Circuite integrate analogice

Structura cursului
1. Modelarea dispozitivelor bipolare si MOS
2. Circuite integrate analogice fundamentale
3. Surse de curent si surse de tensiune
4. Amplificatoare elementare
5. Etaje de iesire
6. Amplificatoare operationale. Structuri interne
7. Raspunsul in frecventa al circuitelor.
Stabilitatea circuitelor cu reactie
8. Structuri analogice liniare
9. Structuri neliniare de calcul analogic
 Capitolul 1
Modelarea dispozitivelor
bipolare si MOS
1.1. Relatii fundamentale ale tranzistorului bipolar
Domenii de functionare:
• Regiunea de blocare (1)
• Regiunea activa normala (2)
• Regiunea de saturatie (3)
iC
vBE4
(3)
(2)
vBE3

vBE2

vBE1

vBE0 = 0
(1) vCE
1.1.1. Functionarea la semnal mare
Regim activ normal:
 v BE  v BE
 Vth 
ic = I S  e − 1  ≅ I S e Vth
 
 
Efectul Early:
v BE
Vth  v 
ic = I S e  1 + CE 
 VA 

iC

vBE = ct.

vCE
-VA
1.1.2. Modelul de semnal mic (regim activ normal)

rµ

B Cµ
C
gmvbe
vbe rπ Cπ ro
E

Conductanta de transfer:
∂I C
gm =
∂V BE
 V BE  1 I
⇒ g m = I S exp  = C ≅ 40 I C
V   Vth  Vth Vth
I C ≅ I S exp BE 
 Vth 
Rezistenta de iesire:
1 1
ro = =
go ∂I C
∂VCE ⇒ ro =
1 V
≅ A
V  1 IC
V  V  I S exp BE 
I C = I S exp BE  1 + CE   Vth VA
 Vth  VA 

Rezistenta rπ:
β
rπ =
gm

Rezistenta rµ:
rµ = Kβ ro

K ≥ 10 pt . NPN
K = 2 − 5 pt . PNP
Circuit echivalent cu rezistente serie

rµ

rb Cµ rc
B
C
ro
vbe rπ Cπ gmvbe CCS

re

E
1.2. Relatii fundamentale ale tranzistorului MOS
1.2.1. Modelul de semnal mare

Simboluri: Notatii:
G = grila (poarta)
NMOS PMOS D = drena
S = sursa
B = substrat (bulk)
D S
W/L = factor de aspect
G K’ = parametru transconductanta
G B B
VT = tensiune de prag
VGS = tensiune grila-sursa
S D VDS = tensiune drena-sursa
I. Regiunea de inversie puternica
VGS > VT
a. Saturatie
V DS ≥ V DSsat = VGS − VT

W W
I D = (VGS − VT )2
K K = K' = µ n C ox
2 L L

b. Regiunea liniara
V DS < V DSsat

 V 
I D = K (VGS − VT ) − DS  VDS
 2 

II. Regiunea de inversie slaba

VGS < VT
W  V − VT 
I D = I D0 exp GS 
L  nVth 
 I D sat = I D w .i . ∂I D ∂I D
=
∂VGS sat ∂VGS w .i .

 VGS − VT 
K
(VGS − VT ) = I D0 exp
2 W
 VGS − VT
= nV th
2 L  nVth  2
⇒
 V − VT 
K
(2 nVth ) = I D0 e
2 W 2
K (VGS − VT ) = I D 0
W 1
exp GS  2 L
L nVth  nVth 

VGS = VT + nVth
⇒
K '2( nVth ) 2
I D0 =
e2
Caracteristicile de iesire ale tranzistorului MOS
Efectele de ordin secundar:
a. Modularea lungimii canalului
I D = (VGS − VT )2 (1 + λ V DS )
K
2 Modularea lungimii canalului

I
b. Degradarea mobilitatii
K0
K=
[1 + θ G (VGS − VT )](1 + θ DV DS )

c. Efectul de substrat

VT = VT 0 + γ ( Φ − VBS − Φ )
1.2.2. Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS

∂I D
D B gm =
gmbsvbs ∂VGS
gmvgs vds vbs
G 1 1
rds rds = =
S S g ds ∂I D
vgs
∂V DS

∂I D
gm = ≅ K (VGS − VT )
∂VGS
⇒ g m = 2 KI D
2I D
ID =
K
(VGS − VT )2 ⇒ VGS − VT =
2 K

1 1 1
rds = = ≅
∂I D K
(VGS − VT )2 λ λI D
∂VDS 2
 Exemplu
I D = 1mA, λ = 10 − 3V − 1 , K = 5 × 10 − 4 A / V 2

⇒ gm = 2 KI D = 1mA / V
1
rds = = 1 MΩ
λI D
Modelul de inalta frecventa
1.3. Rezistente dinamice
 Rezistenta in baza

B C
iX vBE R2
Q vX rπ gmvBE ro
RB
R1 R2
E
R1

v x = i x rπ + (β + 1)i x R1

v
RB = x = rπ + (β + 1)R1
ix
 Rezistenta in emitor

Q B C
RE
vBE R2
R1
R2 rπ gmvBE ro
R1
E
iX
vX

R +r
RE = 1 π
β +1
 Rezistenta in colector

RC

B C
Q vBE iX
R1 vX
rπ gmvBE ro
R1 R2 E

R2

 β R2 
RC = ro  1 + 
 rπ + R1 + R2 
 Rezistenta in poarta

G D
iX vGS R2
Q vX gmvGS rds
RG
R1 R2
S
R1

RG = ∞
 Rezistenta in sursa

Q G D
RS
vGS R2
R1
R2 gmvGS rds
R1
S
iX
vX

v 1
i x ≅ − gm v gs = gm v x ⇒ RS = x =
i x gm
 Rezistenta in drena

RD

G D
Q vGS iX
R1 vX
gmvGS rds
R1 R2 S

R2

( )
v x = i x − gm v gs rds + i x R2
⇒ RD = x = rds (1 + gm R2 ) + R2 ≅ rds (1 + gm R2 )
v
v gs = − i x R2 ix