SEMICONDUCTORES

Estructura de los sólidos.

Introducción del marco conceptual que conduce a la teoría de bandas
Cristales: el enlace covalente.
Teoría de bandas de energía.
Bandas de energía y conducción eléctrica en cristales.
Clasificación de los materiales: metales, dieléctricos y semiconductores.

Semiconductores y fenómenos de conducción.

Introducción. Los semiconductores de Silicio y Germanio: estructura y hechos
experimentales.
Semiconductores intrínsecos: Electrones y huecos. Estructura de bandas de un
semiconductor intrínseco. Generación de pares electrón-hueco. Dependencia con la
temperatura.
Semiconductores con impurezas o extrínsecos: Semiconductores tipo p y
semiconductores tipo n. Estructura de bandas de un semiconductor extrínseco.
Ley de acción de masas. Concentraciones de portadores mayoritarios y
minoritarios.
La unión semiconductora PN.
Introducción. Concepto. Estudio del equilibrio en la unión sin polarización externa.
Difusión. Potencial de contacto. Zona de deplección. Capacidad de la unión.
Perturbación del equilibrio por aplicación de una diferencia de potencial externa:
La unión p-n con polarización inversa; corriente inversa de saturación.
La unión p-n con polarización directa.
Característica corriente-tensión de un diodo semiconductor.
Diodo Zener, diodo Schottky, diodos emisores de luz (LED), fotodiodos, células
solares, Laser, diodo túnel.
El diodo de unión en conmutación. (noción de retardo)
Velocidad de conmutación.
La teoría cuántica de los átomos resulta de la aplicación
de la ecuación de Schödinger a un sistema formado por un
núcleo de carga Ze y Z electrones de carga -e.

Las funciones de onda dependen de los números cuánticos.

La configuración electrónica de los átomos está

gobernada por el principio de exclusión de Pauli. Dos
electrones en un mismo átomo no pueden encontrarse en
el mismo estado cuántico.
Constituyentes
de la materia

O sea las
partículas
elementales,
tales como
protones,
electrones y
neutrones
Atomos

1s22s22p2

1s22s22p63s23p2

1s22s22p63s23p63d64s2
Moléculas

Fulereno
Valium

Agua
Molécula de hidrógeno

d
+ +

A B
 Gas Líquido
Sólido

Hielo

Cristal de
Cl Na (fcc)
Enlace
iónico
5.63Å
Diagrama de niveles
energéticos para el
hidrógeno
 Energía
División energética de dos
niveles de energía para Nivel 2
seis átomos en función de
su separación. Bandas de energía permitida
Nivel 1

Separación de los átomos

Si tenemos N átomos idénticos agrupados, cada
nivel del átomo aislado se divide en N niveles
energéticos distintos pero muy próximos

En un sólido macroscópico hay del orden de 1023 átomos,

luego cada nivel energético se divide en un casi continuo
de niveles que constituyen lo que se llama una banda.
 Reducción de la distancia interatómica del Carbono

Energía
- -
- - - -
- - - -
- -
- -
Distancia interatómica

Diamante:
Cúbico, Grafito:
transparente, Hexagonal,
duro y negro,
aislante blando y
conductor
Las bandas de más baja energía corresponden a los niveles de
menor energía de los electrones en el sólido o sea a los
electrones ligados
La banda de energía más alta que contiene electrones se llama
banda de valencia
La banda de energía más baja que contiene estados no ocupados
se llama banda de conducción

Prohibida Niveles energéticos

muy próximos entre
Permitida, Solapada sí
vacía
Permitida
ocupada

Conductor Conductor Aislante Semiconductor

Cobre Magnesio
(Cu) (Mg)
 Distribución energética de los electrones en las bandas

La energía del último

nivel lleno o medio lleno a
T = 0 se llama energía de
Fermi EF

T = 0
Bosones Fermiones
Deuterón
fotón Electrón
mesón

La energía para la cual la probabilidad T > 0

de que su estado se encuentre ocupado
es 1/2 se define como EF
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/hph.html#hph
 SEMICONDUCTORES INTRINSECOS
Cuatro electrones de valencia

Silicio
Germanio
Enlace covalente

Estructura del silicio

Red cúbica
Longitud de la arista
a = 0.543 nm (parámetro de red)
Representación plana del Germanio a 0º K
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- - - -
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- - - -

No hay enlaces covalentes rotos. Esto equivale a

que los electrones de la banda de valencia no
pueden saltar a la banda de conducción.
 Situación del Ge a 300º K (I)
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- - - - -
+
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- - - -
•Hay 1 enlace roto por cada 1.7·109 átomos.
•Un electrón “libre” y una carga “+” por cada
enlace roto.
Imágenes de átomos y
escalones en una
superficie de silicio
barrida por un
microscopio de efecto
túnel

Átomos a mayor altura

Átomos intermedios
Átomos de una capa mas baja
Cristal de cuarzo

Obtención de silicio

cuarzo silano

SiO2 + 4H2 → SiH4 (gas) + 2H2O

SiH 4 → Si + 2H2 ( pirólisis 1000ºC)

A partir de un germen cristalino,
el silicio fundido crece en forma
de cristal cilíndrico
 00KKbanda
bandade
deconducción
conducciónvacía
vacía 300 K

banda de conducción

banda de valencia

El Si tiene aproximadamente un electrón libre por cada 1012 átomos

hueco
Electrón
libre

Contribuyen a la corriente
los electrones y los huecos
Propiedades del germanio y del silicio

Ge Si
Número atómico 32 14
Masa atómica (g/mol) 72.6 28.08
Radio atómico (nm) 0.137 0.132
Estructura electrónica [Ar]4s23d104p2 [Ne]3s23p2
Densidad (kg/m3) 5323 2330
Temperatura de fusión 937.4 ªC 1410 ªC
Calor específico(J/kg ªC) 309 677
Concentración atómica (atomos/m3) 4.42 1028 4.96 1028
Concentración intrínseca a 300 K 2.36 1019 m-3 1.5 1016 m-3
Anchura banda prohibida a 300 K 0.67 eV 1.12 eV
Movilidad de los electrones a 300 K 0.39 m2 /Vs 0.135 m2 /Vs
Movilidad de los huecos a 300 K 0.182 m2 /Vs 0.05 m2 /Vs
Resistividad intrínseca a 300 K 0.47 Ω m 2300 Ω m
Difusividad de los electrones 10.1 10-3 m2/s 3.5 10-3 m2/s
Difusividad de los huecos 4.9 10-3 m2/s 1.3 10-3 m2/s
Permitividad eléctrica 15.7 12
Masa efectiva electrones 0.5 m0 1.1 m0
Masa efectiva huecos 0.37 m0 0.59 m0
Relaciones cuantitativas para la conducción
eléctrica en semiconductores intrínsecos

σ = nqµn + pqµ p

σ conductividad
n número de electrones de conducción por unidad de volumen
p número de huecos de conducción por unidad de volumen
µn movilidad del electrón
µp movilidad del hueco
 Situación del Ge a 300º K (II) -
Generación
+
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Recombinación
Ge
- - - - Generación - -
Generación
+
- -
+
- -
- - Recombinación
- - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - -
Siempre se están rompiendo (generación) y
reconstruyendo (recombinación) enlaces. La vida media
de un electrón puede ser del orden de milisegundos o
microsegundos.
 LEY DE ACCION DE MASAS

A temperatura constante y en condiciones de

equilibrio el producto de las concentraciones de
electrones libres (n) y de huecos (p) es constante e
igual al cuadrado de la concentración de portadores
intrínsecos (ni) en el semiconductor

ni2=n p
 Tabla periódica alrededor de los elementos semiconductores

Carbono:
Estructura cristalina
(diamante) aislante.

Dopantes
tipo p

Dopantes
tipo n
 SEMICONDUCTORES DOPADOS
Se dopan con elementos que tienen 5 electrones
Semiconductor tipo n de valencia Fósforo, Arsénico y Antimonio

Electrón Electrón
extra Banda de
extra
conducción vacía

Niveles donadores de
impurezas

Banda de valencia
llena
Estructura
electrónica
del Arsénico
 Se dopan con elementos que tienen 3 electrones
Semiconductor tipo p
de valencia Boro, Aluminio y Galio

Banda de
conducción vacía

Hueco

Niveles aceptores de
impurezas
Hueco

Banda de valencia
Estructura llena
electrónica
del Galio
 LEY DE NEUTRALIDAD ELECTRICA

El cristal total debe ser eléctricamente neutro Na + n = Nd + p

Semiconductores intrínsecos:
Na = Nd= 0 n = p = ni

Semiconductor tipo n n>>p

Semiconductores extrínsecos:
Na = 0 nn ≈ Nd
ni2 ni2
pn = ≈
Na concentración de iones positivos (aceptores)
nn Nd
Nd concentración de iones negativos (donadores)
n concentración de electrones debido al dopado Semiconductor tipo p p>>n
p concentración de huecos debido al dopado
Nd = 0 pp ≈ Na
ni2 n2i
np = ≈
pp Na
 σ conductividad
Conductividad: σ = n q µ q carga del portador
µ movilidad
Semiconductores intrínsecos:
 Eg 
n = ne = nh = n0exp  − 
σ = ne q µe + nh q µh = nq(µe+µh)  2kT 
Semiconductores extrínsecos:

Semiconductor tipo n n>>p Semiconductor tipo p p>>n

σ = nd q µe σ = na q µh

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