U UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITECNICA

N
E
“ANTONIO JOSE DE SUCRE”
X VICE – RECTORADO BARQUISIMETO
P
O

DEPARTAMENTO SECCION SEMESTRE

INGENIERÍA ELECTRÓNICA Electrónica Aplicada IV
ASIGNATURA FG FB FP PP CODIGO
ELECTRONICA I √ EL1154
UNIDADES HORAS /
HORAS / Ht Ha Hl HT CREDITO SEMESTRE
PRELACIONES
SEMANA
4 0 0 4 4 64 IE5114 – EB2124
AREA DE ACTUACION PROFESIONAL
P I √ C M O D √
FUNDAMENTACION / APLICABILIDAD / IMPORTANCIA

Se fundamenta en el estudio de dispositivos electrónicos de dos y tres terminales, y sus

aplicaciones en el ámbito de la ingeniería electrónica. Su contenido es muy útil para el diseño y
mantenimiento de equipos electrónicos.

OBJETIVOS GENERALES

Al finalizar la asignatura, el alumno será capaz de:

1) Generar modelos estáticos y dinámicos de pequeña señal para dispositivos electrónicos de
dos y tres terminales.
2) Analizar y diseñar circuitos amplificadores de una etapa a pequeña señal, con diferentes
dispositivos de tres terminales para obtener su punto de operación, su ganancia y niveles de
impedancia.
3) Diseñar amplificadores de potencia clase A, B, y AB, para entregar una potencia
especificada a la carga.
PROGRAMA SINOPTICO

UNIDAD I. Nociones de Física de Semiconductores.

UNIDAD II. Circuitos con dispositivos de dos terminales.

UNIDAD III. Circuitos con dispositivos de tres terminales.

UNIDAD IV. Análisis de pequeña señal para circuitos con dispositivos de tres terminales.

UNIDAD V. Análisis de potencia en circuitos con dispositivos de tres terminales.

FECHA DE APROBACION FECHA ULTIMA REVISION Noviembre 2002

HT: horas totales; Ht: horas de teoría; Ha: horas de aplicación; Hl: horas de laboratorio; FG: formación general y
autodesarrollo; FB: formación básica; FP: formación profesional; PP: prácticas profesionales; P: área de producción; I: área de
instalación; M: área de mantenimiento; C: área de construcción; O: área de operación; D: área de desarrollo tecnológico.
 METODOLOGÍA DE ENSEÑANZA

Clases magistrales para la explicación teórica combinadas con resolución de ejercicios de

aplicación de análisis y diseño realizados por el docente y asignación de ejercicios como
tareas para ser desarrolladas por el estudiante. También se recomienda el uso de la
enseñanza por procesos, la técnica de la pregunta, búsquedas en Internet, y discusiones de
problemas o situaciones reales con toma de decisiones.
Asignación de algún punto del programa para ser investigado y discutido en clase.
Los recursos usados podrán ser Transparencias, Pizarra, guías teóricas y de problemas,
Internet, herramientas computacionales CAD.

ESTRATEGIAS DE EVALUACION RECOMENDADA

1) Exclusivamente exámenes parciales (evaluaciones largas) que abarquen una o varias

temas en función del porcentaje de contenido cubierto para cada evaluación. (Pueden
ser aplicadas 4 evaluaciones largas, por ejemplo: 1era. evaluación con Unidad I y II,
2da. evaluación con Unidad III, 3era. evaluación con Unidad IV, 4ta. Evaluación con
Unidad V. Cada evaluación con una duración de 2 horas).

2) Combinación de evaluaciones largas (por ejemplo 3 evaluaciones de igual

ponderación y duración de 2 horas c/u) y asignación de un proyecto de diseño y
simulación electrónico para desarrollar durante todo el curso con una ponderación de
acuerdo al grado de dificultad.
 CONTENIDO Hr P I M C O D

UNIDAD I. Nociones de física de Semiconductores.

Niveles y bandas de energía en aislantes, semiconductores y
metales. Movilidad y conductividad. Conducción en 8 √
semiconductores. Estructura y Funcionamiento de Transistores de
unión bipolar. Estructura y Funcionamiento de Transistores de
efecto de campo.

UNIDAD II. Circuitos con dispositivos de dos terminales.

Modelos de dispositivos de dos terminales. Polarización de
dispositivos de dos terminales. Análisis de pequeña señal en 16 √
circuitos con dispositivos de dos terminales. Aplicaciones con
dispositivos de dos terminales..

UNIDAD III. Circuitos con dispositivos de tres terminales.

Modelos de dispositivos con tres terminales. Polarización de 16 √
dispositivos de tres terminales.

UNIDAD IV. Análisis de pequeña señal para circuitos con

dispositivos de tres terminales. 16 √
Conceptos fundamentales. Circuitos con BJTs. Circuitos con FETs

UNIDAD V. Análisis de potencia para circuitos con dispositivos

de tres terminales. 8 √
Conceptos fundamentales. Circuitos clase A. Circuitos clase B.
Circuitos clase AB.

TOTAL 64

Hr: horas totales de cada tema; P: área de producción; I: área de instalación; M: área de mantenimiento; C: área de
construcción; O: área de operación; D: área de desarrollo tecnológico
 BIBLIOGRAFIA

J. Millman y A Gravel. “MICROELCTRONICA”. McGraw-Hill 1987.

J. Millman. “MICROELCTRONICA”. McGraw-Hill 1979.

J. Millman y C Halkias. “MICROELCTRONICA”. McGraw-Hill 1972.

J. Millman y K Halkias. “DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRONICOS”. McGraw-

Hill 1967.

J. Millman y K Halkias. “INTEGRATED ELECTRONICS”. McGraw-Hill 1972.

Mark Horestein. “MICROELECTRÓNICA : CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS”. Prentice

Hall. 1997.

Sedra y K. Smith. “DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS Y AMPLIFICADORES DE

SEÑALES”. McGraw-Hill 1990.

Savant, Roden y Carpenter. “DISEÑO ELECTRÓNICO, CIRCUITOS Y SISTEMAS”.

Addison-Wesley 1992.

D. Shiling y C. Belove. “CIRCUITOS ELECTRÓNICOS ” . McGraw-Hill 1993.

P. Gray y C. Searle. “PRINCIPIOS ELECTRONICOS: FISICA, MODELOS Y

CIRCUITOS”. Wiley 1969.

R. Coughlin. “PRINCIPLES AND APLICATIONS OF SEMICONDUCTORS AND

CIRCUITS”. Prentice-Hall 1971.

Rashid Mahamad H. “CIRCUITOS MICROELECTRÓNICOS ANÁLISIS Y DISEÑO”.

Thomson. 1999.