Sunteți pe pagina 1din 11

Preinforme Laboratorio de Sisemas Digtales

LABORATORIO # 1: Circuitos de Conmutación


Jorge Olivares Cárdenas – Patricio Cruces Carrasco – Ing. Civil Electrónica
31 de agosto de 2010

1. Investigue el funcionamiento de un diodo ideal, el funcionamiento de un diodo


de juntura pn, y el origen de las curvas características de los últimos.

Diodo Semiconductor Juntura P-N

Es un dispositivo electrónico semiconductor, generalmente construido de Silicio dopado.


La juntura PN esta formada por la unión de una región tipo P con otra tipo N esta posee
dos terminales (ánodo A asociado a la región P y cátodo K asociado a la región N).La
estructura de la juntura y su símbolo es la siguiente:

Las regiones P-N están dopados, o sea poseen impurezas (Ej:Borio,Galio,Fósforo,Arsénico,etc)


que aumentan la conductividad eléctrica.

Región Tipo P:

Posee impurezas que generan huecos ‘positivos’ (se dice positivo pues existe la ausencia de
electrones) como lo muestra la siguiente imagen:
Región Tipo N:

La introducción de impurezas genera una estructura cristalina con exceso de electrones que
aumentan la conductividad del material como lo muestra la siguiente imagen:

Cuando los material P-N interactúan sin polarización externa , los electrones en exceso del lado N
pasaran a los huecos de la región P como muestra la Figura1. Con el paso de los electrones existe
una diferencia de potencial por lo tanto se genera un campo eléctrico como muestra la Figura 2

Dependiendo de cómo estén conectados los terminales del diodo con la fuente de voltaje, se
clasifica en polarización directa o inversa.
La característica más importante de los diodos(juntura PN) es la unidireccionalidad que adquiere
la corriente a través de él, pues existe una baja resistencia cuando el diodo está directamente
polarizado pero hay una altísima resistencia que se opone al paso de los electrones cuando está
polarizado inversamente, estas propiedades permiten una de sus mas importantes aplicaciones: la
rectificación de corrientes alternas.
La curva Característica de este diodo es la siguiente:

Con la polarización directa los electrones portadores aumentan su velocidad y al chocar con los
átomos generan calor que aumenta la temperatura del semiconductor. Este aumento activa la
conducción en el diodo. T1,T2 corresponden a las temperaturas de cada diodo.

Vu Tensión umbral
Vs Tensión de saturación
Vr Tensión de ruptura
OA Zona de baja polarización directa, pequeña corriente
AB Zona de conducción
OC Corriente inversa de saturación A partir de C, zona de avalancha

Diodo Ideal:

Sabemos de lo mostrado anteriormente que el comportamiento del diodo no es lineal ya que no


existe una proporción entre la corriente el voltaje, esto complica enormemente el análisis en
circuitos electrónicos, para solucionar este problema se utiliza un nuevo concepto, el diodo ideal
(DI). Este es un dispositivo que trabaja sólo en dos estados; conducción (estado ON) o no
conducción (estado OFF) su comportamiento se visualiza en la parte (c) de la siguiente figura:
Existen diversos modelos que permiten aproximar el modelo ideal del diodo con respecto al
modelo real, algunos de estos modelos se presentan a continuación:

Modelación Con tensión Umbral:

Este modelo permite conocer el umbral (𝑉𝑢 ) de conducción en el dispositivo como el valor es
constante se modela como una fuente de voltaje.

Cuando 𝑉𝐷 > 𝑉𝑢 , entonces el diodo esta ON, si 𝑉𝐷 < 𝑉𝑢 el diodo esta OFF.

Modelación de Resistencia Directa:

Cuando la modelación requiere mayor exactitud, ósea se trabaja en la zonda de polarización


directa, el modelo debe incluir una resistencia que caracterice esa región.
Para este caso 𝑉𝐷 =𝑉𝑢 +𝐼𝐷 𝑅𝐷 ,para mejorar su exactitud,se elige la pendiente de la recta
involucrada, dada por el parámetro 𝑅𝐷

Modelación en Zona de Polarización Inversa:

Cuando la aplicación requiere trabajar en ambas zonas de polarización, se considera la pendiente


para la región de polarización inversa

Aquí 𝑅𝐼𝑛𝑣 debe ser muy alta para que la pendiente en la región de la polarización inversa sea baja
y cuya curva se asemeje a la de un diodo semiconductor.

Cuando DI está ON se tiene (a) cuyo equivalente de Theveninn es en (b) obteniéndose la siguiente
relación:
2. ¿Que significa que un diodo este polarizado en forma directa o en inversa?

Polarización Directa:

Para que un diodo esté polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la
batería al ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo

Aquí el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. En estas condiciones


podemos observar que:

El polo positivo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unión p-n.

El polo negativo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p

Cuando la diferencia de potencial de la batería es mayor que la diferencia de potencial en la


zona de carga espacial, los electrones libres en N, adquieren la energía suficiente para saltar
a los huecos de P

Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p y cae en uno de los múltiples
huecos de la zona p se convierte en un electrón de valencia. Una vez ocurrido esto el
electrón es atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza de átomo en átomo hasta
llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y no llega hasta la
batería.
Polarización Inversa:

En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a la


zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en dicha zona hasta que
se alcanza el valor de la tensión de la batería, tal y como se explica a continuación:

El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del
cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la
batería.

El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos de la zona p. Cuando los
electrones libres cedidos por la batería entran en la zona p, caen dentro de los huecos

En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto
de la temperatura se formarán pares electrón-hueco a ambos lados de la unión produciendo
una pequeña corriente (del orden de 1 μA) denominada corriente inversa de saturación.
cAdemás, existe también una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su
propio nombre indica, conduce una pequeña corriente por la superficie del diodo. No
obstante, al igual que la corriente inversa de saturación, la corriente superficial de fuga no
es despreciable.
3-Investigue que ecuación matemática describe el comportamiento de un diodo
de juntura pn y como es afectado por la temperatura.

El modelo matemático más empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford


Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayoría de las
aplicaciones. La ecuación que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:

Donde:

 I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo


 VD es la diferencia de tensión entre sus extremos.
 IS es la corriente de saturación (aproximadamente 10 − 12A)
 q es la carga del electrón
 T es la temperatura absoluta de la unión en K°
 k es la constante de Boltzmann
 n es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y
que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el
silicio).
 El término VT = kT/q = T/11600 es la tensión debida a la temperatura, del orden de
26 mV a temperatura ambiente (300 K ó 27 °C).

Al aumentar la temperatura disminuye la corriente del diodo, pero al disminuirla esta aumenta.

4. Investigue que diferencia hay entre el comportamiento de diodos de germanio


y de silicio.

n: constante empírica que permite distinguir el comportamiento entre un diodo de Germanio y


uno de Silicio. A veces es llamada factor de idealidad. Vale aproximadamente 1 para diodos de
Germanio y 2 para diodos de Silicio. Esto quiere decir que hay una diferencia de la corriente que
pasa a través del diodo con las mismas condiciones, pues para un diodo de Germanio conducirá
menos corriente.
5. Investigue el comportamiento y funcionamiento de los diodos emisores de luz
(LED).

Diodo emisor de luz o led.

El funcionamiento consiste en que, en los materiales semiconductores, un electrón al pasar


de la banda de conducción a la de valencia, pierde energía; esta energía perdida se puede
manifestar en forma de un fotón desprendido, con una amplitud, una dirección y una fase
aleatoria. El que esa energía perdida, cuando pasa un electrón de la banda de conducción a
la de valencia, se manifieste como un fotón desprendido o como otra forma de energía va a
depender principalmente del material semiconductor.
Cuando un diodo semiconductor se polariza directamente, los huecos de la zona p se
mueven hacia la zona n y los electrones de la zona n hacia la zona p; ambos
desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo.
Si los electrones y huecos están en la misma región, pueden recombinarse, es decir, los
electrones pueden pasar a "ocupar" los huecos, "cayendo" desde un nivel energético
superior a otro inferior más estable. Este proceso emite con frecuencia un fotón en
semiconductores de banda prohibida directa o con la energía correspondiente a su banda
prohibida.

6. Investigue el comportamiento del diodo Zener y el origen de su curva


característica.

a)
Con corrientes de bajo voltaje el comportamiento del Zener es como cualquier diodo, en cuanto
estas pasan de un determinado nivel entra en avalancha y deja pasar corriente en ambos sentidos.
Al valor de voltaje por encima del cual el diodo zener entra en avalancha se le conoce con el
nombre de: Voltaje de ruptura o voltaje Zener y es diferente para distintas referencias de dichos
diodos.
En el mercado encontramos diodos zener de 3, 3.8, 4, 5, 9, 12, 15, 18, 24 y mas voltios, podemos
diseñar con ellos osciladores por relajación, como también fuentes reguladas(ver fuente regulada).
Como en todo dispositivo conductor que presente una resistencia al paso de una corriente, el
zener también disipa potencia en forma de calor(vatios) y debe tomarse en cuenta como algo muy
importante al incluir en sus diseños estos elementos.
La potencia disipada cuando un zener entra en avalancha(conducción de corriente en sentido
inverso) depende de las resistencias exteriores del circuito que se encuentren en serie con el
diodo, estas son las que determinan la máxima corriente que debe pasar por el zener en un
momento dado.
El nombre que reciben estas resistencias es "limitadoras".
b)

Curva del Diodo Zener:

Analizando la curva del diodo zener se ve que conforme se va aumentando negativamente el


voltaje aplicado al diodo, la corriente que pasa por el aumenta muy poco.
Pero una vez que se llega a un determinado voltaje, llamada voltaje o tensión de Zener, el
aumento del voltaje (siempre negativamente) es muy pequeño, pudiendo considerarse constante.
Para este voltaje, la corriente que atraviesa el diodo zener, puede variar en un gran rango de
valores. A esta región se le llama la zona operativa.
Esta es la característica del diodo zener que se aprovecha para que funcione como regulador de
voltaje, pues el voltaje se mantiene prácticamente constante para una gran variación de corriente.

8. Investigue como funciona un multıtester digital en su escala de medición de


diodos.

La prueba de diodos requiere de 2 operaciones: medir en un sentido y en sentido opuesto, los


diodos en buen estado sólo deben medir en un solo sentido (conducción en sentido de
polarización directa) y deben tener una resistencia infinita (medir infinito=no medir) en el sentido
opuesto (sentido de polarización inversa):
Cuando el diodo está dañado puede medir en ambos sentidos o medir "cero" como si fuese un
cable:

S-ar putea să vă placă și