Ciclo 2018-2

Prof. Ing. L.Farro

Cuestionario Nro. 1 - Semiconductores

1.- En un semiconductor extrínseco de tipo p la conducción a bajas temperaturas se

debe al movimiento de:

a) Los electrones activados térmicamente.

b) Los huecos.
c) Los electrones y huecos.
d) No hay conducción neta a bajas temperaturas.
2.- En un semiconductor intrínseco la conductividad está controlada por:

a) La movilidad y la temperatura.
b) La temperatura y la concentración de dopante.
c) La temperatura, movilidad y la brecha o nivel prohibido, Eg.
d) La concentración de dopante.
3.- ¿Cuál de los siguientes elementos permite obtener semiconductores de silicio tipo
n, donadores?:

a) Fósforo, P.
b) Aluminio, Al.
c) Boro, B.
d) Germanio, Ge.
4.- En un semiconductor tipo n la conducción a alta temperatura se debe a:

a) Electrones donadores.
b) Electrones donadores y electrones activados térmicamente.
c) Electrones donadores, huecos y electrones activados térmicamente.
d) Huecos y electrones activados térmicamente.
5.- Los electrones se ordenan en los sólidos cristalinos metálicos en:

a) Orbitales atómicos de baja energía.

b) Bandas continuas de energía.
c) Orbitales atómicos separados.
d) Bandas de estados de energía muy próximos.
6.- El campo eléctrico acelera los electrones de un metal que están situados en:

a) La banda de valencia.
b) La banda de conducción.
c) Fuera del átomo.
d) Es independiente de la banda en la que estén situados.
7.- La estructura electrónica de los semiconductores está formada por:
a) Dos bandas de energía con algunos estados superpuestos.
b) Dos bandas de energía, con electrones conductores en la de conducción.
c) Bandas de valencia y conducción, separadas por un intervalo prohibido de
energía.
d) Bandas de valencia y conducción coincidentes.
8.- En los semiconductores, los agentes activos de conducción son:

a) Los electrones de la banda de valencia.

b) Los huecos de la banda de valencia.
c) Los electrones de la banda de conducción.
d) Electrones y huecos.
9.- Un semiconductor que contiene elementos químicos con la capa electrónica de
valencia diferente a la de los del semiconductor se denomina:

a) Extrínseco.
b) Intrínseco.
c) Débilmente extrínseco.
d) No recibe ningún nombre especial.
10.- Los parámetros que inciden en la conductividad de un semiconductor intrínseco
son:

a) Temperatura, movilidad y diferencia energética entre bandas.

b) Temperatura y movilidad.
c) Concentración de portadores de carga libre.
d) Energía prohibida y concentración de portadores de carga libre.
11.- La concentración de portadores de carga, en los semiconductores extrínsecos:

a) Disminuye en el rango de bajas temperaturas por actuar la agitación térmica de la

red cristalina.
b) Disminuye a altas temperaturas al disminuir la movilidad.
c) Aumenta en el rango de bajas temperaturas por actuar los dopantes como
promotores del mecanismo conductor.
d) Ninguna es correcta ya que la concentración de portadores de carga es
independiente de la temperatura en los extrínsecos.

12.- La naturaleza del dopante incide en:

a) Aumento de la energía de la banda prohibida, disminuyendo la población de

portadores de carga libre.
b) Disminución de la energía de la banda de energía prohibida, aumentando la
concentración de portadores libres.
c) El valor de la energía de ionización y por tanto en una mayor aptitud para
suministrar portadores de carga libre.
d) El mecanismo de conducción, intrínseco o extrínseco.

13.- La diferencia entre la estructura electrónica de un metal y un semiconductor

radica en:

a) La diferencia de población electrónica en la banda de conducción.

b) La inexistencia de una banda de energía prohibida en el metal separando las
bandas de valencia y conducción.
c) Un mayor valor de la energía prohibida en el semiconductor que en el metal.
d) La inexistencia de banda de valencia en los metales.

Indicar si son verdaderas o falsas las siguientes afirmaciones:

a) La difusión tiende a homogeneizar las concentraciones.

b) Los procesos de difusión, aunque suponen movimientos de carga, no dan lugar

a corrientes eléctricas en el semiconductor.

c) La corriente de difusión de huecos es proporcional al gradiente de la

concentración de huecos.

d) A mayor número de huecos, mayor número de recombinaciones.

e) Si por causas externas al semiconductor se genera un exceso de electrones y

huecos, al desaparecer esta las condiciones de equilibrio no vuelven a
alcanzarse.

f) Para el cálculo de las intensidades de corriente en los semiconductores es

suficiente con considerar lo que les sucede a los electrones.
g) La ecuación de continuidad se obtiene al plantear el principio de conservación
de carga a un semiconductor.

h) La ecuación de continuidad nos da la variación de las concentraciones de huecos

y electrones.

i) En la ecuación de continuidad no interviene la generación de pares electrón –

hueco.

j) La inyección de portadores de carga en un punto de un semiconductor implica

la aparición de procesos de difusión.

k) La inyección de portadores de carga en un punto de un semiconductor hace que

los electrones y los huecos se muevan con igual facilidad a lo largo del
semiconductor.

l) La inyección de portadores de carga en un punto de un semiconductor hace que

aparezca un campo eléctrico, y como consecuencia una corriente, en el interior
del semiconductor.

m) En los semiconductores extrínsecos que presentan diferencias en el dopado no

se puede plantear el principio de conservación de la carga.

n) En los semiconductores extrínsecos que presentan diferencias en el dopado,

aparece un campo eléctrico en el interior del semiconductor.

o) En los semiconductores extrínsecos que presentan diferencias en el dopado la

presencia del campo no implica que aparezcan diferencias de potencial en el
semiconductor.
 Problemas propuestos nro. 1

Prob.1: Una muestra de Ge está contaminada uniformemente con átomos de aluminio,

donde una concentración de impurezas de 5 x 1016 cm-3. A 300ok la concentración de
portadores intrínsecos es aproximadamente 2 x 1013 cm-3.
Calcular las concentraciones aproximadas de huecos y electrones en este
semiconductor.
Prob.2: A la temperatura ambiente la concentración de portadores intrínsecos del Ge
es aproximadamente 2 x 1013 cm-3, consideremos una muestra de Ge que tenga una
concentración de donantes ND= 5 x 1014 cm-3 y no tenga aceptadores.
Estimar las condiciones en equilibrio de huecos y electrones.
Prob.3: Si una barra de Ge se dopa con Indio (grupo III de la tabla periódica) en una
concentración de 2 x 1012 átomos/cm3 a una temperatura de 300ok.
Calcular las concentraciones de electrones y huecos en el semiconductor en estas
circunstancias. Dato: ni (a 300ok)= 2.36 x 1013 cm-3.
Prob.4: Tenemos una muestra de silicio a la temperatura ambiente. Se contamina con
1016 cm-3 átomos de fosforo (ND=1016 cm-3), se pide calcular la concentración
aproximada de huecos y electrones.
Prob.5: Para el germanio intrínseco a la temperatura ambiente (300 ok). ¿En que tanto
por ciento aumenta ni (T) cuando la temperatura aumenta en un grado?
Prob.6: Una muestra de silicio está contaminada uniformemente con átomos de
fosforo, con una concentración de 1013 cm-3 a la temperatura de interés a la
concentración de portadores intrínsecos es de 1.5 x 1010 cm-3 y las movilidades con
μn= 1,300 cm2/v-s y μp= 500 cm2/v-s.

Prob.7: Calcular la resistividad de un sustrato de silicio dopado con 10 18 átomos/cm3

de elemento dopante. Datos: μn= 300 cm2/v-s, e= 1.6 x 10-19 coul.
Prob.8: Calcular la resistividad de un sustrato de GaAs dopado con 1018 átomos/cm3
de elemento dopante tipo aceptor, a la temperatura ambiente. Dato: μp= 190 cm2/v-
s.
Prob.9: Un sustrato semiconductor de Si de 1 mm2 de sección, se utiliza para diseñar
una resistencia. La concentración de dopado p es de 5 x 1016 átomos/cm3. Se pide:
 a) Calcular la resistencia eléctrica para las dimensiones a= 100 mm, l= 500 mm,
h= 0.1 mm.)
b) La densidad de corriente que circula para una tensión de 5v.
c) Concentracion de dopante para R= 100 ohmios.
Prob.10: La concentración intrínseca de portadores ni del silicio a 300 ok es 1.6 x 1016
m-3. Calcular la conductividad intrínseca. Datos: μn= 0.15 m2/v-s y μp= 0.05 m2/v-s.

Prob.11: a) calcular la concentración de huecos y electrones de germanio tipo p a

300ok, si la conductividad es 100 Ω-cm-1.

b) Para el silicio tipo n, la conductividad es 0.1 Ω-cm-1. Hallar las concentraciones de

huecos y electrones.

Prob.12: Obtener la concentración de electrones libres y huecos en una muestra de

germanio a 300ok que tiene una concentración de átomos donadores igual a 2 x 1014
cm-3 y una de aceptadores de 3 x 1014 cm-3. Dato: ni (Ge)= 2.5 x 1013 cm-3.

a) ¿La conductividad se debe fundamentalmente a los electrones o a los huecos?.

Explique.
b) ¿Si las concentraciones son iguales de donadores y aceptadores de 1015 atomos-
cm-3, de que tipo es el germanio?

Prob.13: Representar los modelos de bandas aceptores y donadores a la temperatura

de 0ok y de 300ok.
Prob.14: Un mono cristal de Ge dopado con átomos de fosforo, esta tallado en forma
de lámina de espesor de d=10-4 m. Entre sus dos caras existe una diferencia de
potencial de 4 voltios. Siendo la resistividad y la movilidad entre ellas de ρ= 0.1 Ω-m
y μn= 0.39 m2/v-s, resistividad a temperatura ambiente. Calcular:

a) Tiempo que emplea un electrón de conducción en atravesar la lámina.

b) Concentracion (Nd) de donadores.
Prob.15: Calcular los valores de potencial entre dos puntos x1 y x2 de un
semiconductor tipo p de dopado no uniforme p(x).
Prob.16: a) Probar que la resistividad del Ge intrínseco a 300ok es de 45 Ω-cm.
b) Si se añade una impureza donadora en una proporción de 1 átomo por 108 átomos
de Ge. Comprobar que la resistividad desciende a 3.7 Ω-cm.
Prob.17: Considerar el Ge intrínseco a 300ok ¿En qué tanto por ciento aumenta la
conductividad cuando la temperatura aumenta en 1 ok?

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