UNI – FIEE IT224 – Microondas
Bibliografía
Microondas
IT-224
Capítulo 1
Teoría Electromagnética
Ing. Marcial A. López Tafur
mlopez@uni.edu.pe
2018-1
Asistencia
• La asistencia no es obligatoria, aunque la
modalidad del curso es presencial, se
recomienda la misma, ya que el curso no
está diseñado para ser “a distancia”.
• Si se trabaja (o practica) deberá planear
cuidadosamente el tiempo libre que
disponga el estudiante, para poder
“aprender el curso” y no solamente
“pasarlo”.
3 4
Recuerde
• No deje para la noche lo que puede hacer
en la mañana
• Traducido a nuestra costumbre: “No deje
para mañana lo que pudo hacer ayer”
• Sólo el conocimiento nos hará libres, es
decir, el poder de transformar el futuro de
uno mismo y no estar echándole la culpa a
otros ú otras causas por nuestros fracasos.
5 6
1
2018-1
• Microwave engineering, David M. Pozar,
John Wiley & Sons, 4th Ed. (2012). Texto
• Collin, Robert E., Fundamentos para la
Ingeniería de Microondas The IEEE Press
Series on Electromagnetic Wave Theory,
Wiley E. Press, (2002). Consulta
• Understanding Microwaves 2nd Ed, Wiley-
Interscience; Revised edition (June, 2005)
Consulta
2
Otras consideraciones
• El hecho de trabajar o practicar no da
concesiones especiales a ningún alumno.
• La evaluaciones orales y trabajos
domiciliarios pasarán a formar parte de la
nota final del curso.
• Un error muy común es estudiar sólo la
víspera de los exámenes, se recomienda
estudiar regularmente semana a semana.
Microondas
• El concepto de “microondas” no está
adscrito a un margen de frecuencias con
límites universalmente aceptados.
• Suele identificar señales cuya generación,
propagación y procesado se utilizan un
conjunto de técnicas muy específicas que
no se emplean en la electrónica de baja
frecuencia ni en la óptica.
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Pero ….
• Las “microondas” son todas aquellas
Zona común
ondas EM con frecuencias comprendidas
≈ 1 GHz ≈ 6 GHz
entre los 3 GHz y unos 300 GHz.
Región TEM Pueden coexistir Región TE ó TM
• Las bandas más utilizadas en radio comuni- ó de dos ambos pero hay ó de un
caciones (entre 2 MHz y 3 GHz) son llama- conductores que tener
cuidado
conductor
f
das “señales de Radio-Frecuencia” o RF. Región
Región de 3 GHz RF
“isotrópica”
• Las microondas así como las señales RF dipolos
μO
comparten bandas de frecuencias y
muchas importantes aplicaciones. Zona común: Donde se puede hablar de Microondas (μO)
o de Radiofrecuencia (RF), los valores mostrados son
aproximados – han variado con el transcurso de los años.
7 8

Aplicaciones de las • La ganancia de antena es proporcional al

tamaño de la antena eléctrica. A frecuencias
microondas más altas, mayor ganancia de la antena se
puede obtener para una antena de tamaño
• Radiocomunicaciones físico dado.
• Radar • Mayor velocidad de datos, se puede realizar a
• Radiometría frecuencias más altas. Un ancho de banda de
1% a 600 MHz es 6 MHz, que (con BPSK)
• Aplicaciones industriales puede proporcionar una velocidad de datos de
• Aplicaciones médicas 6 Mbps, mientras que a 60 GHz de ancho de
• Aplicaciones científicas banda de un 1% es 600 MHz, lo que permite
unos 600 Mbps de velocidad de datos.

9 10

• Señales de microondas de viaje por la línea de vista sin

doblarse en la ionosfera como las señales de HF. Ecuaciones de Maxwell
Enlaces de comunicaciones por satélite y terrestres con
capacidades muy altas, por lo tanto es posible, la
reutilización de frecuencias en puntos distantes.
• La sección transversal de radar de un objetivo de radar   D   • Ley de Gauss
es proporcional al tamaño eléctrica del objetivo. Este
hecho, junto con la ganancia de la antena, por lo B 0 • No Polos Magnéticos
general hace que las frecuencias de microondas sean
preferidas para los sistemas de radar.   E   B /  t • Ley de Faraday
• Varias resonancias moleculares, atómicas y nucleares   H  J  D / t • Ley Circuital de
se producen a frecuencias de microondas, creando una
variedad de aplicaciones únicas en las áreas de Ampere
ciencias básicas, percepción remota, diagnósticos
médicos y tratamiento, y los métodos de calefacción.
11 12

2
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El contorno cerrado C y la superficie Campos corrientes y cargas superficiales

asociada S con la ley de Faraday. en la interfase entre dos medios.

Medio 2:

Medio 1:

13 14

Superficie cerrada S Contorno cerrado C

 S
D  ds    dv
V
 E  dl   j  B  d s   M  d s
C S S

Medio 2
Medio 2

Medio 1
Medio 1

15 16

Orientación de los vectores E, H, y k=k0n para el

TABLA 1.1 Resultados para la propagación de una onda plana plano general de la onda.
en varios medios
Tipo de medio
Sin pérdidas Con Buen conductor
Cantidad pérdidas

Constante de propa-
gación compleja

Constante de fase
(Número de onda)

Cte. de atenuación
Impedancia
Profundidad
Longitud de onda
Velocidad de fase

17 18

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Polarización del campo eléctrico para ondas planas Reflexión de una onda plana en un medio arbitrario;
(a) RHCP y (b) LHCP. incidencia normal

Propagación Propagación

19 20

Geometría para una onda plana con incidencia oblicua

sobre la interface entre dos regiones dieléctricas Las cantidades

E : Campo Eléctrico (V/m)

D : Densidad de flujo Eléctrico (coulombs/m2)
ε : Permitividad del material (Faradios/m)
H : Intensidad de Campo Magnético (A/m)
B : Densidad de flujo magnético (Wb/m2)
μ : Permeabilidad del material (Henrios/m)
J : Densidad de Corriente de Conducción (A/m2)
σ : Conductividad del material (Siemens/m)
ρ : Densidad de Carga (coulombs)

21 22

En este curso: Tipos de líneas de transmisión

General: líneas de transmisión de 2 conductores Alambre
(p.e., coaxial) - TEM Guía de onda finline
delgado (TEM)
Guías de Onda (conductores huecos o tubos):
TE o TM coaxial (TEM)
microstrip image line
Ondas Planas (en el espacio libre o dieléctricos):
TEM
tri-plate (TEM)
slotline
Antenas: Radian ondas esféricas las cuales se
convierten en ondas planas a la distancia.
23 24

4
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Relaciones constitutivas Campos en materiales dieléctricos

características de un Medio
Asuma D   oE  P, y no magnético, tal que    o
D   E ,   r o , Permitividad Dieléctrica
y J    0 (D  flujo eléctrico o densidad de desplazamiento)
B   H ,   o  r, Permeabilidad Magnética
P  densidad de momento dipolar
Jc   E , J  Jc  Jv , J v  Corriente Convectiva
  e oE ,  e  suceptibilidad dieléctrica
Presunciones:
D   o (1   e ) E   E
J     0, dentro del medio, no sobre su superficie
   o(1  e )     j 
 , , escalares excepto las ferritas, plasmas
    , para un buen dieléctrico (3 o 4 ordenes de magnitud)
E,H proporcional a exp(j t -  z )
  cuenta para pérdidas en el medio (calor)
donde     j  ,   constante de atenuación
  constante de fase, z  dirección de propagación negativo debido a la conservación de la energía    0
25 26

Campos en materiales conductores Ecuación de onda

J  J c   E , donde el campo E varia como e j t
Considere: /t  j
D E   E  -j H,   H  j E
 H  J   E    E  j E
t t
  (  E)  (  E)-  2 E   (  j H)

 j (   ) E  (  j   j (  j ) ) E  (  j )( j )E
j
  2 E  -  2  E;
 j (   j   j ) E  [ j   (    )]E
 similarlmente  2 H  -  2  H;

donde    es la conductividad efectiva se define : k   2   constante de propagación
    de ondas en medios descritos por  y 
tangente de pérdida efectiva  tan 
  27 28

Procedimiento general para encontrar


campos en una estructura guiada nˆ  E  0, ó Et  0 sobre la superficie de un
conductor perfecto
1. Use la ecuaciones de onda para encontrar la 
componente z de Ez y/o Hz note las nˆ  E  s / 
clasificaciones: 
1. TEM: Ez = Hz= 0 nˆ  H  J s
2. TE: Ez = 0, Hz  0 
3. TM: Hz = 0, Ez  0 nˆ  H  0, ó Hn  0 sobre la superficie de un
4. HE o Híbrido: Ez  0, Hz  0 conductor perfecto
2. Use condiciones de contorno para resolver
cualquier restricción en nuestra solución para donde nˆ  normal a la superficie del conductor
Ez y/o Hz
29 30

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Ondas planas en medios sin pérdidas Velocidad de Fase

La fase estable viaja a la velocidad
 2 E  k 2 E  0, donde k    es real desde  y  dz d  t-constante   1
son reales en un medio sin pérdidas vp   ( )   
dt dt k k   
E  E x y  / x   / y  0 1
en espacio libre v p   c  3  108 m/seg
2 Ex o o
  k 2 E x  0  E x ( z )  E  e  jkz  E  e  jkz
z 2 Longitud de onda: distancia entre 2 sucesivos máximos
o en el dominio del tiempo:
( t-kz)-( t-k(z   ))  2  k
E x ( z , t )  E  (cos( t  kz ))  E  (cos( t  kz )) 2 2 v p v p
 t  kz  constante  moviéndose en la dirección  z     or v p   f
k  f
en espacio libre: v p   f  c
31 32

Impedancia de Onda Ondas planas en medios con pérdidas

H   E   j H and   H   j E   E
Por ec. de Maxwell's:   E  -    j H
t     E   j (  H )   j ( j E   E )
   E x
  0; so zˆ  E x xˆ  yˆ     E  (  E )   2 E
 x y z z

 jkE  e  jkz  jkE  e  jkz   j H y  2 E   2  (1  j )E  0

k 
Hy  ( E  e  jkz  E  e  jkz )  2  (1  j )   2  número de onda, ahora complejo
 
 
donde   o   E/H     j   j  (1  j ) note   0,   0
k 
33 y   j y   k 34

Impedancia de onda en un medio

Ondas planas en un buen conductor
con pérdidas
caso práctico   
como antes: E  E x xˆ y /x  /y  0
 2 Ex   j   j /   j  j  2  / 
   2 E x  0  E x ( z )  E  e  z  E  e   z
z 2  (1  j )  / 2    / 2
e  z  e  z e  j z  dominio del tiempo  e  z cos(t   z )
 s  1/   2 /   profundidad pelicular (skin)
 j
Hy  ( E  e z  E  e z ) a 10 GHz,  s  1 m para muchos metales (Al,Cu,Ag,Au)

 a frecuencias de microondas , la corriente fluye sobre
j
donde    impedancia de onda con pérdidas la superficie

35 36

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Energía y Potencia Coeficientes de reflexión

Una fuente de energía electromagnética genera un campo complejos
que puede almacenar energía eléctrica y magnética
Sabemos que el coeficiente de reflexión es
y transportar potencia que puede ser transmitida o una cantidad compleja.
disipada como pérdida
   e jr   r  ji ... 1
We  1 / 4 Re  E  D dv   / 4  E  E dv
* *

v v Podemos plotear los coeficientes de reflexión en el plano

complejo . Los componentes son:
Wm  1 / 4 Re  H  B dv   / 4  H  H dv
* *

v v
 r   cos r
Ps  potencia generada por las fuentes
 Po  P  2 j (Wm  We ) i   sin  r

Po  1 / 2 Re  E H *  zds
ˆ  potencia transmitida
s 37 38

Plano complejo de  La carta de Smith

Debemos relacionar las impedancias a los coeficientes de
reflexión :
Primero, normalizaremos todas las impedancias respecto de
la impedancia característica de la línea:

Z ZL
z e.g. z L 
Z0 Z0
Para una impedancia ZR obtenemos:

Z R  Z 0 Z R Z0  1 zR  1 1 
    zR  ..(2)
Z R  Z 0 Z R Z 0  1 zR  1 1 
39 40

Derivación Estructura de la carta de Smith

Desde que la impedancia normalizada puede escribirse como:
Esto permite una
fácil conversión
z R  rR  jxR ..(3) La carta de
Smith es un entre la impedancia
igualando (3) a (2) usando las partes real e imaginaria de diagrama polar normalizada z y el
de , con 
(1). Obtenemos:
rR  jxR 
1   R   ji contornos de
1   R   ji partes real e
imaginaria de z
Podemos resolver para rR y xR en términos de . Todas las superimpuestas
familias de posibles soluciones gráficas de esta ecuación
constituyen la carta de Smith.

41 42

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Un tour de la carta de Smith

Escales radiales en la periferia
están en longitudes de onda.
Estas son usadas para Dos escales sobre la periferia (en )
determinar la longitud de la 1 hacia el generador (horario)
línea. Algunas cartas de Smith 1 hacia la carga (anti-horario)
tienen un número de escalas en
la parte inferior, pero Note también que una vuelta alrededor de
usualmente no son necesarias. toda la carta es una longitud total de /2

Usadas muy comúnmente

para plotear impedancias
como una función de la
frecuencia.
43 44

Ubicación de los puntos Ubicación de los puntos (2)

Todas las impedancias en impedancias puramente 1.2j

la mitad superior son reales están ubicadas a lo
inductivas p.e. 1+j 1+j largo de la línea central
horizontal
0.1 2
impedancias puramente
imaginarias están
Todas las impedancias en
ubicadas a lo largo de la
la mitad inferior son 1-2j periferia
capacitivas p.e. 1-2j -0.8j

45 46

Puntos especiales Admitancia  impedancia

Cualquier punto reflejado a través
Punto de circuito abierto del punto central convierte
(impedancia infinita) inductiva admitancia a impedancia y
vice versa.
z=2+3j
Mitad superior: reactancia
impedancia unitaria z =1
inductiva
(punto de adaptación)
o
Usualmente marcadas
susceptancia sobre
capacitiva
la carta
y=0.15-0.23j
Punto de corto capacitiva Mitad inferior: reactancia = 1/(2+3j)
circuito capacitiva
(impedancia cero) o
47 susceptancia inductiva 48

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Coeficiente de reflexión VSWR

El coeficiente de reflexión es
proporcional a la longitud del El VSWR
vector radial sobre la carta.
 corresponde a donde
La longitud del vector a la
periferia corresponde a la rotación del
coeficiente de 
 =1. 
reflexión
El ángulo de fase del Corta el eje real +ve.
coeficiente reflexión es
VSWR
medido desde la dirección
positiva del eje horizontal.
El VSWR siempre debe ser  1

49 50

Ejemplo (1) Por la carta de Smith

Dada una impedancia de carga (normalizada) de ZL = 2+3j
Encuentre el coeficiente de reflexión y VSWR en la carga. • Ubique el punto (2+3j)
Analíticamente: • Mida la longitud de la
Z  Z 0  2  3 j  1 línea
 L  • Mida la longitud del radio r 2+3j
Z L  Z 0  2  3 j  1
• Relación de (2):(3) da
1 3 j  = 0.745
  0.667  j 0.333
3 3j • Mida el ángulo de (2+3j)
 da 26.5 grados
 0.74526.5
• rote (2+3j) sobre el círculo
1   1  0.745 hacia +ve eje real, lea
VSWR    6.84 VSWR = 6.9
1   1  0.745
51 52

Impedancia de entrada con

Solución
una carga compleja
Note que la longitud normalizada es > que /2. Desde que una
Encuentre la impedancia de entrada de una línea de transmisión vuelta alrededor de la carta de Smith Chart es media longitud de
Sin pérdidas que tiene los siguientes parámetros: onda, la impedancia de entrada se repite a si misma cada /2.
Z0=100. ZL=100+j100, Podemos escribir  = 0.676  = 0.5+0.176
Longitud de la línea =0.676
Siguiente, normalice la impedancia de carga
Z L 100  j100
Z0=50 zL    1  j1
ZL=100+j100 Z0 100

Ubique este punto sobre la carta y luego mueva este punto, hacia
el generador (horario) 0.167, la impedancia en el nuevo punto
Zin = ?
es zin=1-j1, desnormalizando, Zin=100-j100
53 54

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Solución Resumen 1

0.166λ • La carta de Smith permite la solución

0.166λ+0.176λ
gráfica de la ecuación de la línea de
= 0.340λ
1+1j transmisión para Z.
• La carta da una conversión directa entre 

0.25
y Z.
• También puede ser usada para convertir
1-1j impedancia a admitancia y vice versa.
VSWR = 2.6
0.340λ
55 56

¿Por qué adaptar las

Adaptación de impedancias
impedancias?
• ¿Por qué adaptar las impedancias? • Las reflexiones producen variaciones en la
• Métodos de Adaptación impedancia de entrada de la línea, la
impedancia de entrada cambia con el tamaño
• El transformador de cuarto de onda de la línea y la frecuencia.
• La adaptación por “stub” sinple. • Potencia desperdiciada. La adaptación de
impedancias proveen máxima transferencia de
potencia.
• Un VSWR > 1 significa que habrá máximo
voltaje sobre la línea. Esto puede producir un
colapso de voltaje a altos niveles de potencia.
57 58

Beneficios de la adaptación Técnicas de adaptación

• La impedancia de entrada permanece constante • Ahora investigaremos dos técnicas de
al valor de ZO. Por consiguiente, impedancia de adaptación que usan secciones de línea
entrada es independiente del tamaño de la de transmisión como elementos
línea, y de la frecuencia (sobre el ancho de
banda de la red de adaptación).
circuitales.
– El transformador de cuarto de onda
• VSWR = 1. Por lo tanto, no hay picos de voltaje
sobre la línea. – La red de adaptación por stub simple.
• Se obtiene una máxima transferencia de
potencia a la carga.

59 60

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Transformador de cuarto de onda Transformador de λ/4 (2)

Considere una longitud de cuarto de onda de una línea
Asuma la línea sin pérdidas:
terminada en una resistencia RL:
Z  jZ O tan  l
Z S  ZO L
Z O  jZ L tan  l
 2    
ZO y tan  l  tan    tan    
RL   4 2
jZ O Z O2
así Z S  Z O 
jZ L RL (8.1)

Note que ZS es puramente real, así la línea nos permite

ZS
 transformar un valor de resistencia en otro valor de resistencia.
4

61 62

Propiedades de las líneas de /4 Ejemplo – Carga resistiva

• Inversión de Impedancias : Una carga desadaptada puede ser adaptada a una línea de
transmisión usando un transformador de λ/4 de una adecuada
Z O2 impedancia característica. p.e.: adapte un resistor de 100  a una
ZS 
ZL línea de 50 .
RL  100 
Z Z 1
normalizando zS  S  O  (8.2) RS  50 
ZO Z L zL
 La impedancia característica de del transformador ZOT debe ser:
• Podemos por lo tanto convertir un circuito abierto en
ZOT  RL RS
corto circuito y vice versa:
(8.3)
– terminación en corto circuito : Zin, sc =    100  50
– terminación en circuito abierto: Zin, oc = 0 
 70.7 
63 64

Carga arbitraria Construcción en la carta de Smith

Sí ZL no es real, una long. de línea (con impedancia l
Hacia el
característica ZO) puede ser usada para transformar ZL a un generador
impedancia real, la cual puede luego ser convertida a ZO por un
transformador de λ/4, de impedancia característica ZOT.
ZL/ZO
ZO R1 o R 2

Alternativa R 1 /ZO
R 2 /ZO
ZO ZOT ZO ZL
Zin = Zo

/4 l

65 66

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Ejemplo de diseño de un Solución

transformador de /4
• Ubique la carga en la carta de Smith
• Diseñe un transformador de λ/4 para • Rote alrededor de Vmin
adaptar una carga de • Determine la distancia al transformador
ZL = 30  j100  a una línea de 50 . (en longitudes de onda)
• El transformador debe ser colocado lo • Lea el valor de R2
más cerca posible a la carga. • Calcule la ZOT del transformador

67 68

Redes de adaptación con Circuito equivalente stub

stub simple simple
Línea M d
Línea M
Y0 Yin Yd Y0 YL
M’ YS
Yin Yd YS
Carga
Y0
(puede también l M’
usarse un stub con Stub en
corto
circuito abierto)

69 70

Método de diseño stub simple Ejemplo de diseño de stub simple

• Convierta la impedancia de carga ZL a su • Adapte una impedancia de carga de ZL = (25
admitancia equivalente YL = 1/ZL. - j50)  a una línea de transmisión de 50 .
• Use una longitud de línea de impedancia carac- – convierta la carga a su impedancia normalizada
terística Zo para transformar YL a Yd = Yo + jB. ZL 25  j50
– Nota Yo = 1/Zo zL    0.5  j1
Zo 50
• Combine un stub en paralelo el cual tiene una – Convierta la impedancia de carga a su admitan-
admitancia de entrada Ys = -jB. cia usando la carta de Smith (transforme el
• Luego, la admitancia total en MM’ es: punto A al punto B)
Yin  Yd  Ys  Yo  jB  jB  Yo p.e. tenemos una yL  0.4  j 0.8
impedancia adaptada!
71 72

12
 UNI – FIEE
g=1
círculo
(continuación)
• Mirando desde el generador hacia la
combinación en paralelo de la línea conectada a
la carga y el stub, la admitancia de entrada
normalizada en la unión es
yin  ys  yd  ys  1  j1.58
la cual debe ser igual a:
yin  1  j 0
Para asegurar que tenemos una impedancia
adaptada a to Zo.
(continuación)
• La distancia viajada (y por ende la longitud del
stub) es:
l  0.34  0.25  0.09 
El diseño está ahora completo, tenemos la long.
del stub y la longitud de la línea conectando la
carga al stub.
• Note que todas las líneas de transmisión tienen
una impedancia característica igual a Zo, que es
la impedancia característica de la línea a la que
estamos adaptando.
IT224 – Microondas 2018-1
(continuación)
• En el dominio de la admitancia, los círculos de
resistencia constante (r) se convierten en círculos
de conductancia constante (g).
• Rotando hacia el generador hasta que el círculo de
VSWR corte el circulo de g = 1 (significa que la
parte real de Y es igual a Yo). (Este punto está
marcado con C sobre la carta de Smith).
• Note la distancia recorrida (d), y la admitancia en C
(yd):
– d = (0.178-0.115) = 0.063
– yd = 1 + j1.58
73 74
(continuación)
• Luego 1  j 0  ys  1  j1.58 
así ys   j1.58
• Para un stub en corto circuito, la admitancia
normalizada de un corto circuito es  y está
localizada en el punto E sobre la carta de Smith.
• Necesitamos rotar este punto hacia el generador
para obtener la deseada admitancia de entrada
de -j1.58, la cual está localizada en el punto F
sobre la carta de Smith.
75 76
Soluciones stub simple
• Un diseño de red de adaptación con un stub puede tener 4
posibles soluciones. Del ejemplo completado, se escogió:
– yd = 1 + j1.58 O yd = 1 - j1.58
– un stub terminado en corto circuito ó terminado en circuito abierto
• El cual se escoja depende de consideraciones prácticas :
– ¿Puedo realizar terminaciones de circuito abierto o cerrado en la
línea de transmisión que estoy usando?
– ¿Importa sí hay un voltaje máximo sobre la línea entre el stub y la
terminación de carga?
– ¿Es la longitud física de la línea entre el stub y la terminación de
carga demasiado corta/larga?
• Como ingeniero, ¡estas son las decisiones que usted debe
ser capaz de tomar!
77 78
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Resumen 2 Desventajas del stub simple

• La colocación de stub simple significa que no
• La adaptación de impedancias es necesaria para:
– Reducir el VSWR
tenemos opción en la posición (distancia
– Obtener máxima transferencia de potencia desde la carga) de stub. Esto no sería
• Una línea de λ/4 puede ser usada para transformar valores práctico. Por lo tanto, no todas las
resistivos, y actuar como un inversor de impedancias. impedancias de carga pueden ser adaptadas!
• Combinada con una long. de línea en serie, un transforma- • La sintonización con doble stub no tiene este
dor de λ/4 puede adaptar cargas complejas a una resistiva
Zo. problema, la distancia desde la carga es más
• Una red adaptadora de stub simple también puede usarse. o menos arbitraria.
• Ambos tipos de redes adaptadoras son de banda angosta: • Sin embargo, tampoco puede adaptar todas
son diseñadas para operar solamente a una frecuencia. las impedancias.

79 80

Ejemplo de arreglo Rote el círculo unitario

Determine las long. Podría ser rote el círculo
de stubs 1, 2 cualquiera pero unitario
λ/8 d1
dada la posición d1 de valor fijo λ/8 (1/4 de
vuelta) hacia
la carga
2 1 ZL
círculo
desplazado
stubs corto circuitados
(podrían ser también Estrategia: Una manera de interpretar esto es que todas las
adaptada
impedancias sobre el círculo azul, cuando es rotado λ/8 hacia
s =1 de circuito abierto)
el generador terminarán en el círculo rojo. La carga del stub
puede luego eliminar cualquier reactancia remanente.
81 82

Empiece con la impedancia Inviértala para encontrar la

de carga admitancia

YL

Tenemos que trabajar en

admitancia porque los stubs
ZL están en paralelo con la línea
principal y por consiguiente
suman admitancias!
83 84

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Estamos aquí paso 4 rote la admitancia d1

d1 Estamos rotando
(hacia el generador)
YL
junto con el círculo
ZL
cuyo radio es
determinado por la
VSWR en la sección
de la carga.
Y'L
YL

85 86

Moverse a lo largo de la línea de

Ahora aquí
conductancia constante
Ahora, moverse junto al
d1 circulo de conductancia
constante tal que termine YL
el en círculo azul.
ZL
YL  G1  jB2

Moverse junto a la línea

de conductancia
constante no cambia la Y'L
Y'L parte real de la
admitancia, sólo la parte YL  G1  jB1
87
imaginaria. 88

determine la longitud del stub

Longitud del stub del generador
del generador
Del slide anterior: Los signos sobre
YL  G1  jB1 el componente +j (B1+B2)
imaginario
YL  G1  jB2 son generalmente
s/c punto de
.
En el movimiento de Y'L a Y"L tenemos que adicionar j(B1+B2), admitancia
esta suceptancia será provista por el stub. Los signos aquí
corresponden al
ejemplo
EL stub del generador provee +j(B1+B2); Note que el Longitud del stub
stub puede solo proveer una contribución imaginaria. del generator
en λ 2

89 90

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Ahora stub de la carga

Podemos rotar el punto
Y"L sobre el círculo azul λ/8
d1
al círculo rojo y localizar el YL YL
2 punto Y"'.
ZL
Y"L YL"'

Y"' tiene admitancia de

1+jB3; la parte imaginaria Y'L Y'L
Y'L Puede eliminarse con el
segundo stub.
91 92

completado longitud del stub de carga

d1

2 1
ZL
s/c punto de
admitancia

admitancias después de -jB3 Long. stub de

La adición de los stubs Y"'L Y'L carga en λ 1
93 94

Soluciones alternativas Inténtelo!

Note que podríamos haber
intersectado el círculo Dada una impedancia de carga de (65-j50)  con dos stubs
transpuesto en dos × Y"L apartados por λ/8, un stub está a 0.11λ de la carga, diseñe un
lugares. Escogiendo la circuito de adaptación con doble stub.
segunda intersección,
tenemos una segunda ×
Una solución es:
solución
1 = 0.128λ
Esto luego de rotar al 2 = 0.289λ Generalmente
fondo de la mitad del La otra es: escogemos los
círculo unitario rojo en Y'L 1 = 0.377λ Stubs más cortos
rotación a través de 2 = 0.417λ
λ/8.
95 96

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Más complicaciones Otras formas de resolución

Hemos asumido que las impedancias características
son todas iguales (50). Pero no tenemos que tener
esta restricción. El método descrito en clase es solamente
Por ejemplo los stubs podrían ser de 70 y la línea un método de solución utilizando la
principal de 50. adaptación con el doble stub. Hay otros
métodos gráficos así como programas de
Estos problemas son usualmente manejados computo que realizan estos cálculos.
normalizando y de-normalizando repetidamente con
respecto a las diferentes impedancias
características.

97 98

Cable coaxial Líneas de transmisión coaxiales

• La geometría básica de una línea coaxial se
muestra en el corte de abajo:

Note que las líneas de campo asociadas con las

ondas están enteramente entre los conductores
(dentro del material aislante).
99 100

Definición de los parámetros

Análisis de la línea coaxial
del coaxial
• Como se mostró en previos slides, los campos en una
Conductors
línea coaxial están contenidos enteramente dentro del
c,c espacio entre los conductores interior y exterior.
b
• Este espacio está lleno con un material dieléctrico
aislante uniforme.
Las características de
• La simetría y uniformidad del dieléctrico y la estructura
a la línea (Zo, up, ) de la línea significa que su rendimiento puede ser
Insulating material están controladas por analizado por métodos relativamente simples.
( • La mayor hipótesis que haremos es que la corriente
las propiedades del
en los conductores fluye en una delgada “película”
material y la sobre la superficie de los conductores.
geometría de la línea.
101 102

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Inductancia de una línea coaxial

• Integrando esta expresión de r = a a r = b,
Sí asumimos que hay una obtenemos el flujo magnético total entre los
corriente fluyendo sobre la
superficie del conductor
conductores:
central, luego la densidad del I  b 
flujo a un radio r es I/2r.  ln   webers/metro de longitud
b
a 2  a 
Luego, el flujo en un anillo r dr

anular de unidad de longitud y Este flujo enlaza una vuelta, la inductancia es 

espesor dr es: dividida por I, resultando:

I  b
d  dr L
2
ln   henrios/metro (10.1)
2r a

103 104

Capacitancia de una línea

Resistencia de una línea coaxial
coaxial
• La intensidad del campo eléctrico en el espacio entre los • La resistencia a alta frecuencia de una línea coaxial es
conductores es q/2r, donde q es la carga por unidad de igual a la resistencia DC de un circuito compuesto de
longitud. dos conductores huecos con radios a y b
• Integrando la intensidad del campo con respecto al radio respectivamente, y con el espesor de sus paredes igual
de r = a a r = b, obtenemos la diferencia de potencial, V a la profundidad pelicular (skin). La resistencia es:
q b 1  c f c  1 1 
V ln   Voltios R  /m (10.3)
2  a  2   a b 
• Para encontrar la capacitancia por unidad de long.,
dividamos q por la diferencia de potencial, V donde  c  resistividad del conductor , -m
2 c  permeabilidad magnética , H/m
C faradios/metro f  frecuencia, Hz
ln  b a  (10.2)
a, b en m
105 106

Conductancia de una línea Impedancia característica de

coaxial una línea coaxial
• A altas frecuencia, la impedancia característica
• Sí asumimos que el aislamiento dieléctrico se aproxima a (L/C)
tiene una tangente de pérdidas, tan , 1  b 
Zo  ln  (10.5)
luego la conductancia por metro es 2  a 

G    C  tan  S/m (10.4)

• En la práctica, el dieléctrico usualmente tiene un
r = 1. Luego, la impedancia característica es:
60 b
Zo  ln   
r a 
107 108

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Velocidad de fase en una línea Líneas de transmisión

coaxial microstrip
• A altas frecuencia, la velocidad de fase es • Una de las líneas de transmisión más
aproximadamente comúnmente usadas hoy día, es una tira sobre
1/(LC) un dieléctrico con un plano de tierra en el lado
opuesto. Esto es llamado una “línea microstrip”.
1 1 1 3  108 (8.6)
up    m/s • Un camino sobre una placa de circuito impreso
  r o  o r
con un plano de tierra en el otro lado forma una
línea microstrip.
Note que la velocidad de fase es constante, y • Pistas en placas de circuitos digitales de alta
depende de la r del dieléctrico. Esta es una velocidad pueden exhibir comportamiento de
línea de transmisión, el cual puede tener el
característica de una línea de transmisión TEM,.
mayor impacto en el rendimiento del circuito.
109 110

Geometría de una línea

Análisis de las líneas microstrip
microstrip
Tira conductora • ¿Cómo podemos analizar una línea microstrip?
metálica comúnmente
• Primero, consideremos la estructura de la línea.
w llamado – La línea Microstrip tiene un dieléctrico mixto : parte de
el substrato los campos están en el dieléctrico y parte en el aire.
– Por consiguiente, esperaríamos que las ondas se
dh muevan con diferentes velocidades de fase en los
dos materiales.
– ¿Y qué pasa en la interfase?
plano de tierra metálico
– ¿Cuál es la velocidad de la onda sobre esta línea?
espaciamiento dieléctrico
111 112

Consecuencias de la mezcla
Comportamiento quasi-TEM
de capas Dieléctricas
• Para satisfacer las condiciones en la frontera entre el • Microstrip no es una línea TEM verdadera
dieléctrico y el aire, los campos tangenciales (E y H)
sobre un lado de la frontera deben adaptar los campos – Es dispersiva (la velocidad de fase no es
tangenciales sobre el otro lado. constante con la frecuencia).
• Esta condición de frontera puede ser satisfecha en un – La impedancia característica no puede ser
número de maneras. Cada solución tiene una diferente + +
definida en términos de V / I . Una definición
configuración de campo, el cual llamamos un modo. en base a campos debe ser usada.
• Consecuentemente, microstrip exhibe comportamiento
“quasi-TEM”. i.e. se desvía ligeramente del – Las configuraciones de campo cambian con
comportamiento verdadero de una TEM. la frecuencia.
• Un análisis más exacto solo es posible considerando el • Ejemplos de líneas dispersivas: guías de
comportamiento electromagnético de la línea.
onda metálicas y fibras ópticas.
113 114

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Características de las líneas

Guías de Onda
Microstrip
• La impedancia característica y velocidad de fase son • Tubos metálicos a través de los cuales las
una función de:
– ancho de la tira, w
ondas se propagan.
– altura del substrato, h • Pueden ser de varios tipos de sección:
– permitividad relativa del substrato, r
– frecuencia
– Rectangular
• La velocidad de fase esta definida en términos de una – Circular
permitividad relativa “efectiva”, eff – Elíptica
3  108 Esto implica que tenemos • Puede ser rígida o flexible
up  m/sec un medio homogéneo
 eff • Las guías de onda tiene poca pérdida
de eff (10.7)
115 116

Modos
Elíptica • Las ondas se propagan de varias maneras
Guías • El tiempo que se toman para moverse en
de la guía varía con el modo.
Rectangular
Onda • Cada modo tiene una frecuencia de corte
más abajo de la cual no se pueden
propagar
Circular • El Modo con la más baja frecuencia de
corte es el modo dominante
117 118

Propagación multimodo Designaciones de los Modos

Modo Baja-Orden: Propagación rápida
Modo Alta-Orden: Propagación lenta
• TE: transversal eléctrico
– Campo Eléctrico está en ángulo recto en la
dirección de movimiento
• TM: transversal magnético
– Campo Magnético está en ángulo recto en la
dirección de movimiento
• TEM: transversal electromagnético
– Las ondas en espacio libre son TEM

119 120

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Modos TE en una Guía de Onda Rectangular

Guía de Onda Rectangular a

• El modo dominante es TE10 b

– 1 medio ciclo a lo largo de la dimensión (a)
– No medio ciclos a lo largo dimensión corta (b)
– Frecuencia de corta para a = c/2 a) TE10 b) TE20

• Modos con las siguientes más altas

frecuencias de corte son TE01 y TE20
– Ambos tienen frecuencias de corte dobles
que para TE10
c) TE11 d) TE21
121 122

Rango Utilizable de
Frecuencia de corte
Frecuencias
• Para modo TE10 en guía de onda
rectangular con a = 2 b • La propagación en modo simple es
altamente deseable para reducir la
dispersión
c • Esto ocurre entre la frecuencia de corte
fc  para el modo TE10 y dos veces esa
2a frecuencia.
• No es bueno usar guías en los extremos
de este rango

123 124

Ejemplo de guía de onda Velocidad de grupo

• RG-52/U • Las ondas se propagan a la velocidad de la
luz “c” en la guía.
• Dimensiones internas 22.9 por 10.2 mm. • Las ondas no viajan en línea recta en la guía
• Frecuencia de corte: 6.56 GHz • La velocidad a la cual las señales se
• Usada entre 8.2-12.5 GHz mueven dentro de la guía es la velocidad de
grupo y es siempre menor que “c”.
2
f 
v g  c 1   c 
 f 
125 126

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Variación de la velocidad de grupo con la frecuencia

Velocidad de fase
Rayo

• No es una velocidad real (>c)

a) Frecuencia encima de la de corte • Velocidad Aparente de las ondas a lo
largo de las paredes
Rayo • Usada para calcular la λ en la guía.
– Para adaptación de impedancias, etc.
b) Alta Frecuencia c
vp 
2
Rayo
f 
1   c 
c) Frecuencia más alta  f 
127 128

Variación de fase a lo largo de Impedancia característica

la guía de onda
• Z0 varia con la frecuencia

Rayo Frente de
377
λ espacio
ondas
Z0  
libre 2
f 
1   c 
λ de la guía  f 
129 130

Longitud de onda en la guía

• Mayor que la longitud de onda en espacio
libre a la misma frecuencia

 Muchas gracias por su

g  atención
2
f 
1   c 
 f 
131

22