TECNICAS EN INGENIERIA ELECTRONICA – CIRCUITOS Y SIST.

DIGITALES

LABORATORIO NO 8

TEMA: MEMORIAS

INSTRUCTOR: VALERIO CARPIO

BLOQUE: ………………. FECHA DE REALIZACION DEL TALLER:…………….

CRITERIOS DE EVALUACIÓN:

A) Evaluación individual

Apellidos y nombres C1: C2: Colabora con sus C3: Aporta Puntaje Total:
Puntualidad e compañeros en el soluciones (20ptos)
indumentaria desarrollo del taller creativas (0-5)
(0-5) manteniendo el
respeto y la disciplina
(0-10)

1.
2.
3.
4.
5.

B) Evaluación Grupal :

Rubrica de evaluación para taller Puntaje Puntuaciones Puntaje

máximo 6 5 4 3 2 1 Obtenido
Se observa que hicieron un trabajo ordenado, limpio y al 2
finalizar la práctica dejaron su lugar de trabajo en
orden.
Manipula y utiliza los equipos e instrumentos de manera 2
correcta.
Detectan dificultades en la práctica y dan solución de 3
manera creativa e inventiva, aplicando técnicas
aprendidas en clase, e investigación del grupo.
Implementan los diferentes circuitos propuestos, con 6
éxito.
Presenta el proyecto final con estética y operativo al 3
100%, en el tiempo establecido.
Realiza el informe grupal del proyecto y lo presentan en 4
el tiempo establecido.
Total 20

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1.0 INFORMACION TECNOLOGICA

TEMA : MEMORIAS DIGITALES

Las memorias constituyen dispositivos de almacenamiento de datos binarios, en las cuales se pueden
escribir (proceso de guardar los datos) y posteriormente leer los datos guardados (lectura de datos).

Existen básicamente dos tipos diferenciados de memorias:

Memoria RAM (memorias de acceso aleatorio) Random Access Memory

Memoria ROM (memoria de solo lectura) Read Only Memory

Las memorias RAM se usan para guardar datos de manera temporal, necesarios para realizar las
operaciones en el microprocesador ó en su defecto en un sistema microcontrolador. En cambio en las
memorias del tipo ROM los datos están presentes de manera permanente así se les corte el suministro de
energía.

En el mercado también tenemos el 6116 que es una memoria RAM de 2Kbyte, el cual nos indica claramente
de cuantas líneas están dedicadas al bus de direcciones 2K = 2 x 1024 = 2048 posiciones , el número de
líneas será : 211 = 2048 (A0 – A10)

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2.0 Implementar el circuito de soporte de memoria RAM 2114, analice su funcionamiento y realice la
escritura y lectura de datos. En caso de no tener la memoria RAM usar la memoria HY53 4256A (CMOS
256K x 4bits )

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3.0 Implementar la configuración RAM 2114 1Kbye mediante diagrama de bloques lógicos.

4.0 Implementar la configuración RAM 2114 2K x 4 bits mediante diagramas de bloques lógicos.

5.0 Implementar la configuración RAM 2114 2Kbyte mediante diagramas de bloques lógicos.

6.0 Indique las diferencias entre una memoria EPROM y PROM

EPROM: ……………………………………………………………………………………………………………………………………………

PROM : ……………………………………………………………………………………………………………………………………………..

7.0 Defina los siguientes términos:

* Memoria SAM :

* Byte:

* Palabra de memoria:

* Nibble :