Tiristor

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Símbolo eléctrónico que representa al tiristor.

El tiristor (gr.: puerta) es un componente electrónico constituido por elementos

semiconductores que utiliza realimentación interna para producir una conmutación. Los
materiales de los que se compone son de tipo semiconductor, es decir, dependiendo de
la temperatura a la que se encuentren pueden funcionar como aislantes o como
conductores. Son dispositivos unidireccionales porque solamente transmiten la corriente
en una única dirección. Se emplea generalmente para el control de potencia eléctrica.

El dispositivo consta de un ánodo y un cátodo, donde las uniones son de tipo PNPN
entre los mismos. Por tanto se puede modelar como 2 transistores típicos PNP y NPN,
por eso se dice también que el tiristor funciona con tensión realimentada. Se crean así 3
uniones (denominadas J1, J2, J3 respectivamente), el terminal de puerta está conectado
a la unión J2 (unión NP).

Algunas fuentes definen como sinónimos al tiristor y al rectificador controlado de

silicio (SCR);1 otras definen al SCR como un tipo de tiristor, a la par que los
dispositivos DIAC y TRIAC.

Este elemento fue desarrollado por ingenieros de General Electric en los años 1960.
Aunque un origen más remoto de este dispositivo lo encontramos en el SCR creado por
William Shockley (premio Nobel de física en 1956) en 1950, el cual fue defendido y
desarrollado en los laboratorios Bell en 1956. Gordon Hall lideró el desarrollo en
Morgan Stanley para su posterior comercialización por G.E.'s Frank W. "Bill"
Gutzwiller.

Funcionamiento básico

El tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el equivalente electrónico de los

interruptor/ses mecánicos; por tanto, es capaz de dejar pasar plenamente o bloquear por
completo el paso de la corriente sin tener nivel intermedio alguno, aunque no son
capaces de soportar grandes sobrecargas de corriente. Este principio básico puede
observarse también en el diodo Shockley.

El diseño del tiristor permite que éste pase rápidamente a encendido al recibir un pulso
momentáneo de corriente en su terminal de control, denominada puerta (o en inglés,
gate) cuando hay una tensión positiva entre ánodo y cátodo, es decir la tensión en el
ánodo es mayor que en el cátodo. Solo puede ser apagado con la interrupción de la
fuente de voltaje, abriendo el circuito, o bien, haciendo pasar una corriente en sentido
inverso por el dispositivo. Si se polariza inversamente en el tiristor existirá una débil
corriente inversa de fugas hasta que se alcance el punto de tensión inversa máxima,
provocándose la destrucción del elemento (por avalancha en la unión).

Para que el dispositivo pase del estado de bloqueo al estado activo, debe generarse una
corriente de enganche positiva en el ánodo, y además debe haber una pequeña corriente
en la compuerta capaz de provocar una ruptura por avalancha en la unión J2 para hacer
que el dispositivo conduzca. Para que el dispositivo siga en el estado activo se debe
inducir desde el ánodo una corriente de sostenimiento, mucho menor que la de
enganche, sin la cual el dispositivo dejaría de conducir.

A medida que aumenta la corriente de puerta se desplaza el punto de disparo. Se puede

controlar así la tensión necesaria entre ánodo y cátodo para la transición OFF -> ON,
usando la corriente de puerta adecuada (la tensión entre ánodo y cátodo dependen
directamente de la tensión de puerta pero solamente para OFF -> ON). Cuanto mayor
sea la corriente suministrada al circuito de puerta IG (intensidad de puerta), tanto menor
será la tensión ánodo-cátodo necesaria para que el tiristor conduzca.

También se puede hacer que el tiristor empiece a conducir si no existe intensidad de

puerta y la tensión ánodo-cátodo es mayor que la tensión de bloqueo.

[editar] Formas de activar un tiristor

Luz: Si un haz de luz incide en las uniones de un tiristor, hasta llegar al mismo silicio,
el número de pares electrón-hueco aumentará pudiéndose activar el tiristor.

Corriente de Compuerta: Para un tiristor polarizado en directa, la inyección de una

corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo entre compuerta y cátodo lo
activará. Si aumenta esta corriente de compuerta, disminuirá el voltaje de bloqueo
directo, revirtiendo en la activación del dispositivo.

Térmica: Una temperatura muy alta en el tiristor produce el aumento del número de
pares electrón-hueco, por lo que aumentarán las corrientes de fuga, con lo cual al
aumentar la diferencia entre ánodo y cátodo, y gracias a la acción regenerativa, esta
corriente puede llegar a ser 1, y el tiristor puede activarse. Este tipo de activación podría
comprender una fuga térmica, normalmente cuando en un diseño se establece este
método como método de activación, esta fuga tiende a evitarse.

Alto Voltaje: Si el voltaje directo desde el ánodo hacia el cátodo es mayor que el
voltaje de ruptura directo, se creará una corriente de fuga lo suficientemente grande para
que se inicie la activación con retroalimentación. Normalmente este tipo de activación
puede dañar el dispositivo, hasta el punto de la destrucción del mismo.

dv/dt: Si la velocidad en la elevación del voltaje ánodo-cátodo es lo suficientemente

alta, entonces la corriente de las uniones puede ser suficiente para activar el tiristor. Este
método también puede dañar el dispositivo.
[editar] Aplicaciones

Normalmente son usados en diseños donde hay corrientes o voltajes muy grandes,
también son comúnmente usados para controlar corriente alterna donde el cambio de
polaridad de la corriente revierte en la conexión o desconexión del dispositivo. Se puede
decir que el dispositivo opera de forma síncrona cuando, una vez que el dispositivo está
abierto, comienza a conducir corriente en fase con el voltaje aplicado sobre la unión
cátodo-ánodo sin la necesidad de replicación de la modulación de la puerta. En este
momento el dispositivo tiende de forma completa al estado de encendido. No se debe
confundir con la operación simétrica, ya que la salida es unidireccional y va solamente
del cátodo al ánodo, por tanto en sí misma es asimétrica.

Los tiristores pueden ser usados también como elementos de control en controladores
accionados por ángulos de fase, esto es una modulación por ancho de pulsos para limitar
el voltaje en corriente alterna.

En circuitos digitales también se pueden encontrar tiristores como fuente de energía o

potencial, de forma que pueden ser usados como interruptores automáticos magneto-
térmicos, es decir, pueden interrumpir un circuito eléctrico, abriéndolo, cuando la
intensidad que circula por él se excede de un determinado valor. De esta forma se
interrumpe la corriente de entrada para evitar que los componentes en la dirección del
flujo de corriente queden dañados. El tiristor también se puede usar en conjunto con un
diodo zener enganchado a su puerta, de forma que cuando el voltaje de energía de la
fuente supera el voltaje zener, el tiristor conduce, acortando el voltaje de entrada
proveniente de la fuente a tierra, fundiendo un fusible.

La primera aplicación a gran escala de los tiristores fue para controlar la tensión de
entrada proveniente de una fuente de tensión, como un enchufe, por ejemplo. A
comienzo de los ’70 se usaron los tiristores para estabilizar el flujo de tensión de entrada
de los receptores de televisión en color.

Se suelen usar para controlar la rectificación en corriente alterna, es decir, para

transformar esta corriente alterna en corriente continua (siendo en este punto los
tiristores onduladores o inversores), para la realización de conmutaciones de baja
potencia en circuitos electrónicos.

Otras aplicaciones comerciales son en electrodomésticos (iluminación, calentadores,

control de temperatura, activación de alarmas, velocidad de ventiladores), herramientas
eléctricas (para acciones controladas tales como velocidad de motores, cargadores de
baterías), equipos para exteriores (aspersores de agua, encendido de motores de gas,
pantallas electrónicas...)
 SCR(Rectificador Controlado de Silicio):
Este es un pequeño dispositivo de tres terminales,
que hacen el mismo trabajo semicondudtor de un
diodo normal(deja pasar corriente en un solo
sentido), pero con la diferencia de que en éste se
puede controlar el momento en el cual pueden
comenzar a pasar los electrones.

Al primer terminal se le denomina Cátodo, y es

utilizado como entrada de corriente. El segundo
sirve de salida y se le llama Anodo y el tercero es
el Gate, o terminal de control para el paso de
corriente cátodo - ánodo. El gate, llamado también terminal de
arranque o encendido del tiristor, sólo sirve para iniciar el paso de
corriente entre los otros dos terminales, lo que logra con una
corriente muy baja(unos 20 miliamperios).

Podemos comparar un SCR con una puerta común, de esas que

tienen resorte y se cierran solas.

Vamos a suponer que un viento fuerte la golpea por uno de sus lados,
tratando de abrirla, Bastará con que alguien la abra o accione el
picaporte, para que el viento se encargue de abrirla y mantenerta así,
sin importar el estado del picaporte.

El viento, es equivalente al voltaje de los electrones presentes en el

terminal de control.

DIAC( Diodo Interruptor de Corriente

Alterna):
Este es un dispositivo controlado por voltaje,
el cual se comporta como dos diodos zener
puestos en contraparalelo, como ya lo
digimos: cuando el voltaje de cualquier
polaridad entre sus dos terminales excede el
valor especificado, entra en avalancha y
disminuye su resistencia interna a un valor
muy bajo. Esto significa que, si es colocado en paralelo con la salida
de una fuente de corriente alterna podrá recortar todos los picos
positivos y negativos que pasen del voltaje del umbral del diac.

Si es puesto en serie, solamente dejará pasar corriente cuando lleve

más tensión que la del gatillado para triacs en circuitos de corriente
alterna. El dispositivo tiene un rango simétrico de conmutación(en
ambos sentidos) de 20 a 40 voltios, tensión que usualmente excede
el punto de umbral del gate de los triacs, de tal forma que estos
trabajan siempre en un nivel seguro.

Si bien es cierto que el SCR se puede acondicionar para el manejo de

cargas alimentadas con corriente alterna, es un hecho que tal cosa no
es del todo práctica ni económica. Si se colocan 2 SCR en
contraparalelo se necesitan dos circuitos de control independientes
para el manejo de sus compuertas, lo cual le resta precisión al diseño
y por ende, aumenta los riesgos de fallas.

El diseño de los primeros TRIACs fue la respuesta a la necesidad

industrial de dispositivos tiristores que pudieran controlar en fase
todo el ciclo de una onda de corriente alterna, incorporando las
funciones de 2 SCRs dentro de una sola pastilla semiconductora, y
ambos controlados por un solo gate. Las características de
compuerta(gate) del TRIAC son muy diferentes de aquellas para dos
SCR en contraparalelo, para los SCR, se debe aplicar una señal
positiva de control entre el Gate 1 y el terminal principal 1 cuando el
terminal Principal 1 es negativo, y entre el Gate 2 y el terminal
Principal 2 sea negativo. Este método de operación requiere de dos
circuitos separados de compuerta.

En el TRIAC, el Gate 1 y el Gate 2 están conectados juntos y se

pueden operar con solamente un circuito de control conectado entre
las compuertas y el terminal Principal 1. El modo más fácil de
gatillado para control de corriente alterna, se obtiene polarizando
positivamente el terminal de compuertas cuando el Terminal Principal
1 sea positivo. En otras palabras, par poner en conducción en ambos
sentidos al TRIAC basta con darle al gate un poco de señal de la
misma corriente(polaridad) que haya en ese momento en el Terminal
Principal 2.

El gatillado para control de corriente alterna también es posible con

polarización negativa en el terminal de compuertas durante ambos
semiciclos. Para manejo de corriente directa, basta con suministrar al
gate una señal positiva de manera similar a como se controla un SCR.

Si ponemos en serie con el terminal del gate un dispositivo que

garantice pulsos de disparo con voltaje superior al nivel de umbral del
TRIAC(punto en el cual el triac no sabe si conducir o no),
obtendremos lo que se conoce como QUADRAC. Este dispositivo se
consigue ya integrado dentro de encapsulados iguales a los de los
triac, estos se reconocen por la referencia, por ejemplo: Q4006LT. El
número 400 señanla el voltaje del triac, el 6 indica la corriente de
trabajo en amperios, y las letras LT significan que tienen DIAC
incluido en el gate.
QUE ES EL IGBT:

La sigla IGBT corresponde a las iniciales de isolated gate bipolar

transistor o sea transistor bipolar de puerta de salida

El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia híbrido que

combina los atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta
tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de
entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. El símbolo más
comúnmente usado se muestra en la figura . Al igual que el
MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenómeno de ruptura
secundario como el TBJ.
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo
electrónico que generalmente se aplica a circuitos de potencia.
Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta
tensión. La tensión de control de puerta es de unos 15V. Esto
ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una
señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta.
El IGBT de la figura es una conexión integrada de un MOSFET y un
BJT. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET,
mientras que las características de conducción son como las del
BJT. El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de
hasta 20 KHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones

SIMBOLOGIA:

Es un componente de tres terminales que se denominan GATE (G)

o puerta, COLECTOR (C) y EMISOR (E) y su símbolo corresponde
al dibujo de la figura siguiente.

Su estructura microelectrónica es bastante compleja es por ello

que lo describimos en base a su esquema equivalente.

CURVA CARACTERISTICA IGBT:

COMO FUNCIONA:
Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto
significa que no existe ningún voltaje aplicado al gate. Si un voltaje
VGS es aplicado al gate, el IGBT enciende inmediatamente, la
corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de
bloqueo hasta cero. LA corriente ID persiste para el tiempo tON en el
que la señal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la
terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la
terminal S. LA señal de encendido es un voltaje positivo VG que es
aplicado al gate G. Este voltaje, si es aplicado como un pulso de
magnitud aproximada de 15, puede causar que el tiempo de
encendido sea menor a 1 s, después de lo cual la corriente de drain
iD es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una
vez encendido, el dispositivo se mantiene así por una señal de
voltaje en el gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la
disipación de potencia en el gate es muy baja.
EL IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje VG de la terminal
gate. La transición del estado de conducción al estado de bloqueo puede tomar
apenas 2 micro segundos, por lo que la frecuencia de conmutación puede estar en
el rango de los 50 kHz.
EL IGBT requiere un valor límite VGS(TH) para el estado de cambio
de encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V.
Arriba de este valor el voltaje VDS cae a un valor bajo cercano a los
2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el
gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente iD se
autolimita.
El IGBT se aplica en controles de motores eléctricos tanto de
corriente directa como de corriente alterna, manejados a niveles de
potencia que exceden los 50 kW.

CARACTERISTICAS A TENER EN CUENTA EN UN IGBT:

• IDmax Limitada por efecto Latch-up.

• VGSmax Limitada por el espesor del óxido de silicio.
• Se diseña para que cuando VGS = VGSmax la corriente de
cortocircuito sea entre
4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda
soportarla durante
unos 5 a 10 μs. y pueda actuar una protección electrónica
cortando desde
puerta.
• VDSmax es la tensión de ruptura del transistor pnp. Como α
es muy baja, será
VDSmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600,
1.200, 1.700,
2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV).
• La temperatura máxima de la unión suele ser de 150ºC (con SiC se
esperan
valores mayores)
• Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400
o 600 Amp.
• La tensión VDS apenas varía con la temperatura ⇒ Se
pueden conectar en
paralelo fácilmente ⇒ Se pueden conseguir grandes corrientes
con facilidad,
p.ej. 1.200 o 1.600 Amperios.
En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre
varios kW y un
par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.
A continuacion se presentan algunas de las presentaciones mas
comunes de un IGBT.