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Región Tipo P:
Posee impurezas que generan huecos ‘positivos’ (se dice positivo pues existe la ausencia de
electrones) como lo muestra la siguiente imagen:
Región Tipo N:
La introducción de impurezas genera una estructura cristalina con exceso de electrones que
aumentan la conductividad del material como lo muestra la siguiente imagen:
Cuando los material P-N interactúan sin polarización externa , los electrones en exceso del lado N
pasaran a los huecos de la región P como muestra la Figura1. Con el paso de los electrones existe
una diferencia de potencial por lo tanto se genera un campo eléctrico como muestra la Figura 2
Dependiendo de cómo estén conectados los terminales del diodo con la fuente de voltaje, se
clasifica en polarización directa o inversa.
La característica más importante de los diodos(juntura PN) es la unidireccionalidad que adquiere
la corriente a través de él, pues existe una baja resistencia cuando el diodo está directamente
polarizado pero hay una altísima resistencia que se opone al paso de los electrones cuando está
polarizado inversamente, estas propiedades permiten una de sus mas importantes aplicaciones: la
rectificación de corrientes alternas.
La curva Característica de este diodo es la siguiente:
Con la polarización directa los electrones portadores aumentan su velocidad y al chocar con los
átomos generan calor que aumenta la temperatura del semiconductor. Este aumento activa la
conducción en el diodo. T1,T2 corresponden a las temperaturas de cada diodo.
Vu Tensión umbral
Vs Tensión de saturación
Vr Tensión de ruptura
OA Zona de baja polarización directa, pequeña corriente
AB Zona de conducción
OC Corriente inversa de saturación A partir de C, zona de avalancha
Diodo Ideal:
Este modelo permite conocer el umbral (𝑉𝑢 ) de conducción en el dispositivo como el valor es
constante se modela como una fuente de voltaje.
Cuando 𝑉𝐷 > 𝑉𝑢 , entonces el diodo esta ON, si 𝑉𝐷 < 𝑉𝑢 el diodo esta OFF.
Aquí 𝑅𝐼𝑛𝑣 debe ser muy alta para que la pendiente en la región de la polarización inversa sea baja
y cuya curva se asemeje a la de un diodo semiconductor.
Cuando DI está ON se tiene (a) cuyo equivalente de Theveninn es en (b) obteniéndose la siguiente
relación:
2. ¿Que significa que un diodo este polarizado en forma directa o en inversa?
Polarización Directa:
Para que un diodo esté polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la
batería al ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo
El polo positivo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unión p-n.
Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p y cae en uno de los múltiples
huecos de la zona p se convierte en un electrón de valencia. Una vez ocurrido esto el
electrón es atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza de átomo en átomo hasta
llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y no llega hasta la
batería.
Polarización Inversa:
El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del
cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la
batería.
El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos de la zona p. Cuando los
electrones libres cedidos por la batería entran en la zona p, caen dentro de los huecos
En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto
de la temperatura se formarán pares electrón-hueco a ambos lados de la unión produciendo
una pequeña corriente (del orden de 1 μA) denominada corriente inversa de saturación.
cAdemás, existe también una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su
propio nombre indica, conduce una pequeña corriente por la superficie del diodo. No
obstante, al igual que la corriente inversa de saturación, la corriente superficial de fuga no
es despreciable.
3-Investigue que ecuación matemática describe el comportamiento de un diodo
de juntura pn y como es afectado por la temperatura.
Donde:
Al aumentar la temperatura disminuye la corriente del diodo, pero al disminuirla esta aumenta.
a)
Con corrientes de bajo voltaje el comportamiento del Zener es como cualquier diodo, en cuanto
estas pasan de un determinado nivel entra en avalancha y deja pasar corriente en ambos sentidos.
Al valor de voltaje por encima del cual el diodo zener entra en avalancha se le conoce con el
nombre de: Voltaje de ruptura o voltaje Zener y es diferente para distintas referencias de dichos
diodos.
En el mercado encontramos diodos zener de 3, 3.8, 4, 5, 9, 12, 15, 18, 24 y mas voltios, podemos
diseñar con ellos osciladores por relajación, como también fuentes reguladas(ver fuente regulada).
Como en todo dispositivo conductor que presente una resistencia al paso de una corriente, el
zener también disipa potencia en forma de calor(vatios) y debe tomarse en cuenta como algo muy
importante al incluir en sus diseños estos elementos.
La potencia disipada cuando un zener entra en avalancha(conducción de corriente en sentido
inverso) depende de las resistencias exteriores del circuito que se encuentren en serie con el
diodo, estas son las que determinan la máxima corriente que debe pasar por el zener en un
momento dado.
El nombre que reciben estas resistencias es "limitadoras".
b)