UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

PRE INFORME DE CIRCUITOS ELECTRONICOS I

SEMANA 2: RESPUESTA EN FRECUENCIA DEL
AMPLIFICADOR EN EMISOR COMUN

Profesor: Ing. CUZCANO RIVAS ABILIO BERNARDINO

Alumno:
BRIONES RIVERA PIERO 1423225497

2018
 RESPUESTA EN FRECUENCIA DEL AMPLIFICADOR EN EMISOR
COMUN
1. Objetivos
 Conocer cómo trabaja el transistor en configuración emisor común.
 Las relaciones entre el emisor con la base y el colector.
 Observar como son distintos los parámetros de entrada y de salida.
 Saber las diferencias entre sus tres regiones operativas.
 Hallar la ganancia para este tipo de configuración.
 Demostrar el funcionamiento y características de un amplificador en emisor común.

2. Marco Teórico

A frecuencias medias:
AV (s) = AM = -gm (RC||RL)
C1, C2, CE: cortocircuitos (capacidades grandes)
Cp, Cmž : abiertos (capacidades pequeñas)

Respuesta a bajas frecuencias: Cálculo de  L

Circuito de pequeña señal a frecuencias bajas

Capacidades internas del transistor, Cp y Cm, en abierto.
Función de transferencia

Método del cortocircuito

Cálculo de la resistencia que ve C1:

 Cortocircuitamos vs, C2 y CE.

 Sustituimos C1 por una fuente de test VX.
 RC1 = VX/ IX

Cálculo de la resistencia que ve C2:

 Cortocircuitamos vs, C1 y CE.

 Sustituimos C2 por una fuente de test VX.
 RC2 = VX/ IX
 Idéntico proceso para CE

Constantes de tiempo

Frecuencias de corte interior

RC2 > RC1 > RCE ⇒ CE introduce el polo dominante

Influencia de los ceros

 Ceros de C1 y C2

C1 y C2 introducen un cero a frecuencia w = 0 ya que |A(jw = 0)| = 0.

Los ceros están alejados del polo dominante.

 Ceros de CE

Para valores típicos de RE el cero se encuentra suficientemente alejado del polo.

Circuito de pequeña señal a frecuencias altas

Condensadores de acoplamiento, C1 y C2 , y desacoplo CE en cortocircuito.

Cmž conecta la salida con la entrada ⇒ se espera efecto Miller.
Aplicamos el método del circuito abierto.

Método del circuito abierto

Cálculo de la resistencia que ve Cp :

 Cortocircuitamos vs.
 Dejamos en abierto Cmž .
 Sustituimos Cp por una fuente de test VX.
 RCp = VX/ IX

rb influye en RCp si rs es pequeña.

Idéntico proceso para Cm:

Constantes de tiempo

Frecuencia de corte superior

RCm > RCp ⇒ Cž m introduce el polo dominante

Influencia de los ceros

 Cero de Cp

Cp introduce un cero a frecuencia w = ∞ ya que |A(jw = ∞)|= 0.

El cero está alejado del polo dominante.
 Cero de Cm

Para ganancias grandes el cero se encuentra alejado del polo.

Efecto Miller en la configuración en emisor común

La capacidad Cmž conecta la salida con la entrada:

Reducción de la frecuencia de corte superior

 En ocasiones conviene reducir el ancho de banda.

 Los condensadores que limitan las bajas frecuencias son componentes modificables.
 La frecuencia de corte superior viene impuesta por las capacidades internas del transistor,
fijas.
 Es posible reducir wH poniendo un condensador externo en paralelo con Cž m :
 3. Simulaciones de los Siguientes Circuitos en Proteus

1)
2)
3)
4)
 A

+16V

R9 R8
10k 3.9k

C8

1uF

C7 Q4
+ NPN
1uF

AM FM
- R7
4.7K

R10
1.2k C9
10uF

5)
Cuestionario
1. ¿Qué es la región activa de un Transistor BJT?

Región activa

La unión colector-emisor se polariza inversamente, mientras que la unión base-emisor se polariza

directamente. La corriente de emisor, que es la corriente de salida, está formada por la suma de la
corriente de base y la de colector:

𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵

En la configuración EC, también se mantiene la relación siguiente que se usó en la configuración BC:
 𝐼𝐶 = 𝛼𝐼𝐸

2. ¿Qué es la región de Saturación de un Transistor BJT?

Región de saturación

Tanto la unión base-colector como la unión base-emisor de un transistor tienen polarización directa.
Cuando VCE es 0.2V (Silicio) la IC cae a cero debido a que las uniones están en polarización directa, las
corrientes se anulan. Un transistor está saturado cuando:

(𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 = 𝐼𝑀Á𝑋𝐼𝑀𝐴)

3. ¿Usos de los Transistores Bipolares?

 Amplificación en los aparatos electrónicos (radio, televisión, instrumentación)

 Generador de señal.

 Conmutación, actuando como interruptor.

 Detección de radiación luminosa.

 Son empleados en conversores estáticos de potencia, controles para motores y llaves de alta
potencia, aunque su principal uso está basado en la amplificación de corriente de un circuito
cerrado.

4. ¿Qué es el factor de sobreexcitación de los BJT?

También llamado factor de sobresaturación (ODF), es la relación entre Ib(corriente base) e Ibs
(corriente base en la región de saturación).

5. ¿Qué es la segunda avalancha de los BJT?

Es un fenómeno destructivo, se debe al flujo de corriente por una pequeña porción de

la base, que produce puntos calientes localizados. Si la energía de esos puntos caliente es suficiente, el
calentamiento localizado excesivo puede dañar al transistor. Así, la segunda avalancha se deba a la
avalancha térmica localizada debido a altas concentraciones de corrientes.

Bibliografía

• http://www.geocities.ws/pnavar2/transis2/emis_com.html

• http://es.slideshare.net/OthonielHernandezOvando/34-configuracin-en-emisor-comn

• https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor