ELECTRÓNICA I Universidad Nacional

del Comahue
Facultad de Ingeniería

Guía de Problemas N° 2 (v.18)

Tema: Física de dispositivos y unión p-n

1. ¿Qué relación hay entre la energía de la banda prohibida de un semiconductor y el color de la

luz que podría emitir un LED realizado con dicho semiconductor?

2. Describa el concepto de hueco y la conductividad de huecos en semiconductores, dando también

la ecuación que la describe y sus magnitudes intervinientes.

3. ¿Qué es un semiconductor intrínseco? Se lleva un semiconductor intrínseco de 300 ºK a 500 ºK,

¿qué ocurre con las concentraciones de electrones y huecos, y con las conductividades de
huecos, electrones y total?

4. a) Determinar la concentración de electrones y de huecos a 300 K de una muestra de silicio con

una concentración de átomos donadores N D=2×10 14 cm-3 y de átomos aceptores
N A=3×1014 cm-3. b) ¿La muestra es tipo p o tipo n?

5. a) Hallar la concentración de huecos y de electrones en silicio tipo n a 300 ºK, si su

conductividad es de 0,1 (cm)-1.

6. a) Demostrar que la resistividad del silicio intrínseco a 300 ºK, es de 230 Kcm. b) Si se agrega
una impureza donadora en una proporción de 1 átomo por cada 108 átomos de silicio, a) ¿qué
debería pasar con la resistividad? b) calcular la resistividad para el silicio dopado.

7. Describa el transporte de portadores de carga por difusión y por desplazamiento (o arrastre).

8. Explique el significado físico de la frase: un electrón recombina con un hueco, y el par electrón-
hueco desaparece. Describa distintos mecanismos de recombinación posibles.

9. Explique el principio de funcionamiento de diodos LED. ¿Cuáles son los mecanismos de

recombinación que disminuyen la emisión de luz de un diodo LED?

10. La concentración de huecos en un semiconductor está indicada en la figura. (a) Hallar la

expresión y esbozar la densidad de corriente de huecos Jp(x) para el caso en el que no hay
campo eléctrico exterior aplicado. (b) Hallar la expresión y esbozar el campo eléctrico interno
que debe existir si no ha de haber ninguna corriente de huecos asociada con la distribución
indicada. (c) Hallar el valor del potencial entre los puntos x = 0 y x = W si p(0)/p0 = 103.

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(Millman & Halkias, prob. 2-18)

11. Al formarse una unión pn o np, aparece una diferencia de potencial entre ambas regiones,
llamada diferencia de potencial de contacto V0. Dibuje el diagrama de bandas de una unión pn,
en equilibrio termodinámico, indicando V0. ¿Por qué no es posible medir esta diferencia de
potencial entre los contactos de un diodo?

12. La resistividad a ambos lados de un diodo de germanio de unión abrupta es de 2 cm (lado p) y
de 1 cm (lado n). Calcular la diferencia de potencial de contacto V0 y altura de la barrera de
energía potencial E0.

13. ¿Por qué, al aplicar una diferencia de potencial en directa entre los extremos de una juntura pn,
los portadores mayoritarios son capaces de cruzar la barrera de potencial en la juntura? ¿Por qué
se produce una curva de tensión-corriente exponencial?

14. ¿Cómo influye el tiempo de vida medio en la corriente de saturación inversa de un diodo?

15. De las siguientes curvas de tensión/corriente correspondientes a dos diodos de silicio, graficadas
en escalas lineal y logarítmica, indique cuál tiene mayor corriente de saturación inversa y mayor
idealidad. ¿Cuál de ambos elegiría como rectificador?

16. A qué se debe la curvatura de las curvas en escala logarítmica observada a las mayores
tensiones de la figura anterior?

17. Un diodo de silicio trabaja con una tensión directa de 0,4 V. Calcular el factor por el que se
multiplica la corriente cuando la temperatura aumenta desde 25 a 150 ºC.

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18. Explique cómo un diodo polarizado en directa es capaz de almacenar carga eléctrica, surgiendo
la capacidad de difusión CD. Explique físicamente por qué CD es proporcional al tiempo de
recombinación de portadores minoritarios?

19. ¿Qué es el tiempo de recuperación en inversa? ¿Qué implicancias para el diseño de circuitos
tiene este tiempo?

20. Un diodo de unión ideal p-n tiene, a la temperatura de 125 ºC, una corriente inversa de
saturación de 30 A. a) hallar la resistencia dinámica para una polarización de 0,2 V en sentido
directo. b) Repetir el inciso anterior con una polarización de -0,2 V.

21. Los diodos con polarización inversa se emplean frecuentemente como condensadores variables
gobernados eléctricamente. Si la capacidad de la unión abrupta de un diodo con E0 = 0.65 eV es
de 4 pF a 4 V. Determinar los cambios de capacidad: a) incrementando en 0,5 V la polarización.
b) Disminuyendo en 0,5 V la polarización.

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