovei

Facultatea Calculatoare, Informatică şi Microelectronică

Catedra Calculatoare

RAPORT
Lucrare de laborator nr.1
la Electronica
Tema: „Cercetarea tranzistorului bipolar în conexiune cu baza comună şi
emitor comun”

A efectuat: st. gr. C-112

Țurcan Sergiu

A verificat: conf.univ
Șișianu Sergiu

Chişinău 2012
 Scopul lucrării:
Determinarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar în conexiunea cu bază
comună (BC) şi cu emitorul comun (EC) şi calcularea parametrilor „h” pentru semnale mici.

I.Schema de conexiune(BC):
Montăm următoarea schemă:

Figura 1: Schema electrică pentru testarea experimentală a caracteristicilor statice a ale

tranzistorului bipolar în conexiune BC

1. Tabele cu date:

Tabelul 1: Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de intrate ale

tranzistorului bipolar în conexiune BC:
UEB, mV 20 40 60 80 100 120 140 160 200 240 280
UCB=0V 0 0 0 0,1 0,2 0,3 0,5 0,8 1,8 3,3 5,6
IE, mA
UCB=5V 0 0 0,1 0,1 0,2 0,4 0,6 1 2,1 4,2 7

Tabelul 2: Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de ieşire ale

tranzistorului bipolar în conexiune BC:
UCB, V 0 2 4 6 8 10 12 14
IE =5mA 4.3 4.3 4.3 4.4 4.4 4.4 4.4 4.4
IC, mA
IE=10mA 8.5 8.5 8.6 8.6 8.6 8.6 8.6 8.6
2.Caracteristicile grafice:

Caracteristicile de intrare ale tranzistorului din Ge in Conexiune BC

Caracteristicile de iesire ale tranzistorului bipolar in Conexiune BC

3.Calcularea parametrilor h(bază comună):

Bază comună:
U EB 255mV - 235mV
h11B    18 10 -3 ();
I E 5.1mA - 4mA

U EB 240mV  180mV
h12 B    8;
U CB 5mV  0mV

I C 9.4mA  4.5mA 4.9

h21B     0.98;
I E 10mA  5mA 5
I 'C 9.7mA  9.5mA 0.2
h22 B     0.025;
U CB 12mV  4mV 8

II.Schema de conexiune(EC):
Montăm următoarea schemă:

Figura 2: Schema electrică pentru testarea experimentală a caracteristicilor statice a ale

tranzistorului bipolar în conexiune EC
 1.Tabele cu date:

Tabelul 1: Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de intrate ale

tranzistorului bipolar în conexiune EC:
UBE, mV 20 40 60 80 100 120 140 160 200 240 280
UCE=0V 0 0 0 0 0.1 0.1 0.2 0.3 0.6 1 1.5
IB, mA
UCE=5V 0 0 0 0 0 0 0 0.1 0.1 0.2 0.3

Tabelul 2: Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de ieşire ale

tranzistorului bipolar în conexiune EC:
UCE, V 0 0,5 1 1,5 2 3 4 6 8 10 12
IB =200μA 0.2 3.1 3.2 3.3 3.4 3.6 3.7 3.9 4.1 4.2 4.3
IC, mA
IB =300μA 0 5 5.2 5.3 5.5 5.7 5.8 6.1 6.3 6.5 6.6

2.Caracteristicile grafice:

Caracteristicile de intrare ale tranzistorului bipolar in conexiune EC.

Caracteristicile de iesire ale tranzistorului bipolar in conexiune EC.
3.Calcularea parametrilor h(EC):

Emitor comun:
h11B 8
h11E    400;
1  h21B 1  0.98

h11B  h22 B 8 * 0.025

h12 E   h12 B   8  7.8;
1  h21B 1  0.98

1 1
h21E    50;
1  h21B 0.02

h22 B 0.025
h22 E    1.25;
1  h21B 0.02

Parametrii h11 , h12 , h21 şi h22 .

h11 - rezistenţa de intrare a tranzistorului bipolar

h12 - reacţia inversă a tensiunii
h21 - coeficientul de transfer a curentului emitorului în colector.
h22 - conductanţa.
Concluzie:
În rezultatul efectuării acestei prim lucrări de laborator am reușit să cercetez
tranzistoroarele bipolar în conectare cu bază comună(BC) şi emitor comun (EC). De
asemenea am studiat o metodă practică de determinare a parametrilor „h” pentru
semnalele mici ale tranzistorului.
Analizînd principiul de funcţionare a tranzistorului bipolar în: BC-bază comună şi
EC-emitor comun, am observat atît din caracteristicile statice de intrare şi ieşire cît şi din
valorile parametrilor „h” că totuşi există o anumită diferenţă în funcţionarea tranzistorului
în BC şi EC.Erorile de calul și devierele din grafice a datelor se datorează regimului de
funcționare a tranzistorului și a stăndurilor vechi de la care au fost luate datele.