Dependencia de las microcavidades ópticas combinadas con la temperatura en cristales fotónicos

unidimensionales

RESUMEN

En este trabajo, mediante el método de matriz de transferencia calculamos el espectro de

transmitancia de dos defectos acoplados en un cristal fotónico unidimensional compuesto por
capas alternas de Bi4Ge3O12 y SiO2 con defectos de SiO2. Consideramos los efectos simultáneos
de la expansión térmica y térmica-óptica. Se encontró la presencia de dos modos de defectos
dentro del espacio de la banda fotónica, donde la posición de los modos cambia a longitudes de
onda largas al aumentar la temperatura. Además, a medida que aumentamos la separación de
defectos y temperatura, el confinamiento de los modos es mayor con un desplazamiento de la
longitud de onda central

Introducción

los cristales atómicos los electrones sufren dispersión múltiple, la interferencia constructiva da
lugar a estados electrónicos permitidos tales como bandas de conducción o valencia, mientras que
la interferencia destructiva origina estados electrónicos prohibidos [1]. Las energías electrónicas
permitidas están representadas por bandas y las prohibidas están representadas por bandgaps
electrónicos. Análogamente, los fotones o las ondas electromagnéticas sufren dispersión múltiple
en un cristal fotónico (PC). Las PC son una nueva clase de materiales ópticos artificiales con una
modulación periódica en el espacio del índice de refracción con un período comparable a las
longitudes de onda de ondas electromagnéticas, y de la misma manera que en un cristal atómico,
la interferencia constructiva da lugar a bandas o estados permitidos y La interferencia destructiva
da lugar a brechas de banda fotónica (PBG [2,3]. Sin embargo, existen diferencias importantes: la
descripción de la dinámica electrónica en un cristal atómico se rige por la ecuación de Schrödinger,
mientras que la descripción de la dinámica electromagnética en una PC se rige por las ecuaciones
vectoriales de Maxwell [4]. Además, la posibilidad de ajustar la PBG por la respuesta óptica de los
materiales constituyentes de la PC por un agente externo como la temperatura de operación [5,6],
la presión hidrostática [7,8], campos eléctricos y magnéticos [9,10], atrae la atención de los
investigadores en su implementación en dispositivos tales como filtros TE / TM, divisores,
fabricación de láser y luz. Diodos emisores [11-13]. La inserción en la PC de defectos geométricos o
de composición que rompen la periodicidad espacial del cristal, origina la presencia de modos
electromagnéticos dentro del PBG [14]. De esta manera, es posible producir una cavidad en
materiales dieléctricos de baja absorción a través de un mecanismo de confinamiento llamado
Bragg-reflection distribuido. Esto genera un gran aumento en el factor de calidad Q de la cavidad,
definido como la relación entre la energía almacenada y la energía disipada en un ciclo [15]. Estas
heteroestructuras permiten el confinamiento de la luz de gran interés en el estado sólido y la
óptica cuántica, La construcción de guías de onda con factores de calidad superiores a los de fibra
óptica, filtros ópticos, interruptores ópticos, cavidades resonantes y resonadores de Freer-Perot
[16-19]. La gran variedad de funcionalidades que ofrecen los dispositivos fotónicos tiene su origen
en la interacción entre los componentes básicos del sistema. Particularmente, el acoplamiento de
los modos electromagnéticos asociados con los defectos en la heteroestructura con la capacidad
de esos componentes para transferir información entre ellos. El acoplamiento en PC atrae la
atención porque proporciona algunas funcionalidades importantes que no se pueden alcanzar con
un solo defecto, como en las guías de onda de defectos acoplados que se denominan guías de
ondas de cavidad acopladas y en conmutadores ópticos [20,21]. En este trabajo, están interesados
en estudiar la dependencia de la temperatura del espectro de transmitancia para el caso de
incidencia normal, en el acoplamiento de defectos en un cristal fotónico unidimensional (1DPC). El
cristal se compone de capas alternas de Bi4Ge3O12 y SiO2 con defectos de SiO2. Asumiremos una
dependencia lineal de la temperatura de los índices de refracción y los espesores. El trabajo se
organiza de la siguiente manera: la Sección 2 presenta el modelo teórico para calcular el espectro
de transmitancia utilizando el método de matriz de transferencia (TMM). En la Sección 3, los
resultados numéricos del espectro de transmitancia para diferentes valores de temperatura. Las
conclusiones se presentan en la Sección 4.2

Modelo teórico

En este trabajo estudiamos la propagación de ondas electromagnéticas con incidencia normal

sobre un 1DPC finito defectuoso rodeado de aire, y con un patrón homogéneo en el plano xy, como
se muestra en la figura 1. El cristal está compuesto por capas alternas de elementos no magnéticos
y materiales isotrópicos, con H y L los materiales de índices de refracción nH, nL y espesores dHand
dL, respectivamente. El defecto viene dado por D con índice de refracción nD y espesor dD, el
número de períodos de capas HLis N

El campo eléctrico monocromático de frecuencia ω linealmente polarizado que se propaga en el

plano (x, z) viene dado por:

con (---------) la componente z del vector de onda, (---) la constante dieléctrica en la capa j y q el
vector de onda a lo largo del eje x. Los valores de Ajand Bjare calculados por las condiciones de
continuidad en las componentes tangenciales de los campos eléctricos y magnéticos. En el TMM,
cada capa H, L y D del 1DPC está representada por la matriz [22]:

con (---) la matriz de propagación,

of phase (---) given by:

En Eq. (4) (---) y (-----) es el espesor y el índice de refracción en la capa j-ésima, respectivamente. En
Eq. (2) la matriz dinámica

Fig. 2. (a) Espectro de transmitancia como una función de la longitud de onda para (----) (b)
Espectro de transmitancia del modo de defecto en función de la longitud de onda y la variación de
temperatura.

La matriz de transferencia total para el 1DPC representado por la Fig. 1 (--------), es

con (---) la matriz dinámica del aire. La transmitancia (--) se calcula con los elementos de matriz
(----) de Eq. (6)

En este trabajo consideramos que los efectos en el espectro de transmitancia debido a la variación
de temperatura (---) están determinados por dos factores: primero, la dependencia lineal del índice
de refracción en (---) [23],

con (---) el índice de refracción de cada capa a temperatura ambiente y (---) es el coeficiente
termo-óptico. En segundo lugar, debido a la expansión térmica lineal del espesor d de cada capa
con (---):

donde (---) es el espesor de cada capa a temperatura ambiente, (---) el coeficiente de expansión
térmica.

Resultados numéricos y discusión

En nuestros cálculos, la capa H es Bi4Ge3O12 (BGO) y la capa L es SiO2, a una temperatura T = 25 °

C, los índices de refracción son nH = 2.3 y nL = 1.45, respectivamente. El defecto D es SiO2, el
período es N = 6 y el grosor de las capas es de un cuarto de longitud de onda

con (---) la longitud de onda de diseño que asumiremos de 500 nm, dicha estructura se conoce
como resonador Fabry-Perot. Los coeficientes termoópticos, para BGO y SiO2 son 3.9 × 10-5 / ◦C y
1.0 × 10-5 / ◦C, respectivamente. Los coeficientes de expansión linearthermal para BGO y SiO2 son
6.3 × 10-6 / ◦C y 5.5 × 10-7 / ◦C, respectivamente [23].

El ancho del PBG está determinado por la teoría de los reflectores de Bragg. Los bordes de la
banda izquierda (---) y derecha (---) están dados por [24],

En la Fig. 2 (a) presentamos los resultados numéricos del espectro de transmitancia para (-----) con
los bordes de la PBG a \ Delta L = 445.7 nm y \ Delta R = 569.2 nm. La inserción del defecto de SiO2
provoca la aparición dentro del PBG de un valor de transmitancia de 0.87 conocido como modo de
defecto (modo localizado) con una longitud de onda en (---). Al aumentar (-) de 0 ° C a 300 ° C,
encontramos un pequeño cambio en la posición del modo de defecto en longitudes de onda largas
debido a un aumento en el contraste de los índices de refracción de 1DPC, como se presenta en la
figura 2 (b).

Fig. 4. Espectro de transmitancia como una función de la longitud de onda para defectos acoplados
con (---)

Fig. 5. Espectro de transmitancia de dos defectos acoplados como una función de la longitud de
onda y separación m, para (------)
La interacción entre los componentes básicos de la PC como es el acoplamiento de los defectos en
el cristal se presenta a continuación. En la Fig. 3 presentamos el 1DPC con la inserción de dos
defectos D de SiO2, donde m representa el número de capas HL que separa los dos defectos. En la
Fig. 4 (a) - (c) presentamos el espectro de transmitancia para (- ---) y diferentes períodos de
separación entre los defectos, m = 1, 6 y 10. Encontramos dentro del PBG dos modos de defecto,
cuando la distancia de separación de los defectos es mayor que su espesor (Fig. 4 (c)), el los modos
electromagnéticos para este sistema son degenerados. Sin embargo, si se reduce la separación m
de los defectos, la degeneración comienza a romperse y se produce una división de las líneas
espectrales del acoplamiento entre los estados propios de los defectos individuales, como se
muestra en la figura 4 (a). La magnitud (---) se llama división y se puede utilizar para cuantificar el
acoplamiento entre los dos defectos de PC [15].

En la Fig. 5 presentamos el espectro de transmitancia para (-------) de los modos de defecto como
una función de la longitud de onda y la separación m de los defectos. Encontramos un modo de
defecto con un máximo de transmitancia en (----) ubicado en la longitud de onda de diseño de 500
nm. Cuanto mayor es el número de capas entre los defectos, mayor es el confinamiento del modo
en cada uno de ellos; por lo tanto, el acoplamiento disminuye rápidamente.

Sin embargo, al aumentar (----) hay en la PC, representada en la figura 3, un desplazamiento del
espectro de transmitancia de los defectos acoplados a longitudes de onda largas. En la figura 6 (a),
presentamos el desplazamiento al rojo de los modos de defecto para una separación entre las
cavidades de (-) y un aumento de la temperatura de 0 ° C a 300 ° C. Al aumentar la temperatura y la
separación m, descubrimos que el desplazamiento de los modos de defecto se ubica con una
longitud de onda central de alrededor de 502 nm (figura 6 (b)), contrario a los resultados
presentados en la figura 5. Cambio de posición del defecto modos con la temperatura permite
diseñar PC como dispositivos sintonizables.

Conclusiones

Dentro del método de la matriz de transferencia encontramos el espectro de transmitancia de dos

defectos acoplados en un cristal fotónico unidimensional, cuando se considera la dependencia de
la temperatura en la expansión térmica y termo-óptica. Descubrimos que hay un cambio a
longitudes de onda largas de los modos de defecto al aumentar la temperatura. Cuando el número
de capas que separe los defectos aumenta, la división disminuye; por lo tanto, el acoplamiento de
los defectos disminuye rápidamente.