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DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS
ELECTRÓNICOS
LABORATORIO Nº 13
1
Aplicaciones con Transistores MOSFET
Transistores MOSFET
Los MOSFET están compuestos de un diodo MOS y dos uniones P-N colocadas a los lados del
diodo MOS. Es un dispositivo muy importante para circuitos integrados avanzados tales como
microprocesadores y memorias semiconductoras. La causa de este desarrollo radica en su bajo
consumo de potencia y un alto rendimiento de trabajo, otro hecho importante es que el MOSFET
se puede reducir fácilmente de tamaño sin perder sus características y ocupa menos espacio que
un transistor bipolar para las mismas consideraciones.
En un MOSFET la compuerta está aislada del canal, también se le conoce como IGFET, y pueden
ser de canal N o canal P. El MOSFET posee un electrodo de compuerta de metal que esta
separado del material semiconductor por una capa de material aislante formada por dióxido de
silicio (SiO2) llamado también “sílice” o “sílica”.
1. Objetivos
2. Equipos y Materiales
2
Aplicaciones con Transistores MOSFET
S D
D S
Tipo: …CANAL P………. Tipo: …CANAL N………
3.2 En la figura se muestra el encapsulado de un MOSFET, identifique con la ayuda del manual las
características principales.
a) Código: IRF840
b) Encapsulado:…TO 220….
c) Señalar sus terminales
Descripción y
BVDSS BVGS ID VGS PD
aplicación
3.3 En la figura se muestra el encapsulado de un MOSFET, identifique con la ayuda del manual las
características principales.
e) Código: BS170
f) Encapsulado:……………….
g) Señalar sus terminales
Descripción y
BVDSS BVGS ID VGS PD
aplicación
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Aplicaciones con Transistores MOSFET
Primero se identifica el tipo de mosfet y luego se procede a buscar las patitas GATE, DRAIN Y
SOURCE, y para medirlos basta que el D con el S marque un valor tipo diodo o sea del orden de
los 0.415 volts mas o menos, al invertirlos tiene que marcar valores inferiores a lo dicho sobre la
medicion entre D y S . En pocas palabras tiene que llavear en ese punto y desllavear al invertir los
polos del tester previo punteo con la punta del tester en el G y proceder a la inversa para que el
mosfet vuelva a su estado normal. TODO ESTO ES EN CONDICIONES NORMALES, cualquier
otra medicion fuera de estos parametros indica una fuga o una alteracion del transistor BIPOLAR y
de los MOSFETS.
4. Polarización de MOSFET
4.2 Aplique a VDD un valor de 12 V y varíe la tensión de la fuente VGS desde 0 hasta 12 V, y
anote el valor de la corriente ID para cada caso, complete la tabla.
VGS 0 2 4 6 8 10 12
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Aplicaciones con Transistores MOSFET
Considere:
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Aplicaciones con Transistores MOSFET
2.11Mv-12V
5.2 Mida la corriente ID para cuando el FET opere en la condición indicada en el punto 6.1.
292.32 uA
6. Observaciones y Conclusiones