Laura Martinez de Novoa

Estudo da Estrutura do White Light Emitting

Diode -White LED

Trabalho submetido à Universidade Federal do

ABC como parte dos requisitos para a conclusão
do projeto de pesquisa de Iniciação Científica.

Santo André – São Paulo

Janeiro - 2009  
 Laura Martinez de Novoa

Estudo da Estrutura do White Light Emitting

Diode -White LED

Trabalho Submetido á Universidade Federal do

ABC como parte dos requisitos para a conclusão
do projeto de pesquisa de Iniciação Científica.

Prof. Dr. Jorge Tomioka

Orientador

Centro de Engenharia, Modelagem e Ciências Sociais Aplicadas - UFABC

 

Santo André, São Paulo

Janeiro – 2009
ii  
 Ficha Catalográfica

Novoa, Laura Martinez

  Estudo da Estrutura do White Light Emitting Diode – White LED. Santo André, 2009.
53p.
 

 
Iniciação Científica – Universidade Federal do ABC. Centro de Engenharia,
 
Modelagem e Ciências Sociais Aplicadas.
 

  1. Iluminação 2. LED 3. Semicondutor 4. Diodo 5. Dopagem 6. Junção P-N I.

Universidade Federal do ABC. Centro de Engenharia, Modelagem e Ciências Sociais
 
Aplicadas. II. Título
 

iii  
Dedico este trabalho à Universidade Federal do ABC, pela oportunidade de
estudar em uma Instituição que garante o que todo jovem brasileiro tem o
direito: ensino de alta qualidade.

iv  
AGRADECIMENTOS
 

Ao Prof.Dr. Jorge Tomioka, minha gratidão por orientar-me a suplantar os

obstáculos e a desafiar minhas próprias dificuldades ao iniciar- me no fantástico
mundo do conhecimento.

Aos meus pais, que sempre me deram incentivo para o estudo e esperança para
o futuro.

v  
  

RESUMO
 

Nos dias de hoje, há grandes expectativas em relação ao desenvolvimento da

iluminação à base de LEDs. Isto porque desde a pré-história, com o uso de simples tochas, o
homem já tinha consciência da importância da iluminação em sua vida.
O consumo global de eletricidade é de aproximadamente 1x 1013 kWh por ano, com
21% desse consumo destinado apenas para iluminação, isso quer dizer que um melhoramento
de apenas 1% na eficiência luminosa significa uma economia de 2 bilhões de dólares por ano.
Porém, a eficiência das lâmpadas convencionais não possui perspectivas de melhora já que os
seus princípios físicos de geração de luz estão esgotados. A introdução de novas formas de
iluminação eficientes baseada em outros princípios físicos é então muito importante para a
economia energética.
Os LEDs proporcionam além de eficiência e durabilidade superiores às lâmpadas
comuns uma contenção significativa em aproximadamente metade do percentual de energia
elétrica que é utilizada para iluminação. Investir em pesquisas para desenvolvimento e
aperfeiçoamento destes dispositivos implica em uma visível economia tanto de capital quanto
de recursos energéticos
Este estudo tem como objetivo fazer uma breve explanação sobre o
funcionamento de diodos emissores de luz (Light Emitting Diodes), suas características
físicas, vantagens e desvantagens e sua gama de utilizações.

vi  
 ABSTRACT
 

Nowadays there are huge expectations about the development of LED-based

illumination. All this due to the fact that since prehistory, using arc torches, humans were
already aware about the importance of lighting in their lives.
The global demand for electricity is near to 1x 1013 kWh per year, with 21% of this
demand used only for lighting. This means that an improvement in 1% of the luminous
efficiency means a 2 billion dollar economy. However, there is no perspective of an
improvement in conventional lamp’s efficiency due to the lack of other physical principles of
lighting generation. The introduction of new forms of efficient illumination based in new
physical principles is very important for energetic economy.
LEDs offer not only superior efficiency and durability when compared to
conventional lamps, but also a significant economy in half percent of electric energy which is
used for illumination. To invest in research for development and improvement of these
devices means a visible economy in capital and also in energy.
This study aims a simple explanation about the fundamental principles of light
emitting diodes, its physical characteristics, advantages, disadvantages and the possible
sphere of applications for this innovative device.
 

 
 

vii  
ÍNDICE DE TABELAS
 
Tabela 1- Comparação de eficiência luminosas ...................................................................... 21
Tabela 2 - Cores e seus respectivos comprimentos de onda, voltagem e materiais. ............... 43

ÍNDICE DE FIGURAS
Figura 1 - A vela de Paul Jablochkoff ..................................................................................... 13
Figura 2 - Lâmpada incandescente de Tomas Alva Edison .................................................... 13
Figura 3 - Limelight de Thomas Drumond .............................................................................. 14
Figura 4 - Evolução da tecnologia das lâmpadas utilizadas em iluminação .......................... 15
Figura 5 - Lâmpada incandescente ......................................................................................... 15
Figura 6 - Lâmpada Halógena ............................................................................................... 16
Figura 7 - Lâmpadas fluorescentes ......................................................................................... 17
Figura 8 - Lâmpada de sódio................................................................................................... 18
Figura 9 - Lâmpada de alta pressão de mercúrio ................................................................... 19
Figura 10 - Lâmpada de alta pressão de sódio ....................................................................... 19
Figura 11 - Lâmpada de vapor metálico de alta pressão ........................................................ 20
Figura 12 - Lâmpadas sem eletrodos ...................................................................................... 21
Figura 13 - Dopagem em um semicondutor de silício ............................................................. 37
Figura 14 - A formação da zona vazia em um diodo [7] ........................................................ 38
Figura 15 - Desaparecimento da zona vazia em um diodo [7] ............................................... 39
Figura 16 - Aumento da zona vazia em um diodo [7] ............................................................. 39
Figura 17 - Formação de um fóton pela combinação de um elétron e uma lacuna................ 40
Figura 18 - Transições de recombinação básicas em um semicondutor. Ed, Ea, Et são
armadilhas do tipo doadora, aceptora e nível-profundo, respectivamente. ............................ 41
Figura 19 - Componentes de um LED ..................................................................................... 43
Figura 20 - Vários exemplos de LEDs ..................................................................................... 43
Figura 21 - Sistema de coordenadas uv (CIE 1964), mostrando as coordenadas de LEDs
InGaN e AlInGaP[5] ............................................................................................................... 46
Figura 22 - Variação nas coordenadas de cor como função da temperatura [5] .................. 47
Figura 23 - Variação nas coordenadas cromáticas de um LED RGB a uma temperatura
constante [5] ............................................................................................................................ 48
Figura 24 - Degradação da luz branca (lm/W) com aumento da temperatura [5] ................. 48
Figura 25- Diversas aplicações para LEDs ............................................................................ 51
 

viii  
 LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS

SSL Solid State Lighting

LED Light-Emitting Diode
CCT Correlated Color Temperature
CRI Color Rendering Index
µ Mobilidade
In e Id Corrente total
Ipd , Ind Corrente de deriva
Dp , Dn Corrente de difusão
J Densidade de corrente
p' e n' Portadores injetados
no e po Portadores em equilíbrio térmico
Vo Potencial de contato
Ppo e Pno Concentração de lacunas em equilíbrio térmico no lado p/n
σ Condutividade.
G Aumento da concentração de portadores por segundo.
 

ix  
 SUMÁRIO
1.   INTRODUÇÃO  HISTÓRICA  .....................................................................................................................  12  

2.   BULBOS  E  TUBOS  ..................................................................................................................................  15  

2.1   LÂMPADAS  DE  FILAMENTO  INCANDESCENTE  ........................................................................................  15  

2.2   LÂMPADAS  HALÓGENAS  ........................................................................................................................  16  
2.3   LÂMPADAS  FLUORESCENTES  .................................................................................................................  17  
2.4   LÂMPADAS  DE  VAPOR  DE  SÓDIO  (BAIXA  PRESSÃO)  ...............................................................................  18  
2.5   LÂMPADAS  DE  ALTA  PRESSÃO  DE  DESCARGA  ........................................................................................  18  
2.5.1   MERCÚRIO  (HPMV)  .........................................................................................................................  18  
2.5.2   SÓDIO  (HPS)  ....................................................................................................................................  19  
2.5.3   VAPOR  METÁLICO  (MH)  ..................................................................................................................  20  
2.6   LÂMPADAS  SEM  ELETRODOS  .................................................................................................................  20  

3.   FUNDAMENTOS  EM  ELETRÔNICA  .........................................................................................................  21  

3.1   BANDAS  DE  ENERGIA  NOS  SÓLIDOS  .......................................................................................................  21  

3.2   FENÔMENOS  DE  TRANSPORTE  EM  UM  SEMICONDUTOR  ......................................................................  24  
3.2.1   ELÉTRONS  E  LACUNAS  EM  UM  SEMICONDUTOR  INTRÍNSECO  .......................................................  24  
3.2.2   IMPUREZAS  DOADORAS  E  ACEITADORAS  .......................................................................................  24  
3.2.3   O  EFEITO  HALL  .................................................................................................................................  25  
3.2.4   MODULAÇÃO  DA  CONDUTIVIDADE  ................................................................................................  25  
3.2.5   GERAÇÃO  E  RECOMBINAÇÃO  DE  CARGAS  ......................................................................................  26  
3.2.6   DIFUSÃO  ..........................................................................................................................................  27  
3.2.7   CARGA  INJETADA  E  PORTADORES  MINORITÁRIOS  .........................................................................  27  
3.2.8   VARIAÇÃO  DE  POTENCIAL  EM  UM  SEMICONDUTOR  GRADUALMENTE  DOPADO  ..........................  28  
3.3   CARACTERÍSTICAS  DE  UM  DIODO  DE  JUNÇÃO  ........................................................................................  29  
3.3.1   A  JUNÇÃO  P-­‐N  EM  UM  CIRCUITO  ABERTO  ......................................................................................  29  
3.3.2   A  JUNÇÃO  P-­‐N  COMO  UM  RETIFICADOR  ........................................................................................  30  
3.3.3   COMPONENTES  DE  CORRENTE  EM  UM  DIODO  ..............................................................................  31  
3.3.4   CARACTERÍSTICA  VOLT-­‐AMPÉRE  .....................................................................................................  32  
3.3.5   DEPENDÊNCIA  DA  CARACTERISCA  V/I  COM  A  TEMPERATURA  .......................................................  33  
3.3.6   A  RESISTÊNCIA  DO  DIODO  ...............................................................................................................  33  
3.3.7   O  FOTODIODO  SEMICONDUTOR  .....................................................................................................  33  
3.3.8   EFEITO  FOTOVOLTAICO  ...................................................................................................................  34  
3.3.9   DIODOS  EMISSORES  DE  LUZ  ............................................................................................................  35  

4.   NOVOS  MATERIAIS  NO  ESTADO  SÓLIDO  PARA  ILUMINAÇÃO  ................................................................  35  

4.1   ILUMINAÇÃO  –  NECESSIDADE  E  INVENÇÃO  ...........................................................................................  36  

4.2   O  ADVENTO  DOS  MATERIAIS  NO  ESTADO  SÓLIDO  .................................................................................  36  
4.3   PERSPECTIVAS  ........................................................................................................................................  36  

5.   LEDS  INORGÂNICOS   .............................................................................................................................  37  

5.1   PRINCÍPIOS  DE  FUNCIONAMENTO  E  DOPAGEM  .....................................................................................  37  

5.2   PRODUÇÃO  DE  LUZ  .................................................................................................................................  39  
5.2.1   TRANSIÇÕES  RADIOATIVAS:  ............................................................................................................  41  
5.2.2   DESEMPENHO  DO  LED  ....................................................................................................................  42  
5.3   ASPECTOS  FÍSICOS  ..................................................................................................................................  43  
5.4   VANTAGENS  ...........................................................................................................................................  44  
5.5   DESVANTAGENS  .....................................................................................................................................  45  

x  
6.   GERAÇÃO  DE  LUZ  BRANCA  BASEADA  NA  MISTURA  DE  LEDS  AZUL,  VERMELHO  E  VERDE  .......................  45  

6.1   MANUTENÇÃO  DA  COR  E  INTENSIDADE  DA  LUZ  .....................................................................................  46  

7.   GERAÇÃO  DE  LUZ  BRANCA  POR  LEDS  À  BASE  DE  FÓSFORO  ...................................................................  49  

8.   APLICAÇÕES  PARA  LEDS  .......................................................................................................................  49  

9.   PANORAMA  SOBRE  A  ENERGIA  ELÉTRICA  NO  BRASIL  ...........................................................................  51  

10.   CONSIDERAÇÕES  FINAIS  .....................................................................................................................  52  

11.   REFERÊNCIAS  BIBLIOGRÁFICAS  ...........................................................................................................  53  

   

xi  
 1. INTRODUÇÃO HISTÓRICA
 

Até o início do século XI, a única alternativa para a iluminação era a produzida por
combustão (tochas na pré-história mais tarde aperfeiçoadas para lamparinas a base de
substâncias inflamáveis tais como cera de abelha e óleo) o que tornou a luz mais portátil. Um
elemento chave para a produção das lamparinas foi a descoberta do pavio, que alimenta a
chama com combustível. Este é também o princípio de funcionamento das velas (a cera
derrete com o calor da chama e serve de combustível). As lamparinas foram sendo então
aperfeiçoadas.
Um marco para este tipo de iluminação foi alcançado por Ami Agrand, que
desenvolveu a primeira lamparina que resultou de pesquisa verdadeira (feita, inclusive, por
A. L. Lavoisier que descobriu que a combustão deve-se ao oxigênio do ar). A lamparina de
Agrand significou o começo de numerosos melhoramentos feitos nas lamparinas a óleo que
proporcionaram um ganho enorme em iluminação.
Mais tarde foi descoberta pelo escocês William Murdoch a iluminação a gás, utilizada
tanto domesticamente quanto em indústrias e iluminação pública.
Os princípios da iluminação elétrica foram só descobertos no início do século XIX,
quando Sir Humphry Davey demonstrou o brilho de um fio causado pela incandescência
(calor produzido pela passagem da corrente elétrica). Porém a substituição dos dispositivos
de iluminação por combustão pelos dispositivos de iluminação por eletricidade só ocorreu por
volta de 1870, isto porque muito desenvolvimento foi preciso para que se tornasse viável. A
vela de Paul Jablochkoff partia do princípio da incandescência, apesar das poucas horas de
durabilidade foi utilizada em iluminação pública e pode ser considerada a “ancestral” da
lâmpada incandescente atual, pois ainda não era um dispositivo de iluminação eficiente.

12  
 Figura 1 - A vela de Paul Jablochkoff

Foi em 1879 que Tomas Alva Edison demonstrou sua lâmpada de filamento
incandescente e obteve sua patente. Para o filamento foram usados materiais como papel
carbonizado e fibra de bambu em um bulbo de vidro. Com isso, até o fim do século XIX, a
lâmpada de filamento carbônico era vastamente usada em ambiente doméstico, mas ainda
precisava de aperfeiçoamentos quanto a redução de deposição de carbono no bulbo, por
exemplo, pois o escurecia e aperfeiçoamentos quanto a durabilidade sob altas temperaturas.
Então, filamentos metálicos foram desenvolvidos até a descoberta do tungstênio, presente nas
lâmpadas atuais.

Figura 2 - Lâmpada incandescente de Tomas Alva Edison

13  
 Em 1900, Peter Cooper patenteou a lâmpada de mercúrio, que apresentava eficiência
superior à das lâmpadas incandescentes. Em 1938 surgiram as lâmpadas fluorescentes ainda
mais eficientes, que têm sua luminescência devido às excitações produzidas pelos raios
ultravioletas no mercúrio.
O primeiro dispositivo de luz no estado sólido foi o Limelight, descoberto por
Thomas Drummond em 1826 era baseado no efeito da candoluminescência (luz produzida
pela excitação térmica dos íons).

Figura 3 - Limelight de Thomas Drumond

Na Figura 4 é apresentado um resumo histórico sobre a evolução da tecnologia das
lâmpadas. Atualmente, maior parte da iluminação residencial é feita por lâmpadas
incandescentes de tungstênio e lâmpadas fluorescentes portáteis de maior eficiência. A
maioria dos ambientes de trabalho utiliza lâmpadas fluorescentes e para iluminação pública
são usadas lâmpadas de sódio. Com o eminente desenvolvimento dos LEDs, esses padrões
certamente mudarão.

14  
 Figura 4 - Evolução da tecnologia das lâmpadas utilizadas em iluminação

2. BULBOS E TUBOS
 

2.1 LÂMPADAS DE FILAMENTO INCANDESCENTE

Figura 5 - Lâmpada incandescente

A lâmpada incandescente funciona quando um filamento metálico é aquecido a altas
temperaturas. Com a passagem da corrente elétrica, os elétrons movem-se rapidamente
através do filamento de tungstênio, eles estão constantemente batendo nos átomos que
compõem o filamento. A energia de cada impacto faz um átomo vibrar, ou seja, a corrente
aquece o átomo. Um condutor fino aquece mais facilmente do que um grosso, pois é mais
resistente ao fluxo dos elétrons.

15  
 Os elétrons associados aos átomos que vibram podem ser impulsionados
temporariamente para um nível mais alto de energia. Ao voltarem ao seu nível normal, os
elétrons liberam sua energia na forma de fótons. Geralmente, os átomos de metais liberam
fótons de luz infravermelha, que é invisível ao olho humano, porém, se os átomos forem
aquecidos a aproximadamente 2.200º C como por exemplo no caso da lâmpada
incandescente, emitirão uma quantidade considerável de luz visível.
Para reduzir a evaporação do tungstênio, o bulbo é preenchido com gases inertes de
alto peso atômico (argônio e raramente criptônio). Para reduzir o escurecimento do bulbo,
lâmpadas abaixo de 40W são evacuadas para retirada do oxigênio.
Nas lâmpadas incandescentes a maior parte da radiação emitida está na faixa do
infravermelho a eficiência luminosa geral de uma lâmpada 120V varia de 8 lm/W , ou seja ,
em uma lâmpada incandescente 120V/100W somente 7% da energia consumida é convertida
em radiação visível. A sua durabilidade típica é de 750 até 1000 horas (220V).
Atualmente lâmpadas incandescentes são usadas em ambiente residencial, em sinais e
painéis luminosos. Lâmpadas incandescentes utilizadas nos semáforos antigos já estão sendo
substituídas por LEDs e em alguns países da Europa ela foi totalmente banida e em outros
países vem gradualmente sendo substituída por lâmpadas fluorescentes.

2.2 LÂMPADAS HALÓGENAS

Figura 6 - Lâmpada Halógena

Nas lâmpadas halógenas há uma adição interna de gases halógenos (iodo, bromo,
cloro, flúor) que através de processos químicos aumentam a concentração de tungstênio no
filamento, pois diminuem a sua concentração nas paredes do bulbo da lâmpada quando
evapora do filamento quente. Com isso, altas temperaturas de funcionamento podem ser
alcançadas com um conseqüente aumento da eficiência.

16  
 As lâmpadas halógenas possuem o dobro da durabilidade de uma lâmpada comum
(2000 a 4000 horas) ou então uma eficiência maior em uma mesma durabilidade e também
requerem uma menor watagem para a mesma eficiência.
Uma desvantagem é seu grande aquecimento e seu preço elevado. São utilizados em
estúdios de filmagem e fotografia, projetores de filmes e também em residências (spots).

2.3 LÂMPADAS FLUORESCENTES

Figura 7 - Lâmpadas fluorescentes

As lâmpadas fluorescentes são internamente carregadas com gases inertes (mercúrio
ou sódio) a baixa pressão. Quando um gás é submetido a um campo elétrico, ele parcialmente
ioniza. Quando em baixa pressão, a maior parte das emissões do mercúrio é na faixa do
ultravioleta. Fótons UV alcançam a parede via transporte radioativo. A radiação visível (luz)
é produzida pela excitação do fósforo (que é depositado na parede do bulbo tubular) pela
radiação UV, provocando o fenômeno da fotoluminescência.
Para reduzir a difusão de elétrons e íons na parede, o tubo é preenchido com um gás
inerte em alta pressão (altas pressões diminuem a temperatura do elétron). O gás inerte mais
utilizado é o argônio, misturas contendo criptônio e neônio são também utilizadas. O
comprimento do tubo e seu diâmetro são feitos de modo a maximizar a eficiência da geração
de UV.
Atualmente lâmpadas fluorescentes compactas (CFLs) são conhecidas por
economizarem energia e foram projetadas para substituir as lâmpadas incandescentes
comuns. Em condições ótimas de funcionamento uma lâmpada fluorescente converte até 63%
da energia absorvida em radiação UV (o restante é dissipado na forma de calor) e
aproximadamente 40% do UV é finalmente convertido em luz visível. Assim, a eficiência
geral de conversão é de 28% (quatro vezes mais que a incandescente) sua eficiência luminosa
é de 75 a 100 lm/W.

17  
 As lâmpadas fluorescentes param de funcionar pela deterioração dos cátodos e do
fósforo. Sua durabilidade varia de 5000 a 24000 horas. As lâmpadas fluorescentes dominam
em geral iluminação industrial e comercial.

2.4 LÂMPADAS DE VAPOR DE SÓDIO (BAIXA PRESSÃO)

Figura 8 - Lâmpada de sódio

Em uma lâmpada de sódio de baixa pressão, a descarga luminosa tem a mesma
origem que nas lâmpadas de mercúrio. O sódio emite uma luz amarela quase monocromática.
A lâmpada tem um tubo em formato de um arco em “U”, esse tubo contém gás neon a uma
pressão de 400 a 2000 Pa. Para prevenir perdas por calor, o tubo é evolvido em um bulbo
externo. O espaço entre o bulbo e o tubo é evacuado. O interior do bulbo exterior é coberto
com um filme de óxido de índio que reflete a radiação infravermelha.
Desconsiderando que 60 a 80% da potência é desperdiçada em radiação infravermelha
e dissipação térmica, sua eficiência luminosa é de 100 a 200 lm/W. A sua durabilidade é de
14000 a 18000 horas e as suas falhas devem-se a deterioração de seus cátodos.
A principal desvantagem dessa lâmpada é sua pobre renderização, outro problema é o
longo tempo de aquecimento, o que restringe seu uso à iluminação pública e luzes de
segurança.

2.5 LÂMPADAS DE ALTA PRESSÃO DE DESCARGA

As lâmpadas de alta pressão possuem uma melhor renderização em relação às
lâmpadas de baixa pressão. Seu design é parecido com o das lâmpadas de baixa pressão e
podem ser de três diferentes tipos:

2.5.1 MERCÚRIO (HPMV)

18  
 Figura 9 - Lâmpada de alta pressão de mercúrio
A lâmpada consiste em um tubo em forma de arco, feito de sílica fundida, contendo
vapor de mercúrio a alta pressão (2 a 10 atm), pois emite radiação visível com maior
eficiência sob altas pressões. Os eletrodos são feitos de tungstênio e impregnados de
materiais eletro emissivos. O bulbo externo é preenchido com nitrogênio puro ou misturado
com argônio para prevenir a oxidação da estrutura interna.
Por causa da sua deficiência de cor vermelha, a lâmpada de mercúrio possui uma
renderização ruim. Para contornar o problema, as paredes internas do bulbo externo são
cobertas por fósforo, que converte o restante do UV em luz vermelha, melhorando também a
eficiência da lâmpada.
Mais da metade da potência consumida é dissipada em forma de calor e também em
raios UV e IR. A sua eficiência luminosa varia de 20 a 50 lm/W e sua durabilidade atinge
24000 horas. Esse tipo de lâmpada tem maior uso em iluminação pública (complementar às
lâmpadas de sódio) e em alguns estabelecimentos comerciais.

2.5.2 SÓDIO (HPS)

Figura 10 - Lâmpada de alta pressão de sódio

Nas lâmpadas de alta pressão de sódio, o gás de sódio contido no tubo em arco está a
pressão de 7000 Pa e funciona a altas temperaturas. Para diminuir a perda de calor, o bulbo
externo é preenchido por uma mistura de mercúrio e xenônio. Para suportar tais condições, o

19  
bulbo é feito de alumínio policristalino translúcido. Um bulbo exterior cobre o tubo em arco e
é evacuado. Sua eficiência luminosa é de 60 a 130 lm/W e durabilidade de 24.000 horas. A
sua renderização supera a das lâmpadas de baixa pressão, mas ainda continua pobre. Sua
utilização consiste em iluminação pública.

2.5.3 VAPOR METÁLICO (MH)

Figura 11 - Lâmpada de vapor metálico de alta pressão

Para melhorar a eficiência luminosa e a renderização das lâmpadas de mercúrio,
adicionam-se gases haletos metálicos a sua composição. Variando a composição do haleto, o
espectro pode ser moldado para obter características desejáveis. O design básico das
lâmpadas de vapor metálico é similar ao das lâmpadas de mercúrio. A sua eficiência
luminosa é de 70 a 110 lm/W dependendo de sua wattagem ou do metal aditivo usado. A
renderização é superior e a durabilidade varia de 20.000 a 30.000 horas. As desvantagens são
que todas as lâmpadas desse tipo emitem radiação UV tornando necessária algum tipo de
proteção e também, por conta da alta pressão, as lâmpadas MH quando sofrem alguma falha
podem explodir, sendo assim, perigosas.
As lâmpadas MH são mais empregadas em ambientes comerciais (supermercados e
lojas) e em setores industriais .

2.6 LÂMPADAS SEM ELETRODOS

20  
 Figura 12 - Lâmpadas sem eletrodos
A maior razão para a falha de todos os tipos de lâmpada deve-se pela deterioração de
seus eletrodos. Eletrodos foram inventados mais de 100 anos, porém, somente recentemente
lâmpadas sem eletrodos se tornaram disponíveis. Na prática, a descarga luminosa é excitada
ou por indução ou por radiação microondas. O bulbo é preenchido com um gás inerte. A
parede externa do bulbo é preenchida com fósforo que absorve a radiação UV e a converte
em radiação visível. A sua eficiência luminosa é de 40 a 70 lm/W. Sua renderização também
é boa. O seu diferencial é a durabilidade 100.000 horas.

Tabela 1- Comparação de eficiência luminosas

Tipo de Lâmpada Eficiência luminosa (lm/W)

Incandescentes 8 a 15
Halógenas 15 a 25
Fluoresecentes 75 a 100
Vapor Metálico 70 a 110
Vapor de Sódio 100 a 200
Vapor de Mercúrio (HPMV) 20 a 50

3. FUNDAMENTOS EM ELETRÔNICA

3.1 BANDAS DE ENERGIA NOS SÓLIDOS

A natureza fotônica da luz:

Se um átomo foi levado de seu estado normal para um estado excitado, por um elétron
incidente após um intervalo de tempo este retorna ao seu estado normal. Nessa transição, o
átomo deve perder uma quantidade de energia igual à diferença de energia entre os dois
estados que ocupou sucessivamente, esta energia é emitida na forma de um fóton de luz. O
termo fóton define a quantidade de energia radiante dada pelo produto da constante h pela

21  
freqüência. Classicamente, acreditou-se que os átomos emitissem radiação continuamente em
todas as direções; entretanto isto não é verdade; a emissão de luz por um átomo é um
processo descontínuo, ou seja, só irradia durante a transição de um nível de energia para um
de energia mais baixa.
O comprimento de onda da radiação emitida depende da distância das transições entre
os estados estacionários.

Fotoexcitação:

O fóton não será absorvido ao menos que sua energia corresponda exatamente à
diferença de energia entre dois níveis estacionários do átomo com qual ele colide.

Fotoionização:

Se a freqüência do fóton incidente é suficientemente alta, pode haver energia

suficiente para ionizar o átomo , quando isso acontece, o fóton desaparece com o
aparecimento de um elétron e um íon positivo. Experimentalmente descobriu-se que a
máxima probabilidade de fotoionização ocorre quando a energia do fóton é igual ao potencial
de ionização.

O princípio da exclusão de Pauli:

Dois elétrons em um mesmo átomo não podem ter o mesmo conjunto de quatro
números quânticos: n, l, ml e ms. Ou seja, não podem ocupar o mesmo estado quântico.

Camadas Eletrônicas:

Todos os elétrons, em um átomo que apresenta o mesmo valor de n, pertencem à

mesma camada eletrônica, que são identificadas pelas letras K, L, M, N..., correspondentes a
n = 1, 2, 3,4 respectivamente. Uma camada é dividida em subcamadas (l) (s, p, d, f)
associadas a l = 1, 2, 3.

A teoria de bandas de energia dos cristais:

Os níveis eletrônicos de energia para um átomo livre não se aplicam ao átomo no

cristal, pois o potencial que caracteriza a estrutura cristalina é agora uma função periódica no
espaço, cujo valor em qualquer ponto é o resultado das contribuições de todos os átomos. Os

22  
níveis de energia dos elétrons das camadas mais internas de cada átomo não são afetados pela
presença dos átomos vizinhos; entretanto, os níveis de energia dos elétrons da camada mais
externa são afetados consideravelmente, visto que estes elétrons são compartilhados por mais
de um átomo no cristal. Sabe-se que o acoplamento entre os elétrons da camada mais externa
dos átomos resulta em uma banda de energia. Se o espaçamento decresce para um valor
abaixo daquele para o qual as bandas se superpõem, então a interação entre os átomos será
muito grande.

Isolantes, semicondutores e metais:

Um condutor muito pobre em eletricidade é chamado de isolante; um excelente

condutor é um metal e uma substância cuja condutividade está situada entre esses extremos é
um semicondutor.
Em isolantes, a banda proibida separa a região de valência preenchida da banda de
condução vazia. Se aplicarmos um campo elétrico, a energia fornecida ao elétron para que
esse passe da banda preenchida para a banda vazia será muito pequena, assim, não haverá
elétrons na banda de condução, portanto não haverá condução de corrente.
Em um semicondutor a largura da banda proibida é relativamente pequena. Os mais
importantes semicondutores usados na indústria são o germânio e o silício. A sua banda de
valência permanece cheia e a banda de condução vazia; portanto, a baixas temperaturas esses
materiais são isolantes; a sua condutividade então aumenta com a temperatura, pois
adquirindo energia térmica, os elétrons de valência se movem para a banda de condução,
tornando-se elétrons livres. Os semicondutores desse tipo são intrínsecos (puros). Existem
também semicondutores extrínsecos, que possuem impurezas em sua composição que
contribuem para a condução.
O metal é um sólido que tem uma estrutura de bandas parcialmente preenchida. Na
camada externa de um metal os elétrons de cada átomo se encontram associados
simultaneamente com dois íons, de tal modo que o elétron não fica agregado,
individualmente, a um ou a outro átomo. Elétrons ficam livres para se movimentar no seu
interior, de um átomo para outro, devido à ação de campos aplicados. Este quadro é
conhecido como a descrição do gás eletrônico de um metal. Se um campo elétrico for
aplicado, os elétrons podem adquirir uma energia adicional e mover-se para estados
superiores (de maior energia), formando uma corrente. A região parcialmente preenchida é a
banda de condução.

23  
 A corrente em um metal é devida ao movimento de elétrons enquanto que em um
semicondutor, ao movimento de elétrons e cargas positivas (lacunas).

3.2 FENÔMENOS DE TRANSPORTE EM UM SEMICONDUTOR

Densidade de Corrente:

É calculada a partir do número N de elétrons, que estão contidos em um condutor de

comprimento L e T segundos levados para atravessar a distância de L metros no condutor,
assim se obtém a carga total por segundo que passa em qualquer uma unidade de área do
condutor.

Condutividade:

A corrente de condução é proporcional à tensão aplicada. A energia que os elétrons

adquirem no campo elétrico é fornecida para a rede iônica por meio de colisões, assim os
elétrons dissipam potência no metal.

3.2.1 ELÉTRONS E LACUNAS EM UM SEMICONDUTOR INTRÍNSECO

Sabe-se que em temperaturas muito baixas, o cristal comporta-se como isolante, pois
não possui portadores livres de eletricidade, contudo à temperatura ambiente, algumas das
ligações covalentes são quebradas podendo então ocorrer condução. A ausência de elétron na
ligação covalente a torna incompleta, formando uma lacuna. A sua importância está em poder
ser usada efetivamente como um portador de eletricidade comparável ao elétron livre.
Quando uma ligação é incompleta, tal que existe uma lacuna, ela é facilmente
preenchida por um elétron de valência que deixa uma ligação covalente de um átomo vizinho;
Este elétron ao sair da ligação covalente deixa outra lacuna. Assim, diz-se que a lacuna se
move na direção oposta a dos elétrons.

3.2.2 IMPUREZAS DOADORAS E ACEITADORAS

Se ao silício ou germânio intrínsecos, for adicionada uma pequena quantidade de
átomos trivalentes ou pentavalentes, tem-se um semicondutor dopado ou extrínseco.

24  
Doadores:

Se o dopante possuir cinco elétrons de valência, quatro ocuparão ligações covalentes e

o quinto ficará não ligado e será utilizado como portador de corrente. Impurezas
pentavalentes convenientes são o antimônio, fósforo e arsênio (impurezas doadoras ou do
tipo N). Quando impurezas doadoras são adicionadas ao semicondutor, não somente o
número de elétrons aumenta, mas também o número de lacunas diminui isso porque o grande
número de elétrons aumenta a taxa de recombinação de elétrons com lacunas.

Aceitadores

Se o dopante possuir três elétrons de valência, somente três das ligações covalentes
podem ser preenchidas e a ausência de um elétron na quarta ligação representa uma lacuna
que será utilizada como um portador positivo disponível, pois cria lacunas para aceitar
elétrons.
Concluímos que a dopagem de um semicondutor intrínseco não somente aumenta a
condutividade, mas é empregada também para produzir um condutor em que os portadores
elétricos são predominantemente lacunas (tipo p) ou elétrons (tipo n).
A Banda proibida em um semicondutor depende da sua temperatura.
A Mobilidade é uma função da temperatura e também do campo elétrico

3.2.3 O EFEITO HALL

Usado na determinação do tipo de semicondutor isto é, tipo n ou tipo p. Se uma
amostra de metal ou semicondutor for atravessada por uma corrente I e for colocada sob um
campo magnético transversal B, um campo elétrico será formado em uma direção
perpendicular a ambos. Se I e B estão no sentido positivo dos eixos X e Z respectivamente,
então os portadores de corrente estarão sujeitos a uma força no sentido negativo do eixo Y.
Assim, independentemente se os portadores são lacunas ou elétrons, serão forçados para
baixo. Se o material é um semicondutor do tipo n, estes portadores se acumularão embaixo
formando uma polaridade negativa no “fundo”. Se por outro lado o “fundo” tiver polaridade
positiva, o semicondutor é do tipo p.

3.2.4 MODULAÇÃO DA CONDUTIVIDADE

25  
 Como a condutividade de um semicondutor é proporcional à concentração de
portadores livres, ela pode ser aumentada com o acréscimo de n ou p. Os dois mais
importantes métodos para variar n e p são a variação de temperatura ou de iluminamento
sobre o semicondutor, gerando com um ou outro processo, novos pares elétron-lacuna.

Termistores:

Um semicondutor usado de maneira a aumentar sua condutividade conforme a

temperatura. Tal dispositivo encontra muitas aplicações em termometria, na medida de
potências, freqüências e microondas. A diminuição exponencial da resistividade (inverso da
condutividade) de um semicondutor é bem diferente do pequeno e quase linear crescimento
da resistividade de um metal. Já em um metal, o aumento da temperatura provoca maior
movimento térmico de íons e, portanto diminui levemente o livre caminho médio dos elétrons
livres, o resultado é uma diminuição da mobilidade e então da condutividade

Fotocondutores:

Quando uma radiação incide em um semicondutor, sua condutividade aumenta isto se

explica por que a energia radiante absorvida ioniza as ligações covalentes que se quebram
gerando pares elétron-lacuna em excesso. O aumento de portadores de corrente diminui a
resistividade do material, tal dispositivo é chamado de fotorresistor ou fotocondutor.
Dispositivos com essa característica podem ser usados para medir uma quantidade fixa de
iluminação. O dispositivo fotocondutor de maior aplicação é a célula de sulfeto de cádmio

Resposta Espectral:

Um fotocondutor é um dispositivo seletivo à freqüência, ou seja, certa intensidade de

luz de um dado comprimento de onda não poderá gerar o mesmo número de portadores livres
com igual intensidade de luz de outro comprimento de onda, em outras palavras, o
rendimento fotoelétrico ou resposta espectral depende da freqüência da radiação incidente.

3.2.5 GERAÇÃO E RECOMBINAÇÃO DE CARGAS

O tempo de vida médio da lacuna e do elétron indica o tempo necessário para as
concentrações de elétrons e de lacunas, que foram alteradas, retornarem às suas
concentrações de equilíbrio.

26  
Centros de recombinação:

Recombinação é o processo pelo qual um elétron se move a partir da banda de

condução para a banda de valência, produzindo o desaparecimento de um par elétron-lacuna.
Os mais importantes mecanismos no silício ou no germânio que produzem recombinações
entre elétrons e lacunas são os centros de recombinação. Eles contribuem para a existência de
novos estados eletrônicos permitidos dentro da banda proibida, atuando como um terceiro
corpo, que satisfaz a exigência da lei da conservação do momento.

3.2.6 DIFUSÃO
Além da corrente de condução, o transporte de cargas elétricas em um semicondutor
pode ocorrer pelo mecanismo de difusão.
Imaginando que em um semicondutor exista uma concentração não uniforme de
lacunas, e fosse tracejada uma linha dividindo-o. As lacunas se encontram em um movimento
randômico como resultado de sua energia térmica, de acordo com essa idéia as lacunas
movimentam-se de um lado para outro da linha imaginária então em um determinado
intervalo de tempo mais lacunas se movimentam do lado mais concentrado para o menos
concentrado. A componente resultante das lacunas através da superfície constitui uma
corrente.

3.2.7 CARGA INJETADA E PORTADORES MINORITÁRIOS

Se uma barra semicondutora longa for dopada uniformemente com átomos doadores a
fim de que a concentração de n seja independente da posição e uma radiação incide em um
dos extremos da barra, alguns dos fótons incidentes são capturados pelos elétrons das
ligações covalentes quebrando-as e assim haverá geração de pares elétron-lacuna.
Supondo que a concentração de minoritários é muito menor do que a concentração de
majoritários (condição de baixo nível de injeção) a concentração de lacunas diminui
exponencialmente com a distância.

Correntes de difusão:

27  
 A corrente de difusão de minoritários diminui exponencialmente com a distância, da
mesma maneira como diminui a concentração de portadores minoritários, esse resultado é
usado para determinar a corrente em um diodo semicondutor.

Correntes de deriva:

Se uma barra semicondutora está em circuito aberto, a corrente resultante (soma das
correntes de lacuna e de elétron) deve ser zero em qualquer ponto da barra. Portanto uma
corrente de deriva de majoritários deve existir e também diminui com a distância, para isso,
deve existir um campo elétrico na barra que é criado internamente pelos portadores injetados.
A corrente de deriva do portador minoritário é desprezível quando comparada com a corrente
de difusão deste mesmo portador, justificando assim a hipótese de que a corrente do portador
minoritário injetada em baixo nível de injeção é predominantemente uma corrente de difusão.

3.2.8 VARIAÇÃO DE POTENCIAL EM UM SEMICONDUTOR

GRADUALMENTE DOPADO

A dopagem pode ser dita não uniforme ou gradual quando a concentração dos
portadores varia com a posição x. Se não houver nenhuma excitação externa (nenhum
portador é injetado por fonte externa) a corrente de lacuna e também de elétrons deve ser
zero. Supondo que a concentração de p não é constante, espera-se uma corrente de difusão de
lacunas não nula. Para que a corrente total de lacunas se anule deve existir uma corrente de
deriva de lacuna igual e de sentido oposto à corrente de difusão, contudo uma corrente de
difusão requer um campo elétrico, então concluímos que o resultado da dopagem não
uniforme é um campo elétrico gerado dentro do próprio semicondutor.

Junção abrupta em circuito aberto:

É um tipo de dopagem em que a densidade varia abruptamente do tipo p para o tipo n

(junção abrupta). A junção abrupta está localizada em um plano onde a concentração é zero.
Existe um potencial interno entre as duas metades da barra (potencial de contato)

28  
 Dois tipos de portadores de cargas móveis (lacunas positivas e elétrons negativos) são
disponíveis. Esta natureza bipolar difere da propriedade unipolar de um metal que possui
somente elétrons livres.

A concentração intrínseca de portadores é uma função da temperatura. Em

temperatura ambiente praticamente todos os doadores e aceitadores estão ionizados.

A corrente deriva de dois fenômenos distintos:

Portadores que se deslocam devido a um campo elétrico
Portadores que se difundem se existir um gradiente de concentração (esse fenômeno
não pode ocorrer em um metal)

Portadores estão sendo continuamente gerados devido à criação térmica de pares

elétron-lacuna, e estão simultaneamente desaparecendo devido à recombinação.

A lei fundamental que governa o fluxo de carga é chamada equação da continuidade;

é formulada considerando que nenhuma carga pode ser criada nem destruída por geração,
recombinação, deslocamento (deriva) ou difusão.

Se portadores minoritários são injetados em uma região contendo portadores

majoritários, então usualmente a concentração de minoritários injetados é muito pequena
comparada à densidade de portadores majoritários. Para esta condição de baixo nível de
injeção a corrente de minoritários é predominantemente devida à difusão; em outras palavras,
a corrente de deriva de minoritários deve ser desprezada.

3.3 CARACTERÍSTICAS DE UM DIODO DE JUNÇÃO

 

3.3.1 A JUNÇÃO P-N EM UM CIRCUITO ABERTO

Forma-se uma junção p-n se impurezas aceitadoras forem introduzidas em uma de
suas extremidades e impurezas doadoras em outra.

Região de Carga Espacial:

29  
 A diferença no gradiente de concentração de portadores causa uma corrente de
difusão, assim, lacunas desaparecem como resultado da combinação com elétrons que se
difundiram através da junção. O mesmo ocorre com elétrons que se combinam com lacunas
que se difundiram do material tipo p para o tipo n através da junção;
A região próxima à junção é depletada de cargas móveis (não possui portadores
móveis), por isso é conhecida como região de depleção, região de carga espacial ou região
de transição.

Intensidade de campo elétrico:

A densidade de carga na junção é nula, positiva à direita e negativa à esquerda. Esta

formação dá origem a um campo elétrico. O equilíbrio é estabelecido quando este campo
elétrico é suficientemente intenso para restringir o processo de difusão, assim, não há
movimento de cargas através da junção em regime permanente.

3.3.2 A JUNÇÃO P-N COMO UM RETIFICADOR

A ação retificadora consiste em facilitar o fluxo de carga em um sentido e restringi-lo
em outro.

Polarização reversa:

A polarização reversa consiste em ligar nos terminais de uma junção p-n uma bateria
de modo que o terminal negativo é ligado ao lado p e o terminal positivo, ao lado n. Dessa
forma, os elétrons são espalhados para a esquerda e as lacunas, para a direita da junção As
lacunas formadas no silício tipo n serão afastadas da junção e de maneira análoga, os elétrons
gerados termicamente no silício tipo p, serão também afastados. Esta pequena corrente
chama-se corrente reversa de saturação (Io).

Polarização direta:

É uma tensão aplicada de forma que o terminal negativo se ligue ao lado n e o

terminal positivo ao lado p do diodo.
A corrente resultante dessa polarização é a soma das correntes de portadores
minoritários (lacunas injetadas de p ! n e elétrons injetados de n !p).

30  
Contatos Ôhmicos:

São contatos que ligam o semicondutor a circuito que foram fabricados de tal maneira
que não tenham características retificantes, isto é, o potencial de contato na junção é
constante e independente do sentido e magnitude da corrente.

Junção p-n em circuito aberto e em curto-circuito:

Se a tensão no circuito for zero, o dispositivo p-n estará em curto-circuito. Sob essas
condições, a soma das tensões da malha formada pela barra e pelo fio metálico deve ser zero.

Polarização direta próxima de Vo:

Sendo Vo a tensão na junção, no momento em que a tensão direta V se torna

comparável a Vo, a corrente que passa no diodo p-n real será limitada pelas resistências dos
contatos ôhmicos e a resistência do cristal. Assim, a característica volt-ampére torna-se
aproximadamente uma linha reta.

3.3.3 COMPONENTES DE CORRENTE EM UM DIODO

A corrente de difusão de minoritários diminui exponencialmente com a distância x.
As dopagens nos lados p e n não precisam ser necessariamente idênticas. Quanto maior a
concentração de um portador, maior sua corrente de difusão.

Lei da Junção:

É a relação que fornece a concentração de lacunas na borda da região de material tipo

n (em x=0) em termos de concentração de portadores minoritários (pno) longe da junção (no
equilibro térmico) e do potencial V aplicado. Sabe-se que pn varia exponencialmente com o
aumento de V.

Corrente total do diodo:

A corrente total I do diodo em qualquer posição é a soma das correntes de lacunas e
elétrons naquele ponto. A corrente I do diodo é independente de x, sendo assim é indicada
como uma linha horizontal. No ponto x=0, a corrente total é a soma das correntes dos
elétrons que cruzam a junção da direita para a esquerda e das lacunas que cruzam a junção da
esquerda para a direita (ambas iguais).

31  
 Componentes da corrente de portadores majoritários:
Longe da junção, no lado p, a corrente do diodo é a corrente Ipp de lacunas de deriva
(condução), mantida pelo pequeno campo elétrico no semicondutor. Assim que as lacunas se
aproximam da junção, algumas delas se recombinam com os elétrons que são injetados no
lado p vindos do lado n.A corrente Ipp decresce, assim, na direção da junção (seguindo a
variação do gradiente para manter a corrente total constante independente da distância).
O restante da corrente Ipp atravessa a junção, penetra no lado n e torna-se a corrente
de difusão de lacunas Ipn. Enfatiza-se que a corrente de um diodo p-n possui caráter bipolar,
visto que é composta por portadores de eletricidade positivos e negativos. A corrente total é
constante através do dispositivo, mas a proporção de lacunas e elétrons varia com a distância.

3.3.4 CARACTERÍSTICA VOLT-AMPÉRE

Em um diodo, a corrente aumenta exponencialmente. Uma corrente I positiva indica
um fluxo de p para n. Uma tensão positiva indica que o diodo está polarizado diretamente (o
lado p é positivo e n é negativo). Quando o diodo é reversamente polarizado a corrente
reversa é constante, independentemente da tensão reversa aplicada e Io fica conhecida como
corrente de saturação reversa. Nesta tensão crítica flui uma grande corrente reversa e
dizemos que o diodo está na região de ruptura.

Tensão limiar Vγ (offset, break-point, threshold, ou cutin):

Indica valores de tensão para qual a corrente ainda é muito pequena (digamos 1% do
valor máximo nominal).Além do valor de tensão Vγ a tensão aumenta rapidamente.
Experimentalmente tem-se que é 0,2V para o germânio e 0,6V para o silício.
A razão para esta diferença é devida ao fato de que a corrente de saturação reversa do
germânio é cerca de mil vezes maior que a corrente de saturação reversa no silício. Assim, Io
está na faixa dos microampéres para o germânio e na faixa dos nanoampéres para o silício.

Característica Logarítmica:

Quando o gráfico log I em função de V é plotado, espera-se, para baixas correntes

uma curva linearizada. Para altas correntes, sucessivos incrementos na tensão correspondem a

32  
incrementos cada vez menores na corrente “achatando” a curva. A razão para este
comportamento está na resistência ôhmica do diodo.
Assim, para altas correntes, um diodo comporta-se mais como um resistor que como
um diodo, e a corrente aumenta linearmente em vez de exponencialmente com a tensão
aplicada.

Corrente de Saturação Reversa:

Alguns diodos mostram um aumento pronunciado na corrente reversa com aumento

da tensão reversa. Esta variação em Io é causada pela fuga através da superfície do diodo e
também pelo fato de que novos portadores de carga podem ser gerados por colisão na região
de transição da junção.

3.3.5 DEPENDÊNCIA DA CARACTERISCA V/I COM A TEMPERATURA

A corrente de saturação reversa dobra a cada 10 graus Celsius aumentados. Se
fixarmos a tensão e aumentarmos a temperatura, a corrente aumentará. No entanto, se
reduzirmos V, a corrente poderá voltar ao seu valor inicial.

3.3.6 A RESISTÊNCIA DO DIODO

A resistência do diodo está relacionada com a tensão V e a corrente I. A resistência R
é igual ao inverso da inclinação da curva característica volt-ampére de um diodo. Para
operações com pequenos sinais é usada a resistência dinâmica ou incremental (r), que varia
inversamente com a corrente. Sendo que r = dV/dI.

Linearização da Característica de um Diodo:

Uma aproximação para grandes sinais que sempre leva a uma solução suficientemente
precisa na engenharia é a representação linear por trechos. Nesta aproximação, o diodo
comporta-se como circuito aberto se V < Vγ e r possui um valor constante (dV/dI) se V >
Vγ. Para modelos de grandes sinais, é empregada a resistência direta (Rf), sendo que Rf =
V/I

3.3.7 O FOTODIODO SEMICONDUTOR

33  
 Um fotodiodo semicondutor é uma junção reversamente polarizada iluminada. Sua
corrente varia quase que linearmente com o fluxo luminoso.

Característica Volt Ampére:

Se aplicarmos tensões reversas, além de poucos décimos de volt obteremos uma

corrente quase constante (independente da magnitude da polarização reversa).
Se um feixe de luz incide sobre a superfície da junção, novos pares elétrons-lacuna
são gerados. Essa injeção de portadores minoritários contribui para o aumento da corrente.
A corrente de saturação reversa (Io) é proporcional à concentração pno e npo dos
portadores minoritários na região p e n.
Se iluminarmos uma junção polarizada reversamente, o número de novos pares
elétron-lacuna é proporcional ao número de fótons incidentes
A curva característica de um fotodiodo típico não passa pela origem.

Sensibilidade com a Posição da Luz Incidente:

Se a radiação estiver focalizada em uma pequena mancha luminosa longe da junção,

os portadores minoritários podem recombinar-se antes que se difundam a caminho da junção,
o que resultará em uma corrente muito menor que a corrente que resultaria se os portadores
fossem injetados nas proximidades da junção. O fotodiodo encontra muitas aplicações na
leitura de altas velocidades das perfuradoras de cartões e fitas de computadores, sistemas de
detecção de luz, leitura da trilha sonora de um filme, chaves operadas por luz, linhas de
produção contendo objetos que interrompam um fluxo luminoso, etc.

3.3.8 EFEITO FOTOVOLTAICO

Se a tensão aplicada ao diodo for reduzida, também é reduzida a barreira de potencial.
Quando a altura da barreira é suficientemente reduzida, alguns portadores majoritários podem
também atravessar a junção, contribuindo para a corrente direta.

Potencial Fotovoltaico:

A tensão para qual a corrente total é zero chama-se potencial fotovoltaico.

A altura na barreira de potencial ajusta-se para que a corrente resultante seja zero e o
campo elétrico na junção é dirigido de tal modo a repelir os portadores majoritários.

34  
 Se um feixe de luz incide sobre a superfície, portadores minoritários são injetados e,
como a barreira permite sua passagem, a corrente de portadores minoritários aumenta.
Visto que em circuito aberto a corrente total deve ser zero, a corrente de majoritários
deve aumentar tanto quanto a corrente de minoritários. O que só ocorre se houver diminuição
no campo elétrico e na barreira no caso, com a radiação.

Máxima Potência de Saída:

Para obtermos a resistência ótima de carga, que nos forneça a máxima potência na
saída, devemos assumir diversos valores de RL e ler os respectivos valores de V e I,
calculando P = VI e plotando os pontos em função de RL.

A Corrente de Curto Circuito:

Para uma tensão aplicada nula, obtemos uma corrente não nula. Assim, a fotocélula
pode ser usada para condições de curto-circuito. Essa corrente, IS é proporcional à
intensidade de luz.

3.3.9 DIODOS EMISSORES DE LUZ

Assim como é necessário fornecer energia para gerar um par elétron-lacuna, da
mesma maneira a energia é liberada quando um elétron se recombina com uma lacuna.
Quando a recombinação é direta, sem o uso de “armadilhas”, a energia liberada pelo
elétron, ao cair da banda de condução para a banda de valência aparece na forma de radiação.
Um diodo que funciona dessa maneira é chamado diodo emissor de luz (LED). A eficiência
na geração de luz aumenta com a corrente injetada e com a diminuição da temperatura. A luz
se concentra na junção já que a maior parte dos portadores se recombina nas vizinhanças da
mesma.
Se a luz emitida é coerente, ou seja, essencialmente monocromática, o diodo recebe o
nome de emissor de luz a junção (injection junction laser).

4. NOVOS MATERIAIS NO ESTADO SÓLIDO PARA

ILUMINAÇÃO
 

35  
 4.1 ILUMINAÇÃO – NECESSIDADE E INVENÇÃO
A iluminação sempre teve um papel de grande importância e utilidade em toda a
história e cotidiano humano. Os poucos recursos de antigamente garantiam a sua obtenção a
partir da queima de combustíveis fósseis tais como o carvão, gás e óleos animais.
O desenvolvimento de novas tecnologias para sua obtenção garantiu fontes menos
poluidoras e mais eficientes. A obtenção de iluminação a partir da lâmpada incandescente por
Thomas Edison em 1789 deu fim à queima de combustíveis para iluminação.
As mesmas lâmpadas incandescentes foram aprimoradas e são utilizadas até hoje,
porém apresentam baixa eficiência, já que convertem somente uma pequena parte da energia
elétrica fornecida em energia luminosa além de desperdiçarem grande parte dessa energia
elétrica em energia térmica.

4.2 O ADVENTO DOS MATERIAIS NO ESTADO SÓLIDO

Em meados de 1960 pesquisas na área de semicondutores desenvolveram o LED
(Light Emitting Diode).
A sua descoberta não foi suficiente para seu pleno uso. Inicialmente com eficiência
muito baixa, os LEDs tinham restrições quanto à cor da luz emitida (vermelho azul ou verde).
Além de seu alto custo, exigiam também um alto desenvolvimento tecnológico, de pesquisa e
industrial. Requisitos estes inexistentes no cenário brasileiro.

4.3 PERSPECTIVAS
Considerando tais inviabilidades iniciais, seu uso ficou restrito no setor eletrônico
usado como sinalização em equipamentos, mas uma vez que essas barreiras sejam
transpostas, existe uma infinidade de possíveis aplicações para os LEDs; Quando os
dispositivos atingirem uma eficácia de 150-200 lm/W e custarem $0.01/lm, substituirão a
iluminação à base das lâmpadas fluorescentes convencionais.
Os LEDs permitirão uma redução no consumo de energia elétrica, devido seu baixo
consumo e alta eficiência, uma redução no custo dos materiais para instalação (fios mais
finos), a possibilidade do funcionamento sem fio (transmissão de energia elétrica via ondas) e
a redução da emissão de poluentes e conseqüentemente dos danos ambientais.

36  
 5. LEDS INORGÂNICOS

5.1 PRINCÍPIOS DE FUNCIONAMENTO E DOPAGEM

LEDS produzem luz pelo movimento dos elétrons em um material semicondutor. Um
diodo é o tipo mais simples de dispositivo semicondutor, feito da combinação de materiais
capazes de conduzir corrente elétrica. De modo geral, um semicondutor é um material com
capacidade variável de conduzir corrente elétrica. A maioria deles é feita de um condutor
pobre que sofre o tratamento de dopagem.
Atualmente a maioria dos materiais semicondutores possui uma composição de
silício. O silício, assim como o germânio e o carbono possui uma propriedade única na sua
estrutura eletrônica: quatro elétrons em sua camada de valência o que permite que formem
cristais, com um átomo central ligado a mais quatro átomos vizinhos em ligações covalentes
perfeitas. Essa estrutura perfeita, porém, não deixa elétrons livres para condução de corrente.
Por isso existe a dopagem, onde impurezas (átomos diferentes) são adicionadas ao
componente.
Dopando-se Silício com Fósforo ou Arsênio, é formado um semicondutor tipo-N, pois
os dopantes possuem cinco elétrons em sua camada de valência, ou seja, fazem cinco ligações
e quando ligados ao Silício, que faz somente quatro, sobra um elétron livre.
Dopando-se Silício com Boro ou Gálio, que fazem somente três ligações por terem
somente três elétrons em sua camada de valência, obtém-se um semicondutor do tipo P, pois
ao se ligarem com o Silício são formados buracos e o elétron do silício não tem onde ligar-se.
A falta de um elétron cria o efeito de uma carga positiva.
Assim, o silício passa de um material praticamente isolante pra um condutor viável
(não ótimo) daí o nome semicondutor.

Figura 13 - Dopagem em um semicondutor de silício

37  
 Um diodo é então composto por uma junção do semicondutor tipo-N com um do tipo-
P sendo que esse arranjo só conduz corrente elétrica em um único sentido. Quando não se
aplica voltagem ao diodo, elétrons do semicondutor N preenchem todos os buracos do
semicondutor tipo P, formando uma “zona vazia” (zona de depleção) que separa as duas
camadas. Nesta zona vazia não há como ocorrer condução de corrente, pois não existem nem
lacunas livres nem elétrons livres.

Figura 14 - A formação da zona vazia em um diodo [7]

 

Para se livrar dessa “zona vazia” deve-se conectar ao tipo-N o pólo negativo e ao
tipo-P o pólo positivo (polarização direta), com isso os elétrons livres do tipo-N são repelidos
pelos elétrons emitidos pelo pólo negativo da tensão, e são levados para a região P o diodo,
da mesma forma, os buracos movem-se em direção contrária. Quando a tensão aplicada é
forte o suficiente, os elétrons livres que estavam nos buracos na “zona vazia” são forçados
para fora, a zona desaparece e a corrente flui pelo diodo.

38  
 Figura 15 - Desaparecimento da zona vazia em um diodo [7]
Por outro lado, se conectarmos a região-N do diodo ao pólo positivo da fonte de
tensão e a região-P ao pólo negativo (polarização reversa), a corrente não será conduzida, isso
porque os elétrons livres da região P serão atraídos pelo pólo positivo da tensão e o mesmo
acontecerá com os buracos e o pólo negativo. Assim, elétrons e buracos ficarão concentrados
em lados extremos do diodo, o que aumenta a zona de redução e não permitirá a condução de
corrente.

Figura 16 - Aumento da zona vazia em um diodo [7]

5.2 PRODUÇÃO DE LUZ

A luz é um tipo de energia que pode ser emitida por um átomo. As partículas
denominadas fótons são as unidades básicas mais comuns da luz.[2]

39  
 A eletroluminescência é a conversão da eletricidade diretamente em luz, ou seja, um
fenômeno óptico e elétrico durante o qual um material emite luz em resposta a uma corrente
elétrica que o atravessa. É o resultado da recombinação radioativa entre elétrons e lacunas.
Esse fenômeno pode ocorrer em uma variedade de sistemas em diferentes condições, mas o
tipo de eletroluminescência mais eficiente é o causado pela injeção de portadores em
semicondutores. [3]
Em um átomo, os elétrons estão dispostos em orbitais, sendo que os elétrons que
possuem mais energia se localizam em orbitais mais distantes do núcleo. Para que um elétron
mude de um orbital para outro de maior energia é preciso fornecer energia a ele, da mesma
forma, quando um elétron muda de um orbital para um de menor energia ele libera energia.
Esta energia é liberada na forma de um fóton. Quanto maior for a diferença de energia entre
os orbitais, mais energético é o fóton liberado,que também possui uma maior freqüência.
Os elétrons livres do diodo , quando combinados com as lacunas, sofrem justamente
essa queda para um orbital mais baixo na banda de condução, então esses elétrons liberam
energia na forma de fótons (Figura 17). Os fótons tornam-se visíveis dependendo do tipo de
material usado no diodo, por exemplo, em um diodo de silício os átomos estão organizados
de uma forma que o elétron sofre uma queda de orbital relativamente baixa,
conseqüentemente a freqüência do fóton é tão baixa que este não é visível ao olho humano,
pois está na faixa do infravermelho do espectro da luz. O que não é necessariamente ruim,
esses LEDS são ideais para controles remotos entre outros.
LEDS emissores de luz visível possuem uma maior distância entre a banda de
condução e os orbitais de baixa energia

Figura 17 - Formação de um fóton pela combinação de um elétron e uma lacuna

40  
 5.2.1 TRANSIÇÕES RADIOATIVAS:
Portadores de carga em excesso recombinam-se de forma radioativa e não-radioativa.
As frações destas recombinações determinam a eficiência quântica interna de um LED. Um
mecanismo intrínseco de recombinação radioativa é a transição banda-a-banda, em que um
par elétron-lacuna recombina-se emitindo um fóton.[2]
A Figura 6, abaixo, demonstra esquematicamente as transições de recombinação
básica dos portadores em excesso em um semicondutor. Essas transições podem ser
classificadas como:
(1) Transição inter-bandas
(a) Emissão intrínseca correspondendo similarmente à energia do bandgap
(b) Emissão de alta-energia envolvendo portadores energéticos, às vezes relacionados
por emissão de avalancha.
(2) Transições envolvendo impurezas químicas e defeitos físicos.
(a) Banda de condução para defeito do tipo aceptor
(b) Defeito tipo doador para banda de valência.
(c) Defeito doador para defeito aceptor
(d) Banda-a-banda
(3) Transições intra-banda (Auger Process)

Figura 18 - Transições de recombinação básicas em um semicondutor. Ed, Ea, Et são

armadilhas do tipo doadora, aceptora e nível-profundo, respectivamente.

O número de onda de um fóton é muito pequeno se comparado com o de um elétron

ou de uma lacuna, o que significa que a transição do elétron da banda de condução para a
banda de valência é praticamente vertical no diagrama de bandas.
Durante uma transição radioativa a energia e o momento devem ser conservados. A
conservação de energia resulta na energia do fóton ser igual à distância entre os níveis

41  
ocupados pelo elétron e a lacuna, respectivamente.A conservação do momento impõe
requerimentos estritos na estrutura da banda de energia do semicondutor usados nas regiões
ativas dos LEDs.[2]
Um material luminescente eficiente é o qual transições radioativas predominam sobre
as não-radioativas. A recombinação banda-a-banda é o processo onde a recombinação
radioativa é mais provável.

5.2.2 DESEMPENHO DO LED

Consideraremos que o desempenho do LED seja determinada pelo processo seu processo
de geração de luz. Um dispositivo eletroluminescente por injeção é caracterizado por sua
eficiência radiante (ŋ! ). A eficiência radiante é o fluxo radiante emitido em relação à
potência fornecida.

ŋ! = (ŋ!"#     )(ŋ! ) (1)

ŋext é a eficiência quântica externa, ŋf é a eficiência de alimentação.

A Eficiência quântica de um dispositivo foto sensível é a porcentagem de fótons absorvidos

que irão produzir um par elétron-lacuna. É uma medição precisa da sensibilidade elétrica do
dispositivo em relação à luz.

A Eficiência quântica externa é o número de fótons emitidos pelo número de elétrons que
atravessaram o LED. É dada pelo produto da eficiência quântica interna (ŋrad) pela eficiência
de injeção (ŋinj) e eficiência óptica (ŋop t)

   ŋ!"#   =    (ŋ!"# )(ŋ!"# )(  ŋ!"# ) (2)

A Eficiência de injeção é a fração dos elétrons que atravessao o LED que são injetados na
região ativa, onde ocorre a recombinação radioativa

A Eficiência quântica interna é o número de pares elétron-lacuna que se recombinam

radioativamente entre o número total de pares que recombinam na região ativa.

A Eficiência óptica é a fração de fótons gerados que escapam pelo dispositivo.

A Eficiência de alimentação é a fração da energia média de um fóton emitido (hv) pela

energia total que um par elétron- lacuna recebe pela fonte de potência.
!!
ŋ! =   !" (3)

V = voltagem, q = carga elementar.

42  
 5.3 ASPECTOS FÍSICOS

Figura 19 - Componentes de um LED

Figura 20 - Vários exemplos de LEDs

CORES E MATERIAIS

Tabela 2 - Cores e seus respectivos comprimentos de onda, voltagem e materiais.

 

43  
 Comprimento   Material  
Cor   Voltagem  [V]  
de  onda  [nm]   Semicondutor  

Infravermelho   λ  >  760   ΔV  <  1.9   GaAs,  AlGaAs    

AlGaAs,  GaAsP,  
Vermelho   610  <  λ  <  760   1.63<ΔV<2.03    AlGaInP,  GaP  
GaAsP,  AlGaInP,  
Laranja   590  <  λ  <  610   2.03<ΔV<2.10   GaP  
GaAsP,  AlGaInP,    
Amarelo   570  <  λ  <  590   2.10<ΔV<2.18   GaP  
InGaN,  GaN,  GaP,    
Verde   500  <  λ  <  570   2.18<ΔV<4.0   AlGaInP,  AlGaP  
Azul   450  <  λ  <  500   2.48<ΔV<3.7   ZnSe,  InGaN,  SiC  
Múltiplos   LED  azul  com  
Roxo   2.48<ΔV<3.7  
tipos   fósforo  vermelho    
Violeta   400  <  λ  <  450   2.76<ΔV<4.0   InGaN  
AlN,AlGaN,  
UV   λ  <  400   3.1<ΔV<4.4   AlGaInN)(<210nm)  
Espectro   LEDs    azul/UV  com  
Branco   aberto   ΔV  =  3.5   fósforo  amarelo  
 

5.4 VANTAGENS
Todos os diodos produzem luz, porém a maioria não o faz de forma muito eficiente,
pois em um diodo simples o próprio material com que é feito absorve muita energia da luz. Já
os LEDS são construídos para maximizar essa eficiência, emitindo o máximo de fótons, e
também, concentrando essa emissão em uma direção através do bulbo que envolve o
dispositivo, a luz emitida é então refletida por suas paredes até a direção desejada.
Por não possuírem um filamento incandescente, duram mais que as lâmpadas comuns,
chegando a funcionar por 20 mil horas, além de se adaptarem mais facilmente aos circuitos
modernos. Tanto sua tensão como corrente de operação são baixas.
Sua maior vantagem é a eficiência, pois não existe energia térmica liberada, sendo
assim uma maior porcentagem da energia elétrica fornecida é usada para a produção de luz,
economizando a demanda por energia elétrica.
Apesar de serem mais caros que as lâmpadas convencionais, em um longo prazo a
economia de energia compensa o investimento.
LEDs são mais resistentes a vibrações e choques mecânicos o que aumenta ainda mais
sua gama de aplicações.

44  
 5.5 DESVANTAGENS
As desvantagens no uso de LEDs são seu alto custo de produção em comparação com
outras lâmpadas, sua forte dependência com a temperatura de funcionamento, sua
sensibilidade a alterações de voltagem (o que implica na necessidade de um resistor), a baixa
qualidade da iluminação, que ainda não se compara a das lâmpadas convencionais, podendo
alterar a cor dos objetos por ele iluminados e sua maior complexidade tecnológica para
desenvolvimento, ainda não plenamente conhecida e não muito explorada no Brasil.

6. GERAÇÃO DE LUZ BRANCA BASEADA NA MISTURA

DE LEDS AZUL, VERMELHO E VERDE

Lâmpadas baseadas em LEDs de alto brilho RGB (vermelho, verde e azul) podem
produzir quase qualquer cor, inclusive luz branca. A eficiência luminosa da luz branca
emitida por lâmpadas de LED já ultrapassa a eficiência das lâmpadas incandescentes.
Existem dois tipos de geração de luz branca a partir de LEDs: utilizando fósforo ou
então LEDs multicoloridos (incluindo LEDs RGB). A combinação de LEDs RGB
proporciona uma eficiência maior comparada à dos LEDs de fósforo.
Existem vários tipos de LEDs brancos multicoloridos: di , tri e tetracromáticos.
Geralmente uma maior eficiência implica em uma renderização de cor mais baixa. Por
exemplo, LEDs brancos dicromáticos têm uma melhor eficiência luminosa (120 lm/W), mas
a menor capacidade de renderização cromática. Em contraponto, LEDs brancos
tetracromáticos têm uma excelente capacidade de renderização de cor, e conseqüentemente a
eficiência luminosa mais baixa. LEDs brancos tricromáticos estão intermediários, tendo
ambas boa eficiência luminosa (>70lm/W) e capacidade de renderização.
A obtenção de luz branca através de LEDs RGB apresenta alguns desafios. Deve ser
levado em consideração que para poder ser utilizada comercialmente em diversas aplicações
a uniformidade da cor na distribuição espacial da luz da lâmpada de LEDs deve estar em
níveis aceitáveis. Esta uniformidade é dificilmente alcançada, pois misturando um ou mais
LEDs vermelho, verde e azul, qualquer variação em uma das cores ou um LED sequer pode
causar uma variação significante na cor resultante.

45  
  

Figura 21 - Sistema de coordenadas uv (CIE 1964), mostrando as coordenadas de LEDs

InGaN e AlInGaP[5]
A figura acima mostra as coordenadas cromáticas obtidas com LEDs InGaN e
AlInGaP . A área dentro do triângulo representa as coordenadas de cor alcançáveis em uma
lâmpada de LEDs usando LEDs Azul (450nm), Verde (530nm) e Vermelho (650nm).
Qualquer coordenada de cor (incluindo branco) dentro deste triângulo pode ser obtida
combinando quantidades apropriadas das luzes dos LEDs vermelho, verde e azul.

6.1 MANUTENÇÃO DA COR E INTENSIDADE DA LUZ

Por ser um semicondutor, o LED tem suas características de emissão de luz afetadas
por vários fatores como temperatura e corrente.

Efeito da temperatura: A potência elétrica que é perdida em calor dissipado causa

um aumento de temperatura na junção pn do LED. A saída de luz do LED vermelho AlInGaP
é reduzida em 10% a cada aumento de 10 graus Celsius. Nos LEDs InGaN verde e azul a
mesma é reduzida em 5% e 2% respectivamente. O espectro do LED varia para
comprimentos de onda mais longos com um aumento de temperatura.

46  
  

Figura 22 - Variação nas coordenadas de cor como função da temperatura [5]

A figura acima mostra a variação das coordenadas de cor com a temperatura para
LEDs vermelho, verde e azul. O LED azul possui uma maior variação em comparação com
os LEDs vermelho e verde.

Efeito da idade: A emissão de luz dos LEDs brancos multicoloridos muda conforme
o tempo. Em geral, a emissão de luz decresce com o tempo e atinge 50% da emissão inicial
após 50 mil horas de operação. O que resulta em mudanças em um LED RGD que não podem
ser previstas.

Efeito da corrente: O espectro do LED branco multicolorido muda para

comprimentos de onda menores conforme o aumento da corrente. A variação resultante pode
ser observada no gráfico abaixo. Pode se observar que as variações no LED vermelho são
mínimas se comparadas com as variações dos LEDs verde e azul. Se essas grandes variações
não forem levadas em consideração, a precisão para obtenção da cor branca não poderá ser
mantida.

47  
  

Figura 23 - Variação nas coordenadas cromáticas de um LED RGB a uma temperatura

constante [5]
Questões térmicas: A eficácia luminosa da luz branca decai com o aumento da
temperatura como no gráfico abaixo:

Figura 24 - Degradação da luz branca (lm/W) com aumento da temperatura [5]

Concluindo, os LEDs brancos multicoloridos oferecem não somente uma alternativa
para produção de luz branca, mas também uma técnica nova de produção de diferentes cores
de luz. Embora, antes que esse tipo de LED possa ser produzido de forma viável, muitas
técnicas e problemas precisam ser resolvidos. O que inclui o fato da sua potência cair
exponencialmente com um aumento de temperatura, resultando em uma mudança drástica na
estabilidade da cor. Tais problemas não são aceitáveis para uso industrial e comercial.

48  
 7. GERAÇÃO DE LUZ BRANCA POR LEDS À BASE DE
FÓSFORO
 

Este método envolve o uso de filtros em um LED monocromático (o mais utilizado é

LED azul, feito de InGaN e o LED UV) . Uma fração das ondas de luz azul sofre um
aumento em seu comprimento. Dependendo da cor do LED original, fósforos de diferentes
corem podem ser utilizados. Se diversas camadas de fósforos de cores distintas são
empregadas, o espectro emitido é aumentado, aumentando efetivamente a renderização
cromática de um dado LED.
LEDs à base de fósforo têm mais baixa eficiência se comparados com LEDs normais
devido às perdas de calor e a outras degradações relacionadas com o fósforo, o que causa
uma mudança de cor nos objetos por ele iluminados. Porém, essa técnica é a mais
popularmente utilizada para produção de LEDs brancos de alta intensidade, sendo mais
simples que a técnica de mistura das cores primárias nos LEDs brancos multicoloridos.
A maior barreira para obtenção de uma maior eficiência são as aparentemente
inevitáveis perdas de energia, embora muito esforço tenha sido feito para otimização desses
dispositivos em busca de maior poder luminoso e temperaturas de operação mais altas. A
eficiência, por exemplo, pode ser aumentada utilizando-se tipos de fósforo mais suscetíveis.
Com o seu eminente desenvolvimento, a eficiência dos LEDs à base de fósforo cresce a cada
novo produto anunciado no mercado. OLEDs também são capazes de emitir luz branca de
acordo com a combinação de seus materiais componentes.

8. APLICAÇÕES PARA LEDS

 

O uso comercial do LED começou no final de 1960. Os primeiros LEDs, hoje

obsoletos, eram conhecidos como pequenas lâmpadas coloridas usadas como indicadores em
diversos tipos de aparelhos eletrônicos. Mais tarde LEDs foram utilizados em displays
alfanuméricos (compostos por pontos e barras), nas primeiras calculadoras e relógios
eletrônicos.
Com um maior desenvolvimento tecnológico atual, que envolve um aumento da
capacidade luminosa, da eficiência e uma diminuição do custo dos dispositivos, a gama de
aplicações para os LEDs tende a aumentar. As principais vantagens do LED sobre as outras

49  
lâmpadas é o menor consumo de energia elétrica e a maior durabilidade, que implica na
diminuição dos custos para manutenção.
Atualmente, LEDs são utilizados em semáforos e demais sinalizações de trânsito, em
displays alfanuméricos e de vídeo e sinalização em automóveis, pois seu poder de iluminação
é alto o suficiente para ser visível mesmo quando expostos à luz solar direta. Na área médica
os LEDs podem ser encontrados em fototerapia, terapia fotodinâmica (utilizada no combate
ao câncer) e polimerização de compostos dentários. Na área botânica LEDs são usados para
interferir no processo de fotossíntese das plantas, aumentando seu crescimento. Dentre os
instrumentos para medições óticas podemos encontrar LEDs em sensores de fluorescência e
espectroscopia.
É na iluminação que os LEDs, principalmente os emissores de luz branca, encontram
sua aplicação mais promissora. A proposta de uma iluminação geral feita por LEDs é garantir
um nível de iluminação uniforme em uma área. Incluindo iluminação residencial, de
escritório, industrial, de estabelecimentos como escolas e hospitais e também sinalizações em
estradas. A iluminação baseada em LEDs é uma aplicação em constante evolução,
apresentando muitas vantagens. O seu pequeno tamanho, e a possibilidade de direção da luz
oferecem uma facilidade de integração com elementos arquitetônicos e versatilidade em
design. Além disso, esta iluminação vai ao encontro dos padrões ambientais, pois LEDs não
contêm mercúrio e também possuem um baixo consumo elétrico com uma alta eficiência
luminosa. LEDs brancos de fósforo já superaram as lâmpadas incandescentes convencionais
em termos de eficiência luminosa e dispositivos com séries desses LEDs já alcançaram as
lâmpadas fluorescentes.
O maior impedimento desta aplicação é o alto custo em comparação com as outras
lâmpadas, porém, este empecilho está diminuindo por um fator de 10 a cada 10 anos.
Considerando a longa durabilidade dos LEDs, é esperado que a partir da segunda década do
século XXI não existam mais empecilhos para esta tecnologia.

50  
 Figura 25- Diversas aplicações para LEDs

9. PANORAMA SOBRE A ENERGIA ELÉTRICA NO

BRASIL
 

No Brasil, estima-se que 30% de toda a energia elétrica consumida é utilizada para
iluminação[4]. Isto significa que dos 444,6 TWh gerados em 2007[6], 133TWh foram

51  
necessários para tal fim. Se compararmos a energia elétrica gerada anualmente em Itaipu,
estimada em média de 90 TWh, concluímos que todo seu funcionamento em 2007 foi
destinado à iluminação [4]. Outra analogia pode ser feita considerando que se as lâmpadas
convencionais possuem uma eficiência em torno de 20% [1], 106,7 TWh foram gastos em
resíduo térmico dissipado. Considerando a atual estimativa da Eletronuclear [10] de que a
usina Angra III, ainda em construção, irá gerar anualmente 10,6 TWh , percebemos que
seriam necessárias dez usinas equivalentes para gerar somente o resíduo térmico dissipado.
De acordo com as expectativas de crescimento econômico no Brasil, nos
próximos anos serão necessários maiores investimentos em geração, transmissão e
distribuição de energia elétrica.A construção de novas usinas além do grande investimento
financeiro implica em alterações ambientais ( inundação e desapropriação de grandes áreas
para usinas hidrelétricas, aumento na emissão de CO2 para usinas termoelétricas). A simples
mudança na tecnologia em iluminação já quebra vários paradigmas na forma de consumo de
energia elétrica. Desta forma é possível investir menos na construção de novas usinas e
priorizar os recursos financeiros em outras áreas carentes da sociedade basileira.[4]

10. CONSIDERAÇÕES FINAIS

 

A iluminação geral a base de LEDs brancos, atualmente ainda na fase experimental,

se mostra se mostra muito promissora em termos de economia energética.
As aplicações para iluminação requerem um alto fluxo luminoso, cuja geração por
LEDs apresenta atualmente um custo mais elevado, porém, em um futuro próximo espera-se
uma queda em seu preço e o desenvolvimento de dispositivos mais eficientes que contribuam
para um uso mais racional da energia elétrica sem perda de qualidade para o consumidor e
que ofereçam ao nosso país alternativas para um melhor investimento de seus recursos
financeiros.

52  
11. REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS

[1] ZUKAUSKAS, A., SHUR, M. S., CASKA,R. “INTRODUCTION TO SOLID STATE LIGHTING”. NEW YORK.
WILEY, 2002.
[2] MILLMAN, J., HALKIAS, C. C. “ELETRÔNICA: DISPOSITIVOS E CIRCUITOS”.TÓQUIO.MCGRAW-HILL
KOGAKUSHA, 1981.
[3] Sze, S.M., Kwowk, K.Ng. “Physics of Semiconductor Devices”, 3 ed. Canada .Wiley,2007
[4] Tomioka,J., Mammana, A.P., Souza,G.P., Muller,S.L.R., Robert,R. “Novos Materiais de Estado
Sólido para Iluminação”. In: SEMINÁRIO NACIONAL DE PROUDUÇÃO E TRANSMISSÃO
DE ENERGIA ELÉTRICA, Curitiba – Paraná,2005.
[5] Muthu,S.;Schuurmans,F.J., Pashley,M.D."Red, Green, Blue LED based white light generation:
Issues and control".IEEE, 2002.
[6] EMPRESA DE PESQUISA ENERGÉTICA (BRASIL). “Balanço Energético Nacional2008: Ano
base 2007”. Empresa de Pesquisa Energética. Rio de Janeiro: EPE, 2008. 244p.

[7] How Light Emitting Diodes Work. Disponível em:

<http://electronics.howstuffworks.com/led3.htm> ACESSO EM: 1 JULHO DE 2008.
[8] Ministério de Minas e Energia. Disponível em: <http://www.mme.gov.br>.Acesso em: 1 jun.2009.

[9] Eletrobrás. Disponível em:<http://www.eletrobras.gov.br> Acesso em: 22 jun.2009.

[10] Eletronuclear. Disponível em: <http://www.eletronuclear.gov.br> Acesso em: 22 jun.2009

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