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Electrónica Analógica
1 Materiales semiconductores
1.1 Aspectos históricos de la electrónica.
1.2 Definición de electricidad y electrónica.
1.3 Materiales semiconductores.
1.4 Modelo atómico
1.5 Bandas de energía
1.6 Enlaces químicos
1.7 Materiales N y P
2 Diodos y sus aplicaciones en fuentes lineales
2.1 Estructura y funcionamiento
2.2 Modelo real e ideal
2.3 Tipos de diodos
2.3.1 Parámetros y Características eléctricas de los diodos de propósito general.
2.4 Aplicaciones
2.4.1 Rectificadores
2.4.2 Multiplicadores de voltaje
2.4.3 Recortadores y fijadores
2.4.4 Compuertas con diodos
2.5 Filtrado y regulación
2.5.1 Filtros para fuentes de poder
2.5.2 El diodo Zener como regulador de voltaje.
Electrónica Analógica
2.5.3 Reguladores integrados: fijos y variables
2.5.4 Diseño y simulación con software de Fuentes de poder lineal.
2.5.5 Construcción de una fuente de poder de regulación fija, variable y simétrica en
circuito impreso.
3 Transistor bipolar de Juntura (BJT) y transistor de efecto de campo FET
3.1 Estructura y funcionamiento
3.2 Configuraciones básicas
3.2.1 Emisor Común
3.2.2 Base común
3.2.3 Colector común.
3.3 Circuitos de polarización
3.4 Recta de carga
3.5 Parámetros y características eléctricas (Hojas de datos)
3.6 Simulación e implementación de circuito básico para encontrar la recta de carga del
transistor.
3.7 El transistor de efecto de campo (FET)
3.8 Construcción interna y polarización
3.9 Circuitos de polarización
3.10 Parámetros y características eléctricas (Hojas de datos)
3.11 Simulación e implementación de circuitos básicos con FET.
3.12 Diseño e implementación de un puente H con transistores BJT para el control de
inversión de giro de un motor de CD.
3.13 Optoaisladores con Salida a transistor y a Darlington
3.14 aplicación de circuitos utilizando transistores y optoacopladores.
4 Amplificadores operacionales.
4.1 El amplificador operacional ideal
4.2 Esquema interno
Electrónica Analógica
4.3 Parámetros y características eléctricas.
4.3.1. Relación de rechazo en modo común (CMRR).
4.3.2 Tensión de OFFSET
4.3.3. Corrientes de polarización
4.3.4 Tierra virtual.
4.4. Circuitos básicos.
4.4.1. Inversor,.
4.4.2 No inversor.
4.4.3. Comparador.
4.4.4. Sumador.
4.4.5 Restador.
4.4.6 Integrador y diferenciador
4.5. Circuitos convertidores.
4.5.1 De voltaje a corriente.
4.5.2 De corriente a voltaje.
4.5.3 De voltaje a frecuencia.
4.5.4 De frecuencia a voltaje.
4.6. Aplicaciones de circuitos operacionales
4.6.1. Comprobación de las leyes básicas de un Amplificador operacional.
4.6.2 Control de velocidad de u motor de CD con amplificador operacional.
4.6.3 Circuito temporizador con Amplificador
Fuentes de información
1. Boylestad, R.L, y Nashelsky L. (2009), Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos, 10ª edición, México, Ed. Pearson.
Electrónica Analógica
2. Comer D. y Comer D. (2005) Diseño de Sistemas Electrónicos, México D.F., Ed. Limusa-
Wiley
3. Coughlin R.F, y Driscoll F.F., (1999) Amplificadores Operacionales y circuitos integrados
lineales, 5ª edición. México, Ed. Pearson.
4. Edminister J. y nahvi, (2005), Circuitos Eléctricos y Electrónicos, 4ª Edición, México, Ed.
McGraw Hill
5. Franco, S., (2004) Diseño con Amplificadores Operacionales, 4ª Edición, México, Ed.
McGraw Hill.
6. Maciel S. J. (2011), Fuentes de alimentación, 1ª Edición, México, Ed. Noriega Editores.
7. Maloney T. J. (1997), Electrónica industrial moderno, 3ª edición, México, Ed. Pearson.
8. Malvino A. y Bates D. (2007), Principios de electrónica, 7ª Edición, México, Ed. Mcgraw
Hill.
9. Pleite, G.J., (2009), Electrónica Analógica para Ingenieros, España, Ed. McGraw-Hill
Interamericana de España.
10. Selva N.R. (2008), Dispositivos Electrónicos, 2ª Edición, Argentina, Ed. Nueva Librería.
Planeación curso:
Curso de verano materia electrónica analógica del 2 de julio al 26 de julio del 2018
Horas semana 4-2-6
6x16= 96 horas
Temas a vistos diarios: 63/19= 3.33 promedio de 4 temas diarios
1 Materiales semiconductores
1.1 Aspectos históricos de la electrónica.
En la actualidad los sistemas son increíbles más pequeños, las velocidades de operación
actuales son en verdad extraordinarias y cada día aparecen nuevos artefactos que hacen
que nos preguntemos hacia donde nos está llevando la tecnología. No obstante , si nos
detenemos un momento para considerar que La mayoría de los de todos los dispositivos
en uso fueron inventados hace décadas y que las técnicas de diseño que aparecen en
libros que datan de la década de 1930 se siguen utilizando, nos damos cuenta que la
Electrónica Analógica
mayor parte de lo que vemos es en principio una mejora continua de las técnicas de
construcción, las características generales y las técnicas de aplicación, en vez del
desarrollo de elementos nuevos y básicamente diseños nuevos.
Los cambios más importantes se han presentado en la comprensión de cómo funcionan
estos dispositivos y de su amplia gama de capacidades y en los métodos mejorados para
enseñar los fundamentos asociados con ellos.
La miniaturización que ha ocurrido en años recientes hace que nos preguntemos hasta
donde llegaran sus límites. Sistemas complejos ahora aparecen en obleas miles de veces
más pequeños que el elemento único de redes primitivas. Jack Kilby desarrolló el primer
circuito integrado (CI) (un oscilador de desplazamiento de fase) mientras trabajaba en
Texas Instruments en 1958 hoy en día, el procesador cuádruple Inter-Core Extreme 2
cuenta con 410 millones de transistores en cada chip de doble núcleo. Obviamente,
hemos llegado a un punto donde el propósito principal del contenedor es el de servir
como un medio de manejar el dispositivo o sistema y proporcionar un mecanismo de
conexión al resto de la red. La miniaturización adicional parece estar limitada por tres
factores: la calidad del material semiconductor, la técnica de diseño de redes y los límites
del equipo de fabricación y procesamiento.
Jack Kilby desarrollo el primer circuito integrado en el año 1958. Nacido: Jefferson
City. Missouri en 1923 maestro en ciencias de la universidad de Wisconsin.
Pregunta 1:---------------------------------------------------------------------------
1.2 Definición de electricidad y electrónica.
Definición de electricidad
Electrónica Analógica
*Forma de energía que produce efectos luminosos, mecánicos, caloríficos, químicos, etc.,
y que se debe a la separación o movimiento de los electrones que forman los átomos.
Definición de electrónica
Parte de la física que estudia los cambios y los movimientos de los electrones libres y la
acción de las fuerzas electromagnéticas y los utiliza en aparatos que reciben y transmiten
información.
(Se aplica para bajas potencias)
Pregunta: 2-----------------------------------------------------------------
1.3 Materiales semiconductores.
Los semiconductores son una clase especial de elementos cuya conductividad se
encuentra entre la de un buen conductor y la de un aislante.
En general los materiales semiconductores caen dentro de una de dos clases; de un solo
cristal y compuesto. Los semiconductores de un solo cristal como el germanio y el silicio
tienen una estructura cristalina repetitiva, en tanto que compuesto como el arsénico de
galio, el sulfuro de cadmio, el nitruro de galio y el fosforo de galio y arsénico se componen
de dos o más materiales semiconductores de diferente estructura atómica.
Los tres semiconductores más frecuentes utilizados en la construcción de dispositivos
electrónicos son: Germanio, Silicio,(galio-arsénico)GaAs.
Dentro de los semiconductores tenemos a los diodos y transistores.
1.4.-Modelo atómico
Modelo atómico Niels Bohr sabía que las principales objeciones al modelo atómico de
Rutherford eran que, de acuerdo a las leyes electromagnéticas de Maxwell, los electrones
irradiarían su energía en forma de ondas electromagnéticas y, por lo tanto, describirían
órbitas espirales que los irían acercando al núcleo hasta chocar contra él. Por lo cual, no
había ninguna esperanza de que los átomos de Rutherford se mantuvieran estables ni que
produjeran las nítidas líneas espectrales observadas en los espectroscopios.
Tomando como punto de partida el modelo de Rutherford, Niels Bohr trató de incorporar
en él la teoría de “cuantos de energía” desarrollada por Max Planck y el efecto
fotoeléctrico observado por Albert Einstein.
En 1913, Bohr postuló la idea de que el átomo es un pequeño sistema solar con un
pequeño núcleo en el centro y una nube de electrones que giran alrededor del núcleo.
Hasta aquí, todo es como en el modelo Rutherford.
a) que los electrones solamente pueden estar en órbitas fijas muy determinadas,
negando todas las demás.
b) que en cada una de estas órbitas, los electrones tienen asociada una
determinada energía, que es mayor en las órbitas más externas.
c) que los electrones no irradian energía al girar en torno al núcleo.
d) que el átomo emite o absorbe energía solamente cuando un electrón salta de
una órbita a otra.
e) que estos saltos de órbita se producen de forma espontánea.
f) que en el salto de una órbita a otra, el electrón no pasa por ninguna órbita
intermedia.
Electrónica Analógica
1.5Bandas de energía
Niveles de energía
Electrónica Analógica
Electrónica Analógica
Electrónica Analógica
1.7 Materiales N y P
Electrónica Analógica
Electrónica Analógica
Ver videos:
Preguntas: libro dispositivos electrónicos de Thomas L. Floyd
Electrónica Analógica
Practica:
Electrónica Analógica
Electrónica Analógica
Unidad 2
Diodos y sus aplicaciones en fuentes lineales
Ahora que los materiales tanto tipo n como tipo p están disponibles, podemos construir
nuestro primer dispositivo electrónico de estado sólido. El diodo semiconductor, con
aplicaciones demasiado numerosas de mencionar, se crea uniendo un material tipo n a un
material tipo p, nada más que eso; sólo la unión de un material con un portador
mayoritario de electrones a uno con un portador mayoritario de huecos. La simplicidad
básica de su construcción refuerza la importancia del desarrollo de esta área de estado
sólido.
2.1 Estructura y funcionamiento
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Electrónica Analógica
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2.4 Aplicaciones
2.4.1 Rectificadores
Rectificación de media onda y onda completa
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2.4.2 Multiplicadores de voltaje
Estos circuitos multiplicadores de voltaje se emplean para mantener un valor pico del voltaje de
transformador relativamente bajo al mismo tiempo que eleva el valor pico del voltaje de salida a
dos, tres, cuatro o más veces el voltaje pico rectificado.
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Fijadores o sujetadores
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Fig.2.93
Señal aplicada y red para el
Ejemplo 2.22
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2.4.4 Compuertas con diodos
Compuertas con diodos AND/OR
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El diodo zener es un dispositivo de silicio con unión pn diseñado para operar en la región de
ruptura en inversa. El voltaje de ruptura de un diodo zener se ajusta controlando cuidadosamente
el nivel de dopado durante su fabricación. Recuérdese, de cuando analizamos la curva
característica de diodo, que cuando un diodo alcanza la ruptura en inversa su voltaje permanece
casi constante aun cuando la corriente cambie drásticamente: esta es la clave para la operación
de un diodo zener. Esta característica de voltaje- corriente se muestra de nuevo en la fig.3-2 la
región de operación de diodos zener se muestra como un área sombreada.
Electrónica Analógica
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Zz=100x10-3/20x10-3 = 5Ω
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∆Vz= Vz X TC X ∆T
=12V (0.00075/0c (500c -250c)
= 0.225V
Vz+∆Vz=12 V+0.225V=12.225 V
Electrónica Analógica
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Los reguladores integrados. Estos dispositivos de gran utilidad aúnan todas las ventajas de una
completa fuente de alimentación en un solo encapsulado reduciendo el problema de un buen
diseño a unos pocos componentes.
Reguladores fijos
Cada uno de estos dispositivos posee sólo tres terminales, uno corresponde a la entrada de
tensión no regulada, otro es la salida regulada y el restante es la masa, común a ambos. En
cuanto al encapsulado, conviene aclarar que, si bien están disponibles en varios tipos,
generalmente se los suele encontrar en el encapsulado del tipo TO-220, correspondiente a una
corriente de salida de 1 Amper.
Resumiendo, y para comprender completamente la simplicidad de una fuente de alimentación
de este tipo, sólo basta observar el diseño de la siguiente figura:
REGULADOR:LM7808
VE=30CC
VO=8VCC
Como se observa, sólo fueron agregados dos capacitores al circuito integrado. Explicaremos la
función de cada uno de ellos. C1, que se halla a la entrada del regulador, filtra la tensión de
posibles transitorios y picos indeseables, mientras que C2, que se encuentra a la salida,
disminuye la tensión de rizado de salida, a la vez que evita oscilaciones.
En cuanto a la tensión de entrada, se puede ver que es de un rango muy amplio. Por ejemplo,
si el regulador elegido es uno de 12 voltios (LM7812), la tensión de entrada podrá ser de entre
15 y 39 voltios.
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Para realizar una fuente de alimentación fija completa, observemos la figura siguiente que
constituye sólo una modificación de la anterior:
En este diseño partimos directamente de la tensión alterna de red (220v), para lograr una
tensión perfectamente estable. Primeramente, como es lógico, la tensión es reducida A 48VCA
mediante un transformador. Luego, esta tensión alterna de bajo valor es rectificada por el
puente D1, obteniéndose así una señal de onda completa. Después la señal se filtra por medio
de C1 consiguiéndose de esta forma una tensión continua no estabilizada, que es inyectada al
circuito anterior para su regulación.
Vimos cómo se puede realizar de forma muy sencilla una fuente de tensión fija regulada.
Examinemos ahora las excelentes características que ésta posee a pesar de lo simple de su
diseño.
Comencemos por la regulación de línea, que es un parámetro que establece cuánto varía la
tensión de salida frente a variaciones en la tensión de entrada. Es posible comprobar que para
un cambio de 20 voltios a la entrada se produce una variación de sólo 4 milésimas de voltio a la
salida, con lo cual, podemos suponerla inmune a los cambios de tensión de entrada.
Otro parámetro importante es la denominada regulación de carga, que indica cuánto varía la
tensión de salida cuando la corriente varía de un mínimo al máximo. Nuevamente los resultados
obtenidos son excelentes: para una variación de corriente de 1,5 amperes, la tensión de salida
solamente se modifica en 10 milésimas de voltio.
Para un LM7805 ésta adopta un valor de 2 amperios. Si, en cambio, se trata de un LM7808 a un
7815 ésta es de 1,5A, mientras para reguladores de tensión superiores la corriente es de 1,2A.
Es importante aclarar que estos valores son válidos cuando se utiliza un disipador adecuado y
cuando la tensión de entrada no es superior en más 15 voltios con respecto a la de salida. Es
decir que Vent - Vsal<15V. Igualmente veremos algunos métodos para obtener mayor corriente de
salida de estos dispositivos.
Otra característica importante de esta línea es la protección térmica y contra corriente
excesiva: cuando la corriente que atraviesa al integrado adquiere un valor demasiado elevado o
cuando su temperatura es excesiva, el integrado disminuye la tensión de salida en forma
automática a cero. Debido a estas últimas características estos dispositivos son casi
indestructibles.
En resumen, con unos pocos componentes es posible fabricar, mediante el uso de reguladores
de tensión, una fuente de tensión fija con una salida tipo de 1,5A, cuya salida no varía en más
de 15mV para cualquier condición. Este tipo de fuente es más que suficiente para la mayoría de
las aplicaciones electrónicas.
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Reguladores de tensión negativa
Hasta ahora hemos conocido los reguladores fijos cuya tensión de salida es positiva con
respecto a masa. Sin embargo, también existe la serie análoga a la LM78XX, de similares
características, cuyas tensiones de salida son negativas con respecto a tierra. Dicha serie es la
79XX. Donde nuevamente las X son reemplazadas por los valores anteriormente mencionados.
Las características de esta serie son similares a la anterior en lo que respecta a regulación de
carga, de línea, rechazo al rizado y corriente de salida. La única diferencia, además claro está de
ser reguladores de tensión negativa, en la distribución de pines en el encapsulado.
A través de la combinación de ambas series es perfectamente factible el diseño de una fuente
de tensión simétrica como la indicada en la figura:
De esta forma obtenemos una fuente simétrica con las características de la anterior fuente
simple. Es necesario aclarar que, aunque no es conveniente, las tensiones de salida del
regulador positivo y negativo no tienen por qué ser las mismas. Sin embargo, es recomendable
que no sean muy diferentes una de la otra.
Para las aplicaciones en las que se requiere diseñar específicamente una fuente regulable de
amplio margen de salida, es altamente recomendable utilizar otro regulador el LM317. En
principio sus características son similares a cualquier 78XX, es decir un regulador positivo. Sin
embargo, posee una diferencia fundamental que lo hace ideal para fuentes regulables: su
tensión de referencia(la XX de la expresión anterior) es de sólo 1,25V, con lo ofrece la
posibilidad de un amplio rango de tensiones de salida.
Un diseño estimativo de una fuente de laboratorio, con las excelentes características de
regulación y rechazo de rizado ya comentadas, capaz de proveer una tensión de salida entre
1,25V y 25V es el siguiente:
Se observa que fueron agregados dos diodos y un capacitor con respecto al último circuito.
Tanto D2 como D3 evitan que se descargue el nuevo capacitor incluido a través del integrado. A
su vez dicho capacitor (C4 en este caso) mejora el rechazo al rizado elevándolo hasta los 80dB.
Para obtener el rango de salida indicado en la figura R1 debe ser de 220 ohm, R2 un
potenciómetro de 5 kohm y D1 y D2 cualquier diodo pequeño como, por ejemplo, 1N4001.
En cuanto a la corriente de salida, es de 1,5 amperios si se utiliza un disipador adecuado.
Observando con detenimiento el diseño, se notará que la corriente de salida circula ahora
también por RL. Al hacer esto provoca una caída de tensión sobre esta resistencia que, es a su
vez, la tensión VBE que se aplica al transistor T1. Cuando la mencionada tensión que cae sobre
RL sea levemente superior a 0,6 voltios T1 comenzará a conducir, evitando de esta forma el
grueso de la corriente pase por el regulador. De esta forma, y con el uso de uno o varios
transistores adecuados, se puede obtener a la salida del regulador casi cualquier corriente.
El cálculo de RL Resulta, según lo indicado arriba, muy sencillo. Entonces será:
RL=VBE/IL
En dónde VBE adopta un valor de 0,7 voltios e IL es la máxima corriente que debe circular por el
regulador. Un valor típico para esta corriente es de 1 amperio. Realizando los cálculos
obtenemos, que para un regulador estándar, RL es de 0.68 ohm 2W.
En cuánto a T1, sólo basta decir que puede ser cualquier transistor PNP que soporte la
corriente máxima de salida de la fuente. (ADVERTENCIA: dicha corriente es muy superior a IL).
Si es de gran valor es recomendable colocar dos o más transistores en configuración Darlington.
Electrónica Analógica
Emisor: que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga. Tipo P.
Base: la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Tipo N.
Colector: de extensión mucho mayor. Tipo P
NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se
refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a
que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación. Los
transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base")
entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en
configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector. La flecha en el
símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección en la
que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo
compartida. En una operación típica, la unión base-emisor está polarizada en directa y la
unión base-colector está polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando
una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el equilibrio entre los portadores
generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada se
desbalancea, permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la región
de la base. Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta
concentración cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al colector.
Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base
está dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en
la base.
Transistor NPN
PNP
Electrónica Analógica
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a
las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores
usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la
mayoría de las circunstancias. Los transistores PNP consisten en una capa de material
semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son
comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo
de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña
corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde
el emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y
apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo
está en funcionamiento activo.
Transistor PNP
Funcionamiento
En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras
que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan
la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa
al colector.
El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un
dispositivo simétrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que
el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. La
falta de simetría es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el
colector. La unión colector-base está polarizada en inversa durante la operación normal.
Pequeños cambios en la tensión aplicada entre los terminales base-emisor genera que la
corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto
puede ser utilizado para amplificar la tensión o corriente de entrada. Los BJT pueden ser
pensados como fuentes de corriente controladas por tensión, pero son caracterizados más
Electrónica Analógica
simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores
de corriente, debido a la baja impedancia de la base.
ESTADOS DE FUNCIONAMIENTO
Se diferencian tres estados de funcionamiento, que dependen de las características
dinámicas del circuito en el que va conectado. Estas características son:
ẞ =ganancia de corriente
ᵨ = resistividad de material
EFICIENCIA TRANSISTOR
Una forma de medir la eficiencia del BJT es a través de la proporción de electrones
capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la región del emisor y el
bajo dopaje de la región de la base pueden causar que muchos más electrones sean
inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La
ganancia de corriente emisor común está representada por hfe. Esto es
aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la
base en la región activa directa y es típicamente mayor a 100. Otro parámetro importante
es la ganancia de corriente base común,. La ganancia de corriente base común es
aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la región activa
directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y
0.998.El Alfa y Beta están más precisamente determinados por las siguientes relaciones
(para un transistor NPN):
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Perforación Base
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3.2 Configuraciones básicas
3.2.1 Emisor Común
3.2.2 Base común
3.2.3 Colector común.
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3.3 Circuitos de polarización
Unidad 5 libro
Electrónica Analógica
EL PUNTO DE OPERACIÓN EN CD
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3.4 Recta de carga
Electrónica Analógica
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3.5 Parámetros y características eléctricas (Hojas de datos)
Electrónica Analógica
3.6 Simulación e implementación de circuito básico para encontrar la recta de carga del
transistor.
Tarea:
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Hacer simulación:
Electrónica Analógica
En esta práctica su objetivo es observar los valores en miliampers que nos arroja con un
voltaje de entrada de 15v con eso observaremos que nuestros valore se acercan al rango
aceptable de 10.3 miliampers.
Transistor npn 2N3904.
PUENTE h
Esta práctica del puente h tiene como objetivo hacer cambios de giros a nuestro motor de
CD por medio de los reley u nuestros push boton
Electrónica Analógica
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Optoacoplador.
Este elemento no tiene un solo nombre definido, en español es más utilizado
optoacoplador (acoplador óptico), aunque puede llamarse optoaislador
(aislador óptico), de hecho en inglés también es llamado de diferentes maneras
siendo más aceptado Opto-isolator, también se le llama optocoupler.
La confusión viene de que hace las dos funciones, es aislante entre voltajes y a la
vez es acoplador de información por medio de la luz.
Básicamente es un led en un extremo y un elemento sensible a la luz en el otro
extremo, como un foto-transistor que a veces es presentado como un foto-diodo.
También hay con foto-triac presentado más abajo y algunos poco frecuentes con
compuerta lógica, SCR, etc. que veremos luego.
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Hace algunos años se utilizaba algo similar que constaba de una pequeña
lámpara incandescente empacada junto a una foto-resistencia para lograr una
función similar a la de los optoacopladores.
Transferir audio:
Para transferir audio se puede polarizar con menos de 2 mA. para obtener menor
deformación en el sonido.
En los relays de estado sólido se utiliza un optoacoplador con triac y un triac que
hace la función de relay.
Podemos utilizar los optoacopladores con triac MOC3041, MOC3042 y MOC3043.
La entrada en todos puede usarse con 20mA y se daña superando los 60mA.
La salida soporta hasta 400V y picos de 1 amperio.
Si el triac es muy sensible (sensitive gate triac) puede ser de varios miles de
ohmios(KΩ).
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MOC3010, MOC3011, MOC3012
Si vamos a utilizar 125VAC o menos, tambien podemos utilizar opto-triacs con las
numeraciones MOC3009, MOC3010, MOC3011 y MOC3012.
La diferencia entre ellos tiene que ver con la corriente de entrada a que se
garantiza que el foto-triac queda totalmente conectado
MOC3009 de 15 a 30mA,
MOC3010 de 8 a 15mA,
MOC3011 de 5 a 10mA,
Los foto-triacs MOC3010 y MOC3011 son comunes en las tiendas por internet
como eBay y AliExpress.
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Electrónica Analógica
También existen optoacopladores con otro tipo de componente a la salida, en la
entrada se comportan igual a los anteriores.
Por ejemplo con compuerta lógicas tenemos el 6N137 (TTL compatible), también
el H11L1 y el H11L2 (Salida CMOS), son menos comunes y los veremos en otra
entrada.