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A diferencia de los diodos de baja potencia estos se caracterizan por ser capaces de soportar una
alta intensidad con una pequeña caída de tensión en estado de conducción y en sentido inverso,
deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad
de fugas.
Contenido
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2 Características
o 2.6 Potencia
3 Fuentes
Características
IFAV: 1A – 6000 A
trr: 10 µs
Aplicaciones
Rectificadores de Red.
Características
trr: 0,1 - 10 µs
Aplicaciones
Inversores.
UPS.
Diodos Schotkky
Figura IV. Diodos Schottky
Características
IFAV: 1A – 120 A
VRRM: 15 – 150 V
trr: 5 ns
Aplicaciones
Fuentes conmutadas.
Convertidores.
Cargadores de baterías.
Características
IFAV: 0,45A – 2 A
trr: 150 ns
Aplicaciones
VF: 2V
trr:10 µs
Aplicaciones
Características
Figura VII.
Las características más importantes del diodo podemos agrupar de la siguiente forma:
Características estáticas
Parámetros en conducción.
Modelo estático.
Parámetros en bloqueo
Tensión inversa de trabajo (VRWM):Tensión inversa máxima que puede ser soportada por
el diodo de forma continuada sin peligro de avalancha.
Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM):Tensión inversa máxima que puede ser
soportada en picos de 1ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.
Tensión inversa de pico único (VRSM):Tensión inversa máxima que puede ser soportada
por una sola vez cada 10 min o más, con duración de pico de 10ms.
Tensión de ruptura (VR):Si es alcanzada, aunque sea por una vez, el diodo puede
destruirse o al menos degradar sus características eléctricas.
Intensidad de pico repetitivo (IFRM):Máxima intensidad que puede ser soportada cada 20
ms por tiempo indefinido, con duración de pico de 1ms a determinada temperatura de la
cápsula.
Intensidad de pico único (IFSM):Es el máximo pico de intensidad aplicable por una vez
cada 10 minutos o más, con duración de pico de 10ms.
Modelo estático
Figura II.
Los distintos modelos del diodo en su región directa (modelos estáticos) se representan en la
figura II. Estos modelos facilitan los cálculos a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo
adecuado según el nivel de precisión que necesitemos. Estos modelos se suelen emplear para
cálculos a mano, reservando modelos más complejos para programas de simulación como PSPICE.
Dichos modelos suelen ser proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las
librerías del programa. a) Modelo Ideal b) Diodo ideal en serie con fuente de tensión. c) Diodo
ideal en serie con fuente de tensión y con la resistencia del diodo en conducción.
Características dinámicas
Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperación rápida. Factores de los
que depende trr :
Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor será la capacidad
almacenada, y por tanto mayor será trr.
Potencia
Potencia máxima disipable (Pmáx):Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero
no debemos confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada
ésta potencia de trabajo.
Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM):Similar a la anterior, pero dada para un pulso
único.
Características térmicas
Temperatura de la unión (Tjmáx):Es el límite superior de temperatura que nunca debemos hacer
sobrepasar a la unión del dispositivo si queremos evitar su inmediata destrucción. En ocasiones,
en lugar de la temperatura de la unión se nos da la "operating temperature range" (margen de
temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en
un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mínimo y otro máximo.
Fuentes
Diodos
ccpot.galeon.com