TALLER EN SISTEMAS DE

ENERGIA SOLAR
El Panel Solar, Parte 1

M.Sc. Antony Villegas Quiñones

Estructura del tema

• Estructura del Semiconductor

• Modelo atómico de Bohr
• Bandas de Energía
• Concentración de Portador Intrínseco
• Dopaje n
• Dopaje p
Estructura del Semiconductor

Típicamente, las celdas solares consisten de semiconductores.

Para entender cómo funcionan las céldas solares. Primero trataremos

la estructura y las propiedades de los semiconductores.

Esto esta asociado con la consideración de la unión p-n y las

características ópticas de los semiconductores.
Modelo Atómico de Bohr

Según el modelo atómico de Bohr, un átomo contiene protones y

neutrones en su núcleo, mientras en su exterior contiene electrones,
que orbitan el núcleo.

Los protones son cargados con una carga elemental de +q y los

electrones están cargados negativamente con una carga de −q.
Modelo Atómico de Bohr

A medida que el número de

protones en el núcleo es
igual al número de
electrones un átomo es
eléctricamente neutro.

Nils Bohr reconoció “Sólo

hay ciertas capas discretas
permitidas para un
electrón y son llamadas
orbitas”
Modelo Atómico de Bohr

Cada una de estas orbitas representa un radio de trayectoria particular que

representa la energía respectiva del estado del electrón.
Las orbitas se designan con las letras K, L, M, y así sucesivamente.

Para mover un electrón de una capa a otra, es necesario la energía de 10.2 eV.
Modelo Atómico de Bohr

Nils Bohr : “La transferencia de un electrón de una capa a otra ocurre

bajo la emisión o absorción de la radiación electromagnética con
una frecuencia:”
Modelo Atómico de Bohr

Cuando un electrón se mueve de la orbita L a la K, la energía liberada

es irradiada en forma de luz como un fotón. Este proceso se llama
emisión de Luz.
Modelo Atómico de Bohr

El caso opuesto cuando una partícula ligera golpea un electrón y es

absorbida libera energía lo que lleva el electrón de la orbita K a la L.
Este proceso se llama la absorción de la luz.
Bandas de Energía

Al existir niveles definidos, discretos de energía para los electrones

(orbitas) de una átomo individual. Cuando dos o mas átomos se unen
en un cristal, los niveles individuales de energía se acoplan
formando bandas de energía.
Bandas de Energía

• Las dos bandas mas relevantes en un átomo son:

• La banda de conducción: es la banda de orbitales electrónicos a los
que los electrones pueden saltar desde la banda de valencia cuando
se excitan. Cuando los electrones están en estos orbitales, tienen
suficiente energía para moverse libremente en el material. Este
movimiento de electrones crea una corriente eléctrica.
• La banda de valencia: es simplemente el orbital más externo de un
átomo de cualquier material específico que los electrones ocupan
realmente.
Bandas de Energía
Bandas de Energía

• La diferencia de energía entre el estado de energía ocupado más

alto de la banda de valencia y el estado no ocupado más bajo de la
banda de conducción se denomina intervalo de banda y es
indicativa de la conductividad eléctrica de un material.

• Una gran brecha de banda significa que se requiere mucha energía

para excitar los electrones de valencia a la banda de conducción. A la
inversa, cuando la banda de valencia y la banda de conducción se
superponen como lo hacen en los metales, los electrones pueden
saltar fácilmente entre las dos bandas, lo que significa que el
material es altamente conductor.
Bandas de Energía
Bandas de Energía

• El ancho del intervalo de banda decide la cantidad de energía

necesaria para saltar de la banda de valencia hacia la banda de
conducción. Esto también se llama el intervalo de banda ΔWG.

• Es el resultado de la diferencia de la parte inferior de la banda de

conducción WL y la parte superior de la banda de valencia WV. En el
caso de silicio, el intervalo de banda está en ΔWG = 1.12 eV. El índice
"G" significa el término “bandgap”.
Bandas de Energía
Concentración de Portador Intrínseco

• Dentro del cristal tan pronto como un electrón se libera de sus

enlaces, se genera un hueco llamado agujero. Este proceso se llama
generación de pares de electrones-hueco.
• En el proceso inverso el electrón libre cae nuevamente dentro del
agujero y esto se llama recombinación de pares de electrones-
hueco.
Concentración de Portador Intrínseco

• La generación y recombinación de pares se produce continuamente

en el cristal. Dependiendo del material semiconductor y la
temperatura actual hay un numero promedio de electrones libres,
así como agujeros, conocido como la concentración intrínseca del
portador ni.
Dopaje n

• Se habla de dopaje n cuando en lugar del átomo original, se instala

un átomo del Grupo V como el fósforo el cual tiene un electrón de
valencia más que el silicio y al mismo tiempo un protón adicional en
el núcleo.

• Este electrón estará débilmente conectado al núcleo atómico, por

ende quedará disponible como un electrón libre a temperatura
ambiente.
Dopaje n

• En el diagrama de banda, el átomo de dopaje n genera un nivel de

energía adicional justo debajo del borde de la banda de conducción.
Solo se requiere una energía muy baja (por ejemplo, 1/50 eV) para
elevar el quinto electrón a la banda de conducción.
Dopaje n

• El átomo de fosforo incorporado se llama átomo donante. Como el

átomo donante solo está unido a cuatro electrones y al mismo
tiempo cinco protones en el núcleo, en total se trata de una carga
positiva fija en el sitio.

• Debido al n-dopaje, la concentración n de los electrones libres

aumenta drásticamente. Al mismo tiempo muchos de estos
electrones poseen enlaces libres por lo que casi no quedan agujeros.
Por lo tanto, los electrones se designan como portadores
mayoritarios y los orificios como portadores minoritarios.
Dopaje n

• La concentración de los electrones libres en los semiconductores

dopados n prácticamente es determinado por la densidad ND de los
átomos donadores: n ≈ ND. Estos aumentan la conductividad del
cristal convirtiendo el semiconductor en un conductor.
Dopaje p

• Se insertan átomos de boro trivalentes con tres electrones de valencia

disponibles para que un enlace quede incompleto. Un electrón vecino
se mueve en este enlace abierto de modo que una vez más una
configuración de gas noble esté disponible para este átomo de boro.
Ahora falta un electrón en un lugar vecino y, por lo tanto, se forma un
agujero. En este agujero, la conductancia se hace posible.
Dopaje p

• El átomo trivalente también se designa como átomo receptor. En

cierto sentido, este átomo recibe un electrón del cristal, luego el
átomo receptor representa una carga negativa fija, ya que solo posee
tres protones en su núcleo.

• En la práctica, las densidades de dopaje (densidad del donante ND y

densidad del aceptor NA) son muy bajas: solo un átomo de dopaje
reemplaza cada cien milésimo átomo de silicio. Sin embargo, la
conductividad del material se puede aumentar por factor de 10.
Preguntas ?

anto.gerardo.villegas@gmail.com