FIEE-UNMSM
AMPLIFICADOR CLASE B EN SIMETRIA COMPLEMENTARIA
AMPLIFICADOR CLASE B EN SIMETRIA
COMPLEMENTARIA
CALIXTRO ARIAS, PEREZ ROJAS, FERNANDEZ CHUCO, HUARACHA CRUZ, CCOYORI MENDOZA
materia_y_energia@hotmail.com, mividaesdota@unmsm.edu.pe, yoymisvenecas@gmail.com
Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica – UNMSM
Resumen.- En esta experiencia uno de los
principales objetivos fue experimentar las
propiedades del amplificador clase B en
simetría complementaria , analizar el
comportamiento de este circuito con fuente
de alimentación única y doble , con lo cual
usamos en esta experiencia los equipos y
materiales de laboratorio de siempre a
diferencia de dos transistores
complementarios ósea uno PNP y el otro
NPN, en particular uno de los métodos que
usamos en el desarrollo de la experiencia fue
primero hallara la corriente de saturación
haciendo corto el colector y emisor del
primer transistor ,luego generamos un
voltaje alterno y aumentamos este
lentamente hasta observar en la señal de
salida un recorte en la señal de salida ,luego
nos fijamos en que la señal presenta una
distorsión con lo cual concluimos que las
características más importantes del
amplificador clase B en simetría
complementaria son : tienen rendimientos
elevados pero necesitan dos transistores para
ofrecer una señal de salida de forma igual a
la entrada, en la señal de salida se presentó
una distorsión de corte .
El transistor conduce corriente de solo la
mitad del ciclo de la señal.
La salida de cada transistor me dará el
semiciclo positivo y negativo de la señal con
lo cual a la salida tendremos una señal
sinusoidal igual a la entrada.
Índice de términos. –
• Distorsión de corte
• Transistores complementarios NPN
y PNP
1
• Rendimiento
• Push- pull
I. INTRODUCCIÓN
Características del amplificador clase B.
En el amplificador clase B los elementos
activos están en zona activa si es un BJT, o
en saturación si se trata de un MOSFET, la
mitad del tiempo en cada ciclo de la señal.
Es posible utilizar el mismo esquema de la
clase A pero ahora con VBB ≈ 0.7, de forma
que el BJT sólo conduce cuando vi > 0. En
este caso es imprescindible poner en paralelo
con RL un circuito LC sintonizado que
elimina todos los armónicos y deja pasar a la
carga únicamente la componente
fundamental.
Sin embargo, el amplificador clase B que
vamos a analizar es otro, se trata del que
utiliza dos transistores complementarios.
LC sintonizado en paralelo con RL. Los
transistores de este amplificador trabajan en
colector común (CC), no ganan en tensión,
sólo en corriente. Si la tensión de entrada no
es suficiente hace falta una etapa previa de
ganancia en tensión. En el amplificador
trabajando en clase B, o en el clase B , el cual
emplea dos transistores idénticos trabajando
en contrafase, los transistores están
configurados en EC.
En ambos casos la ganancia en potencia es
mayor pero el rendimiento es el mismo.
Etapa de salida del amplificador clase B
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II. MATERIALES Y MÉTODOS

A. Equipos, materiales y herramientas

 Multímetro
 Generador de señales
 Osciloscopio
 Fuente de poder DC
 Punta de prueba de osciloscopio
 2 transistor complementarios
2N3904 y 2N3906
 2 Diodos 1N4148
 Resistores de 1/4w 10Ω, 100Ω,
680Ω, 2.2kΩ, 47kΩ
 Condensadores de 25V de 1uF,
10uF, 100uF.
 Protoboard.
 Cables conexión diversos
 Computadora con Multisim.
B. Esquemas
La implementación del amplificador clase B
en simetría complementaria se presenta en la
siguiente imagen donde realizamos las
conexiones correspondientes de acuerdo a la
guía de laboratorio.
Los cables de color rojo, representan la
entrada de las tensiones reguladas según el
manejo adecuado de cada fuente y/o
generador. Los cables a su vez están
conectados a funcionar como GND en
nuestro circuito.
Los diversos cables de colores que se
presentan en la imagen, cumplen la función
de conectar cada componente y acoplar los
dos transistores trabajados en esta
experiencia.
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Finalmente se muestra los cables punta de
prueba del osciloscopio en donde nos
permitirá medir las señales tanto de salida
como de voltaje.
C. Procedimiento
1. Implemente el circuito de la figura
9.1, calcule Ic1sat(impuesto por el
valor de Vcc), Anote este valor en la
tabla 9.1
2. Calcule el 2% de Ic1sat, y anote este
valor en la tabla 9.1
3. Energice el circuito de la figura 9.1
con Vcc=5V
4. Mida las tensiones DC en las
bases de los transistores, en los
emisores y en la carga RL.
5. Ponga el generador a una frecuencia
de 1KHz y el nivel de señal de salida
del generador a 2Vpp.
6. Observe la señal de salida en los
extremos de la resistencia de
100Ω.¿Qué tipo de distorsión es
esta?.
3
7. Superponga en el osciloscopio las
señales de entrada y salida y observe
el umbral de conducción de los
transistores. Medir la amplitud del
umbral en la entrada.
8. Reduzca la señal del generador a
cero y conecte el multímetro como
amperímetro (teniendo cuidado de
seleccionar a escala más ALTA) en
serie con el colector del transistor
superior (NPN).
9. Lentamente incremente VCC hasta
que ICQ=1mA. Quite el multímetro
y reconecte el colector superior a la
fuente VCC.
10. Utilice el multímetro para medir
Vbe (de uno de los transistores y
anote el valor en la tabla 9.2.
11. Aumente el nivel de la señal del
generador hasta obtener a la salida
una señal de 8Vpp.
12. entamente aumente el nivel de la
señal hasta el punto en que aparezca
un recorte en la señal de salida.
13. Anote el voltaje de salida pico a pico
en la tabla 9.2.
14. Usando el multímetro como
voltímetro en alterna, mida el valor
RMS del voltaje de salida y anótelo
en la tabla 9.2. A continuación,
calcule y anote el valor de la
potencia disipada en la carga.
15. Arme el circuito de la figura 9.3.
Con el generador de 0V mida las
tensiones continuas (DC) en las
bases y emisores de los transistores,
así como en la carga RL, anote sus
observaciones y complete la tabla
9.3 en base a los valores medidos.
16. Repita el paso 5. ¿Se observa
distorsión en la señal de salida del
circuito?
17. Repita los pasos 11, 12 y 14.
Complete la tabla 9.4 con los valores
medidos.
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III. RESULTADOS
Tablas

Las Tensiones Dc para Vcc=5V: Tabla Medid Simulad

9.1 os os
Medidos Simulados
𝑽𝑩𝟏 2.83V 2.82V 𝑰𝑪𝟏,𝑺𝑨𝑻 140uA 140uA
𝑽𝑬𝟏 2.42V 2.52V
𝑽𝑹𝑳 0V 0V 𝟐%𝑰𝑪𝟏,𝑺𝑨𝑻 2.8 uA 2.8uA

Medidos Simulados
𝑽𝑩𝟐 2.19V 2.18V
𝑽𝑬𝟐 2.42V 2.52V

Vista de la entrada y la salida

Medida

Simulación
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Aumentando Vcc hasta obtener

𝐼𝐶1 = 1𝑚𝐴
Tabla 9.3
Medido Simulado
Tabla 9.3 Medido Simulado
Vcc 10.20 10.85
𝑽𝒃𝟏 0.816mV 0.82 mV

𝑽𝒆𝟏 0.225 mV 0.206 mV

𝑽𝒃𝟐 1 mV 0.592uV

𝑽𝒆𝟐 0.128 mV 0.204 mV

𝑽𝑹𝑳 0.217 mV 0.204 mV

Tabla 9.2

Tabla 9.2 Medido simulado

𝑽𝒃𝒆 0.657V 0.664V
𝑽𝒑𝒑 6.89V 6.9V
𝑽𝒓𝒎𝒔 2.40V 2.44V
𝑷𝒄𝒂𝒓𝒈𝒂 57.6mw 59.5mW
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IV. ANÁLISIS DE RESULTADOS

1.Calcule teóricamente las potencias

máximas de los dos circuitos
ensayados.
 I. CONSIDERACIONES DE
POTENCIA MAXIMA
PRIMER CIRCUITO
Para la operación clase B, la potencia
máxima de salida se aplica a la carga
cuando

Tabla 9.4

Tabla 9.4 Medido Simulado 25

𝑽𝒑𝒑 7.36V 7.85V 𝑃𝑜(𝑎𝑐) = 200 = 125𝑚𝑊
𝑽𝒓𝒎𝒔 2.56V 2.73V
𝑷𝒄𝒂𝒓𝒈𝒂 65.5mW 76.5mW El corriente pico de ac
correspondiente será entonces:
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𝐼(𝑝) = = 50𝑚𝐴
100
Por lo que el valor máximo de la
corriente promedio de la fuente de
alimentación será
𝐼𝑑𝑐(𝑚𝑎𝑥𝑖𝑚𝑎) = (2/3.1415)*(50)
=31.83mA
Mediante el empleo de esta corriente
para calcular el valor máximo de la
potencia de entrada el resultado es:
𝑃𝑖(𝑑𝑐)𝑚𝑎𝑥𝑖𝑚𝑎 =5*31.83=159.15mW
Cuando la señal de entrada ocasiona una
excursión menor a la señal de
salida máxima, la eficiencia de circuito
será menor que
Para la operación clase B, la potencia
máxima disipada por los transistores de
salida no ocurre en la condición de
máxima potencia de entrada o de salida.
La máxima potencia disipada por los
transistores de salida ocurre cuando el
voltaje de salida a través de la carga es:
𝑃2𝑄(𝑚𝑎𝑥𝑖𝑚𝑎)
= 𝑃𝑖(𝑑𝑐)𝑚𝑎𝑥𝑖𝑚𝑎
1 salida no ocurre en la condición de
∗ = 50.66𝑚𝑊
3.1415
SEGUNDO CIRCUITO
Para la operación clase B, la potencia
máxima de salida se aplica a la carga
cuando
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100
𝑃𝑜(𝑎𝑐) = 200 = 500𝑚𝑊
El corriente pico de ac
correspondiente será entonces:
10
𝐼(𝑝) = 100 = 0.1𝐴
Por lo que el valor máximo de la
corriente promedio de la fuente de
alimentación será
𝐼𝑑𝑐(𝑚𝑎𝑥𝑖𝑚𝑎) = (2/3.1415)*(0.1)
=63.66mA
Mediante el empleo de esta corriente
para calcular el valor máximo de la
potencia de entrada el resultado es:
𝑃𝑖(𝑑𝑐)𝑚𝑎𝑥𝑖𝑚𝑎 =10*63.66=636.6mW
Cuando la señal de entrada ocasiona una
excursión menor a la señal de
salida máxima, la eficiencia de circuito
será menor que
Para la operación clase B, la potencia
máxima disipada por los transistores de
máxima potencia de entrada o de salida.
La máxima potencia disipada por los
transistores de salida ocurre cuando el
voltaje de salida a través de la carga es:
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𝑃2𝑄(𝑚𝑎𝑥𝑖𝑚𝑎) 3.busque un circuito de un

= 𝑃𝑖(𝑑𝑐)𝑚𝑎𝑥𝑖𝑚𝑎 amplificador de 5w a 10w de potencia
1 de salida y emplee elementos discretos.
∗ = 202.64𝑚𝑊
3.1415

2.indique sus observaciones y

conclusiones sobre el experimento
realizado
 Se han planteado algunos
conceptos básicos de aplicadores
de potencia. Las magnitudes más
importantes que considerar son la la respuesta en frecuencia del sistema
frecuencia, la potencia en la
carga y la potencia disipada en el
transistor. Cada una de las
configuraciones 18 tiene un
rendimiento diferente, es
importante determinar las
magnitudes asociadas a las
variables de tal forma de ocupar
las ecuaciones adecuadas tanto
para análisis como para diseño.
 El propósito de hacer
este ensayo es conocer, como su
tema lo indica el amplificador de
potencia clase B, se piensa la
principal conclusión que se
puede aportar al ensayo es que
como no existe polarización en
4.Realizar una simulación del circuito
amplificador clase B en contra
experimentado, incluyendo los listados y
fase cada transistor está en corte
las gráficas correspondientes. Explique a
cuando no tiene señal de entrada,
que se deben las diferencias con lo
lo que resulta una ventaja pues no
obtenido en la practicas
hay consumo de corriente cuando
la señal es cero.
 La máxima eficiencia en un
amplificador clase B en
contrafase es de 78.5%, por lo
que un amplificador clase B en
contrafase se utiliza mas
comúnmente como etapa de
salida que un amplificador de
potencia clase A.
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La señal de entrada es la gráfica amarilla

y salida es la gráfica azul
Los valores son aproximados y esto se
deberá a muchas causas de Errores de
medida. Cualidades de los aparatos de
medida: Fidelidad, Sensibilidad
Es evidente que de la calidad de estos datos
de partida dependerá en gran medida el
acierto de las medidas tomadas. Los
balances de materia y energía de situaciones
reales requieren de la medición, la
valoración medioambiental, y el procesado
de las variables que intervienen en ellos.

V. CONCLUSIONES

• La corriente de colector es
aproximadamente cero cuando la
señal de entrada es cero.

• La inclusión de la región no lineal de

corte en el intervalo de operación,
produce una distorsión en la señal de
salida.

• La adición de diodos actúan como

fuentes de tensión generando una
tensión constante, compensando la
caída de tensión Vbe que es
necesario para superar la
conducción de los transistores y
dejando en todo momento a los
transistores al borde de la
conducción.

REFERENCIAS
• Circuitos Electrónicos e Integrados
– Schilling D.
• Dispositivos y Circuitos
Electrónicos - Millman Halkias.
• Electrónica Teoría de Circuitos –
Robert L. BOYLESTAD.
• Principios de Electrónica –
A.Malvino
FIEE-UNMSM. PISCOYA LUIS, MORALES ERICK, GUERRERO CÉSAR, RAMOS BRYAN. CONFIGURACIÓN DARLINGTON.
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