Teoría corpuscular del transistor pnp

Teoría corpuscular:

Esta teoría se debe a Newton (1642-1726). La luz está compuesta por

diminutas partículas materiales emitidas a gran velocidad en línea recta
por cuerpos luminosos. La dirección de propagación de estas partículas
recibe el nombre de rayo luminoso.

La teoría de Newton se fundamenta en estos puntos:

 Propagación rectilínea. La luz se propaga en línea recta porque los

corpúsculos que la forman se mueven a gran velocidad.
 Reflexión. se sabe que la luz al chocar contra un espejo se refleja.
Newton explicaba este fenómeno diciendo que las partículas
luminosas son perfectamente elásticas y por tanto la reflexión
cumple las leyes del choque elástico.

 Refracción. El hecho de que la luz cambie la velocidad en medios

de distinta densidad, cambiando la dirección de propagación, tiene
difícil explicación con la teoría corpuscular. Sin embargo, Newton
supuso que la superficie de separación de dos medios de distinto
índice de refracción ejercía una atracción sobre las partículas
luminosas, aumentando así la componente normal de la velocidad
mientras que la componente tangencial permanecía invariable.

Transistor:
El transistor de unión bipolar es un dispositivo electrónico de estado
sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite
controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La
denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias
al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos
y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos
su impedancia de entrada bastante baja.
 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar
fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe
a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.

 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del

colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.

Transistor pnp:
transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a
las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor.
Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda
mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.

Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor

dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son
comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al
terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga
eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite
que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.

La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la

dirección en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo
está en funcionamiento activo.
  la flecha define el emisor y el flujo de corriente convencional, "in"
para un transistor PNP
El transistor PNP tiene características muy similares a sus primos bipolares
NPN, excepto que las polaridades (o polarización) de las direcciones de
corriente y voltaje se invierten para una de las tres configuraciones
posibles, Common Base, Common Emitter y Colector común.

 Conexión de transistor PNP

El voltaje entre la Base y el Emisor ( V BE ) ahora es negativo en la Base y
positivo en el Emisor porque para un transistor PNP, el terminal Base
siempre está polarizado negativamente con respecto al Emisor. Además,
la tensión de alimentación del emisor es positiva con respecto al colector
( V CE ). Entonces, para un transistor PNP conducir el Emisor es siempre
más positivo con respecto a la Base y al Coleccionista.
Las fuentes de tensión están conectadas a un transistor PNP como se
muestra. Esta vez, el emisor está conectado a la tensión de
alimentación V CC con la resistencia de carga, RL, que limita la corriente
máxima que fluye a través del dispositivo conectado al terminal
colector. La tensión de la Base V B que es negativa negativa con respecto al
Emisor y está conectada a la resistencia de la Base R B, que de nuevo se
usa para limitar la corriente de Base máxima.
Para hacer que la corriente base fluya en un transistor PNP, la Base
necesita ser más negativa que el Emisor (la corriente debe salir de la base)
aproximadamente 0,7 voltios para un dispositivo de silicio o 0,3 voltios
para un dispositivo de germanio con las fórmulas utilizadas para calcular la
resistencia de base, la corriente de base o la corriente de colector son las
mismas que las utilizadas para un transistor NPN equivalente y se da
como.

Podemos ver que las diferencias fundamentales entre un transistor NPN y

un transistor PNP es la polarización adecuada de las uniones de
transistores ya que las direcciones de corriente y las polaridades de
tensión son siempre opuestas entre sí. Entonces para el circuito de
arriba: Ic = Ie - Ib como corriente debe salir de la Base.
En general, el transistor PNP puede reemplazar a los transistores NPN en
la mayoría de los circuitos electrónicos, la única diferencia es la polaridad
de los voltajes y las direcciones del flujo de corriente. Los transistores PNP
también se pueden usar como dispositivos de conmutación y a
continuación se muestra un ejemplo de un conmutador de transistor PNP.
Para el transistor pnp la región p que aporta la carga
positiva va al ánodo del diodo y la parte N que aporta la
parte negativa va al cátodo del diodo entre la base y el
colector, y entre la base y el emisor es al revés, el diodo
que se forma entre la base y colector se llama diodo
colector y el diodo que se forma entre la base y el emisor
lo llamaremos diodo emisor.