Sensor LM35

La serie LM35 es la precisión de circuitos integrados de temperatura sensores, cuyatensión de salida es

linealmente proporcional a la Celsius (centígrados) la temperatura. El LM35 tiene así una ventaja sobre los
sensores de temperatura lineal calibrada en °Kelvin,como el usuario no está obligado a restar una gran
constante voltaje de su producciónpara obtener centígrados conveniente escalado. El LM35 no requiere
ninguna calibraciónexterna o recorte para proporcionar una precisión típicos de g 1/4 °C a
temperaturaambiente y g 3/4 °C durante un total de +150 -55 °C Rango de temperatura. De bajo
costoestá asegurada por el recorte y calibración al nivel de la oblea.
 Sensor LM35
El LM35 de bajai mpedancia de salida, salida lineal y precisa calibración inherente hacen interfaz para
lalectura o los circuitos de control especialmente fácil. Lo se puede utilizar con fuentes dealimentación
individuales, o con más y suministros de menos. Como se señala a sólo 60mA de su suministro, tiene muy
bajo calentamiento espontáneo, menos del 0,1 °C en aire quieto. El LM35 es tasados para funcionar en un -
55 +150 a C de temperatura rango,mientras que el LM35C está pensado para una b40 °C a A110 gama (B10 §
con mayor precisión).
 Sensor LM35
Características.
• Calibrada directamente en grados Celsius (centígrados)
• Lineal + 10,0 mV / ° C factor de escala
• 0,5 ° C exactitud regulable (a +25 ° C)
• Calificación para la plena -55 ° a +150 ° C Rango
• Apto para aplicaciones remotas
• Bajo costo debido a la oblea-nivel de recorte
• Opera de 4 a 30 voltios
• Menos de 60 μA de corriente de fuga
• Bajo nivel de calefacción, 0,08 ° C en aire
• No linealidad sólo 1/4 ° C típico
• Impedancia de salida baja, de 0,1Ω para carga de 1
 Diodo de silicio.
El diodo es la pieza básica en electrónica de estado sólido y está basado en una sola unión p-n. A
partir de combinaciones de más capas p o n podremos obtener los demás componentes
electrónicos conocidos, como son los transistores, tiristores, etc. Debido a su composición a partir
de material semiconductor su comportamiento es no lineal y por tanto su utilización es más
compleja que la de los componentes lineales más habituales (resistencias, condensadores e
inductores).

El diodo es la unión de dos materiales semiconductores dopados de tipo n y de tipo p, formando

una unión p-n. El semiconductor de tipo p tiene una concentración de huecos mucho mayor que la
de electrones y el de tipo n tiene una concentración de electrones mucho mayor que la de huecos.
Además, cada uno de estos materiales permanece eléctricamente neutro.
 Diodo de silicio.
La marcha o difusión de estos portadores de su región inicial deja al descubierto algunos iones fijos en la
red cristalina, dando lugar a una región que contiene átomos ionizados positivamente a un lado y átomos
ionizados negativamente al otro lado llamada zona de agotamiento o región espacial de carga.
Dicha zona de agotamiento es eléctricamente neutra de manera que, si una de las dos partes (positiva o
negativa) tiene una concentración de iones mayor, ésta es más corta. La presencia de estas cargas fijas da
lugar a la aparición de un fuerte campo eléctrico dirigido desde la zona n hacia la zona p.

La presencia del campo eléctrico provoca una diferencia de potencial o barrera de potencial cuyo valor es
del orden de 0,3 V en compuestos de Ge, 0,7 V en compuestos de Si y de 1,2 V a 1,8 V en compuestos de
Ga.
 Diodo de silicio.
En polarización directa, la parte p se somete a un potencial positivo respecto de la n reduciéndose la
barrera de potencial en dicha cantidad. Se tiene,una inyección de portadores minoritarios, es decir, de
electrones en la zona p y de huecos en la n.

En polarización inversa la parte n tiene una tensión positiva aplicada con respecto de la p. La barrera de
potencial se ve aumentada en dicha cantidad viéndose, por tanto, muy reducidas las corrientes de difusión.
Por otra parte, la anchura de la zona de agotamiento aumenta. El resultado es que únicamente una
pequeña corriente inversa o de pérdidas atraviesa el dispositivo.
Diodo de silicio.
 Diodo de silicio.
Las curvas características representan la relación entre la tensión y la corriente del diodo durante su funcionamiento. De
ellas se puede determinar fácilmente la no- linealidad del diodo, se describe por la ecuación de Shockley

con

Donde Id: corriente del diodo, Is: corriente de saturación inversa, Vd: tensión aplicada al diodo, Vt: tensión de
temperatura, k: cte de Boltzmann, q: carga elemental del electrón, T: temperatura en Kelvin, n : cte de difusión (Ge= 1,
Si=2)
Diodo de silicio.
 Diodo de silicio: Tipos de diodos
El diodo Zener es un diodo basado también en una única unión p-n, pero sus niveles de dopado son completamente
diferentes de los encontrados en diodo normal. Se hace funcionar en la zona de ruptura (tercer cuadrante de la curva
característica) es decir, aplicándole una tensión inversa superior a la tensión de ruptura.
 Diodo de silicio: Tipos de diodos
El diodo Schottky se caracteriza por una unión metal semiconductor ligeramente dopado y como lo indica es de efecto
rectificador (si el dopado es muy fuerte la unión es de tipo Ohmica y la corriente circula en ambos sentidos)
Se forma una zona de agotamiento en la que los electrones de la zona n buscan niveles de energía menores y pasan al
metal.
 Diodo de silicio: Tipos de diodos
El diodo Gunn es un diodomuy especializado para su utilización en osciladores de alta frecuencia, en particular en el
rango de las microondas. Su tramo de resistencia negativa se utiliza en osciladores pudiéndose alcanzar frecuencias de
hasta 14 GHz.

El diodo PIN es un diodo de unión p-n al que se le ha insertado una tercera zona semiconductora sin dopado
(intrínseca) entre la zona p y la zona n. Es pues un diodo p-i-n y de ahí su nombre. Gracias a esa zona i, este diodo
tiene una baja capacidad por lo que se aplica en altas frecuencias.

El diodo varactor en este diodo se ha modificado el perfil y el nivel de dopado de forma que se ha aumentado mucho
su capacidad de unión. Además esta capacidad de unión se podrá modificar según la tensión aplicada inversamente al
diodo. Así si aumentamos la tensión inversa aplicada:
• La zona de agotamiento aumenta, lo que aumenta la distancia neta entre cargas
• Se producen más iones positivos y negativos (generamos más carga).
 Transistor Bipolar
En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la unión base-colector
en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la
barrera de potencial emisor-base y llegar a la base.

Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo compartida.
En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada en la unión base-
emisor, el equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo eléctrico repelente
de la región agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados térmicamente
inyectarse en la región de la base.
 Transistor Bipolar
Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta
concentración cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al
colector.
La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para
que los portadores puedan difundirse a través de esta en mucho menos tiempo
que la vida útil del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el
porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unión base-
colector.
 Transistor Bipolar
El transistor bipolar está formado por capas de material semiconductor tipo n y
tipo p, de acuerdo a la distribución de los materiales semiconductores se tienen 2
tipos de transistor bipolares, los que se conocen como transistor npn y transistor
pnp, el funcionamiento del transistor se basa en movimientos de electrones
(negativos) y de huecos (positivos), de allí el nombre de transistor bipolar o bjt
(transistor de unión bipolar).
 Transistor Bipolar
Con la diferencia que las tensiones y las corrientes tendrán valores inversos con respecto al npn, en la imagen que sigue
se aprecia los sentidos de las tensiones y las corrientes en los transistores cuando estos se polarizan para que operen
en la región activa.
Aplicando ley de corrientes de Kirchoff, se tiene que: IE=IC+IB,
la corriente de la base IB es pequeña comparada con la corriente del colector IC, por eso muchas veces se la puede
ignorar, con lo cual la corriente del emisor IE se puede asumir como: IE=IC
 Sensores Termoeléctricos: Termopares
Se basan en dos efectos, que a diferencia del efecto Joule, son reversibles. Se
trata del efecto Peltier y del efecto Thompson.

Pero fue Thomas J. Seedbeck, quien descubrió, en 1822, que en un circuito de

dos metales diferentes homogéneos, A y B con dos uniones a diferente
temperatura, aparece una corriente electrcia (Figura 1).
Sensores Termoeléctricos: Termopares

Figura 1. Efecto Seebeck en un termopar: aparece una corriente (a) o una

diferencia de potencial (b) cuando hay dos uniones a distinta temperatura.
Sensores Termoeléctricos: Termopares

Es decir hay una conversión de energía térmica a energía eléctrica, o bien , si se abre el
circuito, una fuerza (termo-) electromotriz (f.t.e.m) que depende de los metales y de la
diferencia de temperatura entre las dos uniones. Al conjunto de estos dos metales distintos
con una unión firme en un punto o zona se le denomia termopar.
La relación entre la f.t.e.m, Eab , y la diferencia de temperatura entre las uniones, T , define
el coeficiente Seedbeck, Sab
Sensores Termoeléctricos: Termopares

Donde Sa y Sb son, respectivamente , la potencia termoeléctrica absoluta

de A y B.
Sab no es constante depende de T.
La f.t.e.m no depende ni de la resistividad, ni de la sección, ni de la
distribución o gradientes de temperatura.
Depende solo de la diferencia de temperatura entre las uniones y de la
naturaleza de los metales.
Esta fuerza electromotriz se debe al efecto Peltier y Thompson
Sensores Termoeléctricos: Termopares

El efecto Peltier, consiste en el calentamiento o enfriamento de una unión

entre dos metales distintos al pasar corriente (figura 2). Al invertir el sentido
de la corriente, se invierte el sentido del flujo de calor. Si la unión antes se
calentaba (cedia calor), al cambiar el sentido se enfria (absorbe calor). Este
efecto es independiente del contacto , es decir, de la forma y dimensiones
de los condcutores. Depende solo de su composición y temperatura de la
unión.
Sensores Termoeléctricos: Termopares

Figura 2. Efecto Peltier: al hacer circular corriente por un circuito de termpoares una unión
se enfria y la otra se calienta.
Sensores Termoeléctricos: Termopares

Esta dependencia es lineal y viene descrita por el coeficiente de Peltier,πab

, se dfine como el calor generado en la unión entre A y B por unidad de
conrriente que circula de B a A
Sensores Termoeléctricos: Tipos de
Termopares
En las uniones de termopar interesa tener : resistividad elevada para tener
una resistencia alta sin requerir mucha masa, lo cual implicaría alta
capacidad calorífica y respuesta lenta; coeficiente de temperatura débil en
la resistividad; resistencia a la oxidación a temperaturas altas.
Principales aleaciones:
• Ni(90) / Cr(10) “cromel”
• Cu(57) / Ni(43)
• Ni(94) / Al(2) / Mn(3) / Si(1) “alumel”
Sensores Termoeléctricos: Tipos de
Termopares
Sensores Termoeléctricos: Tipos de
Termopares
La protección frente al ambiente se logra mediante una vaina, normalmente
de acero inoxidable (figura 3). La velocidad de respuesta y la robustez da la
sonda son afectados por dicha vaina. El silicio y germanio presentan
también propiedades termoeléctricas. En el cuadro se recogen
características de algunos termopares mas cimunes y su designación de
acuerdo a las normas ANSI.
Sensores Termoeléctricos: Tipos de
Termopares
Sensores Termoeléctricos: Tipos de
Termopares
 Sensores Termoeléctricos: Tipos de
Termopares
Los termopares J son versátiles y de bajo coste. Los termpoares K se emplean
en atmosferas no reductoras y en su margen de medida, son mejores que los
de tipo E,J y T cuando se trata de medir en atmosferas oxidantes. Los
termopares T resisten la corrosion,. Los teropares E son los de mayor
sensibilidad y resiste la corrosion por debajo de 0° C y las atmosferas
oxidantes. Los termpoares N resisten la oxidación y ofrecen mejor estabilidad a
altas temperaturas.
Sensores Termoeléctricos: Tipos de
Termopares
Sensores Termoeléctricos: Tipos de
Termopares
 Sensores Piezoelectricos
El efecto piezoeléctrico consiste en la aparición de una polarización
eléctrica en un material al deformarse bajo la ación de un esfuerzo. Es
un efecto reversible de modo que al aplicar una diferencia de potencial
eléctrico entre dos caras de un material piezoeléctrico, aparece una
deformación.
La descripción de la interrelacion entre las magnitudes electricas y las
mecanicas en un material piezoeléctrico se hace mediante las
denominadas ecuaciones piezoelectricas
 Sensores Piezoelectricos
Con la notación de la figura 4, donde se han dispuesto dos placas metalicas de
manera que se constituye un condensador, se tiene, para un material dieléctrico
no piezoelectrico, que al aplicar una fuerza F, según la ley de Hooke, en el
margen elástico aparece una deformación.

Donde 1/s es el modulo de Young (E) y T es el esfuerzo (f/A)

Al aplicar una diferencia de potencial entre las placas, se crea un campo
eléctrico E y se cumple.
Sensores Piezoelectricos
Sensores Piezoelectricos
 Sensores Piezoelectricos
Las ceramicas piezoeléctricas tienen gran estabilidad térmica y física, pueden fabricarse en
muy distintas formas y con un amplio margen de valores en las propiedades de interés
(constante dieléctrica, coeficiantes piezoeléctricos, temperatura de Curie, etc).

Su principal desventaja es la sensibilidad térmica de sus parámetros y su susceptibilidad a

envjecer (perdidas de propiedades piezolectricas) si su temperatura se acerca a la de Curie. La
mas empleada son las Titanio- Circonatos de plomo (PZT), el titanio de bario y el metaniobato
de plomoAlgunos polímeros que carecen de simetría centarl también presentan propiedades
piezoeléctricas.

El floruro de polivinilideno (PVDF o PVF2) el mas conocido. Su coeficiente piezoelectrico de

tensión es unas cuatro veces mayor a la del cuarzo.
 Sensores Piezoelectricos: Aplicacion
La aplicación del efecto piezoelectrico a la detección de magnitudes mecanicas
basándose en las ecuaciones (2.10) y (2.11) esta sujeta a una serie de limitaciones. En
primer lugar , la resistencia eléctrica que presentan los materiales, si es muy grande
nunca es realmente infinita, por lo que al aplicar un esfuerzo constante se generara una
carga que será drenada en un tiempo. Por lo tanto, no hay respuesta en continua.
 Sensores Piezoelectricos: Aplicacion
Otra limitación es que los coeficientes piezoeléctricos son sensibles a la temperatura, y ,
además , por encima de la temperatura de Curie todos los materiales dejan de ser
piezoeléctricos.
Esta termperatura es característica de cada material, y a veces es inferior incluso a las
temperaturas propias de muchos ambientes industriales. El cuarzo se emplea hasta
260°C y la turmalina hasta 700°C.
Sensores Piezoelectricos: Aplicacion
Sensores Piezoelectricos: Aplicacion
 Sensores Piezoelectricos: Aplicacion
Ventajas de los sensores piezoeléctricos:
• Alta sensibilidad a bajo coste
• Alta rigidez mecánica
Esta alta impedancia mecánica es conveniente para la medida de variables
esfuerzo (fuerza, presión)
En la figura se presentan ejemplos de uso de estos sensores a baja frecuencia. En
la figura a, no se aplica fuerza y se aplica una tensión V. En conseciencia, el
material se defroam. Dado que T=0
Sensores Piezoelectricos: Aplicacion
Sensores Piezoelectricos: Aplicacion
 Sensores Piroelectricos:
Es análogo al piezoeléctrico, pero en lugar de la aparición de cargas eléctricas
cuando se deforma un material, aquí es cuando el material experimenta un
cambio de temperatura
Si el cambio de temperatura, ∆T, es uniforme en todo el material, el efecto se
describe mediante el coeficiente piroelectrico , p, que es un vector

Donde P es la polarización espontanea

 Sensores Piroelectricos:
Este efecto se aplica sobre todo a la detección de radiación térmica a temperatura
ambiente. Para ello se disponen dos electrodos metalicos en dirección
perpendicular a la de polarización, formándose un condensador que actua como
sensor térmico.

Cuando el detector absoerbe radiación cambia su temperatura y con ella su

polarización, produciendo una carga superficial en las placas del condensador.
 Sensores Piroelectricos:
La aplicación mas inmediata es en sensores es la detección de radiación térmica
a temperatura ambiente. En consecuencia, se ha aplicado en pirómetros (medida
de temperatura a distancia en hornos, vidrios o metal fundido), radiómetros
(medida de la potencia generada por una fuente de radiación), analizadores de
IR, detectores de CO2 y otros gases que absorben radiación IR.