Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010

Suport curs 05 – Tranzistoare

Tranzistoare

1. Prezentare generală
Tranzistoarele sunt dispozitive semiconductore, construite în general din
MATERIALE SEMICONDUCTOARE din Siliciu, întrebuinţate în general în diverse
tipuri de circuite electronice, care au drept drept principal scop prelucrarea sau
generarea unor informaţii, atât de tip analogic cât şi digital. Câteva din cele mai
importante clase de circuite electronice analogice în care tranzistoarele sunt utilizate
sunt:
 amplificatoare de semnal
 generatoare de semnal (oscilatoare)
 stabilizatoare de tensiune

Tranzistorul bipolar

Tranzistorul bipolar este un dispozitiv semiconductor cu trei terminale,

furnizat de către producători sub diverse forme (capsule), iar în Figura 1 sunt
prezentate mai multe variante.
Cele trei terminale ale tranzistorului bipolar au “roluri” diferite, motiv pentru
care poartă denumiri diferite şi anume:
 EMITOR
 BAZĂ
 COLECTOR.
Cele trei terminale ale tranzistorului bipolar sunt dispuse pe capsulă în ordinea
specificată mai sus. La tranzistoarele utilizate în aplicaţiile studiate în cadrul
lucrărilor de laborator, cele trei terminale ale tranzistorului bipolar sunt indicate ca
în Figura 2.

1
 Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare

Figura 1. Tranzistoare bipolare.

Figura 2. Terminalele tranzistoarelor bipolare.

În funcţie de structură, există două tipuri de tranzistoare bipolare:

 NPN
 PNP
În circuitele electronice, tranzistoarele bipolare sunt simbolizate ca în Figura 3.

2
 Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare

Figura 3. Simbolul electronic al tranzistoarelor bipolare.

2. Mărimile electrice ale tranzistorului bipolar

La nivelul tranzistorului apar 6 mărimi electrice:
 3 curenţi – curenţii prin cele 3 terminale:
o iE – curentul de emitor
o iB – curentul de bază
o iC – curentul de colector
 3 tensiuni – tensiunile între terminalele tranzistoarelor:
o vBE – tensiunea bază-emitor
o vBC – tensiunea bază-colector
o vCE – tensiunea colector-emitor
Sensul curenţilor este acelaşi cu sensul săgeţii care indică în simbolul
electronic al tranzistorului bipolar, EMITORUL. Referinţele tensiunilor depind de
tipul tranzistorului bipolar. Astfel, sensul curenţilor, respectiv referinţele tensiunilor
sunt prezentate în Figura 4.

Figura 4. Mărimile electrice ale tranzistoarelor bipolare.

3
 Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare

Între mărimile electrice ale tranzistorului bipolar există următoarele relaţii

generale:
 relaţia între curenţii prin terminalele tranzistorului:
i E  i B  iC 5.1
 relaţia între tensiunile dintre terminalele tranzistorului:
v BE  v BC  vCE NPN
5.2
v EB  vCB  v EC PNP

 relaţia între curentul de colector şi tensiunea bază emitor:

v 
iC  I S  exp BE  5.3
 VT 
unde IS este un curent de saturaţie de valoare foarte redusă (ordinul nanoamperilor
sau mai mic), iar VT este tensiunea termică.
Relaţia 5.3 descrie de fapt capacitatea unui tranzistor bipolar de a genera
curenţi de colector de valori mari, în condiţiile unei creşteri foarte reduse a tensiunii
dintre BAZĂ şi EMITOR. Un astfel de comportament poate fi exploatat eficient în
construirea circuitelor de amplificare a semnalelor (se va reveni în cadrul
amplificatoarelor asupra acestui aspect).

3. Funcţionarea tranzistorului bipolar.

Tranzistorul bipolar poate funcţiona în patru moduri distincte, denumite
regiuni de funcţionare, stabilite de semnul tensiunilor BAZĂ-EMITOR, respectiv
BAZĂ-COLECTOR. Astfel, pentru un tranzistor bipolar de tip NPN, cele patru regiuni
de funcţionare sunt:

 REGIUNEA ACTIVĂ NORMALĂ (RAN):

o condiţia de funcţionare: vBE > 0V şi vBC < 0V
o în această regiune tranzistorul bipolar poate fi utilizat pentru
prelucrarea analogică a semnalelor (informaţiilor), fiind singura regiune
de funcţionare în care tranzistorul bipolar poate AMPLIFICA LINIAR

4
 Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare

semnale (se va reveni asupra acestui amănunt, care stă la baza

construirii amplificatoarelor cu tranzistoare bipolare);
 REGIUNEA DE SATURAŢIE:
o condiţia de funcţionare: vBE > 0V şi vBC > 0V
o în această regiune de funcţionare vCE < 0,1V
o este o regiune de funcţionare în care tranzistorul bipolar poate fi utilizat
pentru prelucrarea digitală a semnalelor sau pentru generarea semnale
digitale (biţi);
 REGIUNEA DE BLOCARE:
o condiţia de funcţionare: vBE < 0V şi vBC < 0V
o în această regiune de funcţionare toţi curenţii tranzistorului sunt
zero
o este o regiune de funcţionare în care tranzistorul bipolar poate fi utilizat
pentru prelucrarea digitală a semnalelor sau pentru generarea semnale
digitale (biţi);
 REGIUNEA ACTIVĂ INVERSĂ:
o condiţia de funcţionare: vBE < 0V şi vBC > 0V
o în această regiune de funcţionare, tranzistorul poate fi utilizat pentru
prelucrarea analogică a semnalelor (informaţiilor), dar, datorită
amplificării foarte slabe a semnalelor, se evită utilizarea tranzistorului în
această regiune;

4. Modelarea funcţionării tranzistorului bipolar.

Din relaţia 5.3 se constată că tranzistorul bipolar este un ELEMENT DE
CIRCUIT NELINIAR. Analiza circuitelor care conţin elemente de circuit neliniare
este dificilă. Din acest motiv, întotdeauna este util ca, pentru aceste elemente de
circuit neliniare, să se dezvolte MODELE LINIARE, valabile în anumite condiţii
precis specificate de funcţionare. La fel se pune problema şi în cazul tranzistoarelor
bipolare.

A. Modelarea funcţionării tranzistorului bipolar în RAN.

5
 Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare

În circuitele electronice analogice, tranzistorul bipolar este utilizat cu precădere

în această regiune, motiv pentru care modelarea funcţionării sale în RAN este
extrem de utilă.
Modelarea funcţionării tranzistorului bipolar în RAN se bazează pe următoarea
relaţie între curentul de colector şi cel din bază:
iC  β  i B 5.4.a
unde  este unul din cei mai importanţi parametrii ai tranzistorului bipolar,
reprezentând factorul (coeficientul) de amplificare în curent al tranzistorului.
Parametrul  este o constantă adimensională, valoarea sa variind între anumite
limite, chiar pentru aceeaşi familie de tranzistoare bipolare, fiind de ordinul sutelor
pentru tranzistoare de tip NPN, respectiv de ordinul zecilor, pentru tranzistoare de
tip PNP. De exemplu, pentru tranzistorul bipolar de tip NPN BC107, parametrul 
are valoarea cuprinsă în intervalul [125÷500].
Din relaţia 5.4.a se poate deduce că tranzistorul bipolar generează în colector un
curent iC a cărui valoare depinde de curentul de bază iB. Acest comportament poate
fi modelat prin intermediul unui generator de curent comandat în curent.

Din relaţiile 5.3 şi 5.4.a rezultă că iB depinde exponenţial de tensiunea vBE, în mod
asemănător cu modul în care depinde curentul printr-o diodă de tensiunea pe
aceasta. Din acest motiv, între BAZĂ şi EMITOR, un tranzistor bipolar se comportă
ca o diodă semiconductoare şi în consecinţă poate fi modelat prin intermediul
modelelor diodei. Astfel, în primă fază, circuitul echivalent care modelează
comportamentul tranzistorului bipolar în RAN este prezentat în Figura 5.a, iar
circuitul echivalent LINIAR, care poate fi utilizat în analiza circuitelor care conţin
tranzistoare bipolare funcţionând în RAN este cel prezentat în Figura 5.b.
În circuitul echivalent 5.b valoarea VD este de aproximativ 0,6V. Aşadar, dacă
tranzisotrul bipolar funcţionează în RAN devine valabilă relaţia:
v BE  0 ,6V 5.4.b
Relaţiile 5.4.a şi 5.4.b caracterizează funcţionarea trenzistorului bipolar în RAN.

6
 Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare

Figura 5. Circuitul echivalent care modelează comportamentul tranzistorului bipolar în RAN.

În circuitele echivalente de mai sus, toate mărimile electrice sunt reprezentate în

componente totale. Din acest motiv, modelul de mai sus este valabil atât în regim
staţionar, cât şi în regim variabil de semnal mare.

Revenind la relaţia 5.4.a, aceasta sugerează faptul că, un tranzistor bipolar care
funcţionează în RAN:
 amplifică puternic în curent (iB este crescut de sute de ori şi furnizat ca iC)
 amplificarea este liniară (între iC şi iB este o relaţie liniară).
Aceste caracteristici generează elementele fundamentale necesare construirii
unui circuit capabil să amplifice semnale. Asupra acestui aspect, se va reveni în
capitolul care tratează circuitele de amplificare cu tranzistoare.

B. Modelarea funcţionării tranzistorului bipolar în variabil de semnal mic.

Modelul prezentat în acest paragraf se poate aplica numai în cazul în care
tranzistorul bipolar funcţionează în regim variabil de semnal mic (mărimile electrice
ale tranzistorului sunt variabile în timp, iar variaţia tensiunii BAZĂ-EMITOR este
mai mică decât o valoare estimativă de aproximativ 12,5mV). În aceste condiţii,
comportamentul tranzistorului bipolar poate fi considerat ca fiind LINIAR şi în
consecinţă poate fi modelat prin intermediul unui circuit LINIAR.

7
 Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare

Deoarece tranzistorul bipolar se comportă asemănător unei diode între BAZĂ şi

EMITOR, acesta se modelează între cele 2 terminale conform celor prezentate în
cadrul modelării diodei semiconductoare în regim variabil de semnal mic. Aşadar,
între cele 2 terminale, un tranzistor bipolar se modelează prin intermediul unei
rezistenţe de semnal mic, notată r.
Următorul indiciu în cadrul modelului dezvoltat este furnizat de către relaţia
5.3. Deoarece se remarcă faptul că iC variază în funcţie de vBE, este util să se
determine modul în care se manifestă această variaţie. Informaţii în acest sens se
pot obţine calculând derivata curentului iC în funcţie de tensiunea vBE pentru cazul
în care valoarea curentului de COLECTOR este menţinută la o valoare constantă IC.
Valoarea derivatei respective se notează cu gm şi se numeşte PANTA tranzistorului
bipolar:
diC I Amper
gm  gm  C  g m   Siemens  5.5
dv BE i  I VT Volt
C C

unde IC este curentul CONTINUU prin COLECTORUL tranzistorului.

Rezistenţa r se calculează conform unei relaţii similare relaţiei 3.3 (cursul 3), în
care se ţine cont de relaţia 5.4, aplicată pentru cazul curenţilor CONTINUI IB şi IC:
V β
rπ  T rπ   rπ    5.6
IB gm
unde VT este tensiunea termică, iar IB este curentul CONTINUU prin BAZA
tranzistorului.

Figura 6. Circuitul echivalent ale modelului în regim variabil de semnal mic, pentru frecvenţe joase şi
medii.

8
 Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare

Modelul discutat depinde de frecvenţa la care este utilizat tranzistorul bipolar.

Pentru frecvenţe mai mici decât aproximativ 1MHz (domeniul frecvenţelor joase şi
medii), modelul este caracterizat de circuitul echivalent prezentat în Figura 6. În
acest circuit, mărimile electrice Ib, Ie şi Ic reprezintă amplitudinile curenţilor de
bază, emitor, respectiv colector, iar Vbe reprezintă amplitudinea tensiunii bază-
emitor şi nu trebuie confundată cu tensiunea continuă VBE care, pentru cazul în
care tranzistorul bipolar funcţionează în RAN, are valoarea de aproximativ 0,6V.

Pentru frecvenţe mai mari decât aproximativ 1MHz (domeniul frecvenţelor

înalte), funcţionarea tranzistorului este afectată de anumite fenomene dinamice, de
natură capacitivă, care pot fi modelate prin intermediul unor aşa numite
CAPACITĂŢI PARAZITE, reunite în parametrii notaţi c, respectiv c. Circuitul
echivalent valabil în acest caz este prezentat în Figura 7.

Figura 7. Circuitul echivalent ale modelului în regim variabil de semnal mic, pentru frecvenţe înalte.

Valorile capacităţilor parazite sunt furnizate în cataloagele de tranzistoare bipolare.

Tranzistorul MOS

9
 Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare

1. Prezentare generală
Tranzistorul MOS (Metal Oxide Semiconductor) este un dispozitiv cu trei
terminale, furnizat de către producători sub diverse forme (capsule), un exemplu
fiind prezentat în Figura 1.
Cele trei terminale ale tranzistorului MOS se numesc DRENĂ, GRILĂ, respectiv
SURSĂ.

Figura 1. Tranzistorul MOS.

În funcţie de structură, există două categorii principale de tranzistoare MOS:

 ca canal indus
 cu canal iniţial
În plus, în funcţie de structura canalului, aceste tranzistoare MOS sunt de 2
tipuri şi anume:
 cu canal de tip N
 cu canal de tip P
Diferenţele de funcţionare între tranzistoarele MOS cu canal indus, respectiv cu
canal iniţial sunt minore, din acest motiv, în continuare se vor prezenta numai
tranzistoarele MOS cu canal indus, fiind remarcate numai diferenţele între cele 2
clase de tranzistoare.

În circuitele electronice, tranzistoarele MOS sunt simbolizate ca în Figura 2.

10
 Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare

Figura 2. Simbolul electronic al tranzistoarelor MOS.

2. Mărimile electrice ale tranzistorului bipolar

La nivelul tranzistorului MOS apar 4 mărimi electrice:
 1 curent – curentul care este generat între DRENĂ şi SURSĂ:
o iD – curentul de drenă
 3 tensiuni – tensiunile între terminalele tranzistoarelor:
o vGS – tensiunea grilă-sursă
o vGD – tensiunea grilă-drenă
o vDS – tensiunea drenă-sursă
Sensul curentului de drenă este de la drenă şi sursă. Referinţele tensiunilor
depind de tipul canalului tranzistorului MOS. Astfel, sensul curentului, respectiv
referinţele tensiunilor sunt prezentate în Figura 3. În această figură s-a reprezentat
şi curentul din grila tranzistorului notat iG. Trebuie reţinut însă că valoarea acestui
curent este întotdeauna nulă.

11
 Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare

Figura 3. Mărimile electrice ale tranzistoarelor MOS. Curentul i G=0 intotdeauna.

3. Funcţionarea tranzistorului MOS.

Relaţiile dintre mărimile electrice ale tranzistorului MOS depind de regimul de
funcţionare al acestuia.
Tranzistorul MOS poate funcţiona în 3 moduri distincte, numite regiuni de
funcţionare, stabilite de relaţia dintre tensiunile tranzistorului. Regiunile de
funcţionare ale tranzistorului MOS sunt:

 REGIUNEA DE BLOCARE:
o condiţia de funcţionare: vGS < VTH (canal N)
unde VTH reprezintă un parametru al tranzistorului MOS numit tensiune de
prag; valoarea acestei tensiuni este:
pozitivă pentru tranzistorul MOS cu canal indus de tip N, negativă pentru
tranzistorul MOS cu canal indus de tip P;
negativă pentru tranzistorul MOS cu canal iniţial de tip N, pozitivă pentru
un tranzistor MOS cu canal iniţial de tip P;
o în această regiune, funcţionarea tranzistorului MOS este descrisă de
ecuaţia de funcţionare:
iD  0 5.7

o în această regiune, comportamentul tranzistorului MOS poate fi

exploatat pentru prelucrarea sau generarea semnalelor digitale.

12
 Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare

 REGIUNEA LINIARĂ:
o condiţia de funcţionare: vGS > VTH şi vDS < vGS - VTH
o în această regiune, funcţionarea tranzistorului MOS este descrisă de
ecuaţia de funcţionare:
 v 
i D  2  k   vGS  VTH  DS   v DS 5.8
 2 

mA
unde k este un parametru al tranzistorului care se măsoară în
V2
(miliamperi împărţit la volţi la pătrat).
o în această regiune, tranzistorul MOS se comportă ca o rezistenţă a cărei
valoare poate fi controlată de o tensiune – tensiunea grilă-sursă.
 REGIUNEA DE SATURAŢIE:
o condiţia de funcţionare: vGS > VTH şi vDS > vGS - VTH
o în această regiune, funcţionarea tranzistorului MOS este descrisă de
ecuaţia de funcţionare:
i D  k   vGS  VTH  2 5.9
o în această regiune tranzistorul MOS poate fi utilizat pentru prelucrarea
analogică a semnalelor, fiind singura regiune de funcţionare în care
tranzistorul NOS poate AMPLIFICA LINIAR semnale;

4. Modelarea funcţionării tranzistorului MOS.

Din relaţiile 5.9 şi 5.8 se constată că tranzistorul bipolar este un ELEMENT DE
CIRCUIT NELINIAR. Analiza circuitelor care conţin elemente de circuit neliniare
este dificilă. Din acest motiv, întotdeauna este util ca, pentru aceste elemente de
circuit neliniare, să se dezvolte MODELE LINIARE, valabile în anumite condiţii
precis specificate de funcţionare. La fel se pune problema şi în cazul tranzistoarelor
MOS.
Modelarea funcţionării tranzistorului MOS în variabil de semnal mic.
Deoarece tranzistorul MOS poate amplifica liniar numai în regiunea de
saturaţie, este util să se dezvolte un model, care să descrie comportamentul
tranzistorului în această regiune de funcţionare.

13
 Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare

Modelul prezentat în continuare se poate aplica numai în cazul în care

tranzistorul MOS funcţionează în regim variabil de semnal mic (mărimile electrice
ale tranzistorului sunt variabile în timp, iar variaţia tensiunii GRILĂ-SURSĂ este
mai mică decât o valoare estimativă de aproximativ 12,5mV). În aceste condiţii,
comportamentul tranzistorului MOS poate fi considerat ca fiind LINIAR şi în
consecinţă poate fi modelat prin intermediul unui circuit LINIAR.
Din relaţia 5.9 se remarcă faptul că dacă un tranzistor MOS funcţionează în
regiunea de saturaţie, iD variază în funcţie de vGS. Modul în care are loc această
variaţie se poate determina calculând derivata curentului iD în funcţie de tensiunea
vGS pentru cazul în care valoarea curentului de DRENĂ este menţinută la o valoare
constantă ID. Valoarea derivatei respective se notează cu gm şi se numeşte PANTA
tranzistorului MOS:

diD Amper
gm  gm  2 k  I D  g m   Siemens  5.10
dvGS i  I Volt
D D

unde ID este curentul CONTINUU prin DRENA tranzistorului.

Figura 5. Circuitul echivalent ale modelului în regim variabil de semnal mic, pentru frecvenţe joase şi
medii.

Modelul depinde de frecvenţa la care este utilizat tranzistorul MOS. Pentru frecvenţe
mai mici decât aproximativ 1MHz (domeniul frecvenţelor joase şi medii), modelul

14
 Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare

este caracterizat de circuitul echivalent prezentat în Figura 5. În acest circuit,

mărimile electrice Ig, Is şi Id reprezintă amplitudinile curenţilor de grilă, sursă,
respectiv drenă, iar Vgs reprezintă amplitudinea tensiunii grilă-sursă.

Pentru frecvenţe mai mari decât aproximativ 1MHz (domeniul frecvenţelor înalte),
funcţionarea tranzistorului MOS este afectată de anumite fenomene dinamice, de
natură capacitivă, care pot fi modelate prin intermediul unor CAPACITĂŢI
PARAZITE, reunite în parametrii notaţi cgs, respectiv cds. Circuitul echivalent valabil
în acest caz este prezentat în Figura 6.

Figura 6. Circuitul echivalent ale modelului în regim variabil de semnal mic, pentru frecvenţe înalte.

15