Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductoro MOSFET (en inglés Metal-oxide-

semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales MOSFET (Transistor de efecto
electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos campo MOS)
analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo.
Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores
MOSFET.

El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S, Source), drenador (D, Drain),
puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin embargo, el sustrato generalmente está conectado
internamente al terminal de fuente y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de
tres terminales.

El término 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el aluminio que fue el
Transistores MOSFET en encapsulado D2PAK. Cada uno
material de la puerta hasta mediados de 1970 fue sustituido por el silicio policristalino debido a su
maneja 30 A de corriente y 120 V de tensión. Un fósforo o
capacidad de formar puertas auto-alineadas. Las puertas metálicas están volviendo a ganar
cerilla aparece al lado para efectos de comparación.
popularidad, dada la dificultad de incrementar la velocidad de operación de los transistores sin
Tipo Semiconductor
utilizar componentes metálicos en la puerta. De manera similar, el 'óxido' utilizado como aislante en
la puerta también se ha reemplazado por otros materiales con el propósito de obtener canales fuertes Principio de Efecto de campo
con la aplicación de tensiones más pequeñas.
funcionamiento
Invención Dawon Kahng y Martin Atalla
Un transistor de efecto de campo de puerta aislada o IGFET (Insulated-gate field-effect transistor) es (1960)
un término relacionado que es equivalente a un MOSFET. El término IGFET es más inclusivo, ya Símbolo electrónico
que muchos transistores MOSFET utilizan una puerta que no es metálica, y un aislante de puerta que
no es un óxido. Otro dispositivo relacionado es el MISFET, que es un transistor de efecto de campo
metal-aislante-semiconductor (Metal-insulator-semiconductor field-effect transistor).

Índice
Historia Terminales Puerta (G), Drenaje (D) y
Estructura Fuente (S). A veces se incluye
Símbolos de transistores MOSFET
un cuarto terminal de Sustrato
(B).
Funcionamiento
Estructura metal-óxido-semiconductor [editar datos en Wikidata]
Estructura MOSFET y formación del canal
Modos de operación
Corte
Región lineal u óhmica
Saturación o activa
Efectos de segundo orden
Aplicaciones
Ventajas con respecto a transistores bipolares
Escalamiento del MOSFET
Razones para el escalamiento del MOSFET
Dificultades en la reducción de tamaño del MOSFET
Estructura del MOSFET donde se muestran los
Enlaces externos terminales de puerta (G), sustrato (B), fuente
Referencias (S) y drenador (D). La puerta está separada del
cuerpo por medio de una capa de aislante
(blanco).
Historia
El físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 19251 una patente para "un método y un aparato para controlar corrientes eléctricas" y
2 y 19283 4 pero
que se considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo. Lilienfeld también solicitó patentes en los Estados Unidos en los años 1926
no publicó artículo alguno de investigación sobre sus dispositivos, ni sus patentes citan algún ejemplo específico de un prototipo de trabajo. Debido a que la
producción de materiales semiconductores de alta calidad aún no estaba disponible por entonces, las ideas de Lilienfeld sobre amplificadores de estado sólido no
5
encontraron un uso práctico en los años 1920 y 1930.
En 1948, fue patentado el primer transistor de contacto de punto por el equipo de los estadounidenses Walter Houser Brattain y John Bardeen6 y de manera
independiente, por los alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la Compagnie des Freins et Signaux, una subsidiaria francesa de la
estadounidense Westinghouse, pero al darse cuenta éstos últimos de que los científicos de Laboratorios Bell ya habían inventado el transistor antes que ellos, la
7
empresa se apresuró a poner en producción su dispositivo llamado "transistron" para su uso en la red telefónica de Francia.

En 1951, Wiliam Shockley solicitó la primera patente de un transistor de efecto de campo,8 tal como se declaró en ese documento, en el que se mencionó la estructura
que ahora posee. Al año siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron éxito al fabricar este dispositivo, 9 cuya nueva patente fue
solicitada el día 31 de octubre de 1952 10 El primer transistor MOSFET fue construido por el coreano-estadounidense Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla,
ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en 1960.11 12

Estructura
Con una operación y estructura completamente distintas al transistor bipolar de unión, el transistor MOSFET fue
creado al colocar una capa aislante en la superficie de un semiconductor y luego colocando un electrodo metálico de
puerta sobre el aislante. Se utilizó silicio cristalino para el semiconductor base, y una capa de dióxido de silicio creada
a través de oxidación térmica, como aislante. El MOSFET de silicio no generaba trampas de electrones localizados
entre la interfaz, entre el silicio y la capa de óxido nativo, y por este motivo se veía libre de la dispersión y el bloqueo
de portadores que limitaba el desempeño de los transistores de efecto de campo anteriores.

Después del desarrollo de cuartos limpios para reducir los niveles de contaminación, y del desarrollo de la
fotolitografía así como del proceso planar que permite construir circuitos en muy pocos pasos, el sistema Si-SiO2 Fotomicrografía de dos MOSFETs
con puerta de metal en un arreglo de
(silicio-dióxido de silicio) obtuvo gran importancia debido a su bajo costo de producción por cada circuito, y la
prueba. Los pads para las dos
facilidad de integración. Adicionalmente, el método de acoplar dos MOSFET complementarios (de canal N y canal P)
puertas (G) y los tres nodos de
en un interruptor de estado alto/bajo, conocido como CMOS, implicó que los circuitos digitales disiparan una cantidad fuente (S) y drenador (D) están
muy baja de potencia, excepto cuando son conmutados. Por estos tres factores, los transistores MOSFET se han indicados.
convertido en el dispositivo utilizado más ampliamente en la construcción de
circuitos integrados.

Símbolos de transistores MOSFET

Existen distintos símbolos que se utilizan para representar al transistor MOSFET. El diseño básico consiste en una línea recta para dibujar el canal, con líneas que salen
del canal en ángulo recto y luego hacia afuera del dibujo de forma paralela al canal, para indicar la fuente y el drenaje. En algunos casos, se utiliza una línea
segmentada en tres partes para el canal del MOSFET de enriquecimiento, y una línea sólida para el canal del MOSFET de empobrecimiento. Otra línea es dibujada en
forma paralela al canal para destacar la puerta.

La conexión del sustrato, en los casos donde se muestra, se coloca en la parte central del canal con una flecha que indica si el transistor es PMOS o NMOS. La flecha
siempre apunta en la dirección P hacia N, de forma que un NMOS (Canal N en un sustrato P) tiene la flecha apuntando hacia adentro (desde el sustrato hacia el canal).
Si el sustrato está conectado internamente a la fuente (como generalmente ocurre en dispositivos discretos) se conecta con una línea en el dibujo entre el sustrato y la
fuente. Si el sustrato no se muestra en el dibujo (como generalmente ocurre en el caso de los diseños de circuitos integrados, debido a que se utiliza un sustrato común)
se utiliza un símbolo de inversión para identificar los transistores PMOS, y de forma alternativa se puede utilizar una flecha en la fuente de forma similar a como se
usa en los transistores bipolares (la flecha hacia afuera para un NMOS y hacia adentro para un PMOS).

En la tabla que seguidamente se muestra se tiene una comparación entre los símbolos de los MOSFET de enriquecimiento y de empobrecimiento, junto con los
símbolos para los JFET dibujados con la fuente y el drenaje ordenados de modo que las tensiones más elevadas aparecen en la parte superior del símbolo y la corriente
fluye hacia abajo.

Símbolos de los transistores FET y MOSFET

Canal
P

IGFET Mosfet IGFET

N-Ch N-Ch N-Ch Canal
Enh Sedra.svg Dep N
Labelled Labelled.svg
simplified.svg
MOSFET de MOSFET de MOSFET de
FET de unión
Enriquecimiento Enriquecimiento Empobrecimiento
JFET
(MOSFET-E) (sin sustrato) o Deplexión (MOSFET-D)
Para aquellos símbolos en los que el terminal del sustrato se muestra, aquí se representa conectado internamente al terminal de fuente. Esta es la configuración típica,
pero no significa que sea la única configuración importante. En general, el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales, y en los circuitos integrados muchos de los
MOSFET comparten una conexión común entre el sustrato, que no está necesariamente conectada a los terminales de la fuente de todos los transistores.

Funcionamiento
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS. Los primeros son los MOSFET de enriquecimiento los cuales se basan en la creación
de un canal entre el drenador y la fuente, al aplicar una tensión en la puerta. La tensión de la puerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se
forma una región de inversión, es decir, una región con dopado opuesto al que tenía el sustrato originalmente. El término enriquecimiento hace referencia al
incremento de la conductividad eléctricadebido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la región correspondiente al canal. El canal puede formarse con
un incremento en la concentración de electrones (en un nMOSFET o NMOS), o huecos (en un pMOSFET o PMOS). De este modo un transistor NMOS se construye
con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p.

Los MOSFET de empobrecimiento o deplexión tienen un canal conductor en su estado de reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicación de la tensión
eléctrica en la puerta, lo cual ocasiona una disminución de la cantidad de portadores de car
ga y una disminución respectiva de la conductividad.

Estructura metal-óxido-semiconductor
Véase también: Estructura MOS
Una estructura metal-óxido-semiconductor (MOS) tradicional se obtiene haciendo crecer una capa de dióxido de
silicio (SiO2) sobre un sustrato de silicio, y luego depositando una capa de metal o silicio policristalino, siendo el
segundo el más utilizado. Debido a que el dióxido de silicio es un material dieléctrico, esta estructura equivale a un
condensador plano, en donde uno de los electrodos ha sido reemplazado por unsemiconductor.

Cuando se aplica un potencial a través de la estructura MOS, se modifica la distribución de cargas en el

semiconductor. Si consideramos un semiconductor de tipo p (con una densidad de aceptores NA), p es la densidad de
huecos; p = NA en el silicio intrínseco), una tensión positiva VGB aplicada entre la puerta y el sustrato (ver figura) Estructura Metal-óxido-
crea una región de agotamiento debido a que los huecos cargados positivamente son repelidos de la interfaz entre el semiconductor construida con un
aislante de puerta y el semiconductor. Esto deja expuesta una zona libre de portadores, que está constituida por los sustrato de silicio tipo p
iones de los átomos aceptores cargados negativamente (ver Dopaje (semiconductores)). Si VGB es lo suficientemente
alto, una alta concentración de portadores de carga negativos formará una región de inversión localizada en una
franja delgada contigua a la interfaz entre el semiconductor y el aislante. De manera distinta al MOSFET, en donde la zona de inversión ocasiona que los portadores de
carga se establezcan rápidamente a través del drenador y la fuente, en un condensador MOS los electrones se generan mucho más lentamente mediante generación
térmica en los centros de generación y recombinación de portadores que están en la región de agotamiento. De forma convencional, la tensión de puerta a la cual la
densidad volumétrica de electrones en la región de inversión es la misma que la densidad volumétrica de huecos en el sustrato se llama
tensión de umbral.

Esta estructura con un sustrato de tipo p es la base de los transistores nMOSFET, los cuales requieren el dopado local de regiones de tipo n para el drenador y la fuente.

Estructura MOSFET y formación del canal

Un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) se basa en controlar la concentración
de portadores de carga mediante un condensador MOS existente entre los electrodos del sustrato y la puerta. La
puerta está localizada encima del sustrato y aislada de todas las demás regiones del dispositivo por una capa de
dieléctrico, que en el caso del MOSFET es un óxido, como el dióxido de silicio. Si se utilizan otros materiales
dieléctricos que no sean óxidos, el dispositivo es conocido como un transistor de efecto de campo metal-
aislante-semiconductor (MISFET). Comparado con el condensador MOS, el MOSFET incluye dos terminales
adicionales (fuente y drenador), cada uno conectado a regiones altamente dopadas que están separadas por la
región del sustrato. Estas regiones pueden ser de tipo p o n, pero deben ser ambas del mismo tipo, y del tipo
opuesto al del sustrato. la fuente y el drenador (de forma distinta al sustrato) están fuertemente dopadas y en la
notación se indica con un signo '+' después del tipo de dopado.
Formación del canal en un MOSFET
Si el MOSFET es de canal n (NMOS) entonces las regiones de dopado para la fuente y el drenador son regiones NMOS: Superior: Una tensión de puerta
'n+' y el sustrato es una región de tipo 'p'. Si el MOSFET es de canal p (PMOS) entonces las regiones de dopado dobla las bandas de energía, y se agotan
para la fuente y el drenador son regiones 'p+' y el sustrato es una región de tipo 'n'. El terminal de fuente se los huecos de la superficie cercana a la
puerta (izquierda). La carga que induce el
denomina así porque ser origen de los portadores de carga (electrones en el canal n, huecos en el canal p) que
doblamiento de bandas se equilibra con
fluyen a través del canal; de forma similar, el drenador es el punto en el cual los portadores de carga abandonan una capa de cargas negativas de iones
el canal. aceptores (derecha). Inferior: Una tensión
todavía mayor aplicada en la puerta agota
La ocupación de las bandas de energía en un semiconductor está determinada por la posición del nivel de Fermi los huecos, y la banda de conducción
con respecto a los bordes de las bandas de energía del semiconductor. Como se describe anteriormente, y como disminuye de forma que se logra la
se puede apreciar en la figura, cuando se aplica una tensión de puerta suficiente, el borde de la banda de valencia conducción a través del canal.
se aleja del nivel de Fermi, y los huecos presentes en el sustrato son repelidos de la puerta. Cuando se polariza
todavía más la puerta, el borde de la banda de conducción se acerca al nivel de Fermi en la región cercana a la
superficie del semiconductor, y esta región se llena de electrones en una región de inversión o un canal de tipo n originado en la interfaz entre el sustrato tipo p y el
óxido. Este canal conductor se extiende entre el drenador y la fuente, y la corriente fluye a través del dispositivo cuando se aplica un potencial entre el drenador y la
fuente. Al aumentar la tensión en la puerta, se incrementa la densidad de electrones en la región de inversión y por lo tanto se incrementa el flujo de corriente entre el
drenador y la fuente.

Para tensiones de puerta inferiores a la tensión de umbral, el canal no tiene suficientes portadores de carga para formar la zona de inversión, y de esta forma sólo una
pequeña corriente de subumbral puede fluir entre el drenador y la fuente.

Cuando se aplica una tensión negativa entre puerta-fuente (positiva entre fuente-puerta) se crea un canal de tipo p en una superficie del sustrato tipo n, de forma
análoga al canal n, pero con polaridades opuestas para las cargas y las tensiones. Cuando una tensión menos negativa que la tensión de umbral es aplicada (una tensión
negativa para el canal tipo p) el canal desaparece y sólo puede fluir una pequeña corriente de subumbral entre el drenador y la fuente.

Modos de operación
El funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes regiones de operación, dependiendo
de las tensiones en sus terminales. En la presente discusión se utiliza un modelo algebraico que es válido para las
tecnologías básicas antiguas, y se incluye aquí con fines didácticos. En los MOSFET modernos se requieren modelos
computacionales que exhiben un comportamiento mucho más complejo.

Para un transistor NMOS de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones:

Corte
Corriente de drenador vs. tensión
Cuando VGS < Vth drenador-surtidor para distintos
valores de ; el límite entre
donde Vth es la tensión de umbral del transistor la región lineal (óhhmica) y la región
de saturación (activa) se indica por la
De acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región el dispositivo se parábola en rojo.
encuentra apagado. No hay conducción entre la fuente y el drenador, de modo
que el MOSFET se comporta como un interruptor abierto.

Un modelo más exacto considera el efecto de la energía térmica descrita por la

distribución de Boltzmann para las energías de los electrones, en donde se
permite que los electrones con alta energía presentes en la fuente ingresen al
canal y fluyan hacia el drenador. Esto ocasiona una corriente subumbral, que es
una función exponencial de la tensión entre puerta-fuente. La corriente
subumbral sigue aproximadamente la siguiente ecuación:

donde ID0 es la corriente que existe cuando VGS = Vth,

VT = kT/q es el voltaje térmico, NMOS en modo de corte.La región
n = 1 + CD/COX blanca indica que no existen
portadores libres en esta zona,
donde CD es la capacidad de la región de agotamiento, y debido a que los electrones son
COX es la capacidad de la capa de óxido. repelidos del canal.

Región lineal u óhmica

Cuando VGS > Vth y VDS < ( VGS – Vth )

Al polarizarse la puerta con una tensión mayor que la tensión de umbral, se crea
una región de agotamiento en la región que separa la fuente y el drenador. Si
esta tensión crece lo suficiente, aparecerán portadores minoritarios (huecos en
PMOS, electrones en NMOS) en la región de agotamiento, que darán lugar a un
canal de conducción. El transistor pasa entonces a estado de conducción, de
modo que una diferencia de potencial entre drenador y fuente dará lugar a una
corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la
tensión de puerta.

La corriente que entra por el drenador y sale por la fuente es modelada por
medio de la ecuación: NMOS en la región lineal.Se forma
un canal de tipo n al lograr la
inversión del sustrato, y la corriente
fluye de drenador a fuente.

donde es la movilidad efectiva de los portadores de carga,

 es la capacidad del óxido por unidad de área,
es el ancho de la puerta,
es la longitud de la puerta.

Saturación o activa

Cuando VGS > Vth y VDS > ( VGS – Vth )

Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite, el canal de

conducción bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del
drenador y desaparece. La corriente que entra por el drenador y sale por la
fuente no se interrumpe, ya que es debida al campo eléctrico entre ambos, pero
se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.

En esta región la corriente de drenador se modela con la siguiente ecuación:

NMOS en la región de saturación.

Al aplicar una tensión de drenador
más alta, los electrones son atraídos
con más fuerza hacia el drenador y
Efectos de segundo orden el canal se deforma.
Estas ecuaciones son un modelo sencillo de funcionamiento de los transistores MOSFET, pero no tienen en cuenta un
buen número de efectos de segundo orden, como por ejemplo:

Saturación de velocidad: La relación entre la tensión de puerta y la corriente de drenador no crece cuadráticamente en transistores de canal corto.
Efecto cuerpo o efecto sustrato: La tensión entre fuente y sustrato modifica la tensión umbral que da lugar al canal de conducción.
Modulación de longitud de canal.

Aplicaciones
La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios. Las
aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son:

Resistencia controlada por tensión.

Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET
, FREDFET, etc).
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

Ventajas con respecto a transistores bipolares

La principal aplicación de los MOSFET está en los circuitos integrados PMOS, NMOS y CMOS, debido a las siguientes ventajas de los transistores de efecto de
campo con respecto a los transistores bipolares:

Consumo en modo estático muy bajo.

Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra).
Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.
Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la
puerta se expresa en nanoamperios.
Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, lo que conlleva a un ahorro de superficie.
La velocidad de conmutación es muy alta, siendo expresada en nanosegundos.
Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia.

Escalamiento del MOSFET

Las dimensiones más importantes en un transistor MOSFET son la longitud del canal (L) y el ancho de la puerta (W).
En un proceso de fabricación se pueden ajustar estos dos parámetros para modificar el comportamiento eléctrico del
dispositivo. La longitud del canal (L) se utiliza además para referirse a la tecnología con la cual fue fabricado el
componente electrónico. De esta manera, un transistor fabricado con tecnología de 45 nm es un transistor cuya
longitud de canal es igual a 45 nm.

El MOSFET ha sido escalado continuamente para reducir su tamaño por varias razones. El motivo principal es que se
pueden poner más transistores en una misma área superficial, aumentando la densidad de integración y la potencia de
cálculo de los microprocesadores. Para tener una idea, los primeros transistores tenían longitudes de canal de varios
Las dimensiones características de
micrómetros, mientras que los dispositivos modernos utilizan tecnologías de apenas decenas de nanómetros. En un
un transistor MOSFET son la
microprocesador Core i7 de tercera generación fabricado con tecnología de 22 nm se tienen aproximadamente 1480 longitud de canal (L) y el ancho de la
millones de transistores.13 puerta (W).
Los trabajos de Richard Feynman y posteriormente de Robert H. Dennard sobre la teoría de escalamiento fueron la clave para reconocer que la reducción continua del
dispositivo era posible. Adicionalmente la industria microelectrónica ha tratado de mantener con vigencia la ley de Moore, una tendencia que indica que la cantidad de
transistores en un circuito integrado se duplica cada dos años. Para continuar con esta tendencia, Intel inició un proceso de producción en donde la longitud de la puerta
es de 32 nm en el 2009 y continúa reduciendo la escala en el 2011 con procesos de 22 nm. Por otro lado, la industria de semiconductores mantiene un "roadmap", el
ITRS,14 que marca las metas del desarrollo de la tecnología MOSFET
.

Razones para el escalamiento del MOSFET

Los MOSFET pequeños son deseables por varias razones. El motivo principal para reducir el tamaño de los transistores es que permite incluir cada vez más
dispositivos en la misma área de un circuito integrado. Esto resulta en circuitos con la misma funcionalidad en áreas más pequeñas, o bien circuitos con más
funcionalidades en la misma área. Debido a que los costos de fabricación para una oblea de semiconductor son relativamente estables, el costo por cada circuito
integrado que se produce está relacionado principalmente al número de circuitos que se pueden producir por cada oblea. De esta forma, los circuitos integrados
pequeños permiten integrar más circuitos por oblea, reduciendo el precio de cada circuito. De hecho, a lo go
lar de las últimas tres décadas el número de transistores por
cada circuito integrado se ha duplicado cada dos o tres años, cada vez que un nuevo nodo de tecnología es introducido. Por ejemplo el número de MOSFETs en un
microprocesador fabricado con una tecnología de 45 nm podría ser el doble que para un microprocesador fabricado con tecnología de 65 nm. Esta duplicación de la
densidad de integración de transistores fue observada porGordon Moore en 1965 y es conocida como laLey de Moore.15

También se espera que los transistores más pequeños conmuten más rápido. Por
ejemplo, un enfoque de escalamiento utilizado en el MOSFET requiere que todas
las dimensiones sean reducidas de forma proporcional. Las dimensiones principales
de un transistor son la longitud, el ancho, y el espesor de la capa de óxido. Cada una
de estas dimensiones se escala con un factor de aproximadamente 0.7 por cada
nodo. De esta forma, la resistencia del canal del transistor no cambia con el
escalamiento, mientras que la capacidad de la puerta se reduce por un factor de 0.7.
De esta manera la constante de tiempo del circuito RC también se escala con un
factor de 0.7.

Las características anteriores han sido el caso tradicional para las tecnologías
antiguas, pero para los transistores MOSFET de las generaciones recientes, la
reducción de las dimensiones del transistor no necesariamente implica que la
Tendencia de la longitud del canal y el anchode puerta en
velocidad de los circuitos se incremente, debido a que el retardo debido a las
transistores MOSFET fabricados por Intel, a partir de la tecnología
interconexiones se vuelve cada vez más importante. de 130 nm.

Dificultades en la reducción de tamaño del MOSFET

Históricamente, las dificultades de reducir el tamaño del MOSFET se han asociado con el proceso de fabricación de los dispositivos semiconductores, la necesidad de
utilizar tensiones cada vez más bajas, y con bajo desempeño eléctrico, requiriendo el rediseño de los circuitos y la innovación (los MOSFETs pequeños presentan
mayor corriente de fuga, e impedancia de salida más baja). Producir MOSFETs con longitudes de canal mucho más pequeñas que un micrómetro es todo un reto, y las
dificultades de la fabricación de semiconductores son siempre un factor que limita el avance de la tecnología de circuitos integrados. En los años recientes, el tamaño
reducido del MOSFET, más allá de las decenas denanómetros, ha creado diversos problemas operacionales.

Algunos de los factores que limitan el escalamiento del MOSFET son las siguientes:

Aumento de la corriente de subumbral

Aumento en las fugas puerta-óxido
Aumento en las fugas de las uniones fuente-sustrato y drenador-sustrato
Reducción de la resistencia de salida
Reducción de la transconductancia
Capacitancia de interconexión
Producción y disipación de calor
Variaciones en el proceso de fabricación
Retos en el modelado matemático

Enlaces externos
Animación 3D sobre el MOSFET (vídeo publicado con licencia Creative Commons)
Wikimedia Commons alberga una categoría multimedia sobreTransistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor.
Símbolos de transistores MOSFET

Referencias
1. «Patent 272437 Summary» (http://brevets-patents.ic.gc.ca/opic-cipo/cpd/eng/patent/272437/summary .html) (en inglés). Canadian Intellectual
Property Office. Consultado el 19 de febrero de 2016.
2. «Patent US 1745175: Method and apparatus for controlling electric currents» (https://docs.google.com/viewer?url=patentimages.storage.googleapi
s.com/pdfs/US1745175.pdf)(en inglés). United States Patent Office. Consultado el 19 de febrero de 2016.
 3. «Patent US 1877140: Amplifier for electric currents» (https://docs.google.com/viewer?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/US1877140.p
df) (en inglés). United States Patent Office. Consultado el 19 de febrero de 2016.
4. «Patent US 1900018: Device for controlling electric current» (https://docs.google.com/viewer?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/US19
00018.pdf) (en inglés). United States Patent Office. Consultado el 19 de febrero de 2016.
5. Vardalas, John (mayo de 2003). «Twists and Turns in the Development of the Transistor» (http://te.ieeeusa.org/2003/May/history.asp). Today's
Engineer. Consultado el 19 de febrero de 2016.
6. «Patent US2524035: Three-electrode circuit element utilizing semiconductive materials» (https://docs.google.com/viewer?url=patentimages.storag
e.googleapis.com/pdfs/US2524035.pdf)(en inglés). United States Patent Office. Consultado el 13 de marzo de 2016.
7. «1948: The European Transistor Invention» (http://www.computerhistory.org/siliconengine/the-european-transistor-invention/)(en inglés). Computer
History Museum. Consultado el 7 de marzo de 2016.
8. «Patent US2744970: Semiconductor signal translating devices» (https://docs.google.com/viewer?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/U
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9. Robinson, C. Paul (2013). «GEORGE C. (CLEMENT) DACEY» (http://www.nap.edu/read/18477/chapter/13). Memorial Tributes (en inglés) (The
National Academies Press)17. doi:10.17226/18477 (http://dx.doi.org/10.17226%2F18477). Consultado el 14 de marzo de 2016.
10. «Patent US2778956: Semiconductor signal translating devices» (https://docs.google.com/viewer?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/U
S2778956.pdf) (en inglés). United States Patent Office. Consultado el 13 de marzo de 2016.
11. «Patent US3102230: Electric field controlled semiconductor device» (https://docs.google.com/viewer?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdf
s/US3102230.pdf) (en inglés). United States Patent Office. Consultado el 7 de marzo de 2016.
12. «1960: Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated» (http://www.computerhistory.org/siliconengine/metal-oxide-semiconductor-mo
s-transistor-demonstrated/)(en inglés). Computer History Museum. Consultado el 7 de marzo de 2016.
13. Intel Corporation. «Moore's Law: Fun Facts»(http://www.intel.es/content/www/es/es/history/history-moores-law-fun-facts-factsheet.html)(en inglés).
Consultado el 10 de febrero de 2016.
14. «International Technology Roadmap for Semiconductors» (https://web.archive.org/web/20151228041321/http://www .itrs.net/). Archivado desde el
original (http://www.itrs.net) el 28 de diciembre de 2015.
15. «1965 – "Moore's Law" Predicts the Future of Integrated Circuits» (http://www.computerhistory.org/semiconductor/timeline/1965-Moore.html) .
Computer History Museum.

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