Elta02 - Aula 01 - Jfet e Mosfet

UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUBÁ
ELTA02 – ELETRÔNICA ANALÓGIA II

AULA 01 – JFET E MOSFET
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
• JFET: Transistor de Junção por Efeito de

Campo
• MOSFET: Transistor de Efeito de Campo de

Metal-óxido-semicondutor
• D-MOSFET: MOSFET tipo Depleção
• E-MOSFET: MOSFET tipo Intensificação
Prof. Robson Bauwelz Gonzatti 2

JFET
Transistor de Junção por
Efeito de Campo

CONSTRUÇÃO DO JFET
CANAL N
• Há dois tipos de JFETs:

o de canal n
o de canal p
• O canal n é o mais amplamente

usado dos dois.
• JFETs têm três terminais:

O dreno (D) e a fonte (S, do inglês
source) são conectados pelo canal n
• A porta (G, do inglês gate) é conectado por material do tipo
p.
OPERAÇÃO DO JFET: A IDEIA BÁSICA
• A operação do JFET pode ser

comparada à de uma torneira.
• A fonte é o acúmulo de elétrons no
polo negativo da tensão dreno-fonte.
• O dreno é da deficiência de elétrons
(ou lacunas) no polo positivo da
tensão aplicada.
• O gate controla a largura do canal n
e, consequentemente, o fluxo de
cargas da fonte ao dreno.

OPERAÇÃO DO JFET
• Há três condições básicas de operação

para um JFET:
• VGS = 0 V, VDS aumentando para um
valor positivo
• VGS < 0 V, VDS em algum valor
positivo
• Resistor controlado por tensão

CARACTERÍSTICAS DO JFET: VGS=0V

• Três coisas acontecem quando VGS = 0
V e VDS aumenta de 0 V para uma
tensão positiva:
1. O tamanho da região de depleção entre
a ponta do tipo p e o canal n aumenta.
2. O aumento da região de depleção,
diminui a largura do canal n, que
aumenta sua resistência.
3. Mesmo que a resistência do canal n
esteja aumentando, a corrente de dreno
(ID) ao longo desse canal continua
aumentando porque VDS está
aumentando.

CARACTERÍSTICAS DO JFET: PINCH-OFF
• Se VGS = 0 V e VDS
aumenta continuamente,
um ponto é alcançado
onde a região de depleção
fica tão grande que
“estrangula” o canal.
• Essa condição é chamada

de pinch-off.

CARACTERÍSTICAS DO JFET:
SATURAÇÃO
• No ponto do pinch-off:
o Qualquer aumento adicional

de VDS não produz nenhum
aumento em ID. No pinch-off,
VDS recebe o nome de Vp.
o A ID está em saturação ou em
seu valor máximo, e é referida
como IDSS..

CARACTERÍSTICAS DE OPERAÇÃO DO
JFET: VDS < 0 V
• Como a junção p-n está
reversamente polarizada a
corrente de gate é zero.
• À medida que VGS se torna
mais negativa, a região de
depleção aumenta.
• O transistor atinge a
saturação com níveis
menores de VDS e com
valores menores de IDSS

CARACTERÍSTICAS DE OPERAÇÃO DO
JFET: VDS < 0 V
ID cai, por fim, a 0 A.
O valor de VGS que faz
com que isso ocorra é
denominado VGS(off).
VGS(off) = VP (para VGS = 0V)

RESISTOR CONTROLADO POR

TENSÃO
•A região à esquerda do
pinch-off é chamada de
região ôhmica.
• O JFET pode ser usado

como um resistor variável,
no qual VGS controla a
resistência dreno-fonte (rd).

RESISTOR CONTROLADO POR

TENSÃO
•À medida que VGS se

torna mais negativa, a
resistência (rd) aumenta.
!$
!" = +
'()
1−
'*
ro = resistência para VGS = 0V

JFET CANAL P
• O JFET de canal p se
comporta da mesma
forma que o JFET de
canal n. A diferenças são
que as polaridadades de
tensão e as direções das
correntes são reversas.

JFET CANAL P

SÍMBOLOS DO JFET

CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERÊNCIA
DO JFET
• BJT Entrada (variável de controle)
!" = $!%
Saída Constante
• JFET (Equação de Shockley)

-
*+' Entrada
!& = !&'' 1−
*, (variável de controle)
Saída Constantes
CURVA DE TRANSFERÊNCIA DO JFET



EXEMPLO
• Esboce a curva de transferência definida

por IDSS = 12 mA e VP = - 6 V.


EXEMPLO
• Esboce a curva de
transferência definida por
IDSS = 12 mA e VP = - 6 V.


CANAL P

FOLHA DE DADOS DO JFET

FOLHA DE DADOS DO JFET

MOSFET
Transistor de Efeito de
Campo de Metal-óxido-
semicondutor

CONSTRUÇÃO DO MOSFET TIPO

DEPLEÇÃO
O dreno (D) e a fonte (S) se
conectam às regiões de tipo n.
Essas regiões estão conectadas
pelo canal n. Esse canal n está
conectado ao Gate (G) por uma
fina camada isolante de dióxido de
silício (SiO2).
O material de tipo n fica sobre um

substrato de tipo p que pode ter
uma conexão terminal adicional
chamada de substrato (SS).
OPERAÇÃO BÁSICA DO D-MOSFET
• Um MOSFET tipo depleção pode operar de dois

modos:
o Modo depleção
o Modo intensificação

OPERAÇÃO NO MODO DEPLEÇÃO

(D-MOSFET)
• As características são similares às do JFET
• Quando VGS = 0 V, ID = IDSS

• Quando VGS < 0 V, ID < IDSS
• A equação da curva de transcondutância de

um D-MOSFET é a mesma do JFET
*
'($
!" = !"$$ 1−
')


(D-MOSFET)
Quando VGS = 0 V
ID = IDSS


(D-MOSFET)
Quando VGS < 0 V
ID < IDSS


(D-MOSFET)

OPERAÇÃO NO MODO
INTENSIFICAÇÃO (D-MOSFET)
• Para VGS > 0 V, ID aumenta além da IDSS (ID > IDSS)

MOSFET TIPO DEPLEÇÃO CANAL P

SÍMBOLOS MOSFET TIPO DEPLEÇÃO

FOLHA DE DADOS D-MOSFET

FOLHA DE DADOS D-MOSFET

CONSTRUÇÃO DO MOSFET TIPO

INTENSIFICAÇÃO
O dreno (D) e a fonte (S) se
conectam às regiões de tipo n.
Não há um canal físico
O gate (G) se conecta ao
substrato tipo p por uma fina
camada isolante de dióxido de
silício (SiO2).
Pode haver uma conexão
terminal adicional chamada de
substrato (SS).

OPERAÇÃO DO MOSFET TIPO

INTENSIFICAÇÃO
VT = tensão limiar do E-MOSFET
Tensão mínima para criação de

um canal considerável, que
possibilita um aumento
significativo na corrente de dreno


INTENSIFICAÇÃO


INTENSIFICAÇÃO
• O MOSFET tipo intensificação (E-
MOSFET) opera somente no modo
intensificação.
• VGS é sempre positiva.
• À medida que VGS aumenta, ID aumenta.
• À medida que VGS se mantém constante e
VDS é aumentada, ID satura (IDSS) e o nível
de saturação (VDSsat) é alcançado.


INTENSIFICAÇÃO

CURVA DE TRANSFERÊNCIA DO
MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO
Para determinar a ID dada a VGS:
*
!" = $ %&' − %)
Onde:
VT = a tensão limiar do E-MOSFET
k, uma constante, pode ser determinada com a
utilização de valores de um ponto específico e a
fórmula:
!" +,
$= *
%&'(+,) − %)

CURVA DE TRANSFERÊNCIA DO
MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO
VDSsat pode ser calculada utilizando-se: !"#$%& = !(# − !*

MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO DE

CANAL P
O MOSFET tipo intensificação de canal p é similar ao de

canal n, exceto pelo fato que as polaridades de tensão e as
correntes são reversas.
SÍMBOLOS MOSFET

Manuseio de MOSFETs
• MOSFETs são muito sensíveis à eletricidade estática.

• Por causa da camada muito fina de SiO2 entre os terminais
externos e das camadas do dispositivo, nenhuma
descarga elétrica pequena pode produzir uma condução
indesejada.
• Proteção
• Sempre carregue-o em uma bolsa sensível a estática.
• Sempre utilize uma tira estática ao manusear MOSFETS.
• Coloque dispositivos de tensão limitada entre a ponta e a
fonte, como diodos Zener, para limitar qualquer tensão
transiente.

Dispositivos CMOS
• O CMOS (MOSFET complementar) utiliza um

MOSFET de canal p e canal n;
frequentemente no mesmo substrato.

Dispositivos CMOS
Vantagens
• Útil em designs de circuito lógico.
• Maior impedância de entrada.
• Maiores velocidades de deslocamento.
• Menores níveis de potência de operação.

Resumo

REFERÊNCIAS
• Robert L. Boylestad e Louis Nashelsky.

“Dispositivos eletrônicos e Teoria de
Circuitos”, 8ª Ed., 2004, Pearson.
• Capítulo 5

Elta02 - Aula 01 - Jfet e Mosfet

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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

• JFET: Transistor de Junção por Efeito de

• MOSFET: Transistor de Efeito de Campo de

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• Há dois tipos de JFETs:

• O canal n é o mais amplamente

• JFETs têm três terminais:

OPERAÇÃO DO JFET: A IDEIA BÁSICA

• A operação do JFET pode ser

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• Há três condições básicas de operação

• Resistor controlado por tensão

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CARACTERÍSTICAS DO JFET: VGS=0V

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CARACTERÍSTICAS DO JFET: PINCH-OFF

• Essa condição é chamada

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o Qualquer aumento adicional

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RESISTOR CONTROLADO POR

• O JFET pode ser usado

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RESISTOR CONTROLADO POR

•À medida que VGS se

ro = resistência para VGS = 0V

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• BJT Entrada (variável de controle)

• JFET (Equação de Shockley)

CURVA DE TRANSFERÊNCIA DO JFET

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CURVA DE TRANSFERÊNCIA DO JFET

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CURVA DE TRANSFERÊNCIA DO JFET

• Esboce a curva de transferência definida

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CURVA DE TRANSFERÊNCIA DO JFET

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CURVA DE TRANSFERÊNCIA DO JFET

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FOLHA DE DADOS DO JFET

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FOLHA DE DADOS DO JFET

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CONSTRUÇÃO DO MOSFET TIPO

O material de tipo n fica sobre um

OPERAÇÃO BÁSICA DO D-MOSFET

• Um MOSFET tipo depleção pode operar de dois

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OPERAÇÃO NO MODO DEPLEÇÃO

• Quando VGS = 0 V, ID = IDSS

• A equação da curva de transcondutância de

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OPERAÇÃO NO MODO DEPLEÇÃO

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OPERAÇÃO NO MODO DEPLEÇÃO