SEMICONDUCTORES

Un semiconductor es un material aislante que, cuando se le añaden ciertas

sustancias o en un determinado contexto, se vuelve conductor. Esto quiere
decir que, de acuerdo a determinados factores, el semiconductor actúa a modo
de aislante o como conductor.

Los semiconductores pueden ser intrínsecos o extrínsecos.

Los semiconductores intrínsecos (que también se conocen
como semiconductores extremadamente puros) son cristales que, a través de
enlaces covalentes entre los átomos, desarrollan una estructura de tipo
tetraédrico A temperatura de ambiente, estos cristales tienen electrones que
absorben la energía que necesitan para pasar a la banda de conducción,
quedando un hueco de electrón en la banda de valencia.

Tipos de semiconductores

Se pueden clasificar en dos tipos:

 Semiconductores intrínsecos: son los que poseen una conductividad

eléctrica fácilmente controlable y, al combinarlos de forma correcta,
pueden actuar como interruptores, amplificadores o dispositivos de
almacenamiento.

 Semiconductores extrínsecos: se forman al agregar a un

semiconductor intrínseco sustancias dopantes o impurezas, su
conductividad dependerá de la concentración de esos átomos dopantes.

Dependiendo de esas impurezas habrán dos tipos:

 Semiconductores de tipo n: En las redes de Si o Ge se introducen

elementos del grupo 15 los cuales debido a que tienen un electrón mas
en su capa de valencia que los elementos del grupo14 se comportan
como impurezas donadoras de electrones o portadores negativos.

 Semiconductores de tipo p: En este caso se introducen elementos del

grupo 13 que presentan un electrón menos en su capa de valencia, por
lo que se comportan como aceptores o captadores de electrones.
Aplicaciones de los semiconductores en dispositivos electrónicos

Actualmente se han desarrollado muchos dispositivos electrónicos, haciendo

uso de sus propiedades de transporte, algunos de estos semiconductores son;

 Termistores: Su conductividad depende de la temperatura que alcance.

 Transductores de presión: Cuando aplicamos presión a este tipo de
semiconductor, sus átomos se cierran, el gap de energía se estrecha y
esto conlleva aque su conductividad aumente considerablemente.
 Rectificadores (dispositivos de unión del tipo p-n): se producen uniendo
los semiconductores del tipo n y p, formando una unión del tipo p-n,
cuándo ocurre esto los electrones se concentran en la unión del tipo n y
los huecos en la unión p, este desequilibrio electrónico crea un voltaje
mediante la unión.
 Transistores de unión bipolar: este transistor se utiliza como interruptor o
amplificador, por lo general se utiliza en unidades de procesamiento
central de las computadoras por la eficiencia en dar una respuesta
rápida a la conmutación.
 Transistores de efecto de campo: son utilizados frecuentemente para
almacenar información en la memoria de los ordenadores. El transistor
de efecto de campo (FET), se comporta de forma algo distinta a los de
unión bipolar.
 DIODOS
El término diodo deriva de un vocablo griego que puede traducirse
como “pasaje angosto”. El concepto se emplea en el ámbito de
la electricidadpara nombrar a la válvula que cuenta con un par de electrodos y
solamente permite el paso de la corriente en un único sentido.

Los diodos son piezas electrónicas que tienen dos electrodos y que posibilitan
el avance de la corriente eléctrica en un solo sentido. Hasta una determinada
diferencia de potencial, los diodos funcionan como un circuito abierto que no
conducen la electricidad; sobre dicha diferencia, en cambio, actúan como un
circuito cerrado cuya resistencia es muy reducida.

Tipos de diodos

Diodo Zener: Al diodo Zener, también llamado diodo regulador de tensión,

podemos definirlo como un elemento semiconductor de silicio que tiene la
característica de un diodo normal cuando trabaja en sentido directo, es decir,
en sentido de paso; pero en sentido inverso, y para una corriente inversa
superior a un determinado valor, presenta una tensión de valor constante. Este
fenómeno de tensión constante en el sentido inverso convierte a los diodos de
Zener en dispositivos excepcionalmente útiles para obtener una tensión
relativamente invisible a las variaciones de la tensión de alimentación, es decir,
como dispositivos reguladores de tensión.
Diodo Varactor (Varicap): Este diodo, también llamado diodo de capacidad
variable, es, en esencia, un diodo semiconductor cuya característica principal
es la de obtener una capacidad que depende de la tensión inversa a él
aplicada.

Se usa especialmente en los circuitos sintonizadores de televisión y los de

receptores de radio en FM.

Representación en Circuito

Símbolo

Gráfica del Diodo

Diodo Túnel: Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de
manifiesto rápidamente al observar su curva característica, la cual se ve en el
gráfico. En lo que respecta a la corriente en sentido de bloqueo se comporta
como un diodo corriente, pero en el sentido de paso ofrece unas variantes
según la tensión que se le somete. La intensidad de la corriente crece con
rapidez al principio con muy poco valor de tensión hasta llegar a la cresta (C)
desde donde, al recibir mayor tensión, se produce una pérdida de intensidad
hasta D que vuelve a elevarse cuando se sobrepasa toda esta zona del valor
de la tensión.

Símbolo RepresentacióncircuitoGráfica
Fotodiodo: es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la
incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto
se polariza inversamente, con lo que se producirá una cierta circulación de
corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construcción, los
fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas, es decir, en ausencia de
luz exterior generan una tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y el
negativo en el cátodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el
nombre de corriente de oscuridad.

La función de los fotodiodos dentro de un pick-up es la de recuperar la

información grabada en el surco hipotético del CD transformando la luz del haz
láser reflejada en el mismo en impulsos eléctricos para ser procesados por el
sistema y obtener como resultado el audio o los datos grabados en el CD.

Símbolo Grafica

Diodo Gunn: Este diodo tiene características muy diferentes a los anteriores,
ya que no es rectificador. Se trata de un generador de microondas, formado por
un semiconductor de dos terminales que utiliza el llamado efecto Gunn.
Cuando se aplica entre ánodo y cátodo una tensión continua de 7 V, de modo
que el ánodo sea positivo con respecto al cátodo, la corriente que circula por el
diodo es continua pero con unos impulsos superpuestos de hiperfrecuencia que
pueden ser utilizados para inducir oscilaciones en una cavidad resonante. De
hecho, la emisión de microondas se produce cuando las zonas de campo
eléctrico elevado se desplazan del ánodo al cátodo y del cátodo al ánodo en un
constante viaje rapidísimo entre ambas zonas, lo que determina la frecuencia
en los impulsos.
Símbolos

Polarizados inversos y directos

Representación en Circuito

Curva del Diodo

Diodo Shockley: es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados

estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe
confundir con el diodo de barrera Schottky.

Está formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas

alternadamente. Es un tipo de tiristor.

La característica V-I se muestra en la figura. La región I es la región de alta

impedancia (OFF) y la III, la región de baja impedancia. Para pasar del estado
OFF al ON, se aumenta la tensión en el diodo hasta alcanzar Vs, tensión de
conmutación. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que
la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la tensión, hasta
alcanzar un nuevo equilibrio en la región III (Punto B). Para volver al estado
OFF, se disminuye la corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el
diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todavía más la corriente, mientras
aumenta la tensión en sus terminales, cruzando la región II, hasta que alcanza
el nuevo equilibrio en la región I
Símbolo

Representación en Circuito
 TRANSISTOR
Transistor (símbolo, tipos, curva característica y funcionamiento)

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos

capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo
p y una tipo n. al primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo
transistor pnp.

Para la polarización las terminales que se muestran en la figura 4.14 las

terminales se indican mediante las literales E para el emisor, C para el colector
y B para la base. Se desarrollará una apreciación de la elección de esta
notación cuando se analice la operación básica del transistor. La abreviatura
BJT, de transistor bipolar de unión (del ingles, Bipolar Junction Transistor),
suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El término bipolar refleja el
hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyección
hacia el material polarizado de forma opuesta. Si sólo se utiliza un portador
(electrón o hueco), entonces se considera un dispositivo unipolar.

Características de los Transistores:

 El consumo de energía es relativamente bajo.

 El tamaño de los transistores es relativamente más pequeño que los

tubos de vacío.

 El peso.

 Una vida larga útil (muchas horas de servicio).

 Puede permanecer mucho tiempo en deposito (almacenamiento).

 No necesita tiempo de calentamiento.

 Resistencia mecánica elevada.

 Los transistores pueden reproducir el fenómeno de la fotosensibilidad

(fenómenos sensibles a la luz).

Se describirá la operación básica del transistor utilizando el transistor pnp de la

figura 4.14a. La operación del transistor npn es exactamente la misma que si
intercambiaran las funciones que cumplen el electrón y el hueco. En la figura
4.15 se dibujo de nuevo el transistor pnp sin la polarización base - colector. El
espesor de la región de agotamiento se redujo debido a al polarización
aplicada, lo que da por resultado un flujo muy considerable de portadores
mayoritarios desde el material tipo p hacia el tipo n.

Ahora se eliminará la polarización base - colector del transistor pnp de la figura

4.14a, según se muestra en la figura 4.16. En resumen:

Una unión p-n de un transistor tiene polarización inversa, mientras que la otra
tiene polarización inversa ambos potenciales de polarización se aplicaron a un
transistor pnp, con el flujo resultante indicado de portadores mayoritarios y
minoritarios. Los espesores de las regiones de agotamiento, que indican con
claridad cuál unión tiene polarización directa y cuál polarización inversa. Habrá
una gran difusión de portadores mayoritarios a través de la unión p-n con
polarización directa hacia el material tipo n. Así, la pregunta sería si acaso
estos portadores contribuirán de forma directa a la corriente de base IB o si
pasarán directamente al material tipo p. Debido a que material tipo n del centro
es muy delgado y tiene baja conductividad, un número muy pequeño de estos
portadores tomará esta trayectoria de alta resistencia hacia la Terminal de la
base.

La magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el orden de

los micro amperes, comparando con mili amperes para las corrientes del
emisor y del colector. La mayor cantidad de estos portadores mayoritarios se
difundirá a través de la unión con polarización inversa, hacia el material tipo p
conectado a la Terminal del colector. La razón de esta relativa facilidad con la
cual los portadores mayoritarios pueden atravesar la unión con polarización
inversa se comprenderá con facilidad si se considera que para el diodo con
polarización inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecerán como
portadores con polarización inversa, los portadores mayoritarios inyectados
aparecerán como portadores minoritarios en el material tipo n.

En otras palabras, tuvo lugar una inyección de portadores minoritarios al

material de la región de la base tipo n. A la combinación de esto con el hecho
de que todos los portadores minoritarios en la región de agotamiento
atravesará la unión con polarización inversa de un diodo puede atribuírsele el
flujo.

Configuración de Base Común

Para la configuración de base común con transistores PNP y npn. La

terminología de la base común se deriva del hecho de que la base es común
tanto a la entrada como a la salida de la configuración. A su vez, por lo regular
la base es la terminal más cercana a, o que se encuentra en, el potencial de
tierra. A lo largo de este trabajo todas las direcciones de corriente harán
referencia al flujo convencional (huecos) en lugar de hacerlo respecto al flujo de
electrones. Para el transistor la flecha en el símbolo gráfico define la dirección
de la corriente del emisor (flujo convencional) a través del dispositivo.

Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres

terminales, como los amplificadores de base común se requiere de dos
conjuntos de características, uno para el punto de excitación o parámetros de
entrada y el otro para el lado de la salida. El conjunto de entrada para el
amplificador de base común relacionará la corriente de entrada (IE). El conjunto
de características de la salida o colector tiene tres regiones básicas de interés:
las regiones activa, de corte y de saturación. La región activa es la que suele
utilizarse para los amplificadores lineales (sin distorsión). En particular:

En la región activa la unión base - colector se polariza inversamente, mientras

que la unión emisor - base se polariza directamente.

La región activa se define mediante los arreglos de polarización de la figura

4.17. En el extremo más bajo de la región activa, la corriente del emisor (IE) es
cero; esa es la verdadera corriente del colector, y se debe a la corriente de
saturación inversa ICO, como lo señala la figura 4.18.

La corriente ICO real es tan pequeña (micro amperes) en magnitud si se

compara con la escala vertical de IC = 0. Las condiciones del circuito que
existen cuando IE = 0 para la configuración de base común se muestra en la
figura 4.19. La notación que con más frecuencia se utiliza para ICO en los
datos y las hojas de especificaciones es, como se indica en la figura 4.19,
ICBO.
Debido a las mejoras en las técnicas de fabricación, el nivel de ICBO para los
transistores de propósito general (en especial los de silicio) en los rangos de
potencia baja y mediana, por lo regular es tan bajo que puede ignorarse su
efecto. Sin embargo, para las unidades de mayor potencia ICBO, así como Is,
para el diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la
temperatura. A mayores temperaturas, el efecto de ICBO puede convertirse en
un factor importante debido a que aumenta muy rápidamente con la
temperatura.

En la región de corte, tanto la unión base - colector como la unión emisor -

base de un transistor tienen polarización inversa.

En la región de saturación, tanto la unión como el emisor - base están en

polarización directa.

Colector Común

La configuración de colector común se utiliza sobre todo para propósitos de

acoplamiento de impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de
entrada y una baja impedancia de salida, contrariamente a las de las
configuraciones de base común y de un emisor común.

La figura 4.21 muestra una configuración de circuito de colector común con la

resistencia de carga conectada del emisor a la tierra.

Obsérvese que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el

transistor esté conectado de manera similar a la configuración del emisor
común. Desde un punto de vista de diseño, no se requiere de un conjunto de
características de colector común para elegir los parámetros del circuito de la
figura 4.21. Puede diseñarse utilizando las características de salida para la
configuración de colector común: son la mismas que para la configuración de
emisor común.

CONCLUSIÓN

Hemos observado que los diodos son elementos importantes en la electrónica,

que para su comprensión hay que estar al tanto de ciertos conocimientos
relativos a su funcionamiento y comportamiento.
Los diodos son de gran versatilidad, se pueden implicar en muchos aspectos
con el propósito de resolver algún problema.

Para nosotros uno de los aspectos más importantes de los mismos es que no
se quedan en un solo tipo de diodo; más bien se los ha desarrollado en formas
que extienden su área de aplicación.

BIBLIOGRAFÍA

Como complemento importante dentro de la investigación realizada para

obtener el presente trabajo se encontraron varias páginas web en la red
mundial de datos "Internet" que nos explican claramente los conceptos
necesarios en el tema "Diodos" pero por su importancia en contenido y alto
grado de sencillez se escogieron dos 2 de ellas

Electrónica Básica, Diodos Semiconductores, Pag. 19-34

Van Valkenburgh, Nooger & Neville, Inc

Ed. Bell S.A.

Electrónica General, Tomo I, Tecnología Electrónica, Semiconductores, Pag.

251-260.

Luis Gómez de Tejada y Sanz

Ed. PARANINFO S.A.

Internet

http://www.ieec.uned.es/ieec/documentos/ffi-ieec/apl_html/capit_11/c1.htm

Internet

http://www.ieec.uned.es/ieec/documentos/ffi-ieec/apl_html/capit_11/c111.htm

DISPOSITIVO DE CUATRO CAPAS.

Una familia de dispositivos conocidos como tiristores se construye con cuatro
capas semiconductoras (pnpn). Estos dispositivos actúan como circuitos
abiertos capaces de soportar cierto voltaje nominal hasta que son disparados.
Cuando son disparados, se encienden y se convierten en trayectorias de baja
resistencia para la corriente y permanecen así, incluso después de que
desaparece el disparo.
La palabra tiristor viene del griego y significa “puerta”, puesto que se comporta
como una puerta que se abre y permite el paso de corriente a través de ella. Un
tiristor es un dispositivo semiconductor que utiliza realimentación interna para
producir un nuevo tipo de conmutación. Al igual que los FET de potencia, el
SCR y el triac pueden conmutar grandes corrientes. Por ello, la principal
aplicación de estos dispositivos es el control de grandes corrientes de carga
para motores, calentadores, sistemas de iluminación y otras cargas
semejantes.
En sí, el tiristor es un conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez,
el tiristor es un componente idóneo en electrónica de potencia. El Triac por su
parte no es sino la variante bidireccional.

Rectificador controlado de Silicio.

El rectificador controlado de silicio (en inglés SCR: Silicon Controlled Rectifier)

es un tipo de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con
estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unión de Tiratrón
(tyratron) y Transistor.

Un SCR posee tres conexiones: ánodo, cátodo y gate (puerta). La puerta es la

encargada de controlar el paso de corriente entre el ánodo y el cátodo.
Funciona básicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo
circular la corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensión
en la puerta del SCR no se inicia la conducción y en el instante en que se
aplique dicha tensión, el tiristor comienza a conducir. El pulso de disparo ha de
ser de una duración considerable, o bien, repetitivo. Según se atrase o
adelante éste, se controla la corriente que pasa a la carga. Una vez arrancado,
podemos anular la tensión de puerta y el tiristor continuará conduciendo hasta
que la corriente de carga disminuya por debajo de la corriente de
mantenimiento. Trabajando en corriente alterna el SCR se desexcita en cada
alternancia o semiciclo. Trabajando en corriente continua, se necesita un
circuito de bloqueo forzado.

Cuando se produce una variación brusca de tensión entre ánodo y cátodo de

un tiristor, éste puede dispararse y entrar en conducción aún sin corriente de
puerta. Por ello se da como característica la tasa máxima de subida de tensión
que permite mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al
condensador parásito existente entre la puerta y el ánodo.

DIAC

El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor de dos

conexiones. Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente sólo
tras haberse superado su tensión de disparo, y mientras la corriente circulante
no sea inferior al valor característico para ese dispositivo. El comportamiento es
fundamentalmente el mismo para ambas direcciones de la corriente. La
mayoría de los DIAC tienen una tensión de disparo de alrededor de 30 V. En
este sentido, su comportamiento es similar a una lámpara de neón.

Los DIAC son una clase

de tiristor, y se usan normalmente para disparar los triac, otra clase de tiristor.

Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados ánodo y cátodo.

Actúa como un interruptor bidireccional el cual se activa cuando el voltaje entre
sus terminales alcanza el voltaje de ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20
y 36 volts según la referencia.
DIAC de tres capas

Existen dos tipos de DIAC:

DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexión de base y
con las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo
permanece bloqueado hasta que se alcanza la tensión de avalancha en la
unión del colector. Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor
conductor, produciéndose un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo
simétrico, funciona igual en ambas polaridades, intercambiando el emisor y
colector sus funciones.
DIAC de cuatro capas: Consiste en dos diodos Shockley conectados en
antiparalelo, lo que le da la característica bidireccional.

TRIAC.

El triac es fundamentalmente un diac con una terminal de compuerta para

controlar las condiciones de disparo del dispositivo bilateral en cualquier
dirección, en el triac en cualquier dirección la corriente de compuerta puede
controlar la acción del dispositivo. Para cada dirección posible de conducción
hay una combinación de capas semiconductoras cuyo estado se controla
mediante la señal aplicada a la terminal de compuerta

Un triac puede conducir en ambas

direcciones, y normalmente se utiliza en el control de fase de corriente alterna.

Se puede considerar como si fueran dos SCR conectados en antiparalelo, con
una conexión de compuerta común.
Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1, el TRIAC se
puede activar aplicando una señal de compuerta positiva entre la compuerta G
y la terminal MT1. Si la Terminal MT2 es negativa con respecto a la terminal
MT1, se aplicará una señal negativa de compuerta entre G y la terminal MT1.
En si el TRIAC se puede activar tanto con una señal positiva como con una
negativa de compuerta.

Aplicaciones de los Tiristores.

Normalmente son usados en diseños donde hay corrientes o voltajes muy

grandes, también son comúnmente usados para controlar corriente
alterna donde el cambio de polaridad de la corriente revierte en la conexión o
desconexión del dispositivo. Se puede decir que el dispositivo opera de forma
síncrona cuando, una vez que el dispositivo está abierto, comienza a conducir
corriente en fase con el voltaje aplicado sobre la unión cátodo-ánodo sin la
necesidad de replicación de la modulación de la puerta. En este momento el
dispositivo tiende de forma completa al estado de encendido. No se debe
confundir con la operación simétrica, ya que la salida es unidireccional y va
solamente del cátodo al ánodo, por tanto en sí misma es asimétrica.

Ejemplo.

En esta aplicación, se ha seleccionado un diodo Shockley con una tensión de

conducción de 10 V. Por tanto, si la tensión de la fuente es correcta, es decir,
de 9 V, el diodo está abierto, no circula corriente por él y la lámpara estará
apagada. Pero si la tensión de la fuente supera, por una falla en su
funcionamiento una tensión de 10 V, el diodo entra en saturación y la lámpara
se enciende. Permanecerá encendida (y el diodo cerrado) aunque la tensión
vuelva a 9V, mostrando de esta manera que ha habido una falla. La única
forma de apagar la lámpara sería desconectar la alimentación.
 CIRCUITOS INTEGRADOS
Concepto

Los circuitos integrados digitales (CI) son un agrupamiento de resistencias,

diodos y transistores fabricados en una sola pieza de material semiconductor
(generalmente silicio) denominado sustrato, que comúnmente recibe el nombre
de chip (circuito integrado). El chip se encuentra dentro de un receptáculo
plástico o cerámico del cual se extienden pines para conectar el CI con otros
dispositivos. Uno de los tipos más comunes de receptáculo es el doble en línea
(DIP),denominado así porque contiene dos filas paralelas de pines. Los pines
se enumeran en el sentido contrario a las manecillas del reloj, cuando se ve
desde arriba del receptáculo con respecto a una muesca o un punto de
identificación en un extremo del receptáculo. El DIP puede ser un receptáculo
de 14 pines que puede medir desde menos de 1cm hasta 3cm, también se
usan receptáculos de 16, 20,24, 28, 40, y 64 pines.

El chip de silicio está conectado a los pines del DIP mediante alambres muy
finos (1 milésima de pulgada de diámetro). El DIP probablemente es el
receptáculo de CI digital más común que se puede encontrar en un equipo
digital viejo, pero otros tipos se están popularizando cada vez más.

Los CI digitales con frecuencia se clasifican de acuerdo a la complejidad de su

circuitería, ya que se miden por el número de compuertas lógicas equivalentes
en el sustrato. Los CI más simples son chips SSI (integración de pequeña
escala; small scale Integration), que tienen un número pequeño de compuertas.
En los sistemas digitales modernos los dispositivos con integración a mediana
escala (MSI) y grandes escalas (LSI, VLSI, ULSI, GSI) realizan la mayoría de
las funciones que en alguna ocasión requerirían varias tarjetas de circuito
impreso llenas de dispositivos SSI.

1. Circuitos integrados bipolares y unipolares

Los CI digitales también se pueden clasificar de acuerdo al tipo principal de

componente electrónico usado en su circuitería. Los CI bipolares son los que
se hacen empleando el transistor bipolar de unión (NPN Y PNP) como el
elemento principal del circuito. Los CI unipolares son los que incluyen el
transistor unipolar de efecto de campo (MOSFET de canal P y canal N) como
elemento principal.

La familia TTL (lógica transistor–transistor; transistor–transistor logic)ha sido la

familia principal de CI digitales bipolares durante más de 30 años. La estándar
74 fue la primera serie de CI TTL. Ya no se usa en diseños nuevos y ha sido
reemplazada por varias series TTL de mayor desempeño, pero su
configuración básica de circuito forma la base para todas las series CI TTL.
Esta configuración de circuito se muestra en la figura para el INVERSOR TTL
estándar. Observe que el circuito contiene varios transistores bipolares como
elemento principal del circuito.

La TTL fue la familia de CI líder en las categorías SSI y MSI durante los diez
años pasados. Desde entonces su posición de líder se ha visto amenazada por
la familia CMOS, la cual ha desplazado gradualmente a la familia TTL de esa
posición. La familia CMOS (semiconductor metal–óxido complementario;
Complementary metal– oxide semiconductor)pertenece a la clase de CI
digitales unipolares debido a que usa MOSFET de canal P y N como elementos
principales del circuito. Si comparamos los circuitos TTL y CMOS de la figura
anterior, es claro que en la versión CMOS se usan menos componentes. Esta
es una de las ventajas principales que tiene la familia CMOS sobre la TTL.

2. La familia TTL
Actualmente la familia lógica TTL consta de varias subfamilias o series. En la
tabla se lista el nombre de cada serie TTL junto con la designación del prefijo
usado para identificar a qué serie pertenecen los diferentes CI.

Por ejemplo, los CI que son parte de la serie TTL estándar tienen un número de
identificación que inicia con 74, los 7402, 7438, y 74123 son CI que pertenecen
a esta serie. De la misma manera, los CI que son parte de la serie TTL
aSchottky de baja potencia tiene un número de identificación que inicia con
74LS. Los 74LS02, 74LS38 y 74LS123 son ejemplos de dispositivos de la serie
74LS.

Las diferencias principales en las diversas series TTL tienen que ver con sus
características, tales como disipación de potencia y velocidad de conmutación.
Los circuitos no difieren en la disposición de los pines u operaciones lógicas
que realizan los circuitos en el chip. Por ejemplo, los CI 7404, 74S04, 74LS04,
74AS04 y 74ALS04 son todo hexa–INVERSORES, cada uno con seis
INVERSORES en un solo chip.

3. La familia CMOS

La serie 4000 es la serie CMOS más antigua; contiene muchas de las mismas
funciones lógicas que la familia TTL, pero no fue diseñada para ser compatible
con los pines de los dispositivos TTL. Por ejemplo, el chip cuádruple NOR 4001
contiene cuatro compuertas NOR de dos entradas, igual que el chip TTL 7402,
pero las entradas y salidas de las compuertas en el chip CMOS no tendrán el
mismo número de pines que las señales correspondientes en el chip TTL.Las
series 74C, 74HC, 74HCT, 74AC y 74ACT son series CMOS recientes. Las tres
primeras tienen pines compatibles con dispositivos TTL correspondientemente
numeradas. Por ejemplo, los 74C02, 74HC02, y 74HCT02tienen la misma
configuración de pines que los 7402, 74LD02, etc. Las series 74HC y 74HCY
operan a menor velocidad que los dispositivos 74C. La serie 74HCT está
diseñada para ser electrónicamente compatible con dispositivos TTL; es decir,
un circuito integrado 74HCT se puede conectar directamente a dispositivos sin
ninguna circuitería de interfaz. Las series 74AC y 74ACT son CI de desempeño
avanzado. Ninguna tiene pines compatibles con la serie TTL.

La configuración que se conoce como un arreglo “complementario” de

MOSFET y se abrevia “CMOS”; tiene extensas aplicaciones en el diseño de
lógica de computación. La impedancia de entrada relativamente alta, las
rápidas velocidades de conmutación y los bajos niveles de potencia de
operación de la configuración CMOS dan por resultado una disciplina
totalmente nueva que se llama “diseño lógico CMOS”.

Al observar la figura (a), un inversor es un arreglo complementario de uso muy

efectivo. Esto es, si los niveles lógicos de operación son 0 V (BAJO) y 5 V
(ALTO), un nivel de entrada de 0 V dará por resultado un nivel de 5V y
viceversa. Se observa en la figura (a) que ambas entradas están conectadas a
la señal de entrada y los dos drenajes a la salida VO. La fuente del MOSFET
de canal–p (Q2) está conectada.

1) Características CMOS

La familia CMOS de circuitos integrados compite directamente con la TTL en

las áreas de integración de pequeña y mediana escala SSI y MSI). Como la
tecnología CMOS ha producido cada vez mejores características de
desempeño gradualmente ha tomado el campo que dominaron los TTL durante
mucho tiempo. Los dispositivos TTL estarán en el mercado por cierto tiempo
más, pero en equipos nuevos se usarán cada vez más los circuitos lógicos
CMOS.

Los circuitos integrados CMOS no sólo proporcionan las mismas funciones

lógicas disponibles en los TTL, sino que también ofrecen funciones de
propósito especial que no poseen los TTL. Se han desarrollado varias series
CMOS deferentes con el paso del tiempo, ya que los fabricantes han buscado
mejores características de desempeño.