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Telecomunicaciones
APELLIDOS Y NOMBRES: N° DE MATRICULA:
CURSO: TEMA:
NUMERO:
05 24/10/18 31/10/18
GRUPO: PROFESOR:
NUMERO: HORARIO:
MIERCOLES
02 Ing. Luis Paretto
10am – 12pm
TRANSISTOR BIPOLAR PNP
El transistor NPN está compuesto por tres capas de materiales semi-conductores, este
arreglo es como un pastel de tres capas, Capa N-P-N. Estos materiales son cristales de
silicio que se encuentran dopados de forma distinta.
Un transistor NPN, que también se llama BJT, puede ser usado para dos cosas. El transistor
puede funcionar como un interruptor controlado electrónicamente o como un amplificador
con ganancia variable. El transistor es también la base para el desarrollo de sistemas
digitales como compuertas lógicas. Las compuertas lógicas son la base de los sistemas
embebidos. Entonces podemos plantear que el transistor es la base de la tecnología digital
actual. Regresando a las aplicaciones comunes, la más usada es el uso del transistor NPN
como interruptor electrónico, para este funcionamiento, el transistor debe de operar en las
zonas llamadas corte y saturación.
Existen dos tipos de transistores, los bipolares que se controlan mediante una entrada de
corriente y los de efecto de campo que son activados mediante una entrada de voltaje. Para
un amplificador electrónico se utiliza una pequeña corriente en la base del transistor para
controlar una corriente mayor entre el colector y el emisor.
Ic = hFE*Ib
Ic = Corriente de colector
Ib = Corriente en la base
Este factor de ganancia depende de la corriente del colector y puede llegar a variar, es por
eso que no es recomendable el uso de transistores como amplificadores electrónicos y se
recomienda mejor el uso de amplificadores operacionales. Por ejemplo, en el transistor
2N2222A, el cual es un transistor NPN bipolar, su Hfe puede valer desde 35 hasta 300
dependiendo de la corriente del colector y del voltaje colector-emisor. (VCE).
Para determinar la corriente en el emisor Ie, se puede usar la siguiente ecuación.
Ie = Ib + Ic = (1/hFE+1)*Ic
Determinar el punto de operación del circuito del experimento (Valores teóricos de tabla 2, 3
y 5)
Trabajamos con el transistor C829
POLARIDAD: NPN
MATERIAL: GERMANIO (Si)
GANANCIA DE CORRIENTE (β) = 65
𝑅𝑒 =220Ω
𝑅𝑐 =1kΩ
𝑅1 =56KΩ (Tabla 2.)
𝑅1 =68KΩ (Tabla 1.)
𝑅2 =22KΩ.
𝑉𝐶𝐶 =12 V
*Por ser de Silicio: 𝑉𝐵𝐸 = 0,67 𝑣 𝛽 = 65
Hallando el punto Q:
TABLA 2.
𝑉𝑐𝑐 × 𝑅2 12 × 22𝑘
𝑣= = = 3.385𝑣
𝑅1 + 𝑅2 56𝑘 + 22𝑘
𝑅1 × 𝑅2 56𝑘 × 22𝑘
𝑅𝑏 = = = 15.795𝑘Ω
𝑅1 + 𝑅2 56𝑘 + 22𝑘
𝑉 − 𝑉𝐵𝐸 3.385 − 0.67
𝐼𝑏 = = = 89.526µ𝐴
𝑅𝑏 + (𝛽 + 1)𝑅𝑒 15.795𝑘 + (65 + 1)220
𝐼𝑐 = 𝐼𝑏 × 𝛽 = 89.526µ × 65 = 5.8192𝑚𝐴
𝑉𝑒 = (𝐼𝑏 + 𝐼𝐶 )𝑅𝑒 = (89.526µ𝐴 + 5.8192𝑚𝐴)220Ω = 1.299𝑣
𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑐 + 𝑅𝑒 ) = 12𝑣 − {5.8192𝑚𝐴(1𝑘Ω + 220Ω)} = 4.90082𝑣
TABLA 3.
Para P= 1MΩ: