Dispositivos e Circuitos Eletrônicos: Teoria do Semicondutor

Dispositivos e Circuitos
Eletrônicos
Prof. MSc. Marco Aurélio Rocha
marco.rocha@unibrbotucatu.com.br
marcorocha.eng@outlook.com
1
Ementa
 Iniciação ao estudo de materiais semicondutores;
 Física e propriedades de semicondutores;
 Junção PN;
 Diodos de junção PN e suas características terminais;
 Aplicações de diodos;
 Transistor bipolar de junção (BJT) e polarização;

Dispositivos e Circuitos Eletrônicos
2
Ementa
 Transistor de efeito de campo (FET): tecnologia e fabricação;
 Amplificadores em baixa frequência;
 Amplificadores operacionais: circuitos básicos;
 Fontes de alimentação reguladas;
 Características dos amplificadores quanto a ganho, eficiência, distorção, ruído,

resposta em frequência, impedância de entrada e saída, configurações e estabilidade.

3
Avaliação
 Frequência < 75% REPROVADO;
 Frequência ≥ 75% e Nota Final (NF) ≥ 6,0 APROVADO;

4
Avaliação – Cálculo da NOTA FINAL (NF)
 Prova oficial do Professor 3,0;
 Trabalhos 3,0;
 Prova Institucional 4,0;
 NOTA FINAL (NF) = prova oficial do professor + trabalhos + prova institucional

5
Avaliação – EXAME FINAL
 Nota Final ≥ 3,0 e < 6,0 EXAME FINAL;
 Após o Exame Final
(𝑁𝐹+𝑁𝐸)
 Média Final = ≥ 5,0 APROVADO;
2
 Sendo:
 NF = Nota Final;
 NE = Nota do Exame Final
6
Bibliografia Básica
 MALVINO, Albert Paul; BATES, David J. Eletrônica. Versão concisa. 7. ed. São
Paulo: McGraw-Hill, 2011.
 SEDRA, Adel S; SMITH, Kenneth C. Microeletrônica. 6. ed. Rio de Janeiro:

Prentice-Hall Brasil, 2007.
 RAZAVI, B. Fundamentos de microeletrônica. Rio de Janeiro: LTC, 2010.
 CAPUANO, Francisco G.; MARINO, Maria A. M. Laboratório de eletricidade e

eletrônica 24. ed. São Paulo: Érica, 2007.

7
Bibliografia Complementar
 ALLAN R. HAMBLE. Engenharia elétrica princípios e aplicações. 4. ed. Rio de
Janeiro: LTC, 2009.
 BOGART JR, T. F. Dispositivos e circuitos eletrônicos. São Paulo: Makron Books,

2001. v. 1.
 BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis. Dispositivos eletrônicos e

circuitos. 8. ed. Rio de Janeiro: Prentice-Hall Brasil, 2004.

8
Bibliografia Complementar
 FLOYD, T. L. Electronic devices (Conventional Current Version). 9/e. Boston:
Pearson Education, 2021. International Edition.
 GRAY, Paul R. et al. Analysis and design of analog integrated circuits. 5. ed. New
York: John Wiley

9
Teoria do Semicondutor
Aula 01
10
 Para entender como diodos, transistores e circuitos integrados funcionam, necessita-se
primeiramente estudar os semicondutores;
 Materiais que não são nem condutores e nem isolantes;
 Semicondutores contêm alguns elétrons livres;
 O que os torna diferentes é principalmente a presença de lacunas.

11
 Resistividade: Medida da “dificuldade” de fluxo de cargas nos materiais. Exemplos:
Condutor Semicondutor Isolante
(fácil fluxo de cargas) facilidade intermediária de fluxo (difícil fluxo de cargas)
GERMÂNIO: 𝜌 = 50Ω. 𝑐𝑚
COBRE: 𝜌 = 10−6 Ω. 𝑐𝑚 MICA: 𝜌 = 1012 Ω. 𝑐𝑚
SILÍCIO: 𝜌 = 50 x 10−3 Ω. 𝑐𝑚
𝐿 𝑅.𝐴 Ω.𝑐𝑚²
𝑅= 𝜌 𝜌= 𝜌 = = Ω. 𝑐𝑚
𝐴 𝐿 𝑐𝑚
 Germânio e Silício são os materiais semicondutores mais utilizados, mas não são os
únicos. Impurezas na ordem de 1 parte por milhão transformam o silício em bom
condutor.
12
 Camada de Valência:
Camadas Eletrônicas Nível Número Máximo de Elétrons Distribuição Eletrônica
K 1 2 1s²
L 2 8 2s², 2𝑝6
M 3 18 3s², 3𝑝6 , 3𝑑10
N 4 32 4s², 4𝑝6 , 4𝑑10 , 4𝑓 14
O 5 32 5s², 5𝑝6 , 5𝑑10 , 5𝑓 14
P 6 18 6s², 6𝑝6 , 6𝑑10
Q 7 2 7s², 7𝑝6

13
Condutores  Cobre é um bom condutor;
 O núcleo do átomo de cobre contém 29 prótons (cargas

positivas);
 Quando um átomo de cobre tem uma carga neutra, 29

elétrons (cargas negativas) circulam o núcleo;
 Os elétrons viajam em camadas distintas;
Átomo de Cobre  Existem 2 elétrons na primeira camada, 8 na segunda, 18 na

terceira e 1 na camada externa.
14
Condutores  O núcleo positivo atrai os elétrons.
 A razão que impede esses elétrons de se chocarem com o

núcleo é a força centrífuga (externa) criada pelo seu
movimento circular.
 A força centrífuga é exatamente igual à forma de atração do

núcleo, de modo que a órbita fica estável.
 Quanto maior a camada (órbita) de um elétron, menor a

Átomo de Cobre atração do núcleo.

15
Condutores  Em uma camada externa um elétron circula mais lentamente,
produzindo uma força centrífuga menor.
 O elétron mais externo da figura ao lado circula o núcleo

muito lentamente e quase não sente sua atração.
 Em eletrônica, tudo o que importa é a camada mais externa,

também chamada de camada de valência. Essa camada
controla as propriedades elétricas do átomo.
Átomo de Cobre

16
Condutores  Para enfatizar a importância da camada de valência,
definimos o núcleo de um átomo como núcleo dos prótons
com todas as camadas internas.
 Para um átomo de cobre, seu núcleo envolve os 29 prótons

mais seus 28 elétrons das camadas interiores.
 O núcleo de um átomo de cobre tem uma carga líquida de

+1 porque ele contém 29 prótons e 29 elétrons nas camadas
interiores.
Átomo de Cobre
 A atração sentida pela camada de valência é muito baixa.
17
Condutores – Elétrons Livres
 Como a atração entre o núcleo e o elétron de valência é
muito fraca, uma força externa pode deslocar facilmente
esse elétron do átomo de cobre.
 É por isso que sempre chamados o elétron de valência de

elétron livre.
 É por isso também que o cobre é um bom condutor.
Átomo de Cobre  O menor valor de tensão pode fazer os elétrons livres se

deslocarem de um átomo para o próximo.
18
Semicondutores
 Os melhores condutores (prata, cobre e ouro) possuem um elétron de valência.
 Os melhores isolantes possuem oito elétrons de valência.
 O semicondutor é um elemento com propriedades elétricas entre as do condutor e as

do isolante.
 Os melhores semicondutores possuem quatro elétrons de valência.

19
Semicondutores - Germânio
 Germânio (n = 32) – É tetravalente:
 2 – 8 – 18 – 4
 Há muitos anos o germânio era o único material disponível para a fabricação de

dispositivos semicondutores.
 Apresentavam uma falha fatal: Sua corrente reversa era excessiva (será estudado
posteriormente).
 Silício tornou-se mais utilizado e fez o germânio tornar-se obsoleto.

20
Semicondutores - Silício
 Trata-se de um elemento abundante na natureza.
 Inicialmente, existia um determinado problema no seu polimento que impedia seu uso
na fabricação de dispositivos semicondutores.
 Uma vez solucionado esse problema, as vantagens do silício (serão estudadas

posteriormente) fizeram dele a melhor escolha para a fabricação de semicondutores.
 Sem ele, a eletrônica moderna, as comunicações e os computadores seriam

impossíveis.

21
Semicondutores - Silício
 Modelo de Bohr (1913)  Silício (n = 14) – É tetravalente:
2–8–4
 Núcleo tem 14P + 14N – carga total positiva.
 Camada tem 14e – negativa.
 Potencial de Ionização: energia necessária para remover

os elétrons da última camada. (é baixa em um átomo de
Átomo de Silício
silício).
22
Cristais de Silício  Quando os átomos de silício combinam-se para
formar um sólido, eles se organizam num padrão
ordenado chamado de cristal.
 Cada átomo de silício compartilha seus elétrons

com quatro átomos vizinhos de tal modo que
passam a existir oito elétrons na sua camada de
valência (estabilizar-se).
 Ligações covalentes – formam um material

sólido e duro – cristal.

23
Cristais de Silício – Níveis de Energia no Átomo
 São discretos e aumentam conforme a distância

do elétron ao núcleo (raio orbital).
 Conceito válido somente para um átomo,

isolado, que não sofre interação das demais
forças do cristal.

24
Cristais de Silício – Níveis de Energia no Átomo
 Se um elétron recebe energia (luz, calor,
radiação), está é transformada em trabalho e
movimenta-o para mais longe do núcleo (ele fica
então com maior energia potencial – absorveu
energia).
 O processo inverso também pode ocorrer, com

liberação de energia – Exemplo: LED.

25
Cristais de Silício – Bandas de Energia
 Cada elétron sofre influências das cargas vizinhas dentro do cristal, tendo camadas
ligeiramente diferentes, configurando a banda de energia.
 Representam os níveis de energia mais prováveis para os elétrons de um cristal.

26
Cristais de Silício – Bandas de Energia
 Estas considerações são válidas para o silício em temperatura próxima a 0K; nesta
condição a banda de condução está vazia e não há possibilidade de corrente elétrica..
 Os átomos de cobre possuem 1 elétron livre (órbita muito grande) e esta tem alto
nível de energia. Por isso, tem a capacidade de movimentação e é bom condutor.

27
Cristais de Silício – Saturação da camada de valência
 Cada átomo em um cristal de silício tem oito elétrons na sua camada de valência.
 Esses oito elétrons produzem uma estabilidade química que resulta num corpo sólido
de material de silício.
 Quando a camada de valência tem oito elétrons, ela fica saturada, pois nenhum outro
elétron pode ser manter fixo nessa camada.
 Os oito elétrons de valência são chamados de elétrons de ligação porque são

fortemente atraídos pelos átomos. Em virtude dos elétrons de ligação, o cristal de
silício é um isolante quase perfeito na temperatura ambiente.
28
Cristais de Silício – Lacuna
 Quando o ambiente está acima de zero absoluto (-
273°C), o aquecimento deste ambiente provoca uma
agitação no cristal de silício. Quanto maior a temperatura
ambiente, maior a vibração mecânica.
 Em um cristal de silício, as vibrações dos átomos podem

ocasionalmente deslocar um elétron da camada de
valência.
A energia térmica produz
elétron e lacuna  Quando isso ocorre, o elétron liberado ganha energia
suficiente para mudar para outra camada mais externa.
29
 Nessa camada o elétron torna-se um elétron livre.
 A saída do elétron cria um vazio na camada de valência

chamado de lacuna.
 A lacuna comporta-se como uma carga positiva, pois a

perda de um elétron produz um íon positivo.
A energia térmica produz  A lacuna vai atrair e capturar outro elétron

elétron e lacuna imediatamente mais próximo.

30
 A existência de lacunas é a diferença crítica entre os
condutores e os semicondutores.
 As lacunas permitem aos semicondutores fazer muitas

coisas impossíveis de se conseguir com os condutores.
 Na temperatura ambiente, a energia térmica produz

apenas alguns elétrons livre. Para aumentar o número de
A energia térmica produz lacunas e elétrons livres, é preciso fazer um processo de
elétron e lacuna dopagem do cristal.

31
Cristais de Silício – Corrente de Elétrons e Corrente de Lacunas
 Corrente de Lacunas: ao deslocar-se um

elétron para a Banda de Condução (BC),
fica na Banda de Valência (BV) uma
ausência de carga negativa chamada lacuna
(hole), representando uma carga positiva.
Esta lacuna atrai outro elétron, criando
nova lacuna, e assim por diante.

32
Cristais de Silício – Corrente de Elétrons e Corrente de Lacunas
 Este movimento fictício, de “cargas

positivas”, que ocorre na BV é chamado de
corrente de lacunas.
 Par elétron-lacuna
 Para cada elétron na BC existe uma

lacuna correspondente na BV.

33
Cristais de Silício – Recombinação e Tempo de Vida
 Quando a camada de condução de um átomo intercepta a
camada de valência de outro, ocasionando a volta do
elétron para a BV e o desaparecimento de um par elétron-
lacuna.
 O tempo entre a criação e o desaparecimento de um

elétron livre é chamado de tempo de vida.
Recombinação do  Ele varia de alguns nanossegundos até vários

elétron e da lacuna microssegundos, dependendo da perfeição do cristal e de
outros fatores.
34
Cristais de Silício – Bandas de Energia e Tipo de Material
 1𝑒𝑉 = 1,6 𝑥 10−19 C
Banda de
Condução Banda de
Elétrons
Condução
livres
Banda
𝐸𝑔 ≅ 5𝑒𝑉 proibida
𝐸𝑔 ≅ 1𝑒𝑉
Banda de Lacunas Banda de

Valência Valência

35
Cristais de Silício – Exemplo 01
 Se um cristal de Silício puro tem 1 milhão de elétrons livres, quantas lacunas
existem?
 O que acontece com o número de elétrons livres e lacunas se a temperatura aumentar?

36
Semicondutores Intrínsecos
 O semicondutor intrínseco é um semicondutor puro.
 O cristal de silício é um semicondutor intrínseco se cada átomo no cristal for um

átomo de silício.

37
Semicondutores Intrínsecos – Fluxo de Elétrons Livres
 A figura mostra parte de um cristal de silício entre
placas metálicas carregadas. Suponha que a
energia térmica tenha produzido um elétron livre e
uma lacuna.
 O elétron livre está em uma órbita mais externa do

lado direito do cristal. Como a placa está
carregada negativamente, o elétron livre é repelido
para o lado esquerdo. Esse elétron livre pode
mover-se de uma órbita externa para a próxima até
alcançar a placa positiva.
38
Semicondutores Intrínsecos – Fluxo de Lacunas
 Observe a lacuna no lado esquerdo da figura. Ela
atrai o elétron de valência do ponto A. Isso faz o
elétron de valência mover-se para a lacuna.
 Quando o elétron de valência do ponto A move-se

para a esquerda, ele cria uma lacuna no ponto A. O
efeito é o mesmo que mover uma lacuna original
para a direita. A nova lacuna no ponto A pode
atrair e capturar outro elétron de valência.

39
Dois Tipos de Fluxos  A figura mostra um semicondutor intrínseco. Ele tem o
mesmo número de elétrons livres e lacunas.
 Energia térmica produz elétrons livres e lacunas aos

pares.
 A tensão aplicada forçará os elétrons livres a circular

para o lado esquerdo e as lacunas, para o lado direito.
 Quando os elétrons livres alcançam o lado final

esquerdo do cristal, eles passam para o fio externo e
circulam para o terminal positivo da bateria.
40
Dois Tipos de Fluxos  Por outro lado, os elétrons livres do terminal negativo
da bateria circulam para o final direito do cristal.
 Nesse ponto, eles entram no cristal e recombinam-se

com as lacunas até alcançarem o final direito do cristal.
 Desse modo, um fluxo estável de elétrons livres e

lacunas ocorre dentro do semicondutor.
 Observe que não existe fluxo de lacunas fora do

semicondutor.

41
Dopagem de um Semicondutor
 Uma forma de aumentar a condutividade de um semicondutor é pelo processo de
dopagem.
 Introdução de átomos de impurezas em um cristal intrínseco para aumentar o número

de pares elétron-lacuna (alterar sua condutividade elétrica).
 Um semicondutor dopado é chamado de semicondutor extrínseco.
 A dopagem é realizada através de um processo de emissão de gases sob pressão a

altas temperaturas sobre o semicondutor intrínseco.

42
Dois Tipos de Semicondutores Extrínsecos – Semicondutores Tipo - n
 O silício que foi dopado com impureza
pentavalente é chamado de semicondutor tipo n,
onde n quer dizer negativo.
 Dopagem realizada com Arsênio, Antimônio ou

Fósforo.
 Como o número de elétrons livres excede o

número de lacunas num semicondutor tipo n, o
elétron extra vai para a BC.

43
Dois Tipos de Semicondutores Extrínsecos – Semicondutores Tipo - n
 Assim, tem-se:
 Portadores Majoritários: são os elétrons da

BC (majoritários = maioria);
 Portadores Minoritários: são as lacunas da BV

(minoritários = minoria).

44
Dois Tipos de Semicondutores Extrínsecos – Semicondutores Tipo - p
 O silício que foi dopado com impureza

trivalente é chamado de semicondutor
tipo p, onde p significa positivo.
 Dopagem realizada com Alumínio, Boro,

Gálio, Indio.

45
Dois Tipos de Semicondutores Extrínsecos – Semicondutores Tipo - p
 Como o número de lacunas excede o número de
elétrons livres num semicondutor tipo p, tem-se:
 Portadores Majoritários: são as lacunas da

BV;
 Portadores Minoritários: são os elétrons da

BC.

46
Diodo Não Polarizado
 Por si só, um semicondutor tipo n é usado como um resistor de carbono; o mesmo
pode ser dito para um semicondutor tipo p.
 Mas quando um fabricante dopa um cristal de modo que metade dele é do tipo p e a
outra metade do tipo n, algo novo começa a acontecer.
 A borda entre o tipo p e o tipo n é chamada de junção pn.
 Ela é a base para todo tipo de invenções, inclusive dos diodos, transistores e circuitos
integrados.

47
Diodo Não Polarizado
 Cada átomo trivalente em um cristal de silício
produz uma lacuna. Por essa razão, podemos
visualizar um semicondutor tipo p como mostra
o lado esquerdo da figura.
 Cada sinal negativo dentro do círculo é um

átomo trivalente, e cada sinal positivo, uma
lacuna na sua órbita de valência.

48
Diodo Não Polarizado  De modo similar, podemos visualizar os átomos
pentavalente e os elétrons livres de um
semicondutor tipo n.
 Cada círculo com um sinal positivo representa um

átomo pentavalente, e cada sinal de menos é o
elétron livre que ele contribui para o semicondutor.
 Observe que cada pedaço de material semicondutor

é eletricamente neutro, pois o número de sinais
positivos é igual ao número de sinais negativos.

49
Diodo Não Polarizado  A junção é a borda onde as regiões do tipo p e do tipo n
se encontram.
 Difusão:
 Lado n – o átomo de impureza ‘doa’ um elétron ao
lado p, tornando-se um íon positivo.
 Lado p – o átomo de impureza ‘recebe’ um elétron do
lado n, tornando-se um íon negativo.
 Esse processo ocorre devido a alta concentração de

elétrons no lado n, que se repelem mutuamente.
50
Diodo Não Polarizado – Camada de Depleção
 Em virtude da repulsão, os elétrons livres do
lado n tendem a se difundir em todas as direções.
 Alguns elétrons livres se difundem através da

junção.
 Quando um elétron livre entra na região p, ele

passa a ser um portador minoritário.
 Logo que entra na região p, o elétron livre

recombina com uma lacuna.
51
 Quando isso acontece, a lacuna desaparece e o
elétron livre passa a ser um elétron de
valência.
 Cada vez que o elétron difunde-se na junção, ele

cria um par de íons.
 Quando um elétron deixa o lado n, ele deixa para

trás um átomo pentavalente que perde carga
negativa; ele se torna um íon positivo.

52
 Após a migração, o elétron cai numa lacuna do
lado p; isso faz que um íon negativo fora do
átomo trivalente o capture.
 A figura ao lado mostra esses íons em cada um

dos lados da junção. Os círculos com sinais
positivos são os íons positivos e os círculos com
sinais negativos são os íons negativos.

53
 Os íons ficam fixos na estrutura do cristal em
virtude da ligação covalente, e não podem se
mover entre os átomos como elétrons livres e
lacunas.
 Cada par de íons positivos e negativos na junção

é chamado de dipolo. A criação de um dipolo
significa que um elétron livre e uma lacuna
ficam fora de circulação.

54
 À medida que o número de dipolos aumenta, a
região próxima da junção torna-se vazia de
portadores de carga.
 Chamamos a região vazia de portadores de carga

como camada de depleção.
 Deriva (Drift): corrente (fluxo de elétrons)

originada pela aplicação de um campo elétrico;
corrente forçada.

55
Diodo Não Polarizado – Barreira de Potencial
 É a diferença de potencial existente através da camada de depleção quando atinge-se
o equilíbrio de difusão.
 Se um elétron difunde-se do lado n ao lado p, ele encontrará uma barreira de íons

negativos que o repelirão; se tiver energia suficiente, ultrapassará os íons e
recombinar-se-á com uma lacuna, formando outro íon negativo. Este processo
encontrará o equilíbrio, onde os elétrons não mais conseguirão difundir-se. Os íons
(positivos e negativos) formam uma barreira (não deixa os elétrons difundir-se).
Devido às cargas elétricas resultantes nos íons, esta barreira tem um potencial que no
caso do silício é aproximadamente 0,7V. Germânio, 0,3V.

56
Polarização Direta
 A figura ao lado mostra uma fonte CC aplicada a um
diodo. O terminal negativo da fonte está conectado a
um material tipo n e o terminal positivo está conectado
a um material tipo p.
 Essa conexão produz o que chamamos de polarização

direta.

57
Polarização Direta – Fluxo de Elétrons Livres
 A bateria empurra as lacunas e os elétrons livres em
direção à junção. Se a tensão da bateria for menor que
a barreira de potencial, os elétrons livres não possuem
energia suficiente para penetrar na camada de
depleção.
 Quando eles penetram na camada de depleção, os íons

empurram os elétrons livres de volta para a região n,
por isso não há corrente pelo diodo.

58
Polarização Direta – Fluxo de Elétrons Livres
 Quando a tensão CC da fonte for maior que a barreira
de potencial, a bateria empurra novamente as lacunas e
os elétrons livres em direção à junção.
 Dessa vez, os elétrons livres têm energia suficiente

para passar pela camada de depleção e recombinar com
as lacunas.
 Existe uma corrente contínua através do diodo.

59
Polarização Direta – Fluxo de um Elétron
 Após o elétron livre deixar o terminal negativo da
bateria, ele entra pelo final direito do diodo.
 Ele viaja através da região n até alcançar a junção.

Quando a tensão da bateria for maior do que 0,7V o
elétron livre possui energia suficiente para penetrar a
camada de depleção.
 Assim que o elétron livre entra na região p ele

recombina-se com uma lacuna.

60
 Em outras palavras, o elétron livre torna-se um elétron
de valência.
 Como um elétron de valência, ele continua a viagem

para o lado esquerdo, passando uma lacuna para a
próxima até alcançar o lado final esquerdo do diodo.
 Quando ele deixa o lado final esquerdo do diodo, uma

nova lacuna aparece e o processo é reiniciado.

61
 Como existem bilhões de elétrons fazendo a mesma
jornada, obtemos uma corrente contínua através do
diodo.
 A corrente circula com facilidade em um diodo

polarizado diretamente. Assim, se a tensão da fonte for
maior do que 0,7V, num diodo de silício haverá uma
corrente contínua no sentido direto.

62
Polarização Direta – Resumo
 Movimento da corrente eletrônica:
 Elétron entra na região n como um elétron livre;

(repelido pelo potencial negativo da fonte)
 Atravessa a junção e recombina-se com uma

lacuna;
 Caminha pela região p como elétron de valência;
 Encontra o terminal positivo da fonte.

63
Polarização Direta – Resumo
 Observação:
 Caminho Banda de Condução Banda de Valência Libera Energia
(geralmente em forma de calor, o

que causa o aquecimento do diodo
quando conduzindo corrente em
polarização direta)

64

Dispositivos e Circuitos Eletrônicos: Teoria do Semicondutor

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 Física e propriedades de semicondutores;

 Diodos de junção PN e suas características terminais;

 Transistor bipolar de junção (BJT) e polarização;

 Amplificadores em baixa frequência;

 Amplificadores operacionais: circuitos básicos;

 Fontes de alimentação reguladas;

 Características dos amplificadores quanto a ganho, eficiência, distorção, ruído,

Dispositivos e Circuitos Eletrônicos

 Frequência ≥ 75% e Nota Final (NF) ≥ 6,0 APROVADO;

Dispositivos e Circuitos Eletrônicos

 Prova Institucional 4,0;

 NOTA FINAL (NF) = prova oficial do professor + trabalhos + prova institucional

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 Após o Exame Final

 SEDRA, Adel S; SMITH, Kenneth C. Microeletrônica. 6. ed. Rio de Janeiro:

 RAZAVI, B. Fundamentos de microeletrônica. Rio de Janeiro: LTC, 2010.

 CAPUANO, Francisco G.; MARINO, Maria A. M. Laboratório de eletricidade e

Dispositivos e Circuitos Eletrônicos

 BOGART JR, T. F. Dispositivos e circuitos eletrônicos. São Paulo: Makron Books,

 BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis. Dispositivos eletrônicos e

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 Materiais que não são nem condutores e nem isolantes;

 Semicondutores contêm alguns elétrons livres;

 O que os torna diferentes é principalmente a presença de lacunas.

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Dispositivos e Circuitos Eletrônicos

 O núcleo do átomo de cobre contém 29 prótons (cargas

 Quando um átomo de cobre tem uma carga neutra, 29

 Os elétrons viajam em camadas distintas;

Átomo de Cobre  Existem 2 elétrons na primeira camada, 8 na segunda, 18 na

 A razão que impede esses elétrons de se chocarem com o

 A força centrífuga é exatamente igual à forma de atração do

 Quanto maior a camada (órbita) de um elétron, menor a

Dispositivos e Circuitos Eletrônicos

 O elétron mais externo da figura ao lado circula o núcleo

 Em eletrônica, tudo o que importa é a camada mais externa,

Dispositivos e Circuitos Eletrônicos

 Para um átomo de cobre, seu núcleo envolve os 29 prótons

 O núcleo de um átomo de cobre tem uma carga líquida de

 É por isso que sempre chamados o elétron de valência de

 É por isso também que o cobre é um bom condutor.

Átomo de Cobre  O menor valor de tensão pode fazer os elétrons livres se

 Os melhores isolantes possuem oito elétrons de valência.

 O semicondutor é um elemento com propriedades elétricas entre as do condutor e as

 Os melhores semicondutores possuem quatro elétrons de valência.

Dispositivos e Circuitos Eletrônicos

 Há muitos anos o germânio era o único material disponível para a fabricação de

 Silício tornou-se mais utilizado e fez o germânio tornar-se obsoleto.

 Uma vez solucionado esse problema, as vantagens do silício (serão estudadas

 Sem ele, a eletrônica moderna, as comunicações e os computadores seriam

Dispositivos e Circuitos Eletrônicos

 Núcleo tem 14P + 14N – carga total positiva.

 Camada tem 14e – negativa.

 Potencial de Ionização: energia necessária para remover

 Cada átomo de silício compartilha seus elétrons

 Ligações covalentes – formam um material

Dispositivos e Circuitos Eletrônicos

 São discretos e aumentam conforme a distância

 Conceito válido somente para um átomo,

Dispositivos e Circuitos Eletrônicos