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III.

Dispositivos Electrónicos de
Control de Potencia

Electrónica Industrial

Aprendizaje Esperado: Distingue dispositivos


electrónicos de potencia, utilizados en circuitos de
control industrial, a través de presentación o
exposición oral.
Sebastián Díaz Azúa

1
Ingeniería electrónica
• La Ingeniería electrónica es una rama de la ingeniería, basada en la
electrónica, que se encarga de resolver problemas de la ingeniería tales
como el control de procesos industriales, la transformación de la
electricidad para el funcionamiento de diversos tipos y tiene aplicación en la
industria, en las telecomunicaciones, en el diseño y análisis de
instrumentación electrónica, microcontroladores y microprocesadores.

Campos de Acción:
1 Electrónica de potencia
2 Computadores o electrónica digital
3 Control de procesos industriales
4 Telecomunicaciones
5 Ingeniería de componentes
Tipos de electrónica

Electrónica de Electrónica
comunicacione Analógica
s
Tipos de electrónica

Instrumentación
Electrónica
Electrónica,
Digital
Bioelectrónica...
Tipos de electrónica

Electrónica de Electrónica de
Dispositivos y Potencia
Microelectrónica
Electrónica de
Potencia:

Se denomina electrónica de potencia a la rama de


la ingeniería eléctrica que consigue adaptar y
transformar la electricidad, con la finalidad de alimentar
otros equipos, transportar energía, controlar el
funcionamiento de maquinas eléctricas, etc.
Electrónica de
Potencia:
Se refiere a la aplicación de dispositivos
electrónicos, principalmente semiconductores, al control
y transformación de potencia eléctrica. Esto incluye
tanto aplicaciones en sistemas de control como de
suministro eléctrico y principalmente industrial.
Principal objetivo de la
Electrónica de Potencia:

“El principal objetivo de esta


disciplina es el procesamiento de
energía con la máxima eficiencia posible, por lo que se evitan
utilizar elementos resistivos, potenciales generadores de pérdidas
por efecto Joule. Los principales dispositivos utilizados por tanto
son bobinas y condensadores, así como semiconductores
trabajando en modo corte/conducción (on/off).”Generalmente estos
dispositivos cuentan con dos etapas bien definidas, el Sistema de
Control y el Sitema de Potencia.
Electrónica de potencia 
transformación de la energía eléctrica

Circuito de
Fuente Potencia Carga
Primaria
- Red - Resistencia
- Baterías - Baterías
- Panelas solares - Lámparas
- Generadores Eólicos gobierno información
- Motores
- Etc. - Etc.

Circuito de
Control o mando
Convertidores de la Energía
eléctrica o Grupos Estáticos:

Conversión de potencia es el proceso de convertir


una forma de energía en otra, esto puede incluir
procesos electromecánicos o electroquímicos.
Dichos dispositivos son empleados en equipos que se
denominan convertidores estáticos de potencia,
clasificados en:
Tipos de conversión de la energía

CA / CC CC / CC
Rectificador Regulador
de continua

CA / CA CC / CA
•Cicloconvertidor Inversor
•Reg. alterna
Clasificación de Convertidores
de la Energía eléctrica:

• Rectificadores: convierten corriente alterna en


corriente continua.
• Inversores: convierten corriente continua en
corriente alterna.
• Ciclo conversores: convierten corriente alterna
en corriente alterna.
• Choppers: convierten corriente continua en
corriente continua.
Aplicaciones de
Convertidores de Energía:
• Fuentes de alimentación: En la actualidad han
cobrado gran importancia un subtipo de fuentes de
alimentación electrónicas, denominadas fuentes de
alimentación conmutadas.

• Control de motores eléctricos: La utilización de


convertidores electrónicos permite controlar
parámetros tales como la posición, velocidad o par
suministrado por un motor.

• Calentamiento por inducción: Consiste en el


calentamiento de un material conductor a través del
campo generado por un inductor. La alimentación
del inductor se realiza a alta frecuencia.

• Otros: sistemas de alimentación ininterrumpida,


sistemas de control del factor de potencia, balastos
electrónicos para iluminación a alta frecuencia
Convertidores CA/CC: rectificadores
Rectificadores no controlados
VE

Rectificador
monofásico V V
E O
de onda completa VO

UR US UT
UR
DR
+ VO
US
Rectificador +
DS

trifásico UT
de media onda +
DT
VO
Convertidores CA/CC: rectificadores
Rectificadores controlados
Principio de funcionamiento

CC de tensión
AC FILTRO variable

Control del ángulo de disparo 

UR  US UT
UR
TR
+

Rectificador VO
US
TS
controlado +

trifásico de UT
TT  PULSOS DE DISPARO DE TR
media onda +
VO
Convertidores CC/CC: reguladores
Convertidores CC/CC sin transformador

Reductor
VE VS

Elevador
VE VS

ALTA FRECUENCIA  TAMAÑO REDUCIDO


Convertidores CC/CA: inversores
Inversor de onda cuadrada en medio puente

Q1
ON OFF ON
VE
2 Q1 Q2
OFF ON OFF
VE
VE
2 Q2 VO
2
VE
2

Alterna
Convertidores de potencia: aplicaciones
Sistemas de alimentación ininterrumpible
SAI on-line

CA/CC
INVERSOR Carga
AC
crítica

Batería

SAI off-line
Batería
CA/CC
AC INVERSOR Carga
crítica

Fallo de
red
Convertidores de potencia: aplicaciones
Sistemas de alimentación de motores
AC

AC Rectificador CC Inversor M Motor trifásico


de inducción
Tensión y
frecuencia
Variador variable

 Control de velocidad y par


del motor
 Permite arranque suave
 Se puede conseguir frenado
regenerativo del motor
Convertidores de potencia: aplicaciones
Sistemas fotovoltaicos
La energía se
produce y almacena
en continua. Se
convierte en alterna
para inyectarla a la
red de suministro.
Convertidores de potencia: aplicaciones
Precipitadores electrostáticos
Se hace pasar los humos a través de un
campo eléctrico intenso. Las partículas en
suspensión se ionizan. La carga eléctrica
que adquieren se emplea para separarlas
de la corriente principal.

Rectificador 100kV
Semiconductores de Potencia

22
Introducción
Los circuitos electrónicos de potencia convierten la
energía eléctrica de un tipo en otro utilizando dispositivos
electrónicos. Estos circuitos funcionan utilizando
dispositivos semiconductores como interruptores, para
controlar la tensión o la corriente.
Dispositivos de Control de Potencia

Dos estados:
• Conducción: Los interruptores se
modelan como cortocircuitos.
• Corte: Los interruptores se modelan
como circuitos abiertos.

• Las transiciones entre estos dos estados son instantáneas.


con perdidas prácticamente nulas.

23
Diodos de potencia

El diodo es el interruptor electrónico más simple. No se puede controlar,


son las tensiones e intensidades del circuito los que determinan los estados de
conducción y corte.
DIODOS DE POTENCIA

24
DIODOS DE POTENCIA

25
Diodos de potencia

El Si es el elemento semiconductor más empleado . Los


diodos de potencia tienen una estructura más compleja que los
de baja potencia.
DIODOS DE POTENCIA

26
Diodos de potencia

El paso de un estado a otro no es instantáneo y en


dispositivos en los se trabaja a alta frecuencia, es muy
importante el tiempo de paso entre estados, puesto que éste
acotará las frecuencias de trabajo.
DIODOS DE POTENCIA

27
DIODOS DE POTENCIA

28
DIODOS DE POTENCIA

29
DIODOS DE POTENCIA

30
DIODOS DE POTENCIA

31
DIODOS DE POTENCIA

32
DIODOS DE POTENCIA

33
DIODOS DE POTENCIA

34
DIODOS DE POTENCIA

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TIRISTORES

Los Tiristores son una familia de dispositivos


semiconductores de cuatro capas (pnpn), que se
utilizan para controlar grandes cantidades de
corriente mediante circuitos electrónicos de bajo
consumo de potencia.
La palabra Tiristor, procedente del griego,
significa puerta. El nombre es fiel reflejo de la
función que efectúa este componente: una puerta
que permite o impide el paso de la corriente a través
de ella. Así como los transistores pueden operar en
cualquier punto entre corte y saturación, los
tiristores en cambio sólo conmutan entre dos
TIRISTORES

estados: corte y conducción.

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Tipos de Tiristores

SCR (Silicon Controlled Rectifier)


A este dispositivo se le suele llamar Tiristor

DIAC

TRIAC

GTO
TIRISTORES

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Tiristor
Sus aplicaciones son variadas, dentro de los cuales
están como controlador de relés, circuitos de retardos
de tiempo, fuente de alimentación reguladas,
interruptores estáticos (como protección), controles de
motores, inversores, ciclo-convertidores, cargadores de
baterías, controles para calefacción y controles de fase
(ángulo)
TIRISTORES

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SCR (SILICON CONTROLLED
RECTIFIER).

El SCR es un dispositivo de cuatro capas


que posee tres terminales: ánodo, cátodo y
puerta (gate). Presenta dos estados de
operación: abierto y cerrado, como si se
tratase de un interruptor.
TIRISTORES

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SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Es uno de los semiconductores más antiguos


1957 General Electric Research Laboratories

Tiene una enorme capacidad de manejar potencia


Son muy robustos
Seguirá teniendo aplicaciones debido a que es de los
semiconductores con mayor capacidad de manejar potencia
TIRISTORES

Estructura de 4 capas

40
SCR IA Ánodo
A
Característica V-I
Puerta VAK

Cátodo K
IA Polarización directa: una vez
disparado, conduce como un diodo

Polarización directa: si no se
ha disparado, no conduce

VAK
Zona de transición
TIRISTORES

Con polarización inversa se comporta como un diodo: no conduce

41
El SCR se apaga de forma natural cuando la corriente pasa por cero
Características de V-I

IT

Conducción
IL
IH
TIRISTORES

Bloqueo inverso Bloqueo directo


42
Parámetros eléctricos
estáticos

• VDRM ; Voltaje Max. en bloqueo directo.


• IDRM; Corriente Max. en bloqueo directo.
• VRRM; Voltaje Max. de bloqueo inverso.
• IRRM; corriente Max. de bloqueo inverso.
• VTM; voltaje de conducción.
• IH; corriente de mantenimiento mA.
• IL; corriente de enganche.
TIRISTORES

• IT; corriente de trabajo, en conducción.

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Encapsulados de SCR

ADD A PACK MAGN A PACK

PACE PACK

TO-200
TIRISTORES

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Características de disparo

Para disparar el SCR hay que introducir corriente por la puerta

Para que el disparo sea efectivo, se deben de cumplir dos condiciones:

1. La corriente de puerta debe ser superior a un cierto valor

IG Zona de disparo seguro

Ningún SCR se dispara


TIRISTORES

VGK

No se garantiza el disparo

45
Características de disparo

2. Hay que mantener el disparo hasta que la corriente ánodo-cátodo


sobrepase un cierto valor que se llama Corriente de Enclavamiento
(Latching Current)

IA Sigue conduciendo

ILATCHING

Se apaga

IG
TIRISTORES

Una vez disparado, el SCR sigue conduciendo


aunque no tenga corriente en puerta
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Características de disparo

El SCR se puede llegar a disparar por derivada de tensión


Si la tensión ánodo-cátodo cambia muy bruscamente, puede
inducirse corriente en la puerta y entrar en conducción

i
VAK dVAK
grande
dt
TIRISTORES

47
Apagado del SCR

Idealmente, cuando la corriente que circula entre ánodo y cátodo


llega a cero, el SCR se apaga de forma natural

En realidad, se apaga cuando la corriente baja hasta un cierto valor


llamado Corriente de mantenimiento (holding current)

IA

Corriente de Corriente de
enclavamiento mantenimiento
(p.ej 1 A)
(p.ej 600mA)
TIRISTORES

48
Apagado del SCR

Hay dos tipos de apagado:

• Apagado estático
IA
• Apagado dinámico

IMANTENIMIENTO
El apagado estático se utiliza en
aplicaciones de red (50 Hz) VAK
El tiristor se apaga de forma natural

El apagado dinámico se utiliza en


aplicaciones de frecuencia más elevada IA
s
(1 - 20 kHz)
TIRISTORES

Se requiere un circuito externo para


apagar el SCR de forma forzada VAK

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Ejemplo de funcionamiento
V1

Disparo

R1 VR

V1
VR
VT
TIRISTORES

VT

50
DIAC
No es un interruptor

Una vez disparado se comporta como un diodo


Cuando su corriente pasa por cero, se apaga
Para dispararlo hay que sobrepasar una tensión característica VDIAC
que suele ser de 30 V.
Es totalmente simétrico
IT12
T1

T2 VT12
- 30 V 30 V
TIRISTORES

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Aplicaciones: se suele usar para disparar TRIACs y tiristores
EL TRIAC

• Este dispositivo es simular


al diac pero con un único
terminal de puerta (gate).
Se puede disparar
mediante un pulso de
corriente de gate y no se
requiere alcanzar un
voltaje como el diac.
• En la curva característica
se indica que para
diferentes disparos, es
decir, para distintas
TIRISTORES

corrientes aplicadas en
gate, el valor de es distinto.

52
EL TRIAC

Para que este dispositivo deje de


conducir, como en el resto de los
casos, hay que hacer bajar la
corriente por debajo del valor IH.
Al igual que el SCR, se emplean
para controlar la potencia
suministrada a una carga. El triac
puede dispararse de tal modo que la
potencia en alterna sea suministrada
a la carga durante un tiempo
determinado de cada ciclo. La
diferencia con el SCR es que se
puede disparar tanto en la parte
positiva que en la negativa del ciclo,
de tal manera que la corriente en la
TIRISTORES

carga puede circular en los dos


sentidos.

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TRIAC

Funciona como un tiristor


Al dispararlo, conduce hasta que la corriente pasa por cero

Es bidireccional. Conduce en ambos sentidos


Se puede disparar con corrientes entrantes y salientes

T1 G T2

Su uso es común en aplicaciones de “baja” potencia (pero relativamente


TIRISTORES

alta comparada con la potencia de muchos sistemas de alimentación)

200, 400, 600, 800, 1000 V


Especificaciones típicas
1- 50 A 54
GTO Gate Turn-Off Thirystor

K
G

• En muchas aplicaciones, el hecho de no poder


apagar el SCR es un grave problema
• El GTO solventa ese inconveniente
• Con corriente entrante por puerta, se dispara
TIRISTORES

• Con corriente saliente por puerta, se apaga

• Se utiliza en aplicaciones de mucha potencia


• Es muy robusto
55
GTO

Su principal inconveniente es su baja ganancia de


TIRISTORES

corriente durante el apagado, lo cual obliga a manejar


corrientes elevadas en la puerta, complicando el circuito
de disparo.

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GTO

• Soporta altas tensiones


• Puede manejar corrientes elevadas
• La caída de tensión en conducción es relativamente baja

• El GTO es básicamente igual que un SCR


• Se han modificado algunos parámetros constructivos para
poder apagarlo por puerta
• Se pierden algunas características (solución de compromiso).
Por ejemplo, la corriente de disparo es mayor.

• Caída de tensión en conducción ligeramente superior al SCR


• Algo más rápido que un SCR
TIRISTORES

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58
Transistor Bipolar (BJT)

Los transistores son utilizados


como interruptores en los circuitos de
potencia. Los circuitos de polarización
están diseñados para que estos estén
completamente saturados (activados) o
en corte (desactivados).
El estado de conducción se
consigue proporcionando suficiente
TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)

corriente de base para llevar el BJT a


saturación. La tensión de saturación
colector-emisor típica es de 1V a 2V para
un BJT de potencia.
Una corriente de base nula hace
que el transistor se polarice en corte.

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BJT
Los BJT de potencia están disponibles con valores
nominales de hasta 1200V y 400A. Se suelen usar en
convertidores que operan hasta 10 Khz. Actualmente han
sido reemplazados por los MOSFETS e IGBTs.
TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)

60
BJT
El BJT de potencia normalmente tiene una ß baja. Por
ejemplo si ß=20 y va a conducir una corriente de 60A, la corriente
de base tendrá que ser mayor que 3A para saturar el transistor.
TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)

Para lograr estas altas corriente de base se usa la


configuración DARLINGTON donde la ganancia de corriente de
la combinación es aproximadamente igual al producto de las
ganancias individuales y puede reducir la corriente extraída del
circuito de polarización.
61
MOSFET

El MOSFET es un dispositivo controlado por tensión. Un


tensión puerta-fuente (VGS) lo suficiente grande (VGS> VTH)
activará el dispositivo, dando lugar a una pequeña tensión
drenador fuente (VDS).

En el estado de conducción las variaciones de VDS son


linealmente proporcionales a ID , por tanto en estado de
conducción el MOSFET puede modelarse como una resistencia
denominada RDS(ON).
MOSFET

62
Transistor MOSFET
Los MOSFETs de baja tensión tienen resistencias de
conducción menores a 0,1, mientras que los MOSFETs de
alta tensión tienen de conducción de unos cuantos ohmios.

Los valores nominales de los transistores MOSFET llegan a


alcanzar hasta 1000V y 50A, teniendo unas velocidades de
MOSFET

conmutación mayores que los BJT usándose en convertidores


que operan por encima de los 100khz.
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Ventajas de los MOSFET
frente a los BJT:

• La velocidad de conmutación para los MOSFET está


en el orden de los nanosegundos, por esto son muy
usados en convertidores de pequeña potencia y alta
frecuencia.

• Los Mosfet no tienen el problema de segunda


ruptura (coeficiente positivo de temperatura).

• Circuito de mando más simple.

• Alta impedancia de entrada.


MOSFET

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Inconvenientes de los
MOSFET:

• Son muy sensibles a las descargas electrostáticas y


requieren un embalaje especial.

• Es relativamente difícil su protección.

• Son más caros que sus equivalentes bipolares.

• La resistencia estática entre Drenador-Surtidor, es


más grande, lo que provoca mayores perdidas de
potencia cuando trabaja en Conmutación.
MOSFET

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El transistor Bipolar de Puerta Aislada
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Este dispositivo aparece en los años 80


Mezcla características de un transistor bipolar y de un MOSFET
La característica de salida es la de un bipolar pero se controla por
tensión y no por corriente

MOSFET Bipolar
EL IGBT DE POTENCIA

G
E

Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)


Facilidad de manejo (MOSFET)

Menor capacidad de conmutación (Bipolar)


No tiene diodo parásito 66
Estructura del IGBT

Es similar a la de un MOSFET
Sólo se diferencia en que se añade un sustrato P bajo el sustrato N

Es el dispositivo más adecuado para tensiones > 1000 V


EL IGBT DE POTENCIA

El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V


En los valores intermedios depende de la aplicación, de la frec.,etc.

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El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:

• Bajo ciclo de trabajo


• Baja frecuencia (< 20 kHz)
• Aplicaciones de alta tensión (>1000 V)
• Alta potencia (>5 kW)

Aplicaciones típicas del IGBT


EL IGBT DE POTENCIA

• Control de motores
• Sistemas de alimentación ininterrumpida
• Sistemas de soldadura
• Iluminación de baja frecuencia (<100 kHz)
y alta potencia

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Gran capacidad de manejo de corriente

Comparación IGBT-MOSFET con el mismo área de semiconductor

El IGBT tiene menor caída de tensión

Menores pérdidas en conducción

Problema:
Coeficiente de temperatura negativo
EL IGBT DE POTENCIA

A mayor temperatura, menor


caída de tensión

Conduce más corriente

Se calienta más
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Esto es un problema para paralelizar IGBTs
Encapsulados de IGBT

Módulos de potencia
TO 220

MTP
TO 247
EL IGBT DE POTENCIA

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Resumiendo:
Dispositivos de Control de Potencia

Diodos de Potencia Tiristores (SCR)


 Diodos de tres capas  Sólo control de
 Mayor sección encendido
 Problemas de velocidad  Muy robustos
 Problemas térmicos  Baja frecuencia
 Tecnología muy madura
Ánodo
Puerta
p+ Cátodo

n- p- n+
n-
n+ p+
Cátodo
Cátodo Ánodo

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Resumiendo:
Dispositivos de Control de Potencia

GTO Transistor bipolar


 Control de encendido y apagado  Control de encendido y
(difícil) apagado (dificultad media)
 Muy robustos  Robustos
 Baja frecuencia (mayor que los  Media frecuencia (mayor que
SCR’s) los SCR’s y los GTO’s)

Puerta Cátodo
Base Emisor
n+ p
p- n- -
p+ n- n+
Cátodo
Ánodo
Colector

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Resumiendo:
Dispositivos de Control de Potencia

MOSFET de potencia IGBT


 Fácil control de encendido y  Fácil control de encendido y
apagado apagado
 Alta frecuencia (mayor que  Frecuencia entre BJT y MOSFET
los otros)  Casi como un BJT en
 Resistivo en conducción conducción

Puerta Fuente Emisor


Puerta
p
n-
n- p-
n+ n+
p+
Drenador Colector

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Dispositivos empleados en los
convertidores de potencia
MARGEN DE POTENCIA (V·A)
SCR
107
106
105 GTO
104
103 BJT MOSFET
IGBT
102
Resumiendo

10 102 103 104 105 106 107 108


FRECUENCIA (Hz)

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