Aplicaciones basadas en circuitos con amplificadores operacionales

Resumen—Para detallar el funcionamiento [1]

de los FET y los amplificadores
operacionales, se procede a describir
primeramente su principio operacional,
después se realizan cálculos matemáticos
detallando los procesos que se debe tomar B. Amplificadores Operacionales:
en cuenta para implementarlos, y
finalmente se realizan simulaciones en estos amplificadores permiten implementar la
LTSpace, con sus respectivos valores, para
poder verificar su aplicación y su función de control realizando operaciones
funcionalidad.
Keywords—component, formatting, style,
styling, insert (key words) matemáticas, como suma, resta,
multiplicación, derivadas e integrales.
I. INTRODUCCIÓN [2]
El FET (Field Effect Transistor) es un III. CONFIGURACIONES
dispositivo semiconductor, que funciona al
controlar la corriente por medio de voltaje. De
este tipo de dispositivos, los más comunes son
los transistores llamados de compuerta aislada A. FET:
llamados MOSFET y los de compuerta de
unión llamados JFET. Para determinar la
respectiva aplicación de trabajo, se debe tomar
en cuenta que posee cuatro zonas de B. Amplificadores Operacionales:
operación, las cuales son: Óhmica o lineal,
saturación, corte y ruptura. Mientras que los
los amplificadores operacionales son 1. Sumador: Para el circuito sumador a
amplificadores mucho mayormente usados,
debido a sus ventajas por llegar a tener muchas analizar, se pretende verificar que el
mayores ganancias, debido a que se
encuentran hechos con muchas etapas de circuito a implementarse cumpla con la
amplificadores.
fórmula:
𝑉𝑉 = −(𝑉𝑉𝑉1* 𝑉𝑉 / 𝑉1+ 𝑉𝑉𝑉2*𝑉𝑉 /
II. CARACTERÍSTICAS 𝑉2
GENERALES
+ ⋯𝑉𝑉𝑉𝑉*𝑉𝑉 / 𝑉𝑉).
A. FET: Este dispositivo tiene tres Si se utiliza: R1=R2=R3=Rf=10k𝛺,para
terminales, los cuales son: Fuente (Source),
Drenador (Drain) y compuerta (Gate). La que en el voltaje de salida, se pueda
compuerta es el terminal mediante el cual se
va a poder controlar el dispositivo, el voltaje
entre la compuerta y la fuente controla la tener la suma de: V1=1(Vp);V2=2(Vp)
corriente que circula entre la fuente y el
drenador. Es un dispositivo unipolar, la y V3=5(Vp), con la señal de salida
corriente es transportada por− portadores de una
polaridad, ya sea tipo N (𝑒 ) o tipo P (ℎ+ ). invertida.
la corriente en la compuerta es cero, debido a Vo=-(1V+2V+5V)=8(Vp)
que trabaja con polarización inversa. Para la
corriente que circule con 𝑒𝑒𝑒 = 0, a esta
corriente se la denomina𝑒𝑒𝑒𝑒 (Corriente de
saturación inversa), la cual la da el fabricante,
y su comportamiento se regirá a la siguiente
ecuación:
𝑒𝑒𝑒 2
𝑒𝑒 = 𝑒𝑒𝑒𝑒 (1 − 𝑒𝑒
)
(1)
Las principales ventajas son:
1. Alta impedancia de entrada.
2. Mejor estabilidad térmica que los TBJ.
3. Niveles de ruido más bajos.
4. Tecnología de fabricación más
sencilla Fig.1 Circuito sumador

Sus desventajas son:

1. la respuesta en frecuencia no es muy
aceptable, debido a su alta capacidad
de entrada.
2. No posee buena linealidad.
3. Muy sencillo a descargas
electrostáticas.
 Fig.2 Voltajes de entrada y de salida del circuito sumador

Referencias
[1]. J.I.Huircan,R.A.Carrillo,Diciembre de
2010,http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_ELE
CTRONICA/FetaH.pdf
[2]. Antonio José Salazar Gómez,
http://wwwprof.uniandes.edu.co/~ant-
sala/cursos/FDC/Contenidos/05_Amplifica
dor_Operacional.pdf
Bibliografía:
[1]
[2] J. Clerk Maxwell, A Treatise on
Electricity and Magnetism, 3rd ed., vol. 2.
Oxford: Clarendon, 1892, pp.68–73.
[3] I. S. Jacobs and C. P. Bean, “Fine
particles, thin films and exchange
anisotropy,” in Magnetism, vol. III, G.
T. Rado and H. Suhl, Eds. New York:
Academic, 1963, pp. 271–350.
[4] K. Elissa, “Title of paper if known,”
unpublished.
[5] R. Nicole, “Title of paper with only
first word capitalized,” J. Name Stand.
Abbrev., in press.
[6] Y. Yorozu, M. Hirano, K. Oka, and Y.
Tagawa, “Electron spectroscopy
studies on magneto-optical media and
plastic substrate interface,” IEEE
Transl. J. Magn. Japan, vol. 2, pp.
740–741, August 1987 [Digests 9th
Annual Conf. Magnetics Japan, p.
301, 1982].
[7] M. Young, The Technical Writer’s
Handbook. Mill Valley, CA:
University Science, 1989.
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