DISEÑO DE AMPLIFICADOR RF DE PEQUEÑA SEÑAL

El diseño de amplificadores RF de señal pequeña es un procedimiento lógico

paso a paso con una solución exacta para cada problema. Hay muchos libros
disponibles actualmente en el mercado que ofrecen esquemas (con valores de
piezas) que son "adaptables a cualquiera de las necesidades de su circuito". Es
decir, se ofrece un circuito que el autor puede haber diseñado para un conjunto
específico de condiciones de operación. y puede o no satisfacer nuestras
necesidades. No obstante, el diseño se presenta sin ningún procedimiento de
diseño adjunto, y el lector se queda a la intemperie cuando intenta adaptar el
circuito a su conjunto particular de condiciones de funcionamiento.
El capítulo presentado aquí, sin embargo, toma el enfoque opuesto. Se siguen
procedimientos detallados paso a paso en el proceso de diseño para que pueda
elegir el transistor que desee y utilizarlo en cualquier condición de
funcionamiento (realista) que desee. Ya no tendrá que adaptar el esquema de
otra persona a sus necesidades. Más bien, creará sus propios amplificadores de
RF caseros y los optimizará para su aplicación personal.
Comenzaremos nuestra discusión con una breve descripción general del sesgo
del transistor. Discutiremos tanto el transistor bipolar como el de efecto campo
(FET). Como se mostró en el último capítulo, el punto de polarización de reposo
de un transistor tiene un gran efecto en sus parámetros Y y S. La polarización de
un transistor es, por lo tanto, un asunto serio y no debe tomarse a la ligera.
A continuación, abordaremos primero el aspecto RF de los amplificadores
examinando la estabilidad (tendencia a la oscilación), la ganancia, la adaptación
de impedancias y el diseño general del amplificador, con énfasis en el uso de los
parámetros Y y S como herramienta de diseño.
ALGUNAS DEFINICIONES
Para ayudar en esta discusión, primero veamos de cerca los dos tipos de
transistores utilizados en el diseño de señales pequeñas
Transistor bipolar: un transistor de unión bipolar o bipolar (BJT) es un dispositivo
semiconductor de tres terminales comúnmente utilizado para la amplificación de
señales analógicas o digitales. Está construido con secciones dopadas de
material semiconductor intercaladas. La sección central se llama la base del
transistor. Al variar la corriente entre la base y una terminal llamada emisor, se
puede variar el flujo de corriente entre el emisor y un tercer terminal conocido
como colector, lo que provoca la amplificación de la señal en ese terminal.

FIG. 6-1. Los símbolos esquemáticos para BJT de tipo PNP y NPN, cortesía de
Wikipedia (www.wikipedia.org/wiki/Bipolar_junction_transistor)
Hay dos tipos principales de transistor bipolar: PNP y NPN (figura 6-1). Un
transistor PNP tiene una capa de semiconductor de tipo N entre dos capas de
material de tipo P. Un transistor NPN tiene una capa de material de tipo P entre
dos capas de material de tipo N. En el material de tipo P, las cargas eléctricas
se llevan principalmente en forma de deficiencias de electrones llamadas
agujeros. En el material de tipo N, los portadores de carga son principalmente
electrones. De los dos tipos de BJT, el NPN se emplea con mayor frecuencia, ya
que proporciona un mejor rendimiento (por ejemplo, permite corrientes mayores
y una operación más rápida) en la mayoría de las circunstancias.

Como ejemplo, considere la Fig. 6-2. Durante la operación típica del transistor,
la unión emisor-base está polarizada hacia adelante y la unión base-colector está
polarizada inversamente. Cuando se aplica un voltaje positivo a la unión base-
emisor, el equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo
eléctrico repelente de la región de agotamiento se desequilibra, permitiendo que
los electrones excitados térmicamente se inyecten en la región de la base. Estos
electrones vagan (o se difunden) a través de la base desde la región de alta
concentración cerca del emisor hacia la región de baja concentración cerca del
colector.

La unión colector-base está sesgada en sentido inverso, por lo que se produce

poca inyección de electrones desde el colector hasta la base

DISEÑO DE CIRCUITO DE RF

FIG 6-2. NPN BJT con unión E-B polarizada hacia adelante y unión B-C polarizada inversamente,
cortesía de Wikipedia (www.wikipedia.org/wiki/Bipolar_ junction_transistor).

Los electrones que se difunden a través de la base hacia el colector son

arrastrados al colector por el campo eléctrico en la región de agotamiento de la
unión colector-base
El transistor bipolar tiene ventajas y desventajas en relación con el transistor de
efecto de campo. Los dispositivos bipolares pueden cambiar señales a altas
velocidades. Y, pueden ser fabricados para manejar grandes corrientes a fin de
servir como amplificadores de alta potencia en equipos de audio y en
transmisores inalámbricos. Por otro lado, no son tan efectivos como FET para la
amplificación de señal débil, o para aplicaciones que requieren alta impedancia
de circuito.
Tenga en cuenta que una mejora del transistor bipolar es la heterounión bipolar
transistor (HBT). Puede manejar señales de frecuencias muy altas de hasta
varios cientos de gigahercios y, por lo tanto, se usa comúnmente hoy en día en
circuitos ultrarrápidos, principalmente sistemas de RF. Uno de los dispositivos
más populares es el silicio-germanio (SiGe) HBT. Debido a que es compatible
con procesos digitales de silicio estándar, permite la integración de circuitos de
muy alta velocidad con circuitos digitales complejos de menor velocidad.

Transistor de efecto de campo: el transistor de efecto de campo o FET es un tipo

de transistor usado comúnmente para la amplificación de señal débil, como para
amplificar señales inalámbricas. Al igual que el BJT, puede amplificar señales
analógicas o digitales. También puede cambiar CC o funcionar como un
oscilador

El FET depende de un campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la

conductividad de un camino o canal en un material semiconductor. Durante el
funcionamiento, la corriente fluye a lo largo de una ruta de semiconductor
llamada canal. En un extremo del canal, hay un electrodo (fuente), y en el otro
extremo hay otro electrodo (drenaje). los el diámetro físico del canal es fijo, pero
su diámetro eléctrico efectivo puede variarse mediante la aplicación de un voltaje
a un electrodo de control conocido como compuerta. Esta puerta permite que los
electrones fluyan o bloqueen su paso creando o eliminando un canal entre la
fuente y el drenaje. La conductividad del FET depende, en cualquier instante
dado en el tiempo, del diámetro eléctrico del canal. Un pequeño cambio en el
voltaje de la compuerta puede causar una gran variación en la corriente desde
la fuente hasta el drenaje. Así es como el FET amplifica las señales.

FIG. 6-3. Sección transversal de un MOSFET de tipo N, cortesía de Wikipedia

(www.wikipedia.org/wiki/Field_effect_transistor).

en cualquier instante dado en el tiempo, en el diámetro eléctrico del canal. Un

pequeño cambio en el voltaje de la compuerta puede causar una gran variación
en la corriente desde la fuente hasta el drenaje. Así es como el FET amplifica las
señales.
Hay dos clases principales de FET: FET de unión (JFET) y FET semiconductor
de óxido de metal (MOSFET). Todos los FET (por ejemplo, MOSFET, MESFET,
MODFET e IGBT) excepto J-FET tienen cuatro terminales (puerta, drenaje,
fuente y cuerpo / base / volumen). El JFET no tiene terminal de cuerpo.
El JFET utiliza una unión P-N polarizada inversamente para separar la puerta del
cuerpo. Su canal consiste en un semiconductor tipo N (canal N) o un
semiconductor tipo P
(Canal P) material, mientras que la puerta está hecha del tipo de semiconductor
opuesto. En el material de tipo P, las cargas eléctricas se llevan principalmente
en forma de deficiencias de electrones llamadas agujeros. En el material de tipo
N, los portadores de carga son principalmente electrones. En un JFET, la unión
es el límite entre el canal y la puerta.
Normalmente, esta unión P-N está polarizada inversamente (se le aplica una
tensión de CC) de modo que no fluye corriente entre el canal y la puerta. Sin
embargo, en algunas condiciones, hay una pequeña corriente a través de la
unión durante parte del ciclo de la señal de entrada.

El FET más comúnmente usado hoy en día es el MOSFET; se usa en todo, desde
teléfonos celulares hasta estaciones base inalámbricas. El MOSFET tiene un
canal que puede ser de tipo N o semiconductor de tipo P. La figura 6-3
proporciona un ejemplo de un MOSFET de tipo N. El electrodo de puerta es una
pieza de metal cuya superficie está oxidada. El delgado
la capa de óxido (típicamente SiO2) aísla eléctricamente la puerta del canal o
cuerpo. Debido a que la capa de óxido actúa como un dieléctrico, esencialmente
nunca hay ninguna corriente
entre la puerta y el canal durante cualquier parte del ciclo de la señal. Como
resultado, el MOSFET tiene una impedancia de entrada extremadamente
grande.

En comparación con el BJT, los FET son preferibles para uso en circuitos y
sistemas que requieren alta impedancia, así como para trabajos de señal débil
en comunicaciones inalámbricas y aplicaciones de transmisión. En general, los
FET no se utilizan para ampli fi caciones de alta potencia, como se requiere en
las grandes comunicaciones inalámbricas y transmisores de difusión.

TRANSISTOR BIASING

En la mayoría de los diseños de amplificadores de RF, desafortunadamente, se

piensa muy poco en el diseño de redes de polarización para los transistores
individuales involucrados. A menudo, la falta de interés en las redes de sesgo
puede. En la mayoría de los diseños de amplificadores de RF,
desafortunadamente, se piensa muy poco dado siempre al diseño de redes de
polarización para los transistores individuales involucrado. A menudo, la falta de
interés en las redes de sesgo puede estar justificado Si, por ejemplo, el
amplificador debe ser operado solo a temperatura ambiente, habría poca
necesidad de gastar mucho tiempo desarrollando un funcionamiento de corriente
continua extremadamente estable a la temperatura punto. Si, por otro lado, el
amplificador debe funcionar de manera confiable y mantener ciertas
especificaciones (ganancia, cifra de ruido, etc.) sobre grandes temperaturas
extremas, la red de polarización DC debe ser cuidadosamente considerado.
Considere, por ejemplo, la hoja de datos 2N5179 de Frescales presentado en el
último capítulo. Una mirada rápida a las curvas de parámetros Y y S para el
dispositivo revelarán que cambio en el punto de sesgo del transistor de hecho
cambia todo sus características de operación de RF. Es lógico, entonces, que el
punto de operación de DC debe permanecer estable bajo su especificación
las condiciones de operación o las características de RF pueden cambiar
drásticamente.

Se ha demostrado que hay dos transistores internos básicos características que

tienen un profundo efecto sobre el transistor Punto de operación DC sobre la
temperatura; ellos son VBE y β. El objeto de un buen diseño de polarización
estable a la temperatura (ver Fig. 6-4) es minimizar los efectos de estos
parámetros
FIG. 6-1. Los símbolos esquemáticos para BJT de tipo PNP y NPN, cortesía de
Wikipedia (www.wikipedia.org/wiki/Bipolar_junction_transistor).

1. Elija el punto de operación para el transistor.

IC  10mA, VC  10V , VCC  20V ,   50
2. Suponga un valor para 𝑉𝐸 que considera la estabilidad de polarización

VE  2.5volts
3. Supongamos 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 para transistores de alta beta

4. Conociendo IE y VE, calcule RE.

VE 2.5
RE    250ohms
I E 10 x103
5. Conociendo Vcc, Vc y Ic, calcule Rc
VCC  VC 20  10
RC    1000ohms
IC 10 x103
 6. Conociendo Ic y β, calcule 𝐼𝐶 .
IC
IB   0.2mA


7. Conociendo 𝑉𝐸 y 𝑉𝐵𝐸 , calcule 𝑉𝐸𝐸 .

VEE  VE  VBE  2.5  0.7  3.2volts
8. Suponga un valor para 𝐼𝐵𝐵 , cuanto mayor, mejor (vea el texto):

I BB  15mA
9. Conociendo 𝐼𝐵𝐵 y 𝑉𝐵𝐵 , calcule R1.
VBB 3.2
R1    2133ohms
I BB 1.5 x103
10. Conociendo 𝑉𝐶𝐶, 𝑉𝐵𝐵, 𝐼𝐵𝐵 e 𝐼𝐵 , calcule 𝑅2 .
Vcc  VBB 20  3.2
R2   3
 9882ohms
I BB  I B 1.7 x10
La ecuación 6-1 tiende a dar a entender que cuanto mayor es VE, mejor. Esto
sería exactamente cierto si no tuviéramos nada de qué preocuparse excepto
polarizar el transistor para el punto de operación especificado. Obviamente, hay
otras cosas que deben considerarse en el diseño. Un alto voltaje de emisor, por
ejemplo, tiende a desperdiciar poder y disminuir la ganancia de señal CA.
Condensador de paso a través RE a la frecuencia de la señal generalmente se
utiliza para prevenir la pérdida de ganancia, pero el poder desperdiciado todavía
puede ser un problema.
Si suponemos que el amplificador va a operar sobre un cambio en temperatura
de no más de ± 50 ° C, luego un voltaje del emisor de 2.5V proporcionará una
variación de ± 5% en IC debido a VBE. De hecho, encontrará que la mayoría de
las redes de polarización de transistores son similares a la figura 6-4
proporcionarán un valor de VE de dos a cuatro voltios según los valores de VCC
y VC elegidos. Mayor los valores son, por supuesto, posibles dependiendo del
grado de estabilidad que necesitas

El cambio en la ganancia de corriente CC de un transistor, o β, sobre la

temperatura, también es importante para el diseñador de circuitos. Cualquier
variación en β producirá un cambio correspondiente en el colector quiescente
actual y, por lo tanto, interrumpirá el funcionamiento diseñado del transistor
punto. El β de un transistor de silicio generalmente aumenta con temperatura a
una tasa de aproximadamente 0.5% por ◦C. Por lo tanto, para un ± 50 ° C
variación de temperatura puede esperar el β del transistor y, por lo tanto, su
corriente de colector varía hasta ± 25%.
No solo varía β con la temperatura, sino que la fabricación la tolerancia para β
entre los transistores del mismo número de parte es típicamente muy pobre. No
es poco común, por ejemplo, para un fabricante para especificar un rango de 10
a 1 para β en la hoja de datos (tal como 50 a 500). Esto, por supuesto, hace que
sea extremadamente difícil diseñar una red de polarización para el dispositivo en
cuestión cuando se trata de ser utilizado en un entorno de producción. Por lo
tanto, un funcionamiento estable punto con respecto a β es difícil de obtener de
una producción punto de vista, así como desde el punto de vista de la
temperatura
El cambio en la corriente del colector para un cambio correspondiente en β puede
ser aproximado como

   RB 
I C  I C1   1    Eq.6  2 
 1 2  RE 

dónde:
𝐼𝐶1 = la corriente del colector en β = 𝛽1,
𝛽1= el valor más bajo de β,
𝛽2= el valor más alto de β,
β = 𝛽2 − 𝛽1
𝑅𝐵 = la combinación paralela de R1 y R2 (en la figura 6-4),
𝑅𝐸 = la resistencia del emisor

Esta ecuación indica que una vez que se especifica un transistor, el único control
que el diseñador tiene sobre el efecto de los cambios β en el colector la corriente
es a través de la relación de resistencia RB / RE. El pequeño esta relación,
menos varía la corriente del colector. De nuevo, sin embargo, se necesita algún
compromiso. A medida que disminuya la relación RB / RE, también produce el
efecto indeseable de disminuir la corriente ganancia del amplificador. Además, a
medida que la relación se aproxima a la unidad, la mejora en la estabilidad del
punto de operación disminuye rápidamente.

FIG. 6-5. Diseño de red sesgada 2.

1. Elija el punto de funcionamiento para el transistor.
IC  10mA, VC  10V , VCC  20V ,   50
2. Suponga valores para 𝑉𝐸𝐸 e 𝐼𝐸𝐸 para suministrar una corriente constante, 𝐼𝐵 .
VBB  2volts
I BB  1mA
3. Conociendo Ic y β, calcule IB
IC
IB   0.2mA

4. Sabiendo VBB, VBE = 0.7 V, y IB calcular RB.

VBB  VBE 2  0.7

RB    6500ohms
IB 0.2 x103

5. Conociendo VBB e IBB, calcule R1.

VBB 2
R1    2000ohms
I BB 1x103

6. Conociendo VBB, IBB, IB y VC, calcule RF.

VC  VBB 10  2
R1    6667ohms
I BB  I B 1.2 x103
7. Conociendo VCC, VC, IC, IB e IBB, calcule RC.

VCC  VC 20  10
RC    893ohms
I BB  I B  I C 11.2 x103

Como regla general práctica para diseños estables, la relación RB / RE debe ser menos
de 10. Figs. 6-4, 6-5 y 6-6 indican tres posibles configuraciones de polarización para
transistores bipolares, en orden de estabilidad de sesgo decreciente. Complete las
instrucciones de diseño paso a paso usando un típico

FIG. 6-6. Diseño de red de sesgo 3.

 1. Elija el punto de operación para el transistor (VC, IC).
IC  10mA, VC  10V , VCC  20V ,   50
2. Conociendo IC y β, calcule IB.
IC
IB   0.2mA

3. Si conoce VC, VB = VBE = 0.7 V e IB, calcule RF.
VC  VB 10  0.7
RF   6
 46.5K
IB 200 x10
4. Conociendo IB, IC, VCC y VC, calcule RC.
VCC  Vc 20  10
Rc    980ohms
I B  I C 10.2 x103

ejemplo se incluyen con cada boceto de configuración de circuito. Tenga en cuenta que
las redes de polarización de las Figs. 6-5 y 6-6 no contienen la resistencia del emisor
(RE) que proporciona la retroalimentación negativa necesario para contrarrestar las
variaciones de la corriente del colector sobre la temperatura. En cambio, la resistencia
RF está conectada desde el colector al base del transistor para proporcionar la
retroalimentación negativa. Obviamente, para estos dos diseños, el diseñador tiene
control sobre ni la relación RB / RE ni la tensión VE de la figura 6-4. los diseños son, por
lo tanto, de la variedad "potluck" en cuanto a DC la estabilidad se refiere. Básicamente,
toma lo que obtienes. Asombrosamente, sin embargo, RF funciona bastante bien para
minimizar los efectos de variaciones de los parámetros del transistor sobre la
temperatura
Figs. 6-7 y 6-8 muestran arreglos de sesgo y diseño similares procedimientos para un
transistor de efecto de campo (FET). Estos se basan en la fórmula conocida:
 2
 V 
I D  I DSS 1  GS   Eq.6  3
 VP 
dónde
𝐼𝐷 = la corriente de drenaje,
𝐼𝐷𝑆𝑆 = la corriente de drenaje con VGS = 0,
𝑉𝐺𝑆 = voltaje de la compuerta a la fuente,
Vp = el voltaje de pinch-off

FIG. 6-7. Diseño de red de sesgo 4.

1. Elija el punto de operación para el transistor.

I D  10mA, VD  10V , VCC  20V
2. Conociendo VCC, VD e ID, calcule Rd
VCC  VD 10V
RD    1000ohms
ID 10mA
3. Determine VP e IDSS de la hoja de datos.

VP  6volts
I DSS  5mA
4. Conociendo ID, IDSS y VP, calcule VGS.
 ID   10 x103 
VGS  VP 1    6 1  
I DSS 5 x10 3 
   
 2.48volts
 5. Suponga un valor para VS en el rango de 2 a 3 voltios.

VS  2.5volts
6. Conociendo VS e ID, calcule RS.
VS 2.5
RS   3
 250ohms
I D 10 x10
7. Conociendo VS y VGS, calcule VG.
VG  VGS  VS  2.48  2.5  4.98volts
8. Suponga un valor para R1 basado en las necesidades de resistencia de
entrada de cd.
R1  220 K
9. Conociendo R1, VG y VCC, calcule R2.
R1 VCC  VG  200 x103  20  4.98 
R2    664
VG 4.98

DISEÑO DE CIRCUITO DE RF

FIG. 6-8. Diseño de red de sesgo 5.

1. Elija un punto de operación para el transistor.

I D  10mA, VD  10v, VCC  20V
 2. Conociendo VCC, VD e ID, calcule RD.
VCC 20  10
RD   3
 1000ohms
VD 10 x10
3. Determine VP e IDSS de la hoja de datos del transistor.

VP  6volts
I DSS  5mA
4. Conociendo ID, IDSS y VP, calcule VGS.

 ID   10 x103 
VGS  VP 1    6 1    2.48volts
I DSS 5 x10 3 
   
5. Sabiendo IG = 0, VGS = VS e ID, calcule RS.
VS VGS 2.48
RS    3
 248ohms
I D I D 10 x10
6. Sine IG = 0, RG se puede elegir para que sea cualquier valor grande de
Resistencia, aproximadamente 1 mega ohmio

ID es generalmente un valor elegido por el usuario como parte de las especificaciones

de sesgo, e IDSS y Vp se pueden encontrar en la hoja de datos para transistor. Una vez
que se conocen estos tres valores, la Ecuación 6-3 puede ser utilizado para resolver
VGS, y un circuito de polarización adecuado puede ser encontró.

DISEÑO UTILIZANDO PARÁMETROS

El rendimiento de RF de pequeña señal de un transistor puede ser completamente
caracterizado por sus parámetros de admitancia de dos puertos. Con base en estos
parámetros, se pueden escribir ecuaciones para ayudarlo a usted a encontrar un
transistor que se adapte a sus necesidades y a completar el diseño una vez que se
selecciona el transistor.

Uno de los primeros requisitos en cualquier diseño de amplificador es elegir el transistor

que es más adecuado para el trabajo. Muchos amplificadores de RF diseños están
condenados desde el principio, simplemente porque el activo el dispositivo elegido para
el trabajo nunca debería haber sido considerado. Dedique un poco de tiempo a comprar
el dispositivo adecuado para su aplicación. Cuanto más tiempo pase de compras antes
del inicio de el diseño real, menos tirones de pelo habrá más tarde. Dos de las
consideraciones más importantes, al elegir un transistor para utilizar en cualquier diseño
de amplificador, son su estabilidad y su máximo ganancia disponible (MAG). La
estabilidad, como se usa aquí, es una medida de la tendencia del transistor hacia la
oscilación. MAG es un tipo de figura de mérito para el transistor, que indica el máximo
ganancia de potencia teórica que puede esperar obtener del dispositivo cuando se
combina conjutamente con su fuente y la impedancia de carga. El MAG nunca se
alcanza en la práctica; sin embargo, es bastante útil para medir las capacidades de un
transistor.

Cálculos de estabilidad
Se ha dicho que uno de los métodos más fáciles de construir un oscilador es diseñar
un amplificador. Aunque la experiencia tiene encontró que esto es cierto, realmente no
es necesario que sea el caso. Un poco de planificación previa y conocimiento básico a
priori sobre el transistor que se utilizará puede recorrer un largo camino hacia la
prevención de oscilaciones en cualquier diseño de amplificador Es posible predecir el
grado de estabilidad (o falta de ella) de un transistor antes de colocar el dispositivo en
un circuito. Esta se realiza mediante un cálculo del factor de estabilidad de Linvill, C.

yr y f
C  Eq.6  4 
2 gi g0  Re  yr y f 
dónde | | = la magnitud del producto entre paréntesis,
𝑦𝑟 = la admitancia de transferencia inversa,
𝑦𝑓 = la admitancia de transferencia directa,
𝑔𝑖 = la conductancia de entrada,
𝑔𝑜 = la conductancia de salida,
Re = la parte real del producto entre paréntesis

Cuando C es menor que 1, el transistor es incondicionalmente estable en el punto de

sesgo que ha elegido. Esto significa que puedes elegir cualquier posible combinación
de fuente e impedancia de carga para el dispositivo, y el amplificador se mantendría
estable siempre que no existen rutas de realimentación externas que no se han tenido
en cuenta.
Si C es mayor que 1, el transistor es potencialmente inestable y oscilará para ciertos
valores de fuente e impedancia de carga. Un factor C mayor que 1 no indica, sin
embargo, que el El transistor no puede usarse como un amplificador. Simplemente
indica que debe tener extremo cuidado al elegir su fuente y cargar pueden ocurrir
impedancias u oscilaciones.

El factor de estabilidad de Linvill es útil para predecir una estabilidad potencial problema.
No indica los valores reales de impedancia entre los cuales el transistor se volverá
inestable. Obviamente, si transistor se elige para un problema de diseño particular, y el
transistor C-factor es menor que 1 (incondicionalmente estable), será mucho más fácil
de trabajar que un transistor que es potencialmente inestable. Tenga en cuenta también
que si C es menor que pero muy cerca a 1 para cualquier transistor, luego cualquier
cambio en el punto de sesgo debido a la variación de temperatura podría causar que el
transistor se convierta potencialmente inestable y muy probablemente oscile con cierta
frecuencia. Esto se debe a que los parámetros Y se especifican con un sesgo particular
punto que varía con la temperatura. Esto es muy importante concepto para recordar.
Cuanto menor es C, mejor.
Los Y parámetros también se pueden usar para predecir la estabilidad de un
amplificador dados ciertos valores de carga e impedancia de la fuente. Esto es llamado
factor de estabilidad Stern y está dado por
 2  gi  GS  go  GL 
K  Eq.6  5
yr y f  Re  yr y f 
Dónde
𝐺𝑆 = la conductancia de la fuente
𝐺𝐿 = la conductancia de carga.

En este caso, si K es mayor que 1, el circuito será estable para ese valor de la fuente y
la impedancia de carga. IfK es menor que 1, el circuito es potencialmente inestable y lo
más probable es que oscile en algún frecuencia. Tenga en cuenta que el factor K es un
cálculo más definitivo para la estabilidad en que predice estabilidad para un circuito
particular. El factor C, por otro lado, predice una especie de nebuloso posibilidad de
inestabilidad sin darle una indicación de donde la inestabilidad puede ocurrir
El factor de estabilidad de Linvill es, por lo tanto, útil para encontrar estable transistores
mientras que el factor de estabilidad Stern predice posible problemas de estabilidad con
circuitos
Máxima ganancia disponible

El MAG de un transistor se puede encontrar utilizando la siguiente ecuación:

2
Yf
MAG   Eq. 6  6
4 gi g o
MAG es un cálculo útil en la búsqueda inicial de un transistor para cualquier aplicación
en particular. Le dará una buena indicación en cuanto a si el transistor puede
proporcionar suficiente ganancia para la tarea.

La ganancia máxima disponible para un transistor ocurre cuando yr = 0, y cuando YL e

YS son conjugados complejos de yo y yi, respectivamente. La condición de que el año
debe ser igual a cero para un máximo la ganancia que se produce se debe al hecho de
que en condiciones normales, año actúa como una ruta de retroalimentación negativa
interna al transistor. Con yr = 0, no se permiten comentarios y la ganancia es máxima.

En situaciones prácticas, es físicamente imposible reducir el año a cero y, como

resultado, MAG nunca puede ser alcanzado realmente. Es Es posible, sin embargo, casi
alcanzar el MAG calculado en la ecuación 6-6 a través de un emparejamiento conjugado
simultáneo de la admitancia de entrada y salida del transistor. Por lo tanto, la Ecuación
6- 6 sigue siendo una herramienta válida en la búsqueda de un transistor adecuado
como Mientras entiendas sus limitaciones. Por ejemplo, si un amplificador el diseño
exige una ganancia de potencia mínima de 18 dB a 200 MHz, no elija un transistor con
un MAG calculado de 19 dB. Permitir usted mismo un pequeño margen para cubrir los
valores realistas de año, componente pérdidas en la red de correspondencia y variación
en el sesgo señalar la temperatura

Emparejamiento simultáneo de conjugados (incondicionalmente

Transistores estables)
La ganancia de potencia óptima se obtiene de un transistor cuando yi y yo estoy
conjuntamente emparejado con YS y YL, respectivamente. Como era discutido en el
Capítulo 5, sin embargo, la admisión de transferencia inversa (año) asociado a cada
transistor tiende a reflejar cualquier cambio de impedancia realizado en un puerto hacia
el otro puerto, causando un cambio en las características de impedancia de ese puerto.
Esta hace que sea muy difícil diseñar buenas redes de un transistor mientras usa solo
sus admitancias de entrada y salida e ignorando por completo la contribución que hace
el año al transistor características de impedancia Aunque YL afecta la entrada
la admisión del transistor y YS afecta su admisión de salida, todavía es posible
proporcionar el transistor con una partido conjugado para una transferencia de potencia
máxima (desde la fuente hasta carga) mediante el uso de las siguientes ecuaciones de
diseño:

 2 gi g o  Re  y f yr    y f yr
2 2

 
GS   Eq. 6  7 
2 go
Im  y f yr 
BS   jbi   Eq. 6  8 
2 go

 2 gi g o  Re  y f yr    y f yr
2 2

 
GL   Eq.6  9 
2 gi
GS g o
  Eq. 6  10 
gi
Im  y f yr 
BL   jbo   Eq. 6  11
2 gi
Dónde
Gs = la conductancia de la fuente,
Bs = la susceptancia de origen,
GL = la conductancia de carga,
BL = la susceptancia de la carga,
Im = la parte imaginaria del producto entre paréntesis.

Las ecuaciones anteriores pueden parecer formidables pero en realidad no lo son, una
vez que los has usado algunas veces. Probemos un ejemplo de un emparejamiento
conjugado simultáneo para clarificación (Ejemplo 6-1).

Tenga en cuenta que una coincidencia conjugada simultánea también puede ser
realizada utilizando una serie de fácil acceso y conveniente herramientas de diseño de
software. Como ejemplo, considere la siguiente demostración que utiliza The
MathWorks 'RF Toolbox (www.mathworks.com/products/rftoolbox), un MATLAB
especializado caja de herramientas para diseñar y analizar redes de RF componentes.
En particular, este ejemplo usa el Gráfico de Smith trazado para encontrar las redes de
coincidencia de entrada y salida que maximizan la potencia entregada a una carga de
50 ohmios Primero, la demostración encuentra las longitudes de línea de transmisión
requeridas para la coincidencia de un solo trozo redes. Luego, conecta en cascada las
redes coincidentes con el amplificador y visualiza los resultados.

Paso 1. Crea un objeto RFCKT.AMPLIFIER con los datos en

el archivo de datos samplebjt2.s2p
cierra todo;
limpiar todo;
amp = rfckt.amplifier;
read (amp, 'samplebjt2.s2p');

EJEMPLO 6-1 Un transistor tiene los siguientes parámetros Y a 100 MHz, con VCE =
10 voltios e IC = 5 mA

Diseña un amplificador que proporcionará la máxima ganancia de potencia entre una

fuente de 50 ohmios y una carga de 50 ohmios a 100 MHz.

Solución
Primero, calcule el factor de estabilidad de Linvill usando la ecuación 6-4.

y f yr  52  j 20  0.01  j 0.1
C 
2 gi g o  Re  y f yr  2  8  0.4   Re  52  j 20  0.01  j 0.1 
5.57
  0.71
6.4   ¨1.47 

Como C es menor que 1, el dispositivo es incondicionalmente estable y podemos

proceder con el diseño. Si C hubiera sido mayor que 1, sin embargo, tendríamos que
ser extremadamente cuidadosos en haciendo coincidir el transistor con la fuente y
cargando como inestabilidad podría ocurrir.

El MAG de este transistor se calcula con la ecuación 6-6:

2
52  j 20
2
yf
MAG    242.5  23.8dB
4 gi g o 4  8 0.4 

La ganancia real que podemos lograr será algo menor que esto debido a las pérdidas
de años y componentes. usando las ecuaciones 6-7 a 6-11, calcule la fuente y
admitancias de carga para una coincidencia conjugada simultánea. Para el fuente,
usando la ecuación 6-7:
  2 gi g o  Re  y f yr    y f yr
2 2

 
GS 
2 go

6.4  1.47   5.57 

2 2

  6.95mmhos
2  4
Y, con la ecuación 6-8:
I m  y f yr  5.37
BS   jbi    j 5.7  j
2 go 2  4
  j12.41mmhos

Por lo tanto, la admisión de fuente que el transistor debe "Ver" para una transferencia
de potencia óptima es 6.95-j12.41 mmhos. La entrada de entrada real del transistor es
el conjugado de este número, o 6.95 + j12.41 mmhos. Para la carga, usando Ecuación
6-10:
GS go  6.95 0.4 
GL    0.347mmho
gi 8

Y, con la ecuación 6-11:

I m  y f yr 
BL   jbo 
2 gi
5.37
  j1.5  j
2 8
  j1.84mmhos
Por lo tanto, para una transferencia de potencia óptima, la admisión de carga debe ser
0.347-j1.84 mmhos. La admisión real de salida de la transistor es el conjugado de la
admisión de carga, o 0.347 + j1.84 mmhos.

EJEMPLO 6-1-Cont
NOMBRE TITULO DWG. NO
SMITH CHART FORM ZY-01-N ANALOG INSTRUMENTS COMPANY. NUEVA FECHA
PROVIDENCIA. N.J. 97974

FIG. 6-9. Diseño de red de entrada para el ejemplo 6-1. Para obtener una vista más
detallada a todo color de esta figura, visite nuestro sitio complementario en
http://books.elsevier.com/companions/9780750685184.
EJEMPLO 6-1-Cont
 NOMBRE TITULO DWG. NO
SMITH CHART FORM ZY-01-N ANALOG INSTRUMENTS COMPANY. NUEVA FECHA
PROVIDENCIA. N.J. 97974

FIG. 6-10. Diseño de red de salida para el ejemplo 6-1. Para obtener una vista más
detallada a todo color de esta figura, visite nuestro sitio complementario en
http://books.elsevier.com/companions/9780750685184.

EJEMPLO 6-1-Cont
El siguiente paso es diseñar la entrada y la salida redes de adaptación de impedancia
que transformarán el Fuente de 50 ohmios y carga a la impedancia que el transistor
gustaría ver para una transferencia de potencia óptima. El diseño de coincidencia de
entrada se muestra en la Tabla de Smith de Fig. 6-9. Esta tabla está normalizada de
modo que el centro de el gráfico representa 50 ohmios o 20 mmhos. Por lo tanto, el
punto YS = 6.95-j12.42 mmhos está normalizado para:

YS  50  6.95  j12.41 mmhos

 0.34  j 0.62mho
Esta entrada normalizada se muestra en la figura 6-9. Tenga en cuenta que su
impedancia correspondiente se puede leer directamente del gráfico como ZS = 0.69 +
j1.2 ohms. La coincidencia de entrada la red debe transformar la impedancia de fuente
de 50 ohmios a impedancia representada por este punto. Como se discutió en Capítulo
4, hay numerosos emparejamientos de impedancia redes disponibles para hacer el
truco. La red L de dos elementos fue elegido aquí por simplicidad y conveniencia.

Arc AB  series C   j1.3ohms

Arc BC  shunt L   j1.1mhos

El circuito de salida está diseñado y trazado en la figura 6-10. Porque los valores de
admitancia necesarios en la red de salida son tan pequeño, este cuadro tuvo que ser
normalizado a 200 ohmios (5 mmhos). Por lo tanto, la admitancia normalizada graficada
en el cuadro es:

YL  200  0.347   j1.84  mmhos

 0.069  j 0.368mho
or ,
Z L  0.495  j 2.62ohms
La carga normalizada de 50 ohm debe transformarse en este impedancia para la
máxima transferencia de potencia. Nuevamente, el Se eligió la red L de dos elementos
para realizar la coincidencia.

Arc AB  series C   j1.9ohms

Arc BC  shunt L   j 0.89mho

Las redes de coincidencia de entrada y salida se muestran en Fig. 6-11. Para mayor
claridad, el circuito de polarización no se muestra. Los valores de los componentes
reales se encuentran usando las Ecuaciones 4-11 a través de 4-14. Para la red de
entrada:
1 1
C1  1   24.5 pF
 XN 2 100 x10  1.3 50 
6
Fig. 6-11. Topología de circuito para el ejemplo 6-1.

N 50
L1    72nH
 B 2 100 x106  1.1

Del mismo modo, para la red de salida:

1
C2   4.18 pF
2 100 x10 6
 1.9  200 
Y
200
L2   358nH
2 100 x10   0.89 
6

El circuito final, incluida la red de polarización, podría aparecer como se muestra en la

figura 6-12. Los condensadores de 0.1-F proporcionan derivación de RF en 100 MHz.

FIG. 6-12. Circuito final para el ejemplo 6-1.

Analice el amplificador a la frecuencia central deseada de 1.9 GHz y adquiere los
parámetros S del amplificador, usando ANALYZE y CALCULAR métodos de objeto de
circuito.

Paso 2. Verificar la estabilidad del amplificador Antes de continuar con el diseño,

verifique la estabilidad del amplificador. Para una estabilidad incondicional, K debe ser
mayor que 1 y el valor absoluto de delta debe ser menor que 1.

K=1.0599
Abs_delta=0.6776

Dado que ambas condiciones se cumplen, el amplificador es incondicional estable. Por

lo tanto, cualquier fuente pasiva o carga produce un condición estable. Paso 3. Definir
el conjugado simultáneo valor de coincidencia Para diseñar las redes de adaptación de
entrada y salida, la demostración calcula la fuente requerida y los coeficientes de
reflexión de la carga para una coincidencia conjugada simultánea. Calcula el necesario
coeficiente de reflexión de la carga para el diseño de la coincidencia de salida red que
usa los parámetros S del amplificador.
Paso 4. Dibuja el círculo SWR Definir el círculo de relación de onda estacionaria (SWR)
asociado con el coeficiente de reflexión de carga. El radio de este círculo se da por la
magnitud del coeficiente de reflexión de carga. La demo usa este radio (el centro es el
origen) para calcular puntos en el circulo.

FIG. 6-13. Gráfico YZ Smith Gráfico de la impedancia de entrada deseada en el red de

coincidencia de salida

Luego traza y etiqueta la impedancia de entrada deseada en la salida red de

adaptación (basada en el coeficiente de reflexión de la carga) a lo largo con el
círculo SWR en una tabla de YZ Smith (figura 6-13).

Paso 5. Dibuja el círculo de conductancia constante Para encontrar la susceptance

requerida para mover la carga de 50 ohmios entrada en el círculo SWR, la demostración
define la conductancia constante circulo. Para hacer esto, la demostración calcula el
normalizado Impedancia de carga y la admitancia de carga correspondiente de 50
ohmios para las líneas de transmisión.

La demostración calcula el diámetro y el centro del círculo usando el valor de

conductancia.

}
Luego usa el radio y el centro de la conductancia constante círculo para calcular puntos
en el círculo.

A continuación, la demostración traza y etiqueta el punto de impedancia de carga

(ubicado en el centro de la Carta de Smith) junto con la constante círculo de
conductancia asociado con la admisión de carga en la tabla de Smith (figura 6-14)

FIG. 6-14. Gráfico de Smith con punto de impedancia de carga y constante Círculo de
conductancia.

Paso 6. Encuentra los puntos de intersección Ahora que la demo tiene drawShe y
constante conductancia círculos, puede encontrar los puntos de intersección
correspondientes a las dos posibles soluciones y los valores de susceptancia requeridos
para el talón por inspección visual. Dado que solo una solución es necesario, elija el
punto de intersección de la mitad inferior, como se muestra en la figura 6-15.

La demostración traza y etiqueta este punto de intersección en el Smith Gráfico

utilizando el coeficiente de reflexión calculado a partir de la admisión valor.

FIG. 6-15. Punto de intersección marcado en Smith Chart.

Paso 7. Calcule las longitudes de línea de transmisión requeridas Esta demostración

encuentra las longitudes requeridas de la transmisión de la serie línea y cortocircuito
de circuito abierto (basado en el punto de intersección) calcular el valor de
susceptancia requerido para el stub y su coeficiente de reflexión correspondiente.

Luego encuentra la longitud del talón calculando el ángulo de rotación desde el punto y
= 0 (circuito abierto) al calculado punto de susceptancia

stubLengthA = 0.0883
Finalmente, encuentre la longitud requerida de la línea de transmisión de la serie basado
en el ángulo de rotación desde el punto A hasta Zin.

seriesLengthA = 0.2147

Las longitudes requeridas (en términos de longitud de onda) para la transmisión las
líneas basadas en la solución del punto A se dan arriba. Siguiendo un enfoque similar,
las longitudes de línea para la entrada la red que hace juego son:

Paso 8. Verificar el diseño Construya el circuito utilizando líneas de transmisión

microstrip con una característica impedancia de 50 ohmios para las redes de
adaptación. Para lograr esto, analiza un objeto de micro banda, con el valor
predeterminado propiedades, en la frecuencia de diseño de 1.9 GHz.
DISEÑO DE CIRCUITO DE RF

Inestable y puede oscilar bajo ciertas condiciones de fuente e impedancia de carga. Si este es el
caso, hay varias opciones disponibles que le permitirán usar el transistor en una configuración
de amplificador estable:

1. Seleccione un nuevo punto de polarización para el transistor.

2. Unilateralizar o neutralizar el transistor.

3. Designe incorrectamente la impedancia de entrada y salida del transistor para reducir la

ganancia de la etapa.

La solución más simple para un problema de estabilidad es muy a menudo la Opción 1. Esto es
especialmente cierto si C calcula que está muy cerca de, pero mayor que, 1. Recuerde, cualquier
cambio en el punto de operación de un transistor tiene un efecto directo en su RF características.
Por lo tanto, simplemente cambiando el punto de polarización de CC, es posible cambiar los
parámetros Y del transistor y, por lo tanto, su estabilidad. Por supuesto, si se toma este enfoque,
es absolutamente crítico que el punto de polarización sea estable a la temperatura en el rango
de temperaturas que debe operar el dispositivo.

Dado que la inestabilidad generalmente es causada por la ruta de realimentación, que consiste
en la admitancia de transferencia inversa (yr) del transistor, la un lateralización o neutralización
a menudo estabilizará un diseño. La un lateralización consiste en proporcionar una ruta de
retroalimentación externa (Yf) desde la salida a la entrada, de modo que Yf = -yr. Por lo tanto,
Yf cancela año dejando una admitancia de transferencia inversa compuesta (yrc) igual a cero.
Con yrc igual a cero, el dispositivo es incondicionalmente estable. Esto se puede verificar
sustituyendo yrc = 0 por año en la ecuación 6-4. El factor de estabilidad de Linvill en este caso
se convierte en cero, lo que indica una estabilidad incondicional.

A menudo, cuando yr es una admisión compleja que consiste en gr ± jbr, se vuelve muy difícil
proporcionar la admisión externa inversa correcta necesaria para eliminar totalmente el efecto
de año. En tales casos, a menudo se usa la neutralización. La neutralización es similar a la un
lateralización, excepto que solo se contrarresta el componente imaginario de año. Se construye
una ruta de retroalimentación externa de salida a entrada tal que Bf = -br. Por lo tanto, la sus
estancia de transferencia inversa compuesta (brc) es igual a cero. La neutralización también
tiende a domesticar amplificadores salvajes porque, en la mayoría de los transistores, gr es
insignificante cuando se compara con br. Por lo tanto, la eliminación de br elimina casi por
completo el año. Por esta razón, la neutralización es generalmente preferida sobre la un
lateralización. En la figura 6-19 se muestran dos tipos de circuitos de neutralización. En la figura
6-19A, el inductor y el condensador de la serie pueden ajustarse para proporcionar la cantidad
correcta de sus estancia negativa (inductancia) necesaria para cancelar una sus estancia de
transferencia inversa positiva interna al transistor.
Sospecha positiva externa necesaria para cancelar cualquier -jb que

es interno al transistor.

La adición de componentes externos para neutralizar un amplificador tiende a aumentar el costo

y la complejidad del circuito.

VCC VCC

Cn

Ln
RS RS

(A) Por año jb (B) por año jb

FIG. 6-19. Circuitos de neutralización.

Además, la mayoría de los circuitos de neutralización tienden a neutralizar el amplificador solo

a la frecuencia de operación y pueden causar problemas (inestabilidad) en otras frecuencias. Sin
embargo, es posible estabilizar un amplificador sin ninguna forma de retroalimentación externa.
Otra mirada al factor de estabilidad Serán (K) en la ecuación 6-5 revelará cómo.

Si GS y GL se hacen lo suficientemente grandes como para forzar K a ser mayor que 1, entonces
el amplificador se mantendrá estable para esas terminaciones. Esto sugiere una desadaptación
selectiva del transistor para lograr la estabilidad. Por lo tanto, la ganancia del amplificador debe
ser menor que la que sería posible con una coincidencia simultánea simultánea. El
procedimiento para un diseño que usa dispositivos inestables es el siguiente:

1. Elija GS según la información óptima de ruido en la hoja de datos del transistor.

Alternativamente, elija GS en función de otros criterios, como la conveniencia o la red de
entrada Q.

2. Seleccione un valor de K que le asegurará un amplificador estable (K> 1).

3. Sustituya los valores anteriores para K y GS en

Ecuación 6-5 y resolver para GL.

4. Ahora que se conocen GS y GL, todo lo que resta es encontrar BS y BL. Elija un valor de BL
igual al -bo del transistor. El YL correspondiente que resulta será entonces muy cercano al
verdadero YL que teóricamente se necesita para completar el diseño.
5. Luego, calcule la admitancia de entrada del transistor (Yin) usando la carga elegida en el Paso
4 y la fórmula en la Ecuación 6-13.

yr y f
Yin  yi 
y0 +YL
dónde (Eq. 6-13)

YL = G L  jBL (encontrado en los Pasos 3 y 4).

6. Una vez que se conoce a Yin, establezca BS igual al negativo de la parte imaginaria de Yin, o:

BS   Bin

7. Calcule la ganancia de la etapa usando la Ecuación 6-12.

A partir de ahora, solo es necesario proporcionar redes de entrada y salida que presenten el YS
y el YL calculados al transistor. El ejemplo 6-3 ilustra el procedimiento

DISEÑO UTILIZANDOS PARAMETROS

Como discutimos en el Capítulo 5, los transistores también se pueden caracterizar

completamente por su dispersión o los parámetros S. Con estos parámetros, es posible
calcular las inestabilidades potenciales (tendencia a la oscilación), la ganancia máxima
disponible, las impedancias de entrada y salida y la ganancia del transductor. También
es posible calcular las impedancias óptimas de fuente y carga, ya sea para el
emparejamiento conjugado simultáneo o simplemente para ayudarlo a elegir
impedancias específicas de fuente y carga para una ganancia especificada del
transductor.
EJEMPLO 6-3

Considere un transistor con los siguientes parámetros Y en

200 MHz:

yi =2.25+j7.2
yo =0.4+j1.9
yf =40-j20
yr =0.05-j0.7

Todos los parámetros anteriores están en mmhos. Encuentra fuentes y admitancias de

carga que te garantizarán un diseño estable. Encuentra la ganancia del amplificador.

Solución
El factor de estabilidad de Linvill (C) para el transistor es igual a 2.27 calculado usando
la ecuación 6-4. Por lo tanto, el dispositivo es potencialmente inestable y debe tener
extrema precaución al elegir una fuente y admisión de carga para el transistor. Proceda
como se describió anteriormente en los pasos 1 a 7.

La hoja de datos para el transistor 2N5179 establece que la resistencia óptima de la

fuente para la mejor figura de ruido es de 250ohms. Por lo tanto, G S =1/R S =4mmhos
mmhos. Elija un factor de estabilidad Stern de K = 3 para un margen de seguridad
adecuado.
Sustituye GS y K en la Ecuación 6-5 y resuelve para GL.

2( g i  Gs )( g 0  GL )
K
|y r y f |+Re(y r y f )

2(2.25+4)(0.4+G L )
3
31.35+(-12)
Y…

G L =4.24mmhos
Establezca BL igual a-b del transistor

BL = - j1.9mmhos

La admitancia de la carga ahora está definida.

YL =4.24-j1.9mmhos

Calcule la admitancia de entrada del transistor utilizando la ecuación 6-13 y YL

yr y f
Yin =yi -
y0 +YL

(0.701o -85.9o )(44.72o -26.6o )

=2.25+j7.2-
0.4+j1.9+4.24-j1.9
=4.84+j13.44mmhos

Establezca BS igual al negativo de la parte imaginaria de Yin.

BS =j13.44mmhos
La admisión de fuente necesaria para el diseño ahora se define como:

YS =4.84-j13.44mmhos
Ahora que se conocen YS y YL, puede calcular la ganancia esperada del amplificador
utilizando la ecuación 6-12

4(4.84)(4.24)|(44.72)|2
GT =
|(7.08-j6.24)(4.64)-(-12-j28.96)|2

135,671.7

2011
=67.61
=18.3dB

Por lo tanto, aunque el transistor no esté conjugado, aún puede obtener una cantidad
respetable de ganancia mientras mantiene un amplificador perfectamente estable. Los
valores de los componentes se pueden encontrar siguiendo los procedimientos
descritos en el Ejemplo 6-1.

los parámetros S varían con la frecuencia y el nivel de polarización. Por lo tanto, primero
debe elegir un transistor, seleccionar un punto de operación estable y determinar sus
parámetros S en ese punto de operación (ya sea por medición o a partir de una hoja de
datos) antes de seguir los procedimientos indicados en las siguientes secciones.

Estabilidad
La tendencia de transistores de una Arc oscilación puede ser regulada por sus
parámetros, ya que el mismo número de horas se ha perdido en una sección anterior
con Y parámetros. El cálculo se puede hacer incluso antes de que se construya un
amplificador y, por lo tanto, sirve como una herramienta útil para encontrar un transistor
adecuado para su aplicación. Para calcular la estabilidad de un transistor con
parámetros S, primero debe calcular la cantidad intermedia DS:

DS =S11S22 -S12S21
(Eq. 6-14)

El Factor de estabilidad de Rollett (K) se calcula como:

 1+|DS |2 -|S11|2 -|S22 |2
K= (Eq. 6-15)
2.|S21|.|S12 |

Si K es mayor que 1, el dispositivo será incondicionalmente estable para cualquier

combinación de fuente y carga de impedancia. Si, por otro lado, K calcula que supera 1,
el dispositivo es potencialmente inestable y muy posiblemente oscilará con ciertas
combinaciones de fuente e impedancia de carga. Con K menor que 1, debe tener mucho
cuidado al elegir las impedancias fuente y de carga para el transistor. No significa que
el transmisor no puede utilizarse para su aplicación; simplemente indica que el transistor
será más difícil de usar. Si K calcula que es menor que 1, hay varios enfoques que
puede seguir para completar el diseño:
1. Seleccione otro punto de polarización para el transistor.
2. Elige un transistor diferente.
3. Siga los procedimientos descritos más adelante en este capítulo.

Máxima ganancia disponible

La máxima cantidad que le permite alcanzar un punto máximo para alcanzar un
transistor o un condensador compatible se llama Ganancia Máxima Disponible (MAG).
Para calcular MAG, primero calcule la cantidad intermedia B1:

B1 =1+|S11|2 -|S22 |2 -|D S |2 (Eq. 6-16)

donde DS es la cantidad calculada usando la ecuación 6-14. El MAG se calcula luego:

|S21|
MAG=10 log +10 log|K  k 2  1| (Eq. 6-17)
|S12 |

dónde
MAG está en dB, K es el factor de estabilidad calculado mediante la ecuación 6-15.

La razón por la cual B1 tuvo que calcularse primero es porque su polaridad determina
qué signo (±) usar antes del radical en la ecuación 6-17. Si B1 es negativo, usa el
signo más. Si B1 es positivo, usa el signo menos.
Nótese que K debe ser mayor que 1 (incondicionalmente estable) o la Ecuación 6-17
se definirá. Esto significa que, en lugar de 1, el radical de la ecuación producirá un
número imaginario y el cálculo de MAG no es válido. Por lo tanto, la MAG no se ha
encontrado para transistores inestables.

Coincidencia de conjugado simultáneo (transistores incondicionalmente

estables)

Una vez que se ha encontrado un transistor estable adecuado y se ha encontrado que

sus capacidades de ganancia coinciden con sus requisitos, puede continuar con el
diseño.

Los siguientes procedimientos de diseño darán como resultado una carga y fuente de
reflexión que proporcionarán una mezcla adecuada para la salida real y las impedancias
de entrada, respectivamente, del transistor. Recuerde que la impedancia de salida
actual del transistor depende de la impedancia fuente que el transistor "ve".
Inversamente, la impedancia de entrada actual del transistor depende de la impedancia
de carga que el transistor "vea". Esta dependencia es, por supuesto, causada por la
ganancia inversa del transistor (S12). Si S12 fuera igual a cero, entonces la carga y las
impedancias fuente no tendrían ningún efecto en las impedancias de entrada y salida
del transistor. Para encontrar el coeficiente de reflexión de carga deseado para una
coincidencia conjugada, realice los siguientes cálculos:

C2 =S22 -(DS S*11 ) (Eq. 6-18)

donde el disco más largo indica el complejo conjugado de S11 (la misma magnitud, pero
el ángulo tiene el signo opuesto). La cantidad DS es la cantidad intermedia calculada en
la ecuación 6-14.
Luego, calcule B2.

B2 =1+|S22 |2 -|S11|2 -|D S |2 (Eq. 6-19)

La magnitud del coeficiente de reflexión se encuentra a partir de la ecuación:

B2 B2  4|C2 |
rL |= (Eq. 6-20)
2
El signo que precede al radical es el opuesto al signo de B2 (que se calculó previamente
en la ecuación 6-19). El ángulo del coeficiente de reflexión de la carga es simplemente
el negativo del ángulo de C2 (que se encuentra en la ecuación 6-18).
Una vez que se encuentra el coeficiente de reflexión de carga deseado, se puede
graficar en un diagrama y la impedancia de carga correspondiente se puede encontrar
directamente. O, si lo prefiere, puede sustituir L en la Ecuación 5-8 y resolver para ZL
matemáticamente. Con el coeficiente de reflexión de carga deseado especificado, ahora
puede calcular el coeficiente de reflexión de fuente que se necesita para terminar
apropiadamente la entrada del transistor.

*
 S S r 
rs   S11  12 21 L  (Eq. 6-21)
 1  (rL S 22 ) 

la (misma magnitud, pero signo opuesto para el ángulo). En otras palabras, una vez que
complete el cálculo (dentro de los paréntesis) de la Ecuación 6-21, la magnitud del
resultado será correcta, pero el ángulo tendrá el signo incorrecto. Simplemente cambie
el signo del ángulo. Una vez que se encuentra S, puede trazarse en un Gráfico de Smith
o sustituirse en la Ecuación 5-8 para encontrar la impedancia de origen correspondiente.
Un ejemplo debería ayudar a aclarar asuntos (Ejemplo 6-4).

EJEMPLO 6-4

Un transistor tiene los siguientes parámetros S a 200MHz, con un Vce = 10V

y un Ic = 10mA:

S11 =0.4?162o
S22 =0.35?-39o
S12 =0.04?60o
S21 =5.2?63o
El amplificador debe operar entre terminaciones de 50 ohmios. Diseñe las redes de
adaptación de entrada y salida para conjugar simultáneamente y hacer coincidir el
transistor para obtener la ganancia máxima.
Solución
Primero use las ecuaciones 6-14 y 6-15 para ver si el transistor es estable en la
frecuencia operativa y el punto de polarización:

Ds =(0.4  162o )(0.35  -39o )-(0.04  60o )(5.2  63o )

=0.14  123o -0.208?123o
=0.068  -57o

Usa la magnitud de DS para calcular K.

1+(0.068)2 -(0.4)2 -(0.35)2

K=
2(5.2)(0.04)
=1.74

Como K es mayor que 1, el transistor es incondicionalmente estable y podemos

proceder con el diseño. Luego, calcule B1 usando la Ecuación 6-16.

B1 =1+(0.4)2 -(0.35)2 -(0.068)2

=1.03
La ganancia máxima disponible viene dada por la ecuación 6-17:
 5.2 0.04
MAG=10log +10log|1.74- (1.74)2 -1|
0.04
=21.14+(-5)
=16.1dB

El signo negativo que se muestra delante del radical en la ecuación anterior resulta que
B1 es positivo. Si la especificación de diseño hubiera llamado una ganancia mínima
superior a 16.1dB, se necesitaría un transistor diferente. Consideraremos que 16.1dB
es adecuado para nuestros propósitos.
El siguiente paso es encontrar el coeficiente de reflexión de carga necesario para una
coincidencia conjugada. Las dos cantidades intermedias (C2 y B2) deben encontrarse
primero. De la ecuación 6-18:

C2 =0.35  -39o )-[(0.068  -57o )(0.4  -162o )]

=0.272-j0.22-[-0.021+j0.0017]
=0.377  -39o

y, de la ecuación 6-19:

B2 =1+(0.35) 2 -(0.4) 2 -(0.068) 2

=0.958

Por lo tanto, ahora se puede encontrar la magnitud del coeficiente de reflexión de la

carga usando la Ecuación 6-20.

0.958 (0.958)2  4|(0.377) 2 |

rL |=
2(0.377
=0.487
El ángulo del coeficiente de reflexión de carga es simplemente igual al negativo del
ángulo de C2, o + 39◦. Así,

L =0.487  39o

Usando rL calcula IS usando la Ecuación 6-21:

*
 (0.04  60 )(5.2  63 )(0.487  39 ) 
rs  0.4  162  
 1  (0.487  39 )(0.35  39 ) 
=[0.522  -162 ]*
=0.522  162
 EJEMPLO 6-4—CONT
NOMBRE TITULO DWG. NO
SMITH CHART FORM ZY-01-N ANALOG INSTRUMENTS COMPANY. NUEVA FECHA
PROVIDENCIA. N.J. 97974
 FIG 6-20. Valores de diseño de red de entrada para el ejemplo 6-4.

EJEMPLO 6-5—CONT
NOMBRE TITULO DWG. NO
SMITH CHART FORM ZY-01-N ANALOG INSTRUMENTS COMPANY. NUEVA FECHA
PROVIDENCIA. N.J. 97974
FIG 6-21. Valores de diseño de red de salida para el ejemplo 6-4.

EJEPLO 6-4 CONTINUACION

Una vez que se conocen los valores S y L deseados, todo lo que queda es rodear el
transistor con componentes que le proporcionen impedancias de fuente y carga que se
"parecen" a rS y rL.
El diseño de la red de adaptación de entrada se muestra en la tabla de Smith de la figura
6-20. El objetivo del diseño es forzar a la fuente de 50 ohmios a presentar un coeficiente
de reflexión de 0.522∠-162◦. Con S graficado como se muestra, la impedancia deseada
y normalizada correspondiente se lee directamente del gráfico como ZS = 0.32-
j0.14ohm. Recuerde, esta es una impedancia normalizada porque la tabla se ha
normalizado a 50 ohmios. La impedancia real representada por S es igual a 50 (0.32-
j0.14) = 16-j7ohms. Para forzar a que la fuente de 50 ohmios realmente aparezca como
una impedancia de 16-j7ohm al transistor, simplemente agregamos una derivación y un
componente reactivo en serie como se muestra en la tabla de la figura 6-20. Partiendo
de la fuente, tenemos:
Arc AB = Shunt C = j1.45mhos
Arc BC = Serie L = j0.33ohm

Los valores de los componentes reales se encuentran usando las ecuaciones

4 -12 y 4 -13.

1.45
C1 =
2 (200 x106 )50
=23pF
(0.33)(50)
L1 
2 (200 x106 )
=13nH

Esto completa la red de coincidencia de entrada.

El coeficiente de reflexión de la carga se representa gráficamente en la figura 6-21 y

representa una impedancia de carga deseada (como se lee en la tabla) de ohmios ZL-
50 (1.6 + j1.28) u 80 + j64ohms. La red de coincidencia está diseñada de la siguiente
manera. Procediendo de la carga:

Arco AB = Serie C = - j1.3ohms

Arco BC = Deriva L = - j0.78 mho
Los valores de los componentes ahora se encuentran usando las Ecuaciones
4 -11 y 4 -14.

1
C1 =
2 (200 x106 )(1.3)(50)
=12pF
50
L1 
2 (200 x106 )(0.78)
=51nH

El diseño final, excluyendo el circuito de polarización, se muestra en la figura 6-22.

51nH
12pF

50Ω 13nF

50 Ω
23pF

FIG: 6-22. Circuito final para el ejemplo 6-4.

Ganancia del transductor

La ganancia del transductor, como se definió anteriormente en este capítulo, es la
ganancia real de una etapa del amplificador, incluidos los efectos de la coincidencia de
entrada y salida y la ganancia del dispositivo. No incluye las pérdidas atribuidas a la
disipación de potencia en componentes imperfectos.
La ganancia del transductor se encuentra por:

|S21|2 (1-|rS |2 )(1-|rL |2 )

GT 
|(1-S11rS )(1-S22 rL )-S12S21rL rS |2 (Eq. 6-22)

donde rS y rL son los coeficientes de reflexión de fuente y carga, respectivamente. El

cálculo de GT es un método útil para verificar el poder de un amplificador antes de que
se construya.
Esto se muestra en el ejemplo 6-5.

EJEMPLO 6-5

Calcule la ganancia del transductor del amplificador que se diseñó en el ejemplo 6-4.
Solución
Usando la ecuación 6-22, tenemos:

|5.2|2 (1-|0.522|2 )(1-|0.487|2 )

GT 
|(1-0.2088)(1-0.170)-(0.04  60 )(5.2  63 )

=41.15
=16.1dB

Observe, una vez más, que el traductor vuelve a calcular que se acercará al MAG. Si
lleva el cálculo a varios lugares decimales, encontrará que GT es aún menor que el
MAG en unas pocas centésimas de dB. Esto se debe al hecho de que S12 no es igual
a cero y, por lo tanto, proporciona una pequeña cantidad de retroalimentación negativa
interna al transistor.
Diseño para una ganancia especificada A menudo, cuando se diseñan amplificadores,
se requiere que una sola etapa proporcione una cantidad de montaje de nulo adicional
y nula. En una situación como esta, una coincidencia conjugada simultánea para el
transistor probablemente proporcionaría demasiada ganancia para la etapa y
probablemente la carga adicional (o al comienzo de la etapa). Obviamente, si así lo
desea, podría buscar a través de las montañas de la industria de fabricación de libros
para concluir que, cuando se combinen de forma conjuntas, proporcionaría
exactamente la cantidad de dinero deseada. Este enfoque podría tener una duración
de seis meses. Aunque no se haya producido ningún cambio, solo se necesita, ahora
está a merced del fabricante y está sujeto a cualquier cambio y variante entre los
transmisores del mismo tipo. Sin embargo, hay una manera mejor de solucionar estos
problemas con mucha facilidad. Se llama desajuste selectivo. La falta de coincidencia
selectiva es simplemente una manera manejable y controlada de disminuir la ganancia
al no hacer coincidir el transistor con su carga.

1. Donde se encuentra el centro del círculo.

2. El radio del círculo.
Esta información se calcula de la siguiente manera:

1. Calcule DS usando la ecuación 6-14.

2. Calcula D2.

D 2 =| S22 |2 -|D S |2 (Eq. 6-23)

3. Calcule C2.

C2 =S22 -DS S*11 (Eq. 6-24)

4. Calcule G.
 GANANCIA  absoluto 
G=
|S21|2 (Eq. 6-25)

Tenga en cuenta que el numerador en la ecuación 6-25 debe ser una ganancia
absoluta y no una ganancia en dB.

5. Calcula la ubicación del centro del círculo.

GC 2 *
rO =
1  D2G (Eq. 6-26)

6. Calcula el radio del círculo.

1-2K|S12S21|G+|S12S21|2G 2
PO 
1  D2G (Eq. 6-27

La ecuación 6-26 produce un número complejo en formato de ángulo de magnitud

similar a un coeficiente de reflexión. Este número se traza en la tabla exactamente
como se trazaría un valor de coeficiente de reflexión. El radio del círculo que se calcula
con la ecuación 6-27 es simplemente un número fraccionario entre 0 y 1 que
representa el tamaño de ese círculo en relación con un gráfico de Smith. Un círculo
con un radio de 1 tiene el mismo radio que un Gráfico de Smith, un radio de 0.5
representa la mitad del radio de un Gráfico de Smith, y así sucesivamente. Una vez
que elija el coeficiente de reflexión de carga y, por lo tanto, la impedancia de carga que
utilizará, el siguiente paso es determinar el valor del coeficiente de reflexión de fuente
que se necesita para completar el diseño sin producir ninguna disminución adicional
en la ganancia. Este valor del coeficiente de reflexión de la fuente se combina con el
coeficiente de reflexión de entrada real del transistor con la carga especificada y está
dado por la ecuación 6-21. El ejemplo 6-6 describe el procedimiento a seguir.
Círculos de estabilidad Cuando el factor de estabilidad Rollett, calculado con la
ecuación 6-15, indica una inestabilidad potencial con el transistor, es posible que con
una combinación de impedancia entre fuente e carga, el transistor oscile. Por lo tanto,
cuando K calcula que es menor que 1, es extremadamente importante elegir la fuente
y la carga de forma muy cuidadosa.
Uno de los mejores métodos para determinar las impedancias de origen y carga que
provocarán que el transistor se vuelva inestable es graficar círculos de estabilidad en
una gráfica de Smith. realizado mediante técnicas manuales o mediante el uso de
herramientas computarizadas Smith Chart como se discutió en el Capítulo 4. Un
círculo de estabilidad es simplemente un círculo en un Gráfico Smith que representa el
límite entre los valores de impedancia de fuente o carga que causan inestabilidad y
aquellos que no lo hacen. El perímetro del círculo representa el locus de puntos que
fuerza a K = 1. O bien dentro o fuera del círculo puede

EJEMPLO 6-6
Un transistor tiene los siguientes parámetros S a 250 MHz,
con un VCE = 5V e IC = 5mA.

S11 =0.277  -59

S22 =0.848  -31
S12 =0.078  93
S21 =1.92  64
Diseñe un amplificador para proporcionar 9dB de ganancia a 250MHz.
La impedancia de la fuente es ZS = 35-j60ohms
y la impedancia de carga es ZL = 50-j50ohms.
El transistor es incondicionalmente estable con K = 1.033.

Solución
Usando la ecuación 6-14 y las ecuaciones 6-23 a 6-27, y procediendo "por los números",
tenemos:

D S =S11S22 -S12S21
=(0.277  -59 )(0.848  -31 )
-(0.078  93 )(1.92  64 )
=0.324  -64.8
D2 =(0.848) 2 -(0.324) 2
=0.614

C2 =0.848  -31 -(0.324  -64.8 )(0.277  59 )

=0.768  -33.9
G= 7.94/ (1.92)2
=2.15

El centro del círculo está ubicado en el punto:

2.15(0.768  33.9 )
rO =
1  (0.614)(2.15)
=0.712  33.9

Este punto ahora se puede trazar en el Gráfico de Smith.

El radio del círculo de ganancia de 9 dB se calcula como:

1-2(1.033)(0.078)(1.92)(2.15)+(0.150)2 (2.15)2
p0 
1+(0.614)(2.15)

= 0.285
La construcción de Smith Chart se muestra en la figura 6-23. Tenga en cuenta que
cualquier impedancia de carga ubicada a lo largo de la circunferencia del círculo
producirá una ganancia de amplificador de 9dB si la impedancia de entrada del
transistor está conjugada.
La impedancia de carga real con la que tenemos que trabajar es 50-j50ohms, como se
indica en la declaración del problema. Su valor normalizado (1-j1) se muestra en la
figura 6-23 (punto A). La red de salida del transistor debe transformar la impedancia de
carga real en un valor que recaiga en el círculo de ganancia constante. Obviamente,
hay numerosas configuraciones de circuito que harán el truco. La configuración que se
muestra fue elegida por conveniencia. Procediendo de la carga:
Arc AB = Serie C = - j2ohms
Arc BC = Shunt L = - j0.425mho
De nuevo, usando las Ecuaciones 4-11 a 4-14, los valores de los componentes reales
son:

1
C1 
2 (250x106 )(2)(50)
=6.4pF
Y

(50)
L1 
2 (250 X 106 )(0.425)

=75nH

Para un emparejamiento conjugado en la entrada al transistor con L = 0.82∠14.2◦

(punto C), el coeficiente de reflexión de fuente deseado debe ser (usando la ecuación
6-21):

 0.277  -59 +(0.078  93 )(1.92  64 )(0.82  14.2 ) 

rS   
 1  (0.82  14.2 )(0.848  31 ) 

= 0.105  160
NOMBRE TITULO DWG. NO
SMITH CHART FORM ZY-01-N ANALOG INSTRUMENTS COMPANY. NUEVA FECHA
PROVIDENCIA. N.J. 97974
EJEMPLO 6-6—CONT

FIG. 6-23. Valores de diseño de red de salida para el ejemplo 6-6.

 EJEMPLO 6-6—CONT

NOMBRE TITULO DWG. NO

SMITH CHART FORM ZY-01-N ANALOG INSTRUMENTS COMPANY. NUEVA FECHA
PROVIDENCIA. N.J. 97974

FIG. 6-24. Valores de diseño de red de salida para el ejemplo 6-6.

 (0.62)
C2 =
2 (250x106 )(50)
=7.9pF

2.1
C3 =
2 (250x106 )50
=27pF

(1.09)(50)
L2 =
2 (250x106 )
=34.7nH
El diseño completo, excluyendo la red de polarización, se muestra en la figura 6-25.

75nH

34.7nH 6.4pF
Zs Zl
7.9pF 27pF

Fig. 6-25. Circuito final para el ejemplo 6-6.

representar la región inestable y esa determinación debe hacerse después de dibujar
los círculos. Las ubicaciones y los radios de los círculos de estabilidad de entrada y
salida se encuentran de la siguiente manera:
1. Calcule DS usando la ecuación 6-14.
2. Calcule C1.

C1 =S11 -DsS*22 (Eq. 6-28)

3. Calcule C2 usando la ecuación 6-18.

4. Calcule la ubicación del centro del círculo de estabilidad de entrada.

c *1
rS 1=
|S11|2 -|D s |2 (Eq. 6-29)

5. Calcule el radio del círculo de estabilidad de entrada.

S12 S21
pS 1 =
S11  DS
2 2
(Eq. 6-30)

6. Calcule la ubicación central del círculo de estabilidad de salida.

C2 *
rs 2 =
S22  DS
2 2
(Eq. 6-31)
7. Calcule el radio del círculo de estabilidad de salida.

S12S21
ps 2 =
S22  DS
2 2
(Eq. 6-32)

Una vez que se realizan los cálculos, los círculos de estabilidad se pueden trazar
directamente en el diagrama Smith. Sin embargo, tenga en cuenta que, si desea trazar
círculos de estabilidad en el diagrama de Smith para un transistor incondicionalmente
estable, es posible que nunca los encuentre. Esto se debe a que, para un amplificador
incondicionalmente estable, el diagrama completo representa una región operativa
estable, como se muestra en la figura 6-26.

FIG. 6-26. Círculos de estabilidad típicos para un amplificador incondicionalmente

estable
Para un transistor potencialmente inestable, los círculos de estabilidad podrían
parecerse a los que se muestran en la figura 6-27. A menudo, solo una parte del círculo
de estabilidad interseca el cuadro como se muestra.

Después de trazar los círculos de estabilidad en el gráfico, el siguiente paso es

determinar qué lado del círculo (adentro o afuera) representa la región estable. Esto se
hace muy fácilmente si S11 y S22 para el transistor son menores que 1. Dado que los
parámetros S se midieron con una fuente y carga de 50 ohmios, y dado que el transistor
permaneció estable en estas condiciones (S11 o S22 serían mayores que 1 para un
transistor inestable), entonces el centro del Gráfico de Smith normalizado debe ser parte
de la región estable tal como lo describen los círculos de estabilidad. Por lo tanto, en
este caso, si uno de los círculos rodea el centro del gráfico, el interior de ese círculo
debe representar la región de impedancias estables para ese puerto. Si, por otro lado,
el círculo no rodea el centro de la gráfica, el campo entero que se encuentra fuera de
ese círculo debe representar la región operativa estable para ese puerto.

Es muy raro que encuentre una sonda que no se puede configurar con 50 ohmios y con
carga, y si lo hace, probablemente sea
 EJEMPLO 6-7—CONT

NOMBRE TITULO DWG. NO

SMITH CHART FORM ZY-01-N ANALOG INSTRUMENTS COMPANY. NUEVA FECHA
PROVIDENCIA. N.J. 97974

FIGURA. 6-27. Círculos de estabilidad típicos para un transistor potencialmente

inestable
para probar otro dispositivo. Por lo tanto, el procedimiento descrito anteriormente debe
considerarse como el método más directo para ubicar la región de operación estable en
un diagrama de Heráldica. Ejemplo 6-7 Diagramas el procedimiento.
Diseño para la Figura de ruido óptimo La figura de ruido de cualquier red de dos puertos
da una medida de la cantidad de ruido que se agrega a una señal que se transmite a
través de la red. Circuito virtual falso, la señal al ruido

la relación entre su salida será menor (más pequeña) que la entrada. Sin embargo, en
la mayoría de las aplicaciones de diseño de circuitos, es posible reducir al mínimo la
compatibilidad de una red de dos puertos mediante una elección juiciosa del punto de
funcionamiento y la resistencia de la fuente.
En el Capítulo 5, se mencionó brevemente que, para cada transistor, incluso para cada
red de dos puertos, existe una resistencia de fuente óptima necesaria para establecer
una mínima cifra de ruido (véase también el Apéndice B). Muchos fabricantes
especifican una resistencia de origen óptima en la hoja de datos, como en el caso del
transistor 2N5179presentado en el capítulo 5. Otros especificarán un coeficiente óptimo
de reflexión de la fuente. Tal es el caso de la hoja de datos del transistor de la serie MA-
42120 de Microwave Associates

Se muestra en la página 3 de la hoja de datos, etiquetada como "Típica impedancia de

la fuente de ruido óptima frente a la corriente del colector". Obviamente, como se
muestra en la tabla, si planificaba transferir la frecuencia a más de 60MHz o 450MHz,
no sería posible utilizar un filtro de ruido óptimo. Típicamente, la mayoría de las hojas
de datos están incompletas de esta manera. Simplemente no hay espacio suficiente en
un libro de datos típico para proporcionar al usuario toda la información que necesita
para diseñar amplificadores en cada frecuencia y punto de error posible. La hoja de
datos no es más que una demostración de cualquier diseño. Lo más probable es que
termine haciendo muchas de sus propias mediciones en un dispositivo antes de que
forme parte del diseño.

EJEMPLO 6-7

Los parámetros S para un transistor 2N5179 a 200MHz, con un VCE = 6V y un IC =

5mA, son (vea la hoja de datos en el Capítulo 5):

S11 =0.4  280

S22 =0.78  345
S12 =0.048  65 .

S21 =5.4  103

Elija un coeficiente de reflexión de carga y fuente estable que proporcione una ganancia
de potencia de 12dB a 200MHz.
Solución
Un cálculo del factor de estabilidad de Rollett (K) para el transistor indica una
inestabilidad potencial con K = 0,802. Por lo tanto, debe tener extrema precaución al
elegir las impedancias de fuente y carga para el dispositivo o puede oscilar. Para
encontrar las regiones de operación estables en el Gráfico de Smith, trace los círculos
de estabilidad de entrada y salida. Continuando con el Paso 1 anterior, tenemos:

DS =(0.4  280 )(0.75  345 )-(0.048  65 )(5 .4  103 )

=0.429  -58.18

C1 =0.4  280?-(0.429  -58.2?)(0.78  -345?)

=0.241  -136.6?

C2 =0.78  345 -(0.429  -58.2 )(0.4  -280 )

=0.65  -24

Entonces, el centro del círculo de estabilidad de entrada está ubicado en el punto:

0.241  136.6
rs1 =
(0.4)2 -(0.429)2
=10  136.6

El radio del círculo se calcula como:

(0.048  65 )(5.4  103 )

p s1 =
(0.4) 2 -(0.429) 2

= 10.78
Del mismo modo, para el círculo de estabilidad de salida:

0.65  24
rs 2 =
(0.78) 2 -(0.429) 2
=1.53  24
(0.048  65 )(5.4  103 )
ps 2 =
(0.78)2 -(0.429)2

= 0.610

Estos círculos se muestran en la figura 6-28. Tenga en cuenta que el círculo de

estabilidad de entrada se dibuja realmente como una línea recta porque el radio del
círculo es muy grande. Como S11 y S22 son ambos menores que 1, podemos deducir
que el interior del círculo de estabilidad de entrada representa la región de las
impedancias de fuente estables, mientras que el exterior del círculo de estabilidad de
salida representa la región de impedancias de carga estables para el dispositivo. El
círculo de ganancia de 12 dB también se muestra representado en la figura 6-28. Se
encuentra utilizando la ecuación 6-14 y las ecuaciones 6-23 a 6-27. Tenga en cuenta
que DS y C2 ya se han calculado. La ubicación central del círculo es la siguiente:

r
. o
=0.287  24 2

con un radio de:

po =0.724

Las únicas impedancias de carga que no podemos seleccionar para el transistor se

encuentran dentro del círculo de estabilidad de entrada. Cualquier otra impedancia de
carga ubicada en el círculo de ganancia de 12 dB
 EJEMPLO 6-7—CONT
NOMBRE TITULO DWG. NO
SMITH CHART FORM ZY-01-N ANALOG INSTRUMENTS COMPANY. NUEVA FECHA
PROVIDENCIA. N.J. 97974

figura. 6-28. Círculos de estabilidad y ganancia para el transistor en el ejemplo 6-7.\

HOJA DE ESPECIFICACIONES NPN TRANSISTORES PLANOS
DE SILICIO

MA-42122

CARACTERISTICAS

 PRODUCTO DE ANCHURA DE BANDA DE ALTA GANANCIA (1.6 GHz)

 ALTO fmax (4.2 GHz @ Ic = 20mA)
 METALIZACIÓN DE ORO
 ALTA FIABILIDAD
 INTERCAMBIABILIDAD DIRECTA CON LA SERIE FMT 1060 DE
TRANSISTORES FAIRCHILD

DESCRIPCION

esta serie de transistores plana de silicio de NPN está diseñada para VHF / UHF.
el rendimiento de esta serie es comparable al de la serie FMT-1060. el producto
de banda ancha de alta ganancia hace que el MA-42122 y el MA-42123 sean
útiles a 1.0 GHz, mientras que el MA-42120 y el MA-42121 tienen una frecuencia
máxima de oscilación de 4.0 GHz. Se ofrecen dos paquetes, el TO-46 (ODS-
508). para aplicaciones de oscilador de baja potencia y TO-72 (ODS-509). para
pequeños amplificadores de señal.
APLICACIONES

VHF, UHF osciladores de bajo nivel IF y amplificadores de RF

MA-42120 SERIES R.F. ESPECIFICACIONES

MODELO No. MA-42120 MA-42121 MA-42122 MA-42123
ESTILO DE CASO 508 508 509 509
frecuencia de 450 450 450 450
prueba (MHz)
ruido máximo fig. -- -- 3.5 3.0
@Ic (dB)
GU (Max) Typ. (dB) 13 13 14 14
Ic (mA) -- -- 1.5 1.5
PUNTO DE -- -- -12 -12
COMPRESIÓN DE 1 dB
(dBm)
Equivalente de FMT FMT FMT FMT
Fairchild 1060 1060A 1060 1060A
ESPECIFICACIONES DE ALTA FRECUENCIA DE LA SERIE MA-42120 (temperatura
ambiente de 25 ° c a menos que se indique lo contrario)

Símbolo características tipo Min. tipo. Max. unidades condiciones de la

prueba
Ft ganar ancho de MA- 1.3 1.5 GHz VCE=10V,Ic=20mA
42121 1.0 1.3 GHz f=500MHz
banda producto MA- 1.3 1.5 GHz
42120 1.0 1.3 GHz
MA-
42123
MA-
42122
GA max ganancia MA- 12.8 dB VCE=10V.Ic=20mA
42122 13.8 dB f=1.0Ghz
máxima MA-
disponible 42123
NF figura de ruido MA- 2.3 3.0 dB VCE=10V.Ic=1.5mA
42123 2.7 3.5 dB f=450MHz.R=50ohms
MA-
42122
Gpe ganancia de MA- 17.0 dB VCE=10V.Ic=1.5mA
42123 f=450MHz.R=50ohms
potencia
neutralizada
Fmax máxima MA- 4.2 GHz VCE=10V.Ic=20mA
42121 3.6 GHz VCE=10V.Ic=20mA
frecuencia de MA-
oscilación 42120

NOTA

1 calculado a partir de los parámetros s. Fmax es la frecuencia a la que el GAmax extrapolado es 0dB

FIG.6-29 hoja de datos para microondas asociados serie MA-40120 de transistores. (asociados de
cortesía de microondas)

HOJA DE ESPECIFICACIONES

Frecuencia (GHz)

típica figura de ruido vs. Frecuencia MA-42123 típico típico N.F. Corriente de
c colector VS
 MA-42123 TÍPICO | S21E | VS COLECTOR MA-42123-509 TÍPICO Gu (Máx) VS
CORRIENTE FRECUENCIA
GANANCIA (dB)
GANANCIA (dB)

MA-42120-508 GANANCIA TÍPICA VS MA-42121-508 GANANCIA TÍPICA VS

FRECUENCIA FRECUENCIA
HOJA DE ESPECIFICACIONES

IMPEDANCIA TÍPICA DEL FUEGO DEL RUIDO GEOMETRÍA 70

ÓPTIMO CONTRA LA CORRIENTE DEL COLECTOR
DISIPACIÓN DE POTENCIA
(VATIOS)

MA-42120 SERIE TÍPICA FT VS COLECTOR CORRIENTE MA-42120 SERIE DISIPACIÓN DE N

ENEGÍA VS. TEMPERATURA DEL CASO

 HOJA DE ESPECIFICACIONES
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (25 ° C Temperatura ambiente a menos que se indique
lo contrario

Símbolo características Min. tipo Max. Min. tipo Max. unidades Prueba de
MA42120 MA42121 condición
MA4212 MA42123

hFE DC ganancia de 20 45 110 40 75 185 Ic=5.0mA, VCE=5.0

corriente
VCE (sat) voltaje de 0.30 0.38 0.25 0.35 V Ic=80mA, IB=20mA
saturación del
colector pulsado
VbE (sat) tensión de .095 0.98 0.93 0.96 V Ic=40mA, IB=20mA
saturación de
base pulsada
BVCBO colector a base 30 35 30 35 V Ic=1.0uA, IE=0
de desglose
VCEO colector a 10 16.5 10 16.5 V Ic=1.0mA, IB=0
(SUS) voltaje
sustentador del
emisor
IEBO corriente de 20 100 20 100 uA Ic=0, VBE=4.0V
corte del emisor
ICBO corriente de 0.01 50 0.01 50 nA
corte del VCB=10V, IE=0
colector
IEBO corriente de 0.3 1.0 0.3 1.0 uA VCB=10V, IE=0
corte del TA=125”C
colector
Ccb capacitancia de 1.0 1.4 1.0 1.4 pF VCB=10V, IE=0
colector a base
(MA-42120, MA-
42121)
Ceb capacitancia de 0.85 1.0 0.85 1.0 pF VCB=10V, IE=0
emisor a base
Ceb capacitancia de 2.0 1.5 3.0 2.6 1.5 3.0 pF VEB=5.0V, IC=0
emisor a base
|hfe magnitud de la 2.6 3.0 VCE=10V, IC=20mA
ganancia de F=500MHz
corriente de alta
frecuencia

NOTA

1. condiciones de pulsación: longitud = 300 us: ciclo de trabajo = 1%

 CALIFICACIÓN MÁXIMA
(Temperatura del estuche de 25 ° C a menos que se indique o contrario)

disipación total de la energía 508 caso – 1.0W

509 caso – 5w
colector a voltaje base 30v
voltaje de emisor a base 4.0v
colector al voltaje del emisor 30v
corriente de colector 80mA
temperatura de almacenamiento -65° DE +200°C
Temperatura de unión operativa +200°C
HOJA(soldadura:
temperatura de plomo DE ESPECIFICACIONES
10 segundos cada cable) 5 x (10) cc/seg
hermeticidad de el
MA-24120-508
PARÁMETROS-S TÍPICOS DEL EMISOR COMÚN A 25 ° C TEMPERATURA DEL PLOMO
VCE=10VOTIOS. XG=ZL=50Ω
FRECUENCIA CORRIENTE COEFICIENTE ADELANTE COEFICIENTE COEFICIENTE
(MHz) DE DE REFLEXIÓN COEFICIENTE DE DE
COLECTOR DE ENTRADA DE TRANSMISIÓN REFLEXIÓN
(MA) TRANSMISIÓN
INVERSA DE ENTRADA

|S1 1E| ₲S11E |S21E| ₲A21E |S12E| ₲S12E |S22E| ₲S22E

100 1.5 89 -44° 3.8 146° .05 65° .94 -13°

5.0 69 -79° 8.8 126° .03 55° .81 -18°
20.0 50 -127° 12.0 107° .02 52° .67 -16°
200 1.5 80 -72° 3.3 128° .06 51° .87 -20°
5.0 60 -113° 6.1 107° .04 49° .71 -21°
20.0 50 -150° 7.4 92| .02 62° .61 -12°
300 1.5 72 -95° 2.7 112° .07 43° .82 -25°
5.0 55 -135° 4.3 95° .04 50° .88 -23°
20.0 51 -161° 5.0 83° .03 68° .61 -18°
400 1.5 66 -115° 2.2 101° .08 38° .76 -29°
5.0 53 -148° 3.4 86° .05 54° .66 -25°
20.0 53 -169° 3.8 75° .04 72° .62 -20°
450 1.5 64 -123° 2.1 95° .07 38° .77 -30°
5.0 53 -154° 3.1 81° .05 56° .66 -27°
20.0 63 -172° 3.4 71° .04 77° .63 -21°
500 1.5 61 -130° 1.9 90° .07 39° .75 -32°
5.0 55 -169° 2.7 77° .05 62° .66 28°
20.0 57 -175° 3.0 67° .05 79° .63 -23°
600 1.5 61 -143° 1.6 83° .07 40° .70 -35°
5.0 55 -167 2.3 72° .06 66° .63 -31°
20.0 57 178° 2.5 63° .06 82° .62 -26°
700 1.5 61 -110° 1.5 76° .07 46° .70 -39°
5.0 56 -174° 2.0 65° .06 74° .63 -34°
20.0 59 174° 2.2 56° .06 87° .62 -20°
800 1.5 61 -162° 1.3 70° .07 55° .66 -44°
5.0 56 170° 1.8 65° .06 79° .62 -38°
20.0 60 170° 1.8 56° .06 91° .62 -34°
900 1.5 61 169° 1.2 66° .07 64° .68 -50°
5.0 56 174° 1.6 57° .08 84° .62 -44°
20.0 61 166° 1.6 49° .09 94° .62 -41°
1000 1.5 61 166° 1.1 60° .07 77° .68 -55°
 MA-24121-508
PARÁMETROS-S TÍPICOS DEL EMISOR COMÚN A 25 ° C TEMPERATURA DEL PLOMO
VCE=10VOTIOS. XG=ZL=50Ω
FRECUENCIA CORRIENTE COEFICIENTE ADELANTE COEFICIENTE DE COEFICIENTE
(MHz) DE DE REFLEXIÓN COEFICIENTE TRANSMISIÓN DE
COLECTOR DE ENTRADA DE INVERSA REFLEXIÓN
(MA) TRANSMISIÓN DE ENTRADA

|S1 1E| ₲S11E |S21E| ₲A21E |S12E| ₲S12E |S22E| ₲S22E

100 1.5 .92 -36° 3.8 150° .04 67° .95 -13°
5.0 .75 -67° 9.1 131° .03 59° .82 -19°
20.0 .51 -118° 13 109° .02 55° .66 -18°
200 1.5 .83 -59° 3.4 133° .07 55° .86 -21°
5.0 .61 -98° 6.7 111° .04 48° .69 -24°
20.0 .49 -142° 8.0 93° .03 59° .56 -18°
300 1.5 .74 -81° 2.9 117° .08 47° .81 -27°
5.0 .54 -120° 4.9 99° .09 50° .65 -26°
20.0 .49 -156° 5.5 84° .05 65° .58 -19°
400 1.5 .67 -99° 2.5 106° .09 41° .77 -31°
5.0 .51 -136° 3.9 89° .06 51° .62 -28°
20.0 .50 -164° 4.2 77° .04 67° .59 -22°
450 1.5 .65 -108° 2.3 100° .09 40° .74 -33°
5.0 .50 -142° 3.5 85° .06 55° .62 -29°
20.0 .51 -167° 3.7 73° .05 74° .60 -23°
500 1.5 .61 -114° 2.1 95° .09 38° .71 -35°
5.0 .55 -147° 3.1 81° .06 58° .61 -29°
20.0 .57 -170° 3.3 69° .05 76° .60 -23°
600 1.5 .61 -127° 1.8 88° .09 39° .68 -35°
5.0 .55 -157 2.5 75° .06 63° .59 -30°
20.0 .57 -156° 2.7 64° .06 81° .59 -24°
700 1.5 .61 -110° 1.6 80° .07 43° .65 -37°
5.0 .56 -174° 2.3 68° .07 68° .57 -32°
20.0 .59 174° 2.4 58° .06 84° .59 -26°
800 1.5 .58 -147° 1.5 74° .08 47° .65 -41°
5.0 .51 -170° 2.0 63° .08 71° .57 -35°
20.0 .52 -175° 2.0 54° .07 88° .59 -30°
900 1.5 .58 -169° 1.3 69° .08 56° .65 -51°
5.0 .52 -174° 1.8 60° .08 84° .57 -44°
20.0 .58 -166° 1.8 51° .08 94° .65 -41°
1000 1.5 .57 -161° 1.2 64° .08 56° .65 -56°
5.0 .52 -179° 1.6 55° .09 76° .59 -49°
20.0 .59 166° 1.6 46° .09 93° .61 -46°
 MA-24122-509
PARÁMETROS-S TÍPICOS DEL EMISOR COMÚN A 25 ° C TEMPERATURA DEL PLOMO
VCE=10VOTIOS. XG=ZL=50Ω
FRECUENCIA CORRIENTE COEFICIENTE ADELANTE COEFICIENTE COEFICIENTE
(MHz) DE DE REFLEXIÓN COEFICIENTE DE DE DE
COLECTOR DE ENTRADA TRANSMISIÓN TRANSMISIÓN REFLEXIÓN
(MA)
INVERSA DE ENTRADA

|S1 ₲S11E |S21E| ₲A21E |S12E| ₲S12E |S22E| ₲S22E

1E|

100 1.5 .87 -43° 3.7 145° .03 63° .96 -10°
5.0 .66 -70° 8.1 127° .02 57° .87 -12°
20.0 .43 -103° 11.2 109° .02 55° .78 -12°
200 1.5 .76 -69° 3.2 127° .04 54° .89 -15°
5.0 .52 -102° 5.7 107° .03 56° .79 -16°
20.0 .37 -132° 7.0 93° .02 66° .73 -13°
300 1.5 .66 -84 2.6 110° .05 47° .86 -19°
5.0 .45 -126° 4.1 94° .03 58° .77 -18°
20.0 .36 -149° 4.8 83° .03 70° .73 -15°
400 1.5 .69 -115° 2.2 99° .05 45° .84 -23°
5.0 .41 -144° 3.3 84° .04 62° .76 -21°
20.0 .37 -162° 3.7 75° .04 73° .73 -17°
450 1.5 .54 -124° 2.0 93° .05 47° .83 -25°
5.0 .40 -151° 2.9 79° .04 66° .76 -22°
20.0 .37 -167° 3.3 70° .04 76° .73 -19°
500 1.5 .61 -132° 1.8 88° .05 49° .82 -26°
5.0 .40 -157° 2.6 75° .05 67° .75 -23°
20.0 .39 -172° 2.9 66° .05 79° .73 -21°
600 1.5 .50 -148° 1.6 80° .05 53° .77 -29°
5.0 .40 -169 2.2 69° .05 74° .72 -26°
20.0 .41 -179° 2.4 60° .05 81° .72 -23°
700 1.5 .50 -160° 1.4 72° .05 63° .74 -33°
5.0 .40 -179° 2.0 62° .06 79° .71 -29°
20.0 .41 172° 2.1 53° .06 84° .70 -27°
800 1.5 .50 -171° 1.3 66° .08 80° .74 -38°
5.0 .41 173° 1.7 57° .07 85° .70 -29°
20.0 .43 166° 1.8 49° .08 88° 70 -27°
900 1.5 .49 178° 1.2 61° .07 89° .74 -43°
5.0 .41 166° 1.6 52° .08 90° .71 -39°
20.0 .43 159° 1.6 45° .09 93° .70 -37°
1000 1.5 .48 188° 1.1 55° .08 56° .67 -48°
5.0 .41 167° 1.4 47° .10 76° .59 -45°
20.0 .44 151° 1.5 39° .11 93° .70 -42°
 MA-24123-509
PARÁMETROS-S TÍPICOS DEL EMISOR COMÚN A 25 ° C TEMPERATURA DEL PLOMO
VCE=10VOTIOS. XG=ZL=50Ω
FRECUENCIA CORRIENTE COEFICIENTE ADELANTE COEFICIENTE COEFICIENTE
(MHz) DE DE REFLEXIÓN COEFICIENTE DE DE DE
COLECTOR DE ENTRADA TRANSMISIÓN TRANSMISIÓN REFLEXIÓN
(MA)
INVERSA DE ENTRADA

|S1 ₲S11E |S21E| ₲A21E |S12E| ₲S12E |S22E| ₲S22E

1E|

100 1.5 .88 -39° 3.8 147° .04 54° .96 -11°
5.0 .68 -85° 8.6 128° .03 56° .85 -15°
20.0 .43 -121° 10.6 104° .02 57° .67 -16°
200 1.5 .79 -63° 3.3 129° .06 56° .87 -17°
5.0 .53 -95° 6.1 108° .04 55° .75 -17°
20.0 .40 -144° 6.6 89° .03 66° .61 -16°
300 1.5 .69 -86° 2.7 113° .06 48° .84 -21°
5.0 .45 -118° 4.4 96° .06 57° .72 -20°
20.0 .41 -158° 4.5 80° .04 70° .61 -18°
400 1.5 .61 -105° 2.3 101° .07 44° .81 -25°
5.0 .41 -135° 3.5 88° .05 58° .71 -22°
20.0 .41 -168° 3.5 72° .06 72° .61 -21°
450 1.5 .56 -114° 2.2 96° .07 45° .79 -27°
5.0 .40 -141° 3.2 81° .05 62° .70 -23°
20.0 .42 -172° 3.1 76° .06 73° .61 -22°
500 1.5 .55 -121° 2.0 88° .07 45° .79 -28°
5.0 .39 -148° 2.8 75° .05 65° .70 -24°
20.0 .43 -176° 2.7 66° .06 76° .62 -24°
600 1.5 .52 -136° 1.7 80° .07 46° .76 -31°
5.0 .39 -159 2.4 69° .05 66° .69 -27°
20.0 .45 -177° 2.3 60° .06 77° .62 -27°
700 1.5 .50 -148° 1.7 74° .07 51° .73 -34°
5.0 .93 -168° 2.4 64° .06 70° .67 -29°
20.0 .47 171° 2.3 51° .07 80° .61 -31°
800 1.5 .50 -159° 1.6 68° .07 57° .71 -39°
5.0 .39 -176° 2.1 59° .07 74° .66 -33°
20.0 .48 166° 2.0 47° .09 83° .69 -36°
900 1.5 .49 -167° 1.4 63° .07 64° .70 -43°
5.0 .39 178° 1.9 55° .08 76° .65 -38°
20.0 .49 160° 1.7 47° .12 84° .69 -43°
1000 1.5 .47 -176° 1.3 57° .08 74° .70 -49°
5.0 .39 171° 1.7 49° .10 81° .66 -43°
20.0 .50 154° 1.4 37° .14 87° .60 -49°
EJEMPLO 6-7-Cont

proporcionar la ganancia necesaria siempre que la entrada del dispositivo sea

emparejados conjugados y mientras la impedancia requerida para una
coincidencia conjugada cae dentro del círculo de estabilidad de entrada.

Elija L igual a un valor conveniente en la ganancia de 12 dB circulo

 L = 0.89/70°

Usando la ecuación 6-21, calcule la fuente-reflexión coeficiente necesario para

una coincidencia conjugada y trazar este punto en el Smith Chart.

 S = 0.678/79.4°

Observe que  S cae dentro de la región estable de la entrada círculo de

estabilidad y, por lo tanto, representa una terminación estable para el transistor

En la página 2 de la hoja de datos, encontrará un conjunto de curvas

etiquetadas

"Típico Óptim N.F. contra la corriente de colector".

Tenga en cuenta que para esto dispositivo particular, a 450 MHz, la corriente de
colector óptima para la cifra mínima de ruido es de aproximadamente 1,5 mA.
Este valor de la corriente del colector debe dar como resultado una cifra de ruido
justo por encima de 2 dB. Una vez más, los datos se presentan solo para 60 MHz
y 450 MHz.
Diseñar amplificadores para una cifra mínima de ruido es simplemente una
cuestión de determinar, ya sea experimentalmente o a partir de los datos hoja,
la resistencia de la fuente y el punto de sesgo que producen la mínima cantidad
de ruido para el dispositivo (Ejemplo 6-8). Una vez determinado, la impedancia
de la fuente real simplemente se ve forzada a "mirar como "el valor óptimo".
Por supuesto, todas las consideraciones de estabilidad siguen aplicando. Si el
factor de estabilidad Rollett (K) calcula ser menor de 1, entonces debe tener
cuidado en su elección de fuente y coeficientes de carga-reflexión. Lo mejor, en
este caso, es dibujar círculos de estabilidad para una indicación gráfica precisa
de dónde regiones inestables mienten. Después de proporcionar el transistor
con su fuente óptima impedancia, el siguiente paso es determinar la reflexión
de carga óptima
coeficiente necesario para terminar adecuadamente el transistor
salida. Esto es dado por:
*
 S S  
L   S 22 12 21 S  (Eq. 6-33)
 1  S11 S 

Dónde.  S es el coeficiente de reflexión de fuente para la figura mínima de ruido

EJEMPLO 6-8
Se ha determinado que el punto de sesgo óptimo para la cifra mínima de ruido para un
transistor es VCE = 10 V y IC = 5 mA. Su coeficiente óptimo de reflexión de fuente, tal
como se da en la hoja de datos, es:

 S = 0.7/140◦
Los parámetros S para el transistor, bajo el sesgo dado condiciones en 200 MHz, son:

S11 = 0.4/162°
S22 = 0.35/−39°
S12 = 0.04/60°
S21 = 5.2/63°
Diseñe un amplificador de bajo ruido para operar entre un 75 ohmio fuente y una carga
de 100 ohm a 200 MHz. ¿Qué ganancia puedes obtener? esperar del amplificador
cuando está construido?
SOLUCION
El factor de estabilidad Rollett (K) calcula ser 1,74, que indica estabilidad incondicional
(Ecuación 6-15). Por lo tanto, podemos proceder con el diseño. El valor de diseño de
la red de coincidencia de entrada se muestra en la figura 6-30. Aquí la resistencia
fuente normalizada de 75 ohm se transforma en ʆS usando dos componentes.
Arc AB = Derivador C = j1.7 mhos
Arc BC = Serie L = j0.86 ohm

Usando las ecuaciones 4-11 a 4-14, los valores de los componentes están calculados
para ser:

 1.7 
C1   6 
 (50)(2 )(200 x10 ) 
= 27pF

(0.86)(50)
L1 
2 (200 x106 )
=34nH
El coeficiente de carga-reflexión necesario para terminar adecuadamente el transistor
se encuentra usando la ecuación 6-33.

 (0.04 / 60)(5.2 / 63)(0.7 /140) 

 L  0.35/60  
 1  (0.4/162)(0.7/140) 
 0.427/60.7

Continúa en la siguiente página

 EJEMPLO 6-8—CONT
NOMBRE TITULO DWG. NO
SMITH CHART FORM ZY-01-N ANALOG INSTRUMENTS COMPANY. NUEVA FECHA
PROVIDENCIA. N.J. 97974

COORDENADAS DE IMPEDANCIA Y ADMISIÓN NORMALIZADAS

Continúa en la siguiente
página
FIG. 6-30. Valores de diseño de la red de entrada para el ejemplo 6-8. Para obtener una vista más detallada a
todo color de esta figura, visite nuestro sitio complementario en
http://books.elsevier.com/companions/9780750685184
 EJEMPLO 6-8—CONT

NOMBRE TITULO DWG. NO

SMITH CHART FORM ZY-01-N ANALOG INSTRUMENTS COMPANY. NUEVA FECHA
PROVIDENCIA. N.J. 97974

COORDENADAS DE IMPEDANCIA Y ADMISIÓN NORMALIZADAS

Continúa en la siguiente página

FIG. 6-31. Valores de diseño de red de salida para el ejemplo 6-8. Para una vista más detallada a todo color de
esta figura, visite nuestro compañero sitio en http://books.elsevier.com/companions/9780750685184.
EJEMPLO 6-8

Este valor, junto con el valor normalizado de resistencia a la carga, es trazado

en la figura 6-31. La carga de 100 ohm debe transformarse en  L. Un posible
método se muestra en la figura 6-31. Un posible método se muestra en la figura
6-31. Tenga en cuenta que un inductor de derivación único proporciona la
impedancia necesaria transformación

Arc AB = derivador L = −j0.48 mho

De nuevo, usando las ecuaciones 4-11 a 4-14, se encuentra que el valor del
inductor es:
50
L2 
2 (200 x106 )(0.48)
 83nH
El diseño final, que incluye una red de polarización típica, se muestra en Fig. 6-
32.
Los condensadores de 0.1 μF se usan solo como elementos de derivación y
acoplamiento. La ganancia del amplificador, según lo calculado con la ecuación
6-22, es 13.3 dB.

FIG. 6-32. V
Circuito final para el ejemplo 6-8.

Ejemplo de diseño

Muchas de las técnicas discutidas en este capítulo se pueden lograr usando

herramientas de diseño de software. Para ilustrar mejor esto de hecho,
considere el diseño de un bloque amplificador de bajo ruido que se usará en un
convertidor de doble banda. El diseño es completado usando el entorno
Genesys de Agilent Technologies (www.agilent.com/find/eesof). El software
Genesys es una plataforma integrada de automatización electrónica de diseño
(EDA) para RF y diseño de microondas. Cuenta con un flujo de diseño que se
extiende desde arquitectura inicial del sistema a través de la documentación
final, y proporciona
Rendimiento de última generación en un solo diseño fácil de usar ambiente que
es rápido, poderoso y preciso.

Un resumen de las especificaciones de diseño y los objetivos se muestran en

Tabla 6-1. Tenga en cuenta que la ganancia requerida de 30 dB excederá la
capacidad de la mayoría de los dispositivos individuales activos; por lo tanto,
nuestros diseños requieren un mínimo de dos dispositivos con ganancia de
transductor igual o a mayor a 15 dB cada uno. La combinación de ganancia,
figura de ruido, potencia y partido demostrará ser un desafío. NEC Se eligió el
dispositivo NE23418 porque proporcionará> 17 dB ganancia a 2400MHz con
una cifra de ruido de menos de 1 dB.

Para comenzar, abra el espacio de trabajo Genesys y seleccione el NE23418

parte de la biblioteca de piezas NEC SPICE. Coloque la parte seleccionada en
el esquema A continuación, coloque los componentes de polarización en el
esquema junto con las fuentes y puertos como se muestra en la figura 6-33.
Los valores de los componentes se enumeran en la Tabla 6-2.

El siguiente paso requiere que simulemos el circuito para extraer los valores de
polarización y los parámetros S lineales. Para hacer esto, seleccione Análisis /
Agregar análisis lineal. Cuando aparece el diálogo de análisis lineal, configure
el

Rango de frecuencia 2200–2600 MHz 400 MHz BW

Ganancia 30 dB±1dB
Figura de ruido <2dB
Coincidencia de entrada / salida −20 dB
P1dB 0 dBm
PSat +3 dBm
TOI +10 dBm

TABLA 6-1. Especificaciones de diseño

fig. 6-33. Diseño esquemático.

 R1 36000
R2 9000
SG1 2V
L1 250 nH
L2 250 nH
C1 100 pF
C2 100 pF

TABLA 6-2. Valores de componentes

iniciar y detener frecuencias a 1500 MHz a 3000 MHz con 101 puntos. Acepte
la configuración predeterminada restante. Análisis DC y la simulación de
circuito lineal tendrá lugar automáticamente.

Cuando la simulación esté completa, haga clic derecho en el puerto de salida

en el esquema y seleccione S [2,1] como una medida para graficar. Cuando
aparece el gráfico, haga doble clic en cualquier parte del gráfico superficie para
mostrar el cuadro de diálogo de propiedades del gráfico. Seleccione asistente
de medición botón, luego Linear1_Data que apunta al conjunto de datos. Esto
abrirá un tercer diálogo, permitiendo la elección de medida para trazar
Seleccione NFMIN para figura de ruido y complete la acción presionando el
botón Finalizar y aceptando las selecciones posteriores. Después de cerrar las
propiedades del gráfico, su el gráfico debe parecerse a la Fig. 6-34.

fig. 6-34. Diagrama de medición

Haga clic en la línea del gráfico para adjuntar un marcador. El valor de ganancia
debe ser de aproximadamente 17 dB con una cifra de ruido de menos de 1 dB.

A continuación, trazaremos círculos de figura de ruido constante, así como

Gopt, S11, S22 y círculos de estabilidad de entrada y salida. Para hacer esto,
seleccione Gráficos / Agregar Smith Chart para iniciar el gráfico de Smith Chart.
Doble haga clic en el cuadro para mostrar las propiedades del gráfico.
Siguiente
seleccione el botón Asistente de medición y Linear1_Data configurado para mostrar el
cuadro de diálogo de medidas. Desplázate hacia abajo en la selección hasta que se
encuentren los círculos de ruido constante NCI de medición.

Seleccione esta medida y acepte los resultados. Cierre el gráfico diálogo y ver el
gráfico. Lo que estás viendo es Gopt, que es el coeficiente de reflexión óptimo para un
ruido mínimo sobre el rango de frecuencia de análisis. Para ver el grupo de ruido
constante círculos, haga clic en la trama. Donde cae el marcador dictará la frecuencia
para estos círculos Con el marcador activado, usa el cursor para sintonizar la banda y
observar cómo la posición y el diámetro de los círculos varía. Los círculos representan
el locus de figura de ruido constante De la ayuda de Genesys, leerás que el primer
círculo representa una degradación de .25 dB, seguido de .5 dB, luego 1 dB, 1.5 dB y
así sucesivamente. Tenga en cuenta que si elegimos finalice la entrada de nuestro
amplificador con una terminación de 50 ohmios, la cifra de ruido se degradaría en
menos de .25 dB por encima de la mínima cantidad de ruido.

Agregue otro Smith Chart como antes; Sin embargo, esta vez lo haremos trazar Gopt, S11, S22
y círculos de estabilidad de entrada y salida. A ahorre tiempo, ingrese las medidas para trazar
directamente en el gráfico
pantalla de diálogo de propiedades. Para completar, las mediciones son S11, S22, Gopt, SB1 y
SB2 para los círculos de estabilidad. Cerca el diálogo de propiedades del gráfico. Use la
función Ventana / Azulejo para
coloque las cuatro ventanas de manera uniforme en la pantalla. Tu espacio de trabajo debe
parecerse a la Fig. 6-35.

Haga doble clic en la fuente DC en el esquema SG1, verifique sintonizar caja y cerrar.
Usando la ventana Tune, varía la fuente voltaje de 1 a 3 V y observe el cambio en los
parámetros lineales, así como círculos de estabilidad. A medida que aumenta el
sesgo, la estabilidad los círculos se aproximan al círculo unitario, lo que permite una
coincidencia más sencilla pero menor figura de ruido Restablezca el voltaje a 2V, que
proporciona la ganancia recomendada y figura de ruido requerida. El hecho de que
hay son círculos de estabilidad dentro del círculo unitario y no encierra el centro nos
dice que no podemos presentar cargas o fuentes en estas regiones; de lo contrario,
existe un potencial de oscilación. En otra palabra, no podemos proporcionar una
coincidencia conjugada simultánea en tanto la entrada como la salida de nuestro
dispositivo. Esto también es evidente por trazando el factor de estabilidad K a partir de
las medidas disponibles en nuestros gráficos o tablas. La implicación es que no
podemos lograr Gmax para nuestro dispositivo, pero en cambio algo cerca de Gmsg o
ganancia máxima estable.

Habiendo completado la selección del dispositivo, el sesgo y la evaluación lineal,

ahora usaremos la etapa básica sesgada para la incorporación a un diseño de dos
etapas. Seleccione Síntesis / Agregar coincidencia de impedancia de el menú para
mostrar el cuadro de diálogo MATCH. Seleccione el inicio y detener las frecuencias
sobre las que deseamos que coincida nuestro amplificador. Conjunto la frecuencia
más baja a 2200MHz y la superior a 2400MHz con la cantidad de puntos 50. Presiona
la pestaña Secciones para que aparezca la ventana / configuración de red / topología.
Aceptar el valor predeterminado de 50 ohmios para terminaciones de entrada y salida
fig. 6-35. Parcelas de círculos de estabilidad.

puerto para activarlo y luego seleccione el botón Agregar dispositivo para

colocar
nuestra segunda etapa en la topología. Como se indica arriba, seleccione
Diseño en Escriba desplegable y apúntelo a la misma subred "SCH1".
Seleccione la red de coincidencia predeterminada central "LCPi". Desde el
Menú desplegable Tipo seleccione "LC Bandpass". Asegúrate de que las
Opciones desplegable muestra "Sin transformador" y la orden se establece en
2. La topología debe parecerse a la de la figura 6-36.
A continuación, haga doble clic en el ícono de optimización. Seleccione los
objetivos pestaña desde el cuadro de diálogo Optimización. Agregue una
medida adicional de S21 a las propiedades de objetivos y establecer su valor
para ser igual a 30 dB. También restablecer los objetivos para S11 y S22 a -15
dB junto con sus pesos correspondientes. Cierre la optimización diálogo.

Presione el botón Calcular en el cuadro de diálogo de propiedades de

PARTIDO para haga que Genesys calcule la estructura de emparejamiento
entre etapas. Después unos segundos MATCH ha generado un esquema con
entre bastidores topología y los dispositivos asociados en forma de símbolo. En
el esquema del circuito de coincidencia, haga clic derecho en el puerto de
salida y seleccione Agregar Nuevo Gráfico / Tabla / Nuevo Gráfico de S21.
Esta voluntad generar una gráfica rectangular de ganancia vs. frecuencia para
nuestro dos etapas amplificador. Consulte la Fig. 6-37

Haga doble clic en el nuevo gráfico para abrir su cuadro de diálogo

Propiedades. Añadir una nueva medición escribiendo "NF" para figura de ruido
en el campo debajo "S [2,1]". Asegúrese de que la casilla de verificación de
medición NF En la derecha se comprueba para mostrar la figura de ruido en el
eje derecho. Cierre el diálogo; su gráfica debe parecerse a la Fig. 6-38.
La ganancia no optimizada varía de aproximadamente 37.6 a 34.8 dB con una
coincidencia correspondiente de -.6 dB a aproximadamente -2 dB el peor caso
en nuestra banda. Presione el botón Optimizar en el Cuadro de diálogo MATCH
para iniciar el optimizador. Después de varios segundos a un minuto la ventana
de error debe acercarse a un valor de 3-5 que será lo mejor que se puede
esperar de la combinación de objetivos y topología. La ganancia se ha reducido
a 30 dB ± .1 dB, así dentro de la especificación de ± 1 dB. La figura del ruido ha
permanecido
menos de 2 dB en toda la banda (aproximadamente 1.07 máximo). Las
coincidencias de entrada y salida aún no alcanzan nuestro objetivo de -20 dB a
través de la banda, pero tenemos varias opciones en este sentido. puede
agregar redes adicionales a la entrada y salida o podemos usar un método que
involucra acopladores para mejorar el emparejamiento de banda ancha. La
figura 6-39 muestra la ganancia, la cifra de ruido y la coincidencia lograda.

Al revisar los objetivos de diseño en este punto, descubrimos que tenemos

cumplió con los requisitos de ganancia y figura de ruido, pero no alcanzó los
requisitos de coincidencia en 4 dB. Desafortunadamente, para dispositivos
exhibiendo estabilidad marginal, mejorando el partido en un puerto degrada el
partido en el otro. Un paso obvio sería para sustituir nuestro diseño en el
receptor de doble banda en el que fue especificado.
FIG. 6-36. Hacer coincidir la pantalla de propiedades

FIG. 6-37. Esquema de topología entre etapas

FIG. 6-38. Gráfico de la figura de ruido

fue especificado. Si encontramos que usando el amplificador "tal cual" en el

diagrama de bloques del sistema degrada el rendimiento del sistema general,
entonces debemos encontrar otra manera de cumplir con el retorno
especificaciones de pérdida. Además, tenemos que probar el no lineal
rendimiento del amplificador para asegurar esa potencia, saturación, etc., se
cumplen. En el entorno de Genesys, verificación del rendimiento no lineal tiene
lugar a través del equilibrio armónico simulador. Supongamos que esta función
se usa para determinar que nuestro amplificador ha cumplido el requisito + 10
dBm TOI. Como resultado, nuestro el diseño ahora cumple o excede todos los
requisitos, excepto el partido especificación.

El motivo por el que se requiere una buena coincidencia es garantizar que

amplificador no causará interacción adversa con la conexión componentes.
Dado que el amplificador es seguido por un filtro y mezclador tener una salida
altamente reflectante puede reintroducir señales que ser remezclado, y esto
puede contribuir a espurias dentro de banda también como ganancia
degradada.

Afortunadamente, en Genesys tenemos la capacidad de coloque el

amplificador, como está, de nuevo en el diseño del sistema para probar el
rendimiento neto antes de mejorar el diseño.

Para abordar el tema del juego de entrada y salida, tenemos varias alternativas.
Podríamos intentar revisar nuestra estructura de coincidencia y agregue
elementos adicionales a la entrada y salida, pero poco se obtendría si aún
cumplimos nuestros otros objetivos.
FIG. 6-39. Gráficos de ganancia obtenida, figura de ruido y coincidencia
y agregue elementos adicionales a la entrada y salida, pero poco se obtendría si
aún cumplimos nuestros otros objetivos. En segundo lugar, nosotros podría
elegir otro dispositivo que podría prestarse a una mejor coincidencia general con
ganancia suficiente. En tercer lugar, un circulado o aislador componente podría
colocarse en la entrada y salida. Este es el menos atractivo debido a su tamaño
y costo. Otra técnica que se ha utilizado durante algún tiempo implica un
esquema de amplificador híbrido donde dos amplificadores idénticos son
impulsados en paralelo por híbrido o Acopladores de 90 °. El beneficio en esta
configuración es excelente coincidencia a través de la banda, potencia de salida
extendida y supresión de incluso o armónicos impares, dependiendo de la
implementación. También si un amplificador falla, la degradación elegante aún
proporciona ganancia.