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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE
ING.ELECTRÓNICA Y
ELÉCTRICA

Apellido y Nombre: Código:

 Piscoya Andrade Luis  16190082


 Morales Vela Erick  16190132
 Ramos López Brandon  16190183
 Guerrero Corne César  16190124

Curso: Tema:

LABORATORIO CIRCUITOS EL AMPLIFICADOR CLASE B EN


ELECTRÓNICOS II SIMETRÍA COMPLEMENTARIA

Informe: Fechas: Nota:

FINAL Realización: Entrega:


Numero:
Julio del 2018 16 de julio del
2018
9
Grupo: Profesor:

Numero: 7
ING. CÓRDOVA RUIZ RUSSEL
Horario: Lunes 18:00 – 20:00
FIEE-UNMSM. PISCOYA, MORALES, GUERRERO, RAMOS. AMPLIFICADOR REALIMENTADO (EN CASCADA).
2

AMPLIFICADOR CLASE B EN SIMETRÍA


COMPLEMENTARIA
PISCOYA LUIS, MORALES ERICK, GUERRERO CÉSAR, RAMOS BRYAN

luisfpa152328@gmail.com, erick.morales@unmsm.edu.pe, cesargc_dn97@hotmail.com,


brando_789@hotmail.com

Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica – UNMSM

Resumen- En esta experiencia uno La salida de cada transistor me dará


de los principales objetivos fue el semiciclo positivo y negativo de la
experimentar las propiedades del señal con lo cual a la salida
amplificador clase B en simetría tendremos una señal sinusoidal igual
complementaria , analizar el a la entrada.
comportamiento de este circuito con
Índice de términos: Amplificador,
fuente de alimentación única y doble
clase B, simetría complementaria,
, con lo cual usamos en esta
distorsión de cruce por cero.
experiencia los equipos y materiales
de laboratorio de siempre a
diferencia de dos transistores
complementarios ósea uno PNP y el I. INTRODUCCIÓN
otro NPN, en particular uno de los
métodos que usamos en el Los amplificadores de clase B se
desarrollo de la experiencia fue caracterizan por tener intensidad
primero hallar la corriente de casi nula a través de sus transistores
saturación haciendo corto el colector cuando no hay señal en la entrada
y emisor del primer transistor ,luego del circuito. Ésta es la que polariza
generamos un voltaje alterno y los transistores para que entren en
aumentamos este lentamente hasta zona de conducción, por lo que el
observar en la señal de salida un consumo es menor que en la clase
recorte en la señal de salida ,luego A, aunque la calidad es algo menor
nos fijamos en que la señal presenta debido a la forma en que se
una distorsión con lo cual transmite la onda. Se usa en
concluimos que las características sistemas telefónicos, transmisores
más importantes del amplificador de seguridad portátiles, y sistemas
clase B en simetría complementaria de aviso, aunque no en audio.
son : tienen rendimientos elevados Los amplificadores de clase B
pero necesitan dos transistores para tienen etapas de salida con corriente
ofrecer una señal de salida de forma de polarización infinita. Tienen una
igual a la entrada, en la señal de distorsión notable con señales
salida se presentó una distorsión de pequeñas, denominada distorsión de
corte . cruce por cero, porque sucede en el
El transistor conduce corriente de punto que la señal de salida cruza
solo la mitad del ciclo de la señal. por su nivel de cero volt a.c. y se
debe justamente a la falta de

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polarización, ya que en ausencia de  2 transistores complementarios


esta, mientras la señal no supere el (2N3904 y 2N3906)
nivel de umbral de conducción de los  2 diodos 1N4148
transistores estos no conducen  9 resistores de 1/4W: 10Ω (2),
100Ω, 680Ω, 2.2KΩ (2) y 4.7KΩ
(2)
 Condensadores de 1uF/25V,
10uF/25V y 100uF/25V
 Protoboard
 Cables de conexión diversos
 Computadora con Multisim

B. Esquemas
El circuito a estudiar es un
amplificador de potencia clase B de
Este tipo de amplificador es uno de
simetría complementaria:
los más utilizados y emplea dos
transistores complementarios (uno
NPN y otro PNP) de manera que uno
amplifica el semiciclo positivo de la
señal y el otro el semiciclo negativo.
Tal amplificador es llamado
AMPLIFICADOR DE SIMETRIA
COMPLEMENTARIA.
Se denominan transistores
complementarios (o par machado o
matched pair) a un par de
transistores tipo PNP y NPN cuyas
características de ganancias,
corrientes, tensiones, potencias,
etc., son iguales o muy similares.

II. MATERIALES Y MÉTODOS


A. Equipos, materiales y
herramientas utilizados Este amplificador de potencia será
analizado y posteriormente se le
 Osciloscopio harán algunas modificaciones para
 Generador de señales observar las diferencias.
 Fuente de alimentación doble
Notas para la implementación del
 Multímetro
circuito:
 Puntas de prueba de
osciloscopio -Sobre el transistor: Hay que tener
en cuenta la disposición de las patas

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de este dispositivo, es decir, la C. Procedimiento


posición de la base, el emisor y el
Nota: Todas las tablas mencionadas
colector. En las siguientes imágenes
en este apartado, serán mostradas
lo mostraremos:
en la sección RESULTADOS.
1. Implementamos el circuito de la
figura 9.1. Calculamos IC1,sat
(impuesto por el valor Vcc).
Anotamos este valor en la tabla
9.1.

Como se puede observar, es la


misma distribución de patas tanto
para un transistor NPN como para un
PNP.

-Sobre el condensador: El circuito


nos solicita el uso de condensadores
electrolíticos, los cuales presentan
una determinada polarización que se
debe respetar. A la pata más corta le
corresponde el negativo y a la más 2. Calculamos el 2% del IC1,sat y
larga el positivo. anotamos este valor en la tabla
9.1.
3. Energizamos el circuito de la
figura 9.1 con Vcc = 5V.
4. Medimos las tensiones DC en
las bases de los transistores, en
los emisores y en la carga RL.
5. Pusimos el generador a una
frecuencia de 1KHz y ubicamos
el nivel de la señal de salida del
-Sobre el diodo 1N4148: Para la generador a 2Vpp.
implementación del diodo, bastará 6. Observamos la señal de salida
con seguir la dirección de en los extremos de la resistencia
conducción mostrada en la imagen de 100Ω.

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en que aparezca un recorte en la


La distorsión observada es señal de salida.
denominada distorsión por
cruce.
13. Anotamos el voltaje de salida
7. Superponemos en el pico a pico en la tabla 9.2
osciloscopio las señales de 14. Usando el multímetro como
entrada y salida y observamos el voltímetro de alterna, medimos
umbral de conducción de los el valor RMS del voltaje de salida
transistores. y lo anotamos en la tabla 9.2. A
continuación, calculamos y
anotamos el valor de la potencia
disipada en la carga.

15. Armamos el circuito de la figura


9.3. Con el generador en 0V
medimos las tensiones
continuas en las bases y
emisores de los transistores, así
como en la carga RL.
8. Reducimos la señal del Completamos la tabla 9.3 en
generador a cero y conectamos base a los valores medidos.
el multímetro como amperímetro
en serie con el colector del
transistor superior (NPN).
9. Lentamente incrementamos Vcc
hasta que ICQ = 1 Ma. Quitamos
el amperímetro y reconectamos
el colector superior a la fuente
Vcc.
10. Utilizando el multímetro,
medimos el Vbe de uno de los
transistores y lo anotamos en la
tabla 9.2.
11. Aumentamos el nivel de señal
hasta obtener en la salida una
señal de 8Vpp.
12. Lentamente aumentamos el
nivel de la señal hasta el punto
16. Medimos la corriente de reposo
de los transistores.

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17. Repetimos el paso 5 y


observamos si hay distorsión en
nuestra señal de salida.

18. Repetimos los pasos 11, 12 y 14.


Completamos la tabla 9.4 con los
valores medidos.

Señal de salida de 8 Vpp

Señal de entrada VS señal de salida

Aun cuando aumentamos el nivel de


la señal del generador, no se pudo
observar distorsión en la señal de
salida.

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