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Asignatura: Diseño digital.

ING FERNANDO ABRAHAM ESCALANTE GUERRERO.

JOSE DELCARMEN CERVANTES AGUIRRE

Investigación amplificadores

4 SEMESTRE

FECHA DE ENTREGA

24/06/2018
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Introducción

En esta investigación trataremos el tema de cómo crear un amplificador y haremos cálculos para obtener un
amplificador con mosfet de enriquecimiento cabe decir que esta información es recabada de libros de
electrónica lo único que hice es investigar y sustituir valores para hacer mi propio circuito de amplificación,
esta información es sacada de un libro de puros circuitos de amplificadores de ahí me base para hacer el mío.
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Para la realización de la práctica se hizo fue necesario aplicar los pasos matemáticos con el fin de encontrar
el comportamiento del amplificador 2N7000.

Figura 1. Amplificador con transistor FET configuración fuente común.

Análisis DC

Para el análisis DC la frecuencia de operación es cero, la reactancia de los condensadores tiende a infinito,
por lo que estos pueden ser representados como un circuito abierto.

Inicialmente se determina el equivalente de thevenin de la red de polarización, esto es equivalentemente

proporcional al voltaje 𝑉𝐺𝐺 y la resistencia 𝑅𝐺 se re dibuja en el circuito.

𝑉𝐷𝐷 ∗ 𝑅1 20 ∗ 470𝑘Ω
𝑉𝐺𝐺 = = = 10𝑉
𝑅1 + 𝑅2 470𝑘Ω + 470𝑘Ω

𝑅𝐺 = 𝑅1 ||𝑅2 = 470𝑘Ω||470KΩ = 235KΩ

Circuito de polarización en DC

Malla de entrada
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𝑉𝐺𝐺 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝐼𝐷 (𝑅𝐷 ) (1)

10𝑉 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝐼𝐷 (220Ω)

Malla a la salida

𝑉𝐷𝐷 = 𝐼𝐷 (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 ) + 𝑉𝐷𝑆

20𝑉 = 𝐼𝐷 (490Ω) + 𝑉𝐷𝑆 Recta de carga DC

Puntos de corte en la malla de entrada de la ecuación (1)

𝑆𝑖 𝐼𝐷 = 0𝐴 → 𝑉𝐺𝑆 = 10𝑉

10𝑉
𝑆𝑖 𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉 → 𝐼𝐷 = = 45𝑚𝐴
220Ω

Curva característica

Para encontrar la curva característica del transistor por el método grafico es necesario encontrar el valor de
𝐾 despejándolo de la siguiente ecuación:

𝐼𝐷 = 𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 )2 (2)

En donde 𝐼𝐷 = 600𝑚𝐴, 𝑉𝐺𝑆 = 4.5𝑉 y 𝑉𝑇𝐻 = 2.1𝑉, dichos valores se encuentran en el datasheet del transistor
2𝑁7000

𝐼𝐷 600𝑚𝐴 5 𝐴
𝐾= = =
(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 )2 (4.5𝑉 − 2.1𝑉)2 48 𝑉 2

Se tabula la siguiente ecuación para hallar la curva característica

5 𝐴
𝐼𝐷 = (𝑉 − 2.1𝑉)2
48 𝑉 2 𝐺𝑆

Tabla 1. Tabulación de la ecuación (2)

𝐼𝐷 (𝐴) 𝑉𝐺𝑆 (𝑉)

0 2.1

0.026 2.6

0.1041 3.1
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0.2343 3.6

Con los puntos definidos, se grafica tanto la malla de entrada y la curva característica en el mismo plano, en
un punto donde se crucen ambas curvas es la solución del sistema.

𝑉𝐺𝑆𝑄 = 2.67𝑉

𝐼𝐷𝑄 = 33.84𝑚𝐴

𝑉𝐷𝐷 = 𝐼𝐷𝑄 (490Ω) + 𝑉𝐷𝑆𝑄

𝑉𝐷𝑆𝑄 = 20 − 33.84𝑚𝐴(490Ω)

𝑉𝐷𝑆𝑄 = 3.4184𝑉

Figura 3. Cruce entre la malla de entrada y la curva característica

𝑆𝑖 𝐼𝐷 = 0𝐴 → 𝑉𝐷𝑆 = 20𝑉

𝑆𝑖 𝑉𝐷𝑆 = 0𝑉 → 𝐼𝐷 = 40.81𝑚𝐴

Análisis AC

Para el análisis AC, se hace un análisis en frecuencias relativamente altas, y la reactancia de los capacitores
tiende a cero, por lo que los capacitores se consideran como un corto, y la fuente de polarización se aterriza.
Como se observa en la figura 4.
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Lo primero que se busca hacer es encontrar la recta de carga en AC, por esto se analiza la salida del circuito
de la figura 4.

Para incluir el punto de operación en la ecuación (4), se toma las componentes totales de voltaje y corriente,
posteriormente se sustituyen estas expresiones en la ecuación (4).

𝑉𝑂 = 𝑉𝐷𝑆 = −𝐼𝐷 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 ) (4)

Se toman las componentes totales de voltaje y corriente

′ ′
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆𝑄 + 𝑉𝐷𝑆 → 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐷𝑆𝑄

𝐼𝐷′ = 𝐼𝐷𝑄 + 𝐼𝐷 → 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷′ − 𝐼𝐷𝑄

Remplazando en la ecuación 4

′
𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐷𝑆𝑄 = −(𝐼𝐷′ − 𝐼𝐷𝑄 )(𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 ) (5)

Para trazar la recta de carga en AC, se determinan los cruces con cero de 5

𝑆𝑖 𝐼𝐷′ = 0𝐴 → 𝑉𝐷𝑆
′
= 𝑉𝐷𝑆𝑄 + 𝐼𝐷𝑄 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )

′
𝑉𝐷𝑆 = 3.4184 + 33.84𝑚𝐴(257.58Ω)

′
𝑉𝐷𝑆 = 12.19𝑉

′
𝑉𝐷𝑆𝑄
𝑆𝑖 𝑉𝐷𝑆 = 0𝑉 → 𝐼𝐷′ = + 𝐼𝐷𝑄
𝑅𝐷 ||𝑅𝐿
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3.4184𝑉
𝐼𝐷′ = + 33.84𝑚𝐴
257.58Ω

𝐼𝐷′ = 47.11𝑚𝐴

Figura 5. Recta de carga en DC y AC

Es notorio en la gráfica de la figura # que el punto de operación se encuentra en el lado izquierdo por lo tanto
𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 = 3.42𝑉

Pequeña Señal

Para el análisis en pequeña señal, se sustituye el transistor FET por su modelo hibrido. De la figura (6) y
determinar 𝑍𝑖𝑛 , 𝑍𝑜𝑢𝑡 , 𝐴𝑣 𝑦 𝐴𝑖 y la impedancia de entrada es equivalente a el 𝑉𝑖 como se obeserva en la
ecuación (6).

La impedancia de salida, es la resistencia equivalente de 𝑅𝐿 al apagar 𝑉𝑖 como se observa en la ecuación (7).

𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐺 (6)

𝑍𝑖𝑛 = 235𝐾Ω

𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝐷 (7)

𝑍𝑜𝑢𝑡 = 270Ω

Figura 6. Esquema en pequeña señal

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La ganancia de voltaje, esta definida como la relacion entre el vltaje de salida con respecto al voltaje de
entrada del amplificador.

𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝐼𝑜𝑢𝑡 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 ) = −𝐼𝐷 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 ) = −𝑔𝑚𝑉𝐺𝑆 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )

𝑉𝑖𝑛 = 𝑉𝐺𝑆

Para poder encontrar el valor de la ganancia de voltaje, es necesario determinar el valor de la transductancia
𝑔𝑚 , como se observa en la ecuación (8).

𝑑𝐼𝐷 5 𝐴
𝑔𝑚 = |𝑉𝐺𝑆𝑄 = 2 ∗ (3.1 − 2.1) = 208𝑚℧ (8)
𝑑𝑉𝐺𝑆 48 𝑉 2

𝑉𝑜𝑢𝑡 −𝑔𝑚𝑉𝐺𝑆 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )

𝐴𝑉 = = = −𝑔𝑚(𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 ) → 𝐴𝑉 = −53.57
𝑉𝑖𝑛 𝑉𝐺𝑆

La ganancia de corriente, está definida como la relación entre la corriente de salida con respecto a la corriente
de entrada del amplificador.

Para encontrar la corriente de salida del amplificador, se realiza un divisor de corriente a la salida del
amplificador, obteniendo como resultado (9).

−𝐼𝐷 𝑅𝐷 −𝑔𝑚𝑉𝐺𝑆 𝑅𝐷
𝐼𝑜𝑢𝑡 = =
𝑅𝐷 + 𝑅𝐿 𝑅𝐷 + 𝑅𝐿

𝑉𝐺𝑆
𝐼𝑖𝑛 =
𝑅𝐺

𝐼𝑜𝑢𝑡 𝑅𝐺 𝑔𝑚𝑉𝐺𝑆 𝑅𝐷 𝑔𝑚𝑅𝐺 𝑅𝐷

𝐴𝐼 = =− =−
𝐼𝑖𝑛 (𝑅
𝑉𝐺𝑆 𝐷 + 𝑅𝐿 ) 𝑅𝐷 + 𝑅𝐿

𝐴𝐼 = −2.2483𝑘 (9)
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RESULTADOS Y DISCUSIÓN

Este modelo del amplificador FET obtuvo resultados cercanos entre los cálculos teóricos y los hallazgos
simulados en computador para elaborar una comparación y poder discutir estos resultados se realizaron las
simulaciones y poder encontrar el punto de operación Q (𝑣𝐷𝐶𝑄 , 𝑖𝐷𝑆𝑄 )

Punto de operación

Teniendo en cuenta la figura (16) se comparan con los resultados hallados teóricamente en la tabla (2).

la ganancia de voltaje, voltajes pico de la entrada con la salida.

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Teniendo en cuenta que la salida es la de menor amplitud y la de entrada viceversa se puede aplicar la fórmula
de ganancia simulada de la ecuación

𝑉 2.933𝑣
𝐴𝑣 = 𝑉𝑜 = 100.173𝑚𝑣 = 29.89
𝑖

Figura 19. Curvas Id vs Vds e Id vs Vgs suministradas por el fabricante

Cuando VGS disminuye mucho, se puede observar que VGS alcanza un valor, siempre que es igual a cero, sin
importar el valor de VDS
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Conclusión

-los amplificadores FET son muy útiles para acoplar impedancias debido a que tienen aislada la entrada de la
salida en este caso el transistor 2N7000 , se debe tener en cuenta que estos tipos de transistores poseen un
voltaje umbral de polarización cada vez que se realiza un análisis se debe tener en cuenta el datasheet con el
fin de extraer los datos que caracterizan el comportamiento de dicho transistor en este caso MOSFET de
enriquecimiento. La eficiencia es un factor importante que se debe tener en cuenta en los amplificadores
aplicados, en donde se busca idealmente que toda la potencia suministrada por la fuente sea la misma
suministrada por la carga.
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Bibliografía

C. J. Savant, M. S. Roden. Diseño Electronico. Tercera Edicion, Ed. Prentice Hall.