Universidad de Talca

Facultad de Ingeniería
Escuela de Ingeniería Civil de
Minas

Extracción y procesamiento
del silicio para fabricar
discos duros de estado solido
SSD

Alumnos:
Álvaro Andrés Bravo Albornoz
Felipe Nicolás Cáceres Vergara
Nicolas Eduardo Morales Jélvez

Profesional responsable:
Lina Marcela Uribe Vélez

Curicó – Chile
2018
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Minas

Abstract

The purpose of this research has been to study silicon nitride and the importance of this as the ceramic
material that is composed of the NAND flash memories inserted into the solid states drives. The
research begins by determining the minerals associated with silicon and the deposits from which it is
carried out, where the Chilean deposits are very far in terms of production compared with the leader
in silicon production at the world level: China.
Processes are studied since silicon is found in nature in the form of quartz ore until it becomes that
small piece of high-tech. These processes act in the first instance to convert silicon from a metallurgical
grade to an electronic grade, which meets the specifications that the memory industry demands.
However, as mentioned above, this investigation focused on the study of silicon nitride, so that
electronic grade silicon obtained after a series of processes should have been subjected to nitriding, in
which an atmosphere of oxygen at high temperatures achieves a piece of silicon nitride ready to be
worked in the laboratories of the memory producing companies.
Once silicon nitride parts are shipped to labs, processes become more complex and quality standards
are more demanding to deliver a premium product to the public. Then, it was concluded that silicon
nitride is the perfect material, partly because of its resistance to high temperatures, for the manufacture
of these small pieces where many processes occur at a microscopic level.

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Introducción
En tiempos en que se necesita acceder a fuentes de información de la forma más veloz posible, en lo
primero que se piensa es en los teléfonos móviles o las computadoras. Es en este segundo objeto,
donde se encuentra el responsable de entregar la información requerida en solo segundos o minutos,
dependiendo del grado de complejidad de los datos, en forma de un pequeño chip de unos cuantos
milímetros de longitud llamado NAND flash memory, inserto en un disco duro de estado sólido.
La presente investigación tiene por objeto estudiar las memorias NAND, dejando de lado las otras
piezas complementarias que componen al disco duro de estado sólido. Es por esto que, la investigación
abarca desde los procesos de extracción del mineral hasta el producto terminado, listo para ser
comercializado.
El componente de las memorias es el nitruro de silicio, el cual se obtiene sometiendo a procesos de
purificación al silicio obtenido del mineral, que en este estudio es el cuarzo, para luego entrar en
contacto con una atmosfera de nitrógeno. Además, se detallan los procesos unitarios a los que es
sometido el silicio para convertirse en una memoria flash.

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Objetivos
- Objetivo general
Explicar el aporte del silicio en la fabricación de discos duro de estado sólido.

- Objetivos específicos

 Determinar los minerales asociados el silicio.

 Mencionar los principales yacimientos de silicio de Chile y el mundo.
 Identificar y explicar los procesos metalúrgicos del silicio para convertirse en
nitruro de silicio.
 Detallar el uso del nitruro de silicio en la fabricación de discos de estado sólido.

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Resultados de la investigación
1. Minerales asociados a la fabricación de nitruro de silicio.
El silicio representa más de la cuarta parte de la corteza terrestre y es el segundo elemento más
abundante por detrás del oxígeno.
El silicio no se encuentra en su estado nativo, Lo podemos encontrar junto con el óxido, en
minerales como cuarzo (SiO2), ópalo (SiO2*nH2O), Microclina (KAlSi3O8), entre muchos otros
silicatos como andalucita, topacio, Zircón, olivino, feldespato, arcillas y hornblenda.
Para efectos de esta investigación, el mineral de Silicio con el que se trabaja es cuarzo. Tras
el feldespato es el mineral más común de la corteza terrestre estando presente en una gran
cantidad de rocas ígneas, metamórficas y sedimentarias.

2. Principales yacimientos de cuarzo.

En Chile, existen varios depósitos de cuarzo que actualmente se encuentran en operación.
Estos depósitos se extienden por todo el territorio nacional exhibiendo volúmenes pequeños
que no superan el medio millón de toneladas y que presentan altas leyes de SiO2.

Fig. 1. Ubicación de los principales depósitos de cuarzo en Chile.

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3. Principales países productores.

El cuarzo se utiliza en Chile, fundamentalmente, en la metalurgia del cobre y siderurgia,
fabricación de cerámica y elaboración de cargas industriales y de aleaciones silíceas.
En el año 2017 su producción provino, principalmente, de las regiones de Atacama, Coquimbo
y del Maule.
La producción del 2017 aumentó un 38,1% respecto del 2016.

Fig. 2. Producción de cuarzo por regiones en chile.

En el año 2017 el primer país productor de silicio fue China, con aproximadamente 4,8
millones de toneladas métricas producidas, seguido a gran distancia por Rusia, con una cifra
de en torno a 750.000 toneladas métricas. La producción de silicio en China correspondió a
aproximadamente al 65% del total producido a nivel global.

Fig. 3. Producción en miles de toneladas de silicio en el año 2017 a nivel

mundial.

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4. Procesamiento del cuarzo para obtener silicio.

El cuarzo de alta pureza es utilizado como insumo en una diversidad de procesos productivos.
Entre estos procesos se encuentra la fabricación de silicio metálico de grado metalúrgico, que
se destina principalmente a la fabricación de siliconas y, por otro lado, la fabricación de silicio
metálico ultra puro destinado principalmente para la fabricación de obleas y chips en la industria
electrónica.
El silicio metálico metalúrgico comercial se obtiene a partir de cuarzo de alta pureza,
carbón vegetal y astillas de madera, donde el carbón es utilizado como agente reductor a
temperaturas que varían entre los 1800 a 2500º C dentro de un horno de arco eléctrico.
Estos hornos cumplen una función esencial en la obtención del silicio, ya que este proceso se
basa en la diferencia de solubilidad existente entre el silicio fundido y otras partículas que puede
llevar el mineral.
En los hornos lo que se consigue es calentar el mineral lo suficiente para derretirlo, y que este
se vaya al fondo del recipiente, facilitando la labor de separar el silicio de grado metalúrgico del
resto de impurezas.
Los hornos más empleados en el ámbito industrial son los hornos eléctricos. Estos funcionan
gracias a la acción de unos potentes electrodos de carbono por los que se hace circular una
altísima corriente eléctrica para que entre estos y la mezcla de minerales salte un arco voltaico
que logre fundirla.
Suelen estar recubiertos de ladrillos refractarios para evitar las pérdidas de calor y conseguir un
proceso mucho más eficiente. Esta modalidad de hornos son los más empleados actualmente
porque ofrecen una gran capacidad de carga y un tiempo de 50 minutos entre cada hornada

Reacción química

Durante el proceso de fusión de los minerales de silicio, dentro del horno se lleva a cabo una
reacción química de reducción mediante la que obtenemos el silicio de grado metalúrgico.
La reacción es:

𝑆𝑖𝑂2 + 𝐶 → 𝑆𝑖 + 𝐶𝑂2
El silicio líquido se acumula en el fondo del horno de donde se extrae como una colada y
se enfría en placas de cobre. El silicio producido en este proceso se denomina metalúrgico y
tiene una pureza superior al 99%, con una importante contaminación de metales tales como
Fe, Al, C, B, etc. Este silicio metalúrgico se produce a un bajo coste económico, de 3 a 5 euros
por kilogramo de silicio procesado, y a un coste energético moderado, alrededor de 15 kWh
por kilogramo de silicio.

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Fig. 4. Diagrama de la producción de silicio de grado metalúrgico.

El silicio obtenido de la colada del alto horno tiene una pureza comprendida menor del 99%,
este es aceptable para aplicaciones metalúrgicas como silicio de grado metalúrgico, pero no
para aplicaciones electrónicas o solares donde es necesario una pureza mayor.

El silicio metalúrgico se convierte en gas en un proceso químico. Para ello, el silicio metalúrgico
sólido se hace reaccionar con HCl a 300 ° C en un reactor para formar SiHCl 3 mediante la
reacción:
𝑆𝑖 + 3𝐻𝐶𝑙 → 𝑆𝑖𝐻𝐶𝑙3 + 𝐻2

La clave del proceso es que, durante la reacción, las impurezas del silicio tales como Fe, Al, y
B reaccionan con el HCl formando haluros (FeCl3, AlCl3, y BCl3). Estos se pueden separar del
silicio realizando un proceso de destilación fraccionada, que consiste en la separación sucesiva
de los líquidos de la mezcla del SiHCl3 y los diversos haluros de impurezas, aprovechando la
diferencia entre sus puntos de ebullición.
Finalmente, el SiHCl3 ya purificado se hace reaccionar con hidrógeno a 1100 °C durante
aproximadamente 200 – 300 horas mediante la siguiente reacción:

𝑆𝑖𝐻𝐶𝑙3 + 𝐻2 → 𝑆𝑖 + 3𝐻𝐶𝑙

El proceso tiene lugar en el interior de grandes cámaras de vacío, en las que el silicio se
condensa y se deposita sobre barras de poli-silicio para obtener sobre ellas el silicio ya
purificado.

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Fig.5. Obtención de silicio grado electrónico

Fig. 6. Esquema de un horno Siemens; el Fig. 7. Barras de silicio purificado que se

SiHCl3 purificado entra en el reactor obtienen al finalizar la condensación.
donde se deposita en las barras de silicio.

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5. Nitruración del polvo de silicio.

La operación de nitruración del polvo de silicio se suele realizar en dos etapas: primeramente,
se prensa el silicio para para obtener un compacto de forma y dimensiones aproximadas a las
que se desea en el producto final, y se nitrura parcialmente en una atmosfera de nitrógeno a
1300° C. El producto intermedio así obtenido se manipula fácilmente a la forma y dimensiones
exactas, y se le somete a una segunda nitruración a temperaturas de 1450 °C de la que resulta
una pieza totalmente nitrurada.
La resistencia mecánica a la flexión del material se sitúa, normalmente entre los 200 y 300
MN/m2, y se mantiene prácticamente constante al aumentar la temperatura hasta los 1400° C.
Las densidades obtenidas generalmente están entre 2,6 y 2,8 g/cm3. El material presenta un
bajo coeficiente de expansión térmica y una buena estabilidad química. Se disocia a 1900 °C.

3 𝑆𝑖(𝑠) + 2 𝑁2 (𝑔) → 𝑆𝑖3 𝑁4 (𝑠)

6. Fabricación de la pieza final.

Las memorias se fabrican en salas limpias porque los circuitos son tan pequeños que incluso
pequeñas partículas de polvo pueden dañarlo. Los miembros del equipo de producción usan
gorras, batas y máscaras especiales que ayudan a mantener el aire libre de partículas.

6.1 Obleas de nitruro de silicio.

Una vez terminado el proceso de nitruración, se procede a cortar la pieza en finas obleas
altamente pulidas de seis o doce pulgadas de diámetro y menos de 0.025 pulgadas de
grosor. Los elementos del circuito (transistores, resistencias y condensadores) se
construyen en capas sobre la oblea. Todos los circuitos son desarrollados y
perfeccionados mediante simulaciones antes de ser construidos.

Fig. 8. Oblea de nitruro de silicio en los laboratorios

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6.2 Capas de aluminio.

Se deposita una capa aislante de vidrio sobre la oblea, y se usa un recubrimiento de
contacto para definir los puntos de contacto de cada uno de los elementos del circuito.
Luego de grabar los puntos de contacto, toda la oblea se cubre con una fina capa de
aluminio en una cámara de pulverización. Cuando se aplica una máscara de metal a la
capa de aluminio, se forma una red de conexiones metálicas finas o cables, creando la
ruta para el circuito.

6.3 Encapsulación.
Antes de enviar la oblea al ensamblaje del molde, se prueban todos los circuitos
integrados. Los chips funcionales y no funcionales se identifican y mapean en un
archivo de datos. Una sierra de diamante luego corta la oblea en chips individuales. Los
chips no funcionales se descartan y el resto está listo para ensamblarse.
Durante la encapsulación, los chips son colocados en moldes y material plástico
fundido rodea a cada chip para dar forma al paquete individual.

Fig. 9. Mapeo de los chips funcionales y no

funcionales

6.4 Prueba de quemado (Burn-in).

En esta prueba se somete a los chips a condiciones de stress aceleradas, mediante un
horno AMBYX desarrollado específicamente para esta prueba. Este proceso es usado
para eliminar los pocos módulos que fallaran después de un uso mínimo.

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6.5 Montaje y construcción de PCB (Printed Circuit Board).

Una vez construido el chip de memoria, se necesita una forma de conectarlo a la placa
base de la computadora. La PCB resuelve este problema al proporcionar una conexión
para conectar las memorias al sistema de nuestra computadora. Para lograr esto los
chips de montan en una PCB que esta previamente impresa con las ubicaciones donde
deben ir los chips en la placa. Antes de montar los chips se aplica una pasta de soldadura
sobre la placa y las máquinas de ensamblaje automáticas escanean la ubicación y van
colocando los chips sobre la placa. A continuación, los chips montados sobre la placa
pasan a un horno que derrite la pasta de soldadura que al enfriarse deja una unión
permanente entre los chips de memoria y la PCB. Luego de las últimas pruebas de
rendimiento se obtiene un módulo de memoria terminado.

Fig. 10. Los chips cortados son puestos sobre las

PCB.

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7. Problemas Medioambientales.

Emisiones de gases en los procesos: estas provienen de dos partes del proceso, de la
obtención del silicio metalúrgico donde se emite CO2, CO y humos (90% de partículas de 1
µm de sílice amorfa), y del acondicionamiento granulométrico del silicio, operación que
polvo. Por cada tonelada de silicio de grado metalúrgico producida se generan grandes
cantidades de CO y de CO2, gases que van a la atmósfera y generan, por ejemplo, el efecto
invernadero.
El humo de sílice o micro sílice se produce como consecuencia de reacciones secundarias
durante la obtención del silicio y presenta una la baja densidad (apenas 0,2 t/m3). Forma
parte fundamental de los humos que son captados y filtrados en filtros de mangas. Contiene
más de un 90 % de sílice amorfa y se presenta en forma de finísimas partículas esféricas de
tamaño mayoritariamente inferior a 1 µm. Estos gases con contenido de sílice si son inalados
por los humanos en cantidades bajas no presentan ningún problema para la salud, pero la
exposición prolongada a grandes cantidades de estos gases puede llevar al desarrollo de
enfermedades pulmonares crónicas como la fibrosis pulmonar y la silicosis.
También, están los problemas energéticos y sus derivados, ya que la obtención del silicio es
un proceso químico endotérmico que requiere mucha energía, por ejemplo, el cuarzo,
mineral de donde se extrae el silicio, es un mineral muy estable por lo que se requiere grandes
cantidades de energías superiores a 3 kWh/kg para extraerle el oxígeno y además hay que
someterlo a temperaturas cercanas a 2000 ºC, lo que involucra un consumo de energía mayor
a 6.4 kWh/kg. La única fuente de energía que permite alcanzar tales niveles de aporte
energético, sin agregar impurezas al proceso y tampoco aumentar la duración de este, es la
eléctrica. Por lo tanto, también se considera como un problema medioambiental el gran
gasto energético de los procesos y los problemas que acarrea el generar estos niveles de
energía.
Residuos sólidos: como residuo sólido se obtiene un silicio de baja ley, que se puede
considerar como un subproducto constituido en parte por cuarzo que alcanzó la fusión pero
que no ha llegado a reaccionar totalmente en los hornos produciendo cierta cantidad de
monóxido de silicio (SiO) y silicio. Estos residuos deben ser desechados de manera
cuidadosa para no generar material particulado que contenga sílice y que no sea inalado por
los trabajadores o habitantes cercanos a los lugares de tratamiento por el riesgo de causar las
enfermedades ya mencionadas.

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8. Conclusiones.

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