UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

INFORME PREVIO DEL LABORATORIO N° 12

TEMA : TRANSISTORES BIPOLARES EN CORTE Y SATURACIÓN

CURSO : LABORATORIO DE ELÉCTRONICA I

PROFESOR: TOKUMORI KIYOTA SERGIO

SECCIÓN: “P”
NOMBRE : ÑIQUE ANGELES JERCY ADOLFO
CODIGO : 20130201K
2017

LABORATORIO N°10

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TRANSISTORES BIPOLARES EN CORTE Y SATURACIÓN

 OBJETIVO

Mostrar al alumno las características de los transistores bipolares en estado de conmutación, las
operaciones en las zonas de corte y saturación así como la identificación de las rectas de carga y
punto de operación.

 MATERIAL Y EQUIPO
 02 Condensadores electrolíticos de 47µF  01 Multímetro FLUKE
 01 Resistor de 180KΩ, 56KΩ, 22KΩ,  02 Fuentes de Alimentación
15KΩ,3.3KΩ Programables
 02 Resistor de 1KΩ  Cables de conexión
 02 Resistor de 47KΩ  01 protoboard
 02 Transistores BJT iguales  02 Diodos LED

 PROCEDIMIENTO

1. Armar el circuito de la figura 1:

V1
R2
1k 12Vdc

V
o

R1 Q1

BC548A
V3 180k
VOFF = 0
VAMPL = 10V
FREQ = 60Hz

Figura 1

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2. Polarizar el dispositivo y midiendo VC y VB ob stener la siguiente tabla:

𝛽 𝐼𝐵 (μA) 𝐼𝐶 (mA) 𝑉𝐵 (V) 𝑉𝐶 (V) 𝑉𝑖𝑛 (V)

0 0 0 0.00000293 12 0
117.224 0.418 0.049 -0.0752 11.9 1
144.559 1.93 0.279 -0.347 11.7 2
155 3.6 0.558 -0.647 11.4 3
160.452 5.31 0.852 -0.995 11.1 4
163.584 7.03 1.15 -1.27 10.8 5
165.336 8.77 1.45 -1.58 10.5 6
166.667 10.5 1.75 -1.89 10.2 7
166.667 12.3 2.05 -2.21 9.95 8
167.142 14 2.34 -2.52 9.66 9
165.822 15.8 2.62 -2.84 9.38 10

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3. A partir de esta tabla graficar la curva de transferencia de entrada a salida VC vs Vin . Si es

necesario, tomar medidas de puntos intermedios.

VC(V) vs Vin(V)
14

12

10

0
0 2 4 6 8 10 12

4. Graficar la curva de transferencia de corrientes ( I C vs I B ) y el beta de las mismas (BETA

vs I C ).

IC(mA) vs IB(uA)
3

2.5

1.5

0.5

0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18

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β vs IC(mA)
180

160

140

120

100

80

60

40

20

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3

5. Armar el circuito de la figura 2

R3 R4
47k 1k

V4
12Vdc
Q2

BC548A

R6 R5
56K 1k

Figura 2

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6. Medir las tensiones VC , VE y VB para trazar la recta de carga del circuito, variando R2.

𝑅2 56K 47K 22K 15K 3.3K

𝑉𝐵 (V) 5.72 5.32 3.56 2.75 0.783
𝑉𝐶 (V) 7.02 7.41 9.15 9.94 11.8
𝑉𝐸 (V) 5.01 4.52 2.87 2.07 0.167
𝐼𝐶 (mA) 4.98 4.59 2.85 2.06 0.166
𝐼𝐵 (μA) 31.4 28.8 17.9 13.1 1.43
Zona saturación activa activa activa corte

7. Determinar las corrientes y graficar la recta de carga en el plano I C vs VCE del transistor.
Indicar la zona de operación correspondiente

𝐼𝐶 (mA) 𝑉𝐶 (V) 𝑉𝐸 (V) Zona

𝑅𝐶 = 0 5.33 12 5.05
𝑅𝐶 = 1𝐾 4.98 7.02 5.01
𝑅𝐶 = 3.3𝐾 2.74 2.96 2.86

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8. Graficar en un mismo plano las diferentes rectas de carga, a colores, indicando las zonas de
operación. Adjuntar las fotocopias de los manuales con los datos de los transistores
utilizados.

IC vs VCE
7

0
0 2 4 6 8 10 12 14
-1

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