RECTIFICADOR-DOBLADOR DE TENSION PARA RFID
Hector Kirschenbaum, Alejandro de la Plaza
Universidad de Buenos Aires
hkirsch@fi.uba.ar, aplaza@fi.uba.ar
RESUMEN
Los sistemas de identificacion por radio-frecuencia se
benefician con el incremento de la frecuencia
utilizada por la reduccion permitida de las
dimensiones de la antena. A frecuencias mayores de
10GHz es posible implementar la antena en el mismo
chip, ya que es posible realizar un dipolo de un cuarto
de onda con una longitud aproximada a los 10mm
[1].
Una dificultad para utilizar estas frecuencias es la
falta de diodos Schottky debidamente caracterizados
por el foundry para poder ser utilizados en circuitos
comerciales. Como alternativa para relizar el
rectificador se muestra un circuito activo formado por
transistores bipolares fabricados en tecnologia SiGe,
con lo que se puede obtener una sensibilidad
comparable a la obtenida con diodos Schottky.
1. INTRODUCCION
Los circuitos integrados utilizados como etiquetas
para sistemas de Identificacion por Radio Frecuencia
(RFID en ingles) se alimentan con energia recibida
por el circuito de antena. La distancia maxima a la
cual puede establecerse una coneccion, que es una de
las cualidades mas importantes de este tipo de
dispositivos, esta directamente relacionada con la
abilidad del circuito de utilizar la energia presente en
el terminal de antena, y de minimizar su consumo.
Estos requerimientos ha motivado a que en la
mayoria de los circuito de alimentacion de chips para
RFID, se utiliza un puente rectificador-doblador
compuesto por diodos Schottky y capacitores [2]. El
diodo Schottky, con una tension de umbral de
aproximadamente 0.25 Volt y muy baja capacidad
parasitica, es el dispositivo ideal para implementar
esta funcion. Sin embargao, para aplicacion en
ciruitos comerciales es necesario que todo dispositivo
utilizado sea caracterizado y calificado por el
foundry. Es habitual que esto suceda con todo tipo de
capacitores, no asi con los dispositivos Schottky.
1
Figure 1 Circuito doblador con diodos
Si se utilizan transistores MOS o bipolares en
coneccion diodo como dispositivos rectificadores, la
tension minima requerida en el terminal de antena
aumenta considerablemente, debido al incremento de
la tension de umbral. Pocos procesos ofrecen
transistores MOS de ultra baja tension de umbral para
utilizar la tecnica sugerida en [3].
Una alternativa presentada en este trabajo es utilizar
transistore bipolares, no en la clasica coneccion diodo
sino, polarizados en su region normal de operacion de
manera tal de obtener un dispostivo capaz de
rectificar una senal de RF con una tension de umbral
comparable a un diodo Schottky.
Para esto es necesario contar una tecnologia BiCmos
que cuente con dispositivos bipolares con Ft superior
a la portadore de radio frecuencia que se desea
utilizar. Como vehiculo de prueba de la tecnica
descripta se diseno un circuito utilizando una
tecnologia BiCMOS con transistores bipolares HBT
SiGe con una frecuencia maxima de transicion
elevada [4]. Estos transistores bipolares se utilizan
exclusivamente en el rectificador de RF, el resto del
circuito utiliza circuitos logicos CMOS alimentados
con una tension levemente superior a la suma de las
tensiones de umbral de los dispositivos, de manera de
minimizar el consumo de potencia extraida de la
fuente. Para poder asegurar que esta condicion se
cumple para cualquier valor de amplitud de la senal
de RF, se incluye un circuito regulador de tension y
Figure 2: Rectificador multiplicador activo
una referencia adecuados a las particulares
necesidades de esta aplicacion.
2. DESCRIPCION DEL CIRCUITO
2.1 Bomba multiplicadora de tension
La Fig 1 muestra una configuracion tipica de puente
rectificador-doblador, en el cual se utilizan transitores
bipolares en la configuracion diodo.
La tension Vrec a la salida del multiplicador
compuesto por N diodos es [2]:
Vdc = N (Vin-Vbe)
lo que puede verificarse simplemente por inspeccion,
ya que cada capacitor se carga a la tension pico de
entrada (Vin) menos la caida en el rectificador (Vbe).
El circuito mostrado en la Fig 2 utiliza transistores
bipolares polarizados en la zona activa, lo que
permite aumentar considerablemente la ganancia del
doblador. Se puede observar que la base del
transistor Q1 esta polarizada a una tension igual a la
carga del capacitor C3, el cual ser carga a travez del
diodo Q0 durante el ciclo positivo de la senal de
entrada. Durante el ciclo negativo, el transistor Q1
queda polarizado en forma normal (tension base-
emisor y tension colector-emisor ambas positivas) lo
que permite al capacitor C4 cargarse a una tension
igual a:
Vc4 = Vin - (Vbe1-Vc3)
Vc3 = Vin+Vc4-Vbe0
Este proceso es regenerativo, ya que a un incremento
de Vc3 corresponde un sucesivo incremento de la
2
Figure 3: Regulador serie y referencia PTA
tension Vc3, hasta que Vc3 iguala a la tension Vin.
En la practica, Vc3 esta limitada a un valor igual
a Vbe=Von, ya que para tensiones mayores el
capacitor se descarga debido a la corriente de base de
Q1 que aumenta rapidamente. Esto implica que si
Vin>Von durante el semiciclo negativo el capacitor
C4 se carga aproximandamente al pico de la tension
de entrada. La tension de salida es entonces:
Vdc = N (Vin-Vbe/2)
Para una tension tipica Vbe=0.6V, el circuito tiene
una sensibilidad apenas menor que la que se
obtendria utilizando diodos Schottky. En la practica,
y en ambos casos, la tension DC obtenida a la salida
del multiplicador es ligermente inferior debido en
parte a la redistribucion de cargas entre las numerosas
capacitancias parasitas presentes en el circuito.
2.2 Regulador de tension
El regulador de tension esta alimentado por el
circuito rectificador-doblador y tiene por mision
estabilizar la tension de salida a un valor igual a la
suma de la tension de umbral de dos transistores,
NMOS y PMOS.
El circuito completo se muestra en la Fig 3, donde en
la parte izquierda puede apreciarse un puente
generador de corriente PTAT, tambien utilizado para
obtener valores de corriente prefijadas en otras parte
del chip que no son discutidas en esta presentacion,
como el detector de amplitud y modulador de fase.
Figure 4: Simulacion rectificador con diodos
Suponiendo que ambos transistores se encuentren en
el regimen de operacion normal, la resistencia
necesaria es:
R = (1-A^2)/(Kp (w/l) I)^1/2
Donde A es la relacion de dimensiones de los
transistores M13 y M6, Kp la transconductancia
intrinsica e I la corriente de polarizacion que es
forzada a ser igual por el espejo de corriente superior.
Reemplazando variables para obtener una corriente
de referencia de .1uA se obtine un valor de
resistencia de 1MegOhm, para una caida de tension
sobre la misma resistencia de aprox 100mV. Este
valor es considerado el minimo con que se puede
asegurar una razonable repetibilidad de la corriente.
Considerando que en procesos denominados
‘digitales’ es dificil encontrar capas de resistividad
superior a 1-2 Kohm/cuadro, resulta que para
implementar esta resistencia se requiere una
superficie de silicio bastante importante. En este
diseno se utiliza una capa Nwell cubierta por una
manta P+ (source-drain) que aumenta la resistividad a
un valor de 4.0KOhm/cuadro. En muchos procesos
este procedimiento esta prohibido por las reglas de
diseno.
Agregando un transistor PMOS en coneccion diodo
en serie (M7), se obtiene la referencia de tension,
evitandose de esta manera consumir corriente
adicional. El transistor M15 es para el arranque.
3
Figure 5: Simulacion circuito rectificador activo
El circuito de regulador serie utiliza un transistor M1
en la coneccion fuente comun, lo que permite reducir
a unos pocos milivolts la minima caida de tension en
el regulador. Una desventaja de esta configuracion es
que el lazo de realimentacion envuelve dos etapas
con ganacia mayor que uno, lo que obliga a analizar
la estabilidad del circuito y garantizando que sea
estable en cualquier condicion de carga y
temperatura. El resto del circuito, formado por los
transitores M10-M20 es un amplificador diferencial
con el que se realiza la comparacion entre las
tensiones de salida de referencia, luego amplificada y
utilizada para controlar la compuerta del transistor
serie PMOS.
La tension de referencia tiene una fuerte dependencia
con la temperatura y con las variables del proceso,
pero esta caracteristica es en este caso deseada, ya
que permite obtener es un valor de tension de
alimentacion que fuerce a los circuito digitales a
operar con un consumo constante y relativamente
predecible de potencia.
3. RESULTADOS EXPERIMENTALES
El proceso utilizado en la fabricacion del circuito,
Jazz Semiconductor SiGe60, permite disponer de
transistores bipolares SiGe con ft superior a 60GHz,
y transistore MOS con longitud de canal minima de
0.35um.
Las facilidades de empaquetado disponibles en el
laboratorio no permiten realizar el montaje de tipo
Cuadro 1: Mediciones realizadas: Vdc vs. Vin para
100MHz, 1GHz y 10GHz
1.0V 1.5V 2.0V
100MHz 1.6 2.3 2.6
1GHz 1.4 2.1 2.2
10GHz 1.3 1.8 2.1

flip-chip, unico capaz de proveer un adecuado

acoplamiento al circuito de antena a una frecuencia
de 10GHz.
Esta circunstancia esta prevista en el layout del
circuito, que incluye pads de tipo GSG (Ground-
Signal-Ground) compatibles con puntas de prueba de
UHF. Para el resto de las conecciones se utilizan pads
y cableado convencionales. Durante las mediciones,
la tension de RF se limita a 2.0 V para disminuir la
posibilidad de destruccion de los pocos circuitos
disponibles para prueba. Todas las mediciones fueron
repetidas a las frecuencias de 100MHz, 1GHz y
10GHz. En el cuadro siguiente se sumariza el
resultado de las mediciones, donde la tension Vin
esta expresada en volt pico. Se puede observar que
los resultados a 100MHz son muy aproximados a los
valores obtenidos con la simulacion. A mayor
frecuencia se observa una significativa reduccion de
la tension obtenida, que es atribuida a perdidas
debidas a capacitancias parasitas.

4. BIBLIOGRAFIA.

[1] Kenneth K. O y otros, "On-Chip Antennas

in silicon ICs and Their Applications", IEEE
Transaction on Electron Devices, Vol 52, No.
7, Julio 2005.

[2] Karthaus, Fischer Martin, "Fully

Integrated Passive UHF RFID Transponder
IC With 16.7-uW Minimum RF Input Power",
IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol
38, No. 10, Octubre 2003.

[3] Yuan Yao, Yin Shi, Foster F. Dai,

"A Novel Low-Power Input-Independent MOS
AC/DC Charge Pump", ISCAS 2005. IEEE
International Symposium on Circuit and
Systems. Vol 1 pg 380

[4] K. Washio,"SiGe and BiCMOS technologies"

IEDM Tech. Dig. Diciembre 2003.