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Sommaire
Grandeurs alternatifs
Condensateurs et bobines en régime transitoire
Quadripôles
Diagramme de Bode
Filtres
Réponse à une impulsion
Transformateurs d’alimentation
Chapitre 1 : Diodes
Chapitre 2 : Redressement
Chapitre 3 : Filtrage
Chapitre 4 : Régulateurs
Chapitre 5 : Amplificateurs opérationnels
Chapitre 6 : Transistors bipolaires
Chapitre 7 : Transistors à effet de champ
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Grandeurs électriques :
Résistances :
Les résistances limitent ou freinent le passage d’un courant électrique dans un circuit.
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Symbole associé :
ou
Positionner la résistance de façon à avoir l'anneau le plus à l'extérieur du corps de la résistance sur sa
gauche (ou mettre la couleur dorée ou argentée sur sa droite)
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Le coefficient de température est d’unité 1/Kelvin : la valeur 50ppm désignera donc 𝟓𝟎 × 𝟏𝟎−𝟔 /K
Valeurs normalisées :
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Une décade est un ensemble de valeurs comprises entre un multiple de 1 et un multiple de 10 de l'unité considérée.
Exemple : 1 à 10 ohms ; 10 à 100 ohms; 10 à 100 K ohms...
Une série représente le nombre de valeurs différentes que l'on dispose à l'intérieur d'une décade.
Exemples : Pour la série E3 nous avons trois valeurs possibles dans une décade : 1,0 ; 2,2 ; 4,7.
Soit : 1,0 ohm ; 2,2 ohms ; 4,7 ohms - 10 ohms ; 22 ohms; 47 ohms - 100 ohms - 220 ohms ...
Pour la série E12 nous avons 12 valeurs possibles par décade : 1,0 ; 1,2 ; 1,5 ; 1,8 ; 2,2 ; 2,7 ; 3,3 ; 3,9 ; 4,7 ; 5,6 ; 6,8 ;
8,2.
Dans la série E12 et pour les résistances dont la valeur est comprise entre 10k et 100k (décade 10k à 100k), nous
aurons : 10k ; 12k ; 15k ; 18k ; 22k ; 27k ; 33k ; 39k ; 47k ; 56k ; 68k ; 82k.
𝑛
La valeur de rang m de la série En est obtenue en posant : 10𝑚 −1
12
Par exemple, 5ème valeur de la série E12 : 104 ce qui donne 2.1544 arrondi à 2.2
Exemple :
Le résultat d'un calcul donne 6,73 ohms comme valeur de résistance.
Quelle est la valeur la plus proche dans la série "n" E24 ?
Il faut d'abord retrouver à quel rang "m" proche appartient cette valeur dans la série E24.
avec :
x = 6,73
n = 24
m=?
Association en série :
Association en parallèle :
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1 1 1 1
Avec 𝑅𝑒𝑞
= 𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3
Loi d’ohm :
𝑈=𝑅𝐼
Potentiomètre :
Un potentiomètre est un type de résistance variable à trois bornes, dont une est reliée à un curseur se
déplaçant sur une piste résistante terminée par les deux autres bornes.
Symbole :
S : Section de la tige ( 𝑚2 )
Photorésistance :
Une photorésistance est un composant électronique dont la résistivité varie (souvent une diminution) en
fonction de l'augmentation de lumière qui l'atteint. On peut également le nommer résistance photo-
dépendante ( light-dependent resistor (LDR) ) ou photoconducteur.
Symbole :
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Thermistance :
Une thermistance est un capteur de température passif. Elle est constituée d'un matériau semi-conducteur.
Sa résistance varie en fonction de la température.
On distingue deux types de thermistances : les CTN (Coefficient de Température Négatif) et les CTP
(Coefficient de Température Positif).
Symbole :
Varistance :
C’est une résistance qui varie en fonction de la tension appliquée. Principalement utilisées comme élément
de protection de composants ou d'équipements pouvant être soumis à des perturbations électriques. Les
VDR (Volt Dépendant Resistor) voient leurs impédances (normalement de plusieurs Mégohms) chuter très
fortement en présence d’une surtension (même très brève), créant ainsi un court circuit protégeant le
montage situé après.
Symbole :
𝑅𝑇 = 𝑅𝑇0 1 + 𝑎 𝑇 − 𝑇0
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Avec :
𝑅𝑇0 : La résistance à 𝑇0 °C, où 𝑇0 est une température de référence
𝑎 : Le coefficient de température, unité : 1/°C
En raison de l’inaltérabilité et de la grande ductilité de l’or, il est utilisé pour réaliser des connexions, notamment
dans certains composants électroniques, comme les microprocesseurs.
Condensateurs :
Le condensateur est un dispositif électronique qui emmagasine une charge électrique en créant un champ
électrique qui à son tour accumule de l’énergie. La mesure de cette capacité à conserver de l’énergie a
reçu le nom de capacité.
Dans sa version la plus simple, un condensateur est un dispositif électrique constitué de deux plaques
(armatures) conductrices parallèles, séparées par un matériau isolant appelé diélectrique.
Symbole :
ou
Capacité :
La quantité de charge qu’un condensateur peut accumuler par unité de volt sur ses armatures est sa
capacité, désignée par C.
𝑄
𝐶=
𝑉
Q : la charge en Coulomb
V : la tension aux bornes du condensateur en Volt
C : Capacité en Farad
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Energie :
L’énergie emmagasinée par un condensateur est donné par :
1
𝑊 = 𝐶 𝑉2
2
𝑄 𝑑𝑄
En effet, puisque 𝐶 = 𝑉 on écrit 𝐶𝑑𝑉 = 𝑑𝑄 or on a 𝐼 = donc 𝐶𝑑𝑉 = 𝐼𝑑𝑡 on obtient alors :
𝑑𝑡
𝒅𝑽
𝑰 = 𝑪 𝒅𝒕
D’autre part on a :
𝑡 𝑡 𝑡
𝑑𝑉 1
𝑊= 𝑃 𝑡 𝑑𝑡 = 𝑉𝐶 𝑑𝑡 = 𝑉 𝐶 𝑑𝑉 = 𝐶 𝑉2
0 0 𝑑𝑡 0 2
Diélectriques :
Matériau 𝜺𝒓
Air (vide) 1
Téflon 2
Papier (ciré) 2.5
Huile 4
Mica 5
Verre 7.5
La constante diélectrique (permittivité relative) 𝜀𝑟 est une grandeur sans dimension :
𝜺
𝜀𝑟 =
𝜺𝟎
Association en parallèle :
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Avec 𝐶𝑒𝑞 = 𝐶1 + 𝐶2 + 𝐶3
Association en série :
1 1 1 1
Avec 𝐶𝑒𝑞
= 𝐶1 + 𝐶2 + 𝐶3
Caractéristique :
Le condensateur s’oppose aux variations de tension : 𝛥𝑉 brusque d’une armature appraît sur l’autre
armature.
Bobines :
Une bobine, self, solénoïde, ou auto-inductance est un composant courant en électrotechnique
et électronique. Une bobine est constituée d'un bobinage ou enroulement d'un fil conducteur
éventuellement autour d'un noyau en matériau ferromagnétique.
Symbole :
Inductance :
L'inductance d’un circuit électrique est un coefficient qui traduit le fait qu’un courant le traversant crée un
champ magnétique à travers la section entourée par ce circuit. Il en résulte un flux du champ magnétique à
travers la section limitée par ce circuit.
L’inductance est égale au quotient du flux de ce champ magnétique par l’intensité du courant traversant le
circuit.
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𝜇 : Perméabilité
A : Aire de la section transversale en m²
𝑙 : Longueur du noyau en m
Energie :
Une bobine d’inductance accumule de l’énergie dans le champ magnétique induit par le courant. L’énergie
1
emmagasinée est exprimée par 𝑊 = 2 𝐿 𝐼 2
Perméabilité magnétique :
La perméabilité magnétique du matériau (μ) s'exprime par le produit de la perméabilité du vide (μ0, exprimée en
Henry/mètre) et de la perméabilité relative (μr, sans dimension) :
μ = μ 0 μr
μ0 est une constante universelle, la constante magnétique, qui vaut 4 π 10−7 H/m
Association en série :
Avec Leq = L1 + L2 + L3
Association en parallèle :
1 1 1 1
Avec = + +
𝐿𝑒𝑞 𝐿1 𝐿2 𝐿3
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Théorèmes de base
Diviseur de tension :
𝑅2
𝑈2 = 𝑈
𝑅2 + 𝑅1
Diviseur de courant :
𝑅2
𝐼1 = 𝐼
𝑅2 + 𝑅1
Loi de Kirchhoff :
Dans un circuit formé de plusieurs éléments, on définit les dispositions relatives suivantes :
L’analyse du circuit consiste à déterminer les tensions et les courants des b branches
(n-1) équations indépendantes à l’aide de la loi des nœuds, si n est le nombre des nœuds dans le circuit.
(b-n+1) équations indépendantes à l’aide de la loi des mailles, si b est le nombre des branches dans le circuit.
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Théorème de Thévenin :
3/ Calculer la résistance 𝑅𝑡 vu entre les points A et B : pour cela on court-circuite toute source de tension et on
ouvre toute source de courant.
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Avec 𝐸0 = 𝑅0 𝐼0
Principe de superposition :
Lorsqu'il ne contient que des dipôles linéaires, la réponse (courant et tension dans chaque branche) d'un réseau
comportant plusieurs sources indépendantes (de tension et/ou de courant) est égale à la somme des réponses que
l'on obtiendrait en considérant séparément chacune de ces sources.
Pour chacune des sources indépendantes, on étudie la réponse du circuit les autres sources indépendantes étant
"éteintes".
Exemple :
Avec 𝑒𝑠 = 10 𝑉𝑒𝑓𝑓 0°
𝐸𝑠
𝐼𝑠′ = = 6.667 𝑚𝐴
𝑅1 + 𝑅2
′
𝑈𝑅1 = 𝐼𝑠′ 𝑅1 = 6.667 𝑉
′
𝑈𝑅2 = 𝐼𝑠′ 𝑅2 = 13.334 𝑉
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′′
𝑈𝑅1 = 𝐼𝑠′′ 𝑅1 = 3.333 𝑉𝑒𝑓𝑓 0° , 5𝑘𝐻𝑧
′′
𝑈𝑅2 = 𝐼𝑠′′ 𝑅2 = 6.667 𝑉𝑒𝑓𝑓 0° , 5𝑘𝐻𝑧
Solution finale :
𝐼𝑠 = 𝐼𝑠′ + 𝐼𝑠′ = 3.333 𝑚𝐴𝑒𝑓𝑓 0° , 5𝑘𝐻𝑧 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑢𝑛𝑒 𝑐𝑜𝑚𝑝𝑜𝑠𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑐𝑜𝑛𝑡𝑖𝑛𝑢𝑒 𝑑𝑒 6.667 𝑚𝐴
Théorème de Millman :
Démonstration :
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𝐸1 𝑉𝑚 𝐸2 𝑉𝑚
𝐼1 = − ; 𝐼2 = − ;…
𝑍1 𝑍1 𝑍2 𝑍2
𝐸1 𝑉𝑚 𝐸2 𝑉𝑚 𝐸𝑛 𝑉
Or on a : 𝐼1 + 𝐼2 + ⋯ + 𝐼𝑛 = 0 ce qui donne : 𝑍1
− 𝑍1
+ 𝑍2
− 𝑍2
+ ⋯+ 𝑍𝑛
− 𝑍𝑚 = 0
𝑛
D’où le résultat.
Astuces pratiques :
Particulièrement si on choisit la masse comme point de référence, le théorème de Millman permettra de calculer le
potentiel en un nœud du circuit.
Si on connaît le courant dans une branche, on l’ajoute au nominateur sans rien rajouter au dénominateur.
𝐸1 𝐸2 0 𝐸1 𝐸2
𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅 + 𝐼 𝑅1 + 𝑅2 + 𝐼
𝑉𝐴𝐵 = =
1 1 1 1 1 1
+ + + +
𝑅1 𝑅2 𝑅 𝑅1 𝑅2 𝑅
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Grandeurs alternatifs
Phase :
Décalage normalement exprimé en degrés ou en radians, entre des ondes de même type qui ne passent pas par zéro
en même temps.
Amplitude :
Fréquence :
1
C’est le nombre de cycles par seconde : 𝑓 = 𝑇 (Hz : Hertz)
Valeur moyenne :
1
Elle est donnée par : 𝑈𝑚𝑜𝑦 = 𝑢 𝑡 𝑑𝑡
𝑇 𝑇
Cette valeur moyenne est appelée aussi «niveau continu » ou « niveau DC », l’autre composante du signal est
quantifiée d’alternative.
Valeur efficace :
1
Elle est donnée par : 𝑈𝑒𝑓𝑓 = 𝑇 𝑇
𝑢2 𝑡 𝑑𝑡
Cette valeur efficace correspond au niveau d'un signal continu qui produirait la même dissipation par effet Joule. Par
exemple, si on devait calculer la dissipation thermique d'un élément sous l'effet d'un signal, la valeur efficace de ce
dernier serait la valeur la plus utile.
Puissance moyenne :
Un élément résistif dissipe toujours de la puissance : c'est sa caractéristique. Alors on a toujours une expression
positive de la puissance. Mais pour des éléments non-consommateurs comme l'inductance par exemple, la
puissance est parfois positive (l'inductance se charge en courant, donc soutire de l'énergie au circuit), parfois
négative (l'inductance restitue de l'énergie au circuit électrique).
Ce qui exprime la consommation ou non de puissance n'est donc pas sa valeur instantanée, mais sa valeur moyenne.
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1
𝑃𝑚𝑜𝑦 = 𝑢 𝑡 𝑖 𝑡 𝑑𝑡
𝑇 𝑇
Régime sinusoïdal :
Pour un signal sinusoïdal exprimée par : 𝑢 𝑡 = 𝑈 sin (𝜔 𝑡 + 𝜑)
U : Amplitude
𝝎 : Pulsation (rd/s)
𝝋 : Phase à l’origine
(𝝎 𝒕 + 𝝋) : Phase instantanée
Dans le cas où un récepteur consomme une puissance (moyenne), on parle de puissance active, c'est le cas de la
résistance. L'énergie entre dans le système sous forme électrique, et en sort sous forme de pertes ohmiques. Notons
que si le schéma électrique représente aussi en partie un système mécanique, la perte ohmique peut signifier des
frottements visqueux.
Dans le cas où l'on a une puissance moyenne nulle mais une puissance instantanée non nulle, on dit que la puissance
est réactive, c'est le cas des inductances et capacités, des bobines et condensateurs de bonne qualité. L'énergie
circule dans le circuit et se fait momentanément stocker (sous forme magnétique respectivement électrique pour
l'inductance et la capacité). Le récepteur ne consomme pas à proprement parler de l'énergie, mais cette fluctuation
de courant crée des pertes dans les lignes de transmission.
Notation de Fresnel :
En régime sinusoïdal, les courants et tensions sont des sinusoïdes déphasées l'une par rapport à l'autre, et ayant
chacune leur amplitude.
On représente les courants et tensions d'un dipôle par des vecteurs dits de Fresnel, où l'information de fréquence
est laissée de côté.
Vecteurs de Fresnel :
On ne garde dans cette représentation que la valeur efficace, image de l'amplitude et de déphasage entre
courant et tension.
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Le déphasage entre courant et tension d'un quart de tour correspond en régime sinusoïdal, à la relation de
dérivation ou d'intégration existant entre ces grandeurs pour la capacité et l'inductance. Remarquons encore que
dans cette notation, l'application des lois de Kirchhoff revient à fermer les polygones des tensions et courants.
L’impédance :
La représentation vectorielle des relations courant-tension en régime sinusoïdal est une manière de ne garder du
signal qu'un déphasage et une amplitude. Ce résultat peut aussi être obtenu grâce à l'utilisation de nombres
complexes :
Le signal :
Devient :
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On estime que le condensateur sera chargé après 5xRC. On parle ordinairement du produit RC comme étant la
constante du temps du circuit
On estime aussi que le condensateur prendra 5 afin d’être déchargé.
La loi des mailles dans le circuit donne 𝑈𝐶 + 𝑅 𝐼𝐶 = 𝐸 ce qui donne l’équation différentielle
𝑑𝑈𝐶
𝑈𝐶 + 𝑅 𝐶 𝑑𝑡
= 𝐸 qui a pour solution, si on note 𝑈𝐶0 la tension aux bornes du condensateur à t=0 :
𝑡
𝑈𝐶 = 𝐸 + 𝑈𝐶0 − 𝐸 𝑒 − 𝑎𝑣𝑒𝑐 = 𝐑𝐂
Plus généralement on a :
𝒕
𝑼𝑪 = 𝑬∞ + 𝑬𝟎 − 𝑬∞ 𝒆− 𝒂𝒗𝒆𝒄 = 𝐑𝐂
Où :
𝐸∞ : La tension vers laquelle le condensateur tend
𝐸0 : La tension de départ aux bornes du condensateur
𝐼
∆𝑈𝐶 = ∆𝑡
𝐶
Le condensateur se charge alors de façon linéaire
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𝐸 𝑡
𝑖= 1 − 𝑒 −𝜏
𝑅
𝐿
Avec 𝜏 = 𝑅 ∶ 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑢 𝑡𝑒𝑚𝑝𝑠 𝑑𝑢 𝑐𝑖𝑟𝑐𝑢𝑖𝑡
Quadripôles
C’est un système électronique possédant deux bornes d’entrés (E1, E2) et deux bornes de sorties (S1, S2)
Le quadripôle est en régime linéaire si et seulement si les grandeurs de sortie 𝐼𝑠 ; 𝑉𝑠 dépend linéairement des
grandeurs d’entrée 𝐼𝑒 ; 𝑉𝑒
Exemple :
𝑉𝑠 = 𝐾1 𝑉𝑒 + 𝐾2 𝐼𝑒
𝐼𝑠 = 𝐾3 𝑉𝑒 + 𝐾4 𝐼𝑒
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Convention :
𝑉𝑒 = 𝑍11 𝐼𝑒 + 𝑍12 𝐼𝑠
𝑉𝑠 = 𝑍21 𝐼𝑒 + 𝑍22 𝐼𝑠
𝑉𝑒 𝑍 𝑍12 𝐼𝑒
= 11
𝑉𝑠 𝑍21 𝑍22 𝐼𝑠
Schéma équivalent :
Signification physique :
𝑉𝑒
𝑍11 = | 𝐼𝑠 = 0 : Impédance d’entrée à vide
𝐼𝑒
𝑉𝑒
𝑍12 = | 𝐼𝑒 = 0 : Impédance de réaction à vide
𝐼𝑠
𝑉𝑠
𝑍21 = | 𝐼𝑠 = 0 : Impédance de transfert à vide
𝐼𝑒
𝑉𝑠
𝑍22 = | 𝐼𝑒 = 0 : Impédance de sortie à vide
𝐼𝑠
Paramètre admittance :
𝐼𝑒 = 𝑌11 𝑉𝑒 + 𝑌12 𝑉𝑠
𝐼𝑠 = 𝑌21 𝑉𝑒 + 𝑌22 𝑉𝑠
𝐼𝑒 𝑌 𝑌12 𝑉𝑒
= 11
𝐼𝑠 𝑌21 𝑌22 𝑉𝑠
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Schéma équivalent :
Signification physique
𝐼
𝑌11 = 𝑉𝑒 | 𝑉𝑠 = 0 : Admittance d’entrée en court-circuit
𝑒
𝐼
𝑌12 = 𝑉𝑒 | 𝑉𝑒 = 0 : Admittance de réaction en court-circuit
𝑠
𝐼
𝑌21 = 𝑉𝑠 | 𝑉𝑠 = 0 : Admittance de transfert en court-circuit
𝑒
𝐼
𝑌22 = 𝑉𝑠 | 𝑉𝑒 = 0 : Admittance de sortie en court-circuit
𝑠
Paramètre hybride :
𝑉𝑒 = 𝐻11 𝐼𝑒 + 𝐻12 𝑉𝑠
𝐼𝑠 = 𝐻21 𝐼𝑒 + 𝐻22 𝑉𝑠
𝑉𝑒 𝐻 𝐻12 𝐼𝑒
= 11
𝐼𝑠 𝐻21 𝐻22 𝑉𝑠
Schéma équivalent :
Signification physique
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Impédances particulières :
Impédance d’entrée :
𝑉𝑒
𝑍𝑒 =
𝐼𝑒
𝑉𝑒
𝑍𝑒0 = | 𝐼𝑠 = 0 : Impédance d’entrée à vide
𝐼𝑒
𝑉𝑒
𝑍𝑒𝑐𝑐 = | 𝑉𝑠 = 0 : Impédance d’entrée en c.c
𝐼𝑒
Impédance de sortie :
𝑉𝑠
𝑍𝑠 = | 𝐸𝑔 = 0 ; 𝑍𝐿 → ∞
𝐼𝑠
𝑉𝑠
𝑍𝑠0 = | 𝑍𝑔 → ∞ : Attaque en courant
𝐼𝑠
𝑉𝑠
𝑍𝑠𝑐𝑐 = | 𝑍𝑔 → 0 : Attaque en tension
𝐼𝑠
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Quadripôle équivalent :
Généralisation :
Association en série :
𝑍𝑖𝑗 = 𝑍𝑖𝑗 /𝑘
𝑘=1
Association en cascade :
Quadripôle équivalent :
𝑉𝑒
𝑍𝑒 = = 𝑍𝑒1
𝐼𝑒
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𝑉𝑠
𝑍𝑠 = = 𝑍𝑠𝑛
𝐼𝑠
𝑉 𝑉 𝑉𝑒𝑛 𝑉𝑒2 𝑛
𝐴𝑣 = 𝑉𝑠 = 𝑉 𝑠 … = 𝑖=1 𝐴𝑣𝑖
𝑒 𝑒𝑛 𝑉𝑒 𝑛 −1 𝑉𝑒1
Diagramme de Bode
L’étude de la réponse en fréquence d’un quadripôle revient à étudier l’évolution de la fonction de transfert
désirée en fonction de la fréquence.
𝑋
La fonction de transfert est généralement écrite : 𝑇 = 𝑋𝑠 = 𝑓(𝜔)
𝑒
𝑋𝑠
𝑇 =
𝑋𝑒
Cette étude peut être réalisée au moyen d’outils graphiques tel que le diagramme de Bode.
𝐺 > 0 ∶ 𝐴𝑚𝑝𝑙𝑖𝑓𝑖𝑐𝑎𝑡𝑖𝑜𝑛
𝐺 < 0 ∶ 𝐴𝑡𝑡é𝑛𝑢𝑎𝑡𝑖𝑜𝑛
Si 𝑇 = 𝑇1 𝑇2 … 𝑇𝑛 alors 𝐺 = 𝐺1 + 𝐺2 + ⋯ + 𝐺𝑛
Echelle logarithmique :
Echelle linéaire :
Echelle logarithmique :
𝜔0 milieu de 𝜔1 et 𝜔2 si 𝜔0 2 = 𝜔1 𝜔2
𝝎
𝑻𝟎 = 𝒋 𝝎
𝟎
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𝝎
On a 𝐺0 = 20 𝐿𝑜𝑔 = 20 𝐿𝑜𝑔 𝜔 − 20 𝐿𝑜𝑔(𝜔0 )
𝝎𝟎
Si 𝜔 = 𝜔0 alors 𝐺0 = 0
Si 𝜔 = 10 𝜔0 alors 𝐺0 = 20 𝑑𝐵
Alors :
𝟏 𝟏
𝑻𝟏 = 𝝎 =𝑻
𝒋 𝟎
𝝎𝟎
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𝝎 𝒏
𝑻𝟐 = 𝒋 𝝎 = 𝑻𝟎 𝒏
𝟎
𝝎
𝑻𝟑 = 𝟏 + 𝒋 𝝎 = 𝟏 + 𝑻𝟎
𝟎
Si 𝜔 ≪ 𝜔0 alors 𝑇3 ≈ 1 donc 𝐺3 ≈ 0 et 𝜑3 ≈ 0
𝜋
Si 𝜔 ≫ 𝜔0 alors 𝑇3 ≈ 𝑇0 donc 𝐺3 ≈ 𝐺0 et 𝜑3 ≈ 2
𝜋
Si 𝜔 = 𝜔0 alors 𝑇3 = 1 + 𝑗 donc 𝐺3 = 20 𝐿𝑜𝑔 2 ≈ 3 𝑑𝐵 et 𝜑3 = 4
𝜔
𝜑3 = 𝐴𝑟𝑐𝑡𝑎𝑛 𝜔0
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𝟏 𝟏
𝑻𝟒 = 𝝎 =𝑻
𝟏+𝒋 𝟑
𝝎𝟎
𝜑4 = −𝐴𝑟𝑔(𝑇3 )
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𝝎
𝒋
𝝎𝟎
𝑻𝟓 = 𝝎 = 𝑻𝟎 × 𝑻𝟒
𝟏+𝒋
𝝎𝟎
𝐺5 = 𝐺0 + 𝐺4
𝜑5 = 𝜑0 + 𝜑4
Filtres
Un filtre est un dispositif qui permet de transmettre une plage de fréquence de bloquer d’autres.
La plage transmise est appelé bande passante du filtre.
Un filtre est dit passif s’il ne comporte que des éléments passifs.
Il est actif s’il contient au moins un élément actif.
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Bande passante :
𝑇 𝑚𝑎𝑥
𝐵 = 𝜔 𝑡𝑒𝑙 𝑞𝑢𝑒 𝑇 𝜔 ≥
2
𝜔 2
Ce qui donne : 1 + ≤ 2 d’où : 𝜔 ≤ 𝜔0
𝜔0
Donc : 𝑩 = [𝟎, 𝝎𝟎 ]
Exemples :
*/ Circuit RC :
1
𝑈0 𝑗𝐶𝜔 1
𝑇= = =
𝐸𝑖𝑛 1
𝑅 + 𝑗𝐶𝜔 1 + 𝑗𝑅𝐶𝜔
1
On pose donc : 𝜔0 = 𝑅𝐶
𝑈 1
Alors : 𝑇 = 𝐸 0 = 𝜔
𝑖𝑛 1+𝑗
𝜔0
𝑈 1 𝑈0 1
A la fréquence de coupure on a 𝐸 0 = 1+𝑗 donc =
𝑖𝑛 𝐸𝑖𝑛 2
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𝑈0 2 1 𝐸 2 1
Alors la puissance à la charge 𝑃𝑐𝑎𝑟𝑔𝑒 = 𝑅 = 2 𝑅 𝑖𝑛 = 2 𝑃𝑚𝑎𝑥𝑖𝑚𝑎𝑙𝑒 𝑑𝑖𝑠𝑝𝑜𝑛𝑖𝑏𝑙𝑒
𝐿𝑜𝑎𝑑 𝐿𝑜𝑎𝑑
*/ Circuit RL :
𝑈 1 𝑅
On obtient de même : 𝑇 = 𝐸 0 = 𝜔 avec 𝜔0 =
𝑖𝑛 1+𝑗 𝐿
𝜔0
Bande passante :
𝜔
𝑇 𝑚𝑎𝑥 |𝑇0 | |𝑇0 |
𝜔0
𝑇 𝜔 ≥ ≥
2 2 2
𝜔
1+
𝜔0
𝜔 2 𝜔 2
Ce qui donne : 2 ≥1+ d’où : 𝜔 ≥ 𝜔0
𝜔0 𝜔0
Exemples :
*/ Circuit RC :
𝜔
𝑈𝑜 𝑅 𝑗𝑅𝐶𝜔 𝑗 1
𝜔0
On a : 𝑇 = 𝐸 = 1 = 1+𝑗𝑅𝐶𝜔 = 𝜔 en posant 𝜔0 = 𝑅𝐶
𝑖𝑛 𝑅+ 1+𝑗
𝑗𝐶𝜔 𝜔0
*/ Circuit RL :
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𝜔
𝑈𝑜 𝑗 𝑅
𝜔0
De même on trouve : 𝑇 = 𝐸 = 𝜔 avec 𝜔0 =
𝑖𝑛 1+𝑗 𝐿
𝜔0
1
𝑚 ∶ 𝑓𝑎𝑐𝑡𝑒𝑢𝑟 𝑑′ 𝑎𝑚𝑜𝑟𝑡𝑖𝑠𝑠𝑒𝑚𝑒𝑛𝑡 ; 𝑚 > 0 𝑡𝑒𝑙 𝑞𝑢𝑒 𝑚 =
2 𝑄0
Pour 𝝎 ≫ 𝝎𝟎 :
1 𝜔 2 𝜔
𝑇≈ 𝜔 2 donc 𝐺 ≈ −20 𝐿𝑜𝑔 = −40 𝐿𝑜𝑔
𝑗 𝜔0 𝜔0
𝜔0
Et 𝐴𝑟𝑔 |𝑇| ≈ −𝜋
Pour 𝝎 ≪ 𝝎𝟎 :
𝑇 ≈ 1 donc 𝐺 ≈ 0 et 𝐴𝑟𝑔 𝑇 ≈0
𝜔 𝜔 2 𝜔
Soit 𝐷 = 1 + 2𝑗𝑚 𝜔 + 𝑗 𝜔 et 𝑥 = 𝑗 𝜔
0 0 0
Donc 𝐷 = 1 + 2𝑚𝑥 + 𝑥 2
∆= 4(𝑚2 − 1)
*/ Si 𝒎 ≥ 𝟏 (∆≥ 𝟎)
On obtient : 𝐷 = 𝑥 − 𝑥1 (𝑥 − 𝑥2 )
Avec 𝑥1 = −𝑚 − 𝑚2 − 1 et 𝑥2 = −𝑚 + 𝑚2 − 1
𝜔 𝜔
D’où : 𝐷 = 𝑗 𝜔 + 𝑚 + 𝑚2 − 1 𝑗 𝜔 + 𝑚 − 𝑚2 − 1
0 0
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𝜔 𝜔
Donc : 𝐷 = 𝑚 + 𝑚2 − 1 𝑚 − 𝑚2 − 1 𝑗 +1 𝑗 +1
𝜔 0 𝑚+ 𝑚 2 −1 𝜔 0 𝑚− 𝑚 2 −1
𝜔 𝜔
Alors : 𝐷 = 1 + 𝑗 𝜔 1+𝑗𝜔 en posant : 𝜔1 = 𝜔0 𝑚 − 𝑚2 − 1 et 𝜔2 = 𝜔0 𝑚 + 𝑚2 − 1
1 2
*/ Si 𝒎 < 1
𝜔 2 2 𝜔 2
𝐷 = 1− + 4𝑚2
𝜔0 𝜔0
𝜔 2
2
Soit 𝑌 = 𝐷 et 𝑥 = 𝜔0
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Alors 𝑌 ′ = 2 2𝑚2 − 1 + 𝑥
𝒙 𝟎 𝟏 − 𝟐𝒎𝟐 +∞
𝝎 0 𝜔0 1 − 2𝑚2 +∞
𝒀′ − 0 +
1 +∞
𝒀 2 2
4𝑚 1 − 𝑚
1 +∞
𝑫
2𝑚 1 − 𝑚2
1
𝑯 2𝑚 1−𝑚 2
1 0
−20 𝐿𝑜𝑔 2𝑚 1 − 𝑚2
𝑮
0 −∞
𝟏
*/ Si 𝒎 ∈ ] , 𝟏[ :
𝟐
37
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𝟏
De même on obtient pour 𝒎 ∈ [𝟎, ]
𝟐
38
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*/ pour 𝝎 ≫ 𝝎𝟎 :
𝜔
2𝑗𝑚 1 1 𝜔0
𝜔0
𝐻≈ 𝜔 2
= 1 𝜔 = 𝜔 en posant 𝜔1 = 2𝑚 𝜔0 =
𝑗 𝑗 𝑗 𝑄0
𝜔0 2𝑚 𝜔 0 𝜔1
*/ pour 𝝎 ≪ 𝝎𝟎 :
𝜔 𝜔 𝜔
𝐻 ≈ 2𝑗𝑚 𝜔 = 𝑗 𝑄 = 𝑗 𝜔 en posant 𝜔2 = 𝑄0 𝜔0
0 0 𝜔0 2
On a : 𝜔1 = 𝜔2 𝑄0 = 1
39
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Bande passante :
𝑇 𝑚𝑎𝑥 |𝑇0 | |𝑇0 |
𝑇 𝜔 ≥ ≥
2 2
𝜔 𝜔0 2
1+𝑄0 2 −
𝜔0 𝜔
𝜔 𝜔0 2 𝜔 𝜔0
On résous : 𝑄0 2 − = 1 alors 𝑄0 − = ±1
𝜔0 𝜔 𝜔0 𝜔
Donc : 𝑄0 𝜔2 ± 𝜔0 𝜔 − 𝑄0 𝜔0 2 = 0
1
Alors : ∆= 𝜔0 2 + 4𝑄0 2 𝜔0 2 donc ∆= 𝜔0 1 + 𝑚 2
−𝜔 0 +𝜔 0 1+4𝑄0 2
𝜔1 = 2𝑄0
𝜔 0 +𝜔 0 1+4𝑄0 2
𝜔2 = 2𝑄0
40
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𝜋
𝐴𝑟𝑔 𝐻 = 2 + 𝐴𝑟𝑔 𝐻𝑃𝑎𝑠𝑠𝑒 𝑏𝑎𝑠
Exemples :
𝑈0 𝑅 1 1 1
On a : 𝑇 = = 1 = 𝐿 1 = 𝐿 𝐿𝐶 1
=
𝐸𝑖𝑛 𝑅+𝑗𝐿𝜔 + 1+𝑗 𝜔− 1+𝑗 𝐿𝐶𝜔− 1 𝐿 1 𝐿 1
𝑗𝐶𝜔 𝑅 𝑅𝐶𝜔 𝑅 𝐿𝐶 𝑅𝐶 𝐿𝐶 𝜔 1+𝑗 𝐿𝐶𝜔−
𝑅 𝐶 𝑅 𝐶 𝐿𝐶 𝜔
1 1 𝐿 𝑋 𝐿 (à 𝑙𝑎 𝑓𝑟 é𝑞𝑢𝑒𝑛𝑐𝑒 𝑑𝑒 𝑟é𝑠𝑜𝑛𝑛𝑎𝑐𝑒 ) 1
En posant 𝜔0 = et 𝑄0 = 𝑅 = on obtient : 𝑇 = 𝜔 𝜔0
𝐿𝐶 𝐶 𝑅 1+𝑗 𝑄0 −
𝜔0 𝜔
𝑈 1 1 𝐶 𝑅
De même on trouve que : 𝑇 = 𝐸 0 = 𝜔 𝜔0 avec 𝜔0 = et 𝑄0 = 𝑅 =𝑋
𝑖𝑛 1+𝑗 𝑄0 − 𝐿𝐶 𝐿 𝐿 (à 𝑙𝑎 𝑝𝑢𝑙𝑠𝑎𝑡𝑖𝑜𝑛 𝜔 0 )
𝜔0 𝜔
𝜔 2 𝜔 2
1+ 𝑗 𝑗
𝜔0 𝜔0
Si 𝜔 ≫ 𝜔0 alors 𝐻 = 𝜔 𝜔 2
≈ 𝜔 2
= 1 donc 𝐺 = 0
1+2𝑗𝑚 + 𝑗 𝑗
𝜔0 𝜔0 𝜔0
Si 𝜔 ≪ 𝜔0 alors 𝐻 ≈ 1 donc 𝐺 = 0
Si 𝜔 = 𝜔0 alors 𝐻 = 0 donc 𝐺 → −∞
41
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Exemples :
1 𝐿 𝜔 𝜔0
𝑈0 𝑗 𝐿𝜔 − 𝑗 − 1
𝐶𝜔 𝐶 𝜔0 𝜔
On a : 𝑇 = 𝐸 = 1 = avec 𝜔0 =
𝑖𝑛 𝑅+𝑗 𝐿𝜔 − 𝐿 𝜔 𝜔0 𝐿𝐶
𝐶𝜔 𝑅+𝑗 −
𝐶 𝜔0 𝜔
1 𝐿 𝜔 𝜔0 𝜔 𝜔0
𝑗 − 𝑗 𝑄0 − 1 𝐿
𝑅 𝐶 𝜔0 𝜔 𝜔0 𝜔
D’où : 𝑇 = = 𝜔 𝜔0 avec 𝑄0 = 𝑅
1 𝐿 𝜔 𝜔0 1+𝑗 𝑄0 − 𝐶
1+𝑗 − 𝜔0 𝜔
𝑅 𝐶 𝜔0 𝜔
𝜔 𝜔0 𝜔 𝜔 𝜔 𝜔0
𝑗 𝑄0 − 𝜔 𝜔0 2𝑗𝑚 − − 1
𝜔0 𝜔 𝜔0 𝜔0 𝜔0 𝜔
Donc : 𝑇 = 𝜔 𝜔0 = 𝑗𝑄0 − 𝜔 𝜔 2
= 𝜔 𝜔 2
avec 𝑚 = 2𝑄
1+𝑗 𝑄0 − 𝜔0 𝜔 1+2𝑗𝑚 + 𝑗 1+2𝑗𝑚 + 𝑗 0
𝜔0 𝜔 𝜔0 𝜔0 𝜔0 𝜔0
𝜔 2 𝜔 2
1− 1+ 𝑗
𝜔0 𝜔0
Alors : 𝑇 = 𝜔 𝜔 2
= 𝜔 𝜔 2
1+2𝑗𝑚 + 𝑗 1+2𝑗𝑚 + 𝑗
𝜔0 𝜔0 𝜔0 𝜔0
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𝜔 2
𝑈0 1+ 𝑗 1 1 𝐶
𝜔0
De même on trouve que : 𝑇 = 𝐸 = 𝜔 𝜔 2
avec 𝜔0 = et 𝑄0 = 2𝑚 = 𝑅
𝑖𝑛 1+2𝑗𝑚 + 𝑗 𝐿𝐶 𝐿
𝜔0 𝜔0
PW : « Pulse Width » ou largeur d’impulsion. Cette valeur correspond à la durée de l’impulsion. Sa valeur
est donnée en temps (secondes).
SW : « Space Width » ou espace entre deux impulsions. Cette valeur correspond au temps entre deux
impulsions.
𝑃𝑊
𝐶𝑜𝑒𝑓𝑓𝑖𝑐𝑖𝑒𝑛𝑡 𝑑 ′ 𝑢𝑡𝑖𝑙𝑖𝑠𝑎𝑡𝑖𝑜𝑛 % = × 100
𝑇
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Circuit intégrateur :
Un intégrateur est un circuit électronique permettant d’obtenir à sa sortie la valeur moyenne de l’onde
𝐸𝑚𝑜𝑦.
La condition à respecter pour obtenir un bon intégrateur est que la constante de temps du réseau soit au
moins 10 fois supérieure à la largeur d’impulsion PW de l’onde traitée.
Un différentiateur est un réseau électronique permettant d’obtenir à sa sortie des impulsions lors des
fronts de montée et de descente de l’onde rectangulaire appliquée à l’entrée de celui-ci.
La condition à respecter pour obtenir les résultats désirés est que la constante de temps du réseau soit au
moins 10 fois plus petite que la largeur d’impulsion PW de l’onde traitée.
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Transformateurs d’alimentation :
Le transformateur est constitué de deux bobines positionnées de telle sorte que le champ
magnétique, produit par l’une, parcourt les enroulements de l’autre. Pour repérer ces
dernières, on appelle primaire la bobine alimentée par la source CA et secondaire, la bobine
raccordée à la charge.
Symbole :
Rapport de transformation :
Cette relation montre lorsqu’un transformateur est dévolteur (n<1), le courant du secondaire est supérieur
à celui du primaire, et lorsqu’un transformateur est survolteur (n>1), le courant au secondaire sera
inférieur à celui du primaire. Ceci explique aussi les différences de grosseur des fils observées entre le
primaire et le secondaire d’un transformateur.
Comportement en courant :
𝑃𝑒𝑛𝑡𝑟 é𝑒 = 𝑃𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒
𝑈𝑝 𝐼𝑝 = 𝑈𝑠 𝐼𝑠
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La tension de secondaire est différente avec et sans charge. Ceci est causé par la résistance interne. Elle
provient de la résistance des fils utilisés pour les enroulements et de diverses pertes du transformateur.
𝐸𝑠𝑁𝐿 − 𝐸𝑠𝐹𝐿
𝑅𝑖𝑛𝑡 =
𝐼𝑠𝐹𝐿
Autres types de transformateurs :
C’est un transformateur délivrant à sa sortie deux tensions d’amplitudes identiques en opposition de phase.
Symbole :
On peut bobiner plus d’un enroulement secondaire autour d’un même noyau.
Symbole :
Autotransformateur :
Le primaire et le secondaire partagent ensemble une partie de leur enroulement. Toutes les règles vues
précédemment concernant les transformateurs s’appliquent à ce type de transformateur.
Symbole :
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Chapitre 1 : Diodes
Les semi-conducteurs :
Les semi-conducteurs sont des corps dont la résistivité est intermédiaire entre celle des conducteurs et
celle des isolants. Parmi les corps simples utilisés en électronique, le germanium et le silicium sont des
semi-conducteurs. Leur résistivité est plusieurs centaines de milliers de fois plus grande que le cuivre. Le
silicium est le corps le plus abondant dans la nature puisqu'il est à la base de la plupart des roches. Sa
température de fusion est de l'ordre de 2000 °C. L'arséniure de gallium, alliage d'arsenic (5 électrons sur la
couche externe) et de gallium (3 électrons), se comporte comme un corps qui aurait 4 électrons sur sa
couche externe, comme le germanium ou le silicium. Il est principalement utilisé en très hautes fréquences.
Un semi-conducteur dont la conductivité ne doit rien à des impuretés est dit intrinsèque.
Dopage :
Dopage type P
Lors de la formation du cristal de silicium il suffit d'introduire une infime quantité d'impuretés sous la
forme d'atomes d'aluminium (possédant seulement 3 électrons sur leur couche externe) pour que le
nombre de trous dans le cristal augmente considérablement. Le cristal est dit dopé et comme les porteurs
de charges majoritaires sont des trous, positifs, le cristal est dit dopé P. Les électrons libres qui
correspondent à la conductivité intrinsèque sont appelés porteurs minoritaires.
Si un électron est arraché d'un atome voisin et vient combler le trou, tout se passe comme si c'était le trou
qui s'était déplacé.
On peut également doper le cristal avec des impuretés pentavalentes (atomes possédant 5 électrons sur
leur couche externe), comme l'arsenic ou l'antimoine. On se retrouve alors avec un électron
supplémentaire, donc libre. Les porteurs de charges majoritaires sont alors de polarité négative, le cristal
est dit dopé N. Les porteurs de charge minoritaires sont dans ce cas les trous (positifs) de la conductivité
intrinsèque.
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Dopage type N
La jonction PN :
Une jonction est constituée par la réunion de deux morceaux de semi-conducteurs dopés P et N. Les
connexions avec le milieu extérieur sont réalisées par des contacts métalliques.
En pratique, on part d’une plaque de silicium dopée N sur laquelle on crée en général par diffusion une
zone dopée P. On sait donner à la zone de séparation entre les deux matériaux nommée la zone de
transition (déplétion), une épaisseur très faible (typiquement 0.5 μm).
Par effet de diffusion, les électrons du coté N traversent du côté P et remplissent les trous. Les atomes du
coté P, ayant besoin d’électrons pour compléter leurs liens covalents les prennent. Ces atomes, étant
évidemment près de a jonction, deviennent des ions négatifs à cause de l’électron de trop dans leur
structure. De l’autre coté, les atomes ayant un électron de trop pour compléter leurs liaisons covalentes
perdent cet électron et deviennent des ions positifs. On a alors autour de la jonction l’apparition de ce
qu’on appelle un dipôle. Ce processus va se continuer jusqu’à ce que le champ électrique crée par le dipôle
soit assez puissant pour empêcher d’autres électrons de traverser la jonction ; on aura alors l’équilibre. Cet
équilibre se fait jusqu’à environ 0.7 v.
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La diode est un composant passif qui fait partie de la famille des semi-conducteurs, il en constitue
d’ailleurs le plus simple élément.
Polarisation en directe :
Tout le matériel est conducteur, autant du côté P que du côté N, sauf dans la zone de déplétion où il n’y a
pas de porteurs majoritaires. Le champ électrique causé par la pile va s’opposer à celui du dipôle et, par
surcroît, l’annuler.
Les électrons entrent du côté N et pénètrent ensuite dans la zone de déplétion comme électrons libres en
annulant les ions positifs. Ceux qui quittent, du coté P, laissent des trous qui atteignent la zone de
déplétion annulant les ions négatifs. A la jonction, les électrons du côté N tombent dans les trous du côté P
et atteignent la sortie du bloc P par courant de trous. La zone de déplétion n’existe donc plus et toute la
diode est conductrice.
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Polarisation en inverse :
Le champ électrique causé par la source s’additionne à celui du dipôle. La zone de déplétion s’épaissit
jusqu’à ce que son potentiel soit égal à celui de la source. La zone de déplétion n’étant pas conductrice, la
diode est bloquée, c'est-à-dire plus un courant ne le traverse.
Caractéristique courant-tension :
Diode idéale :
En polarisation directe : la résistance de la diode est nulle. Elle se comporte comme un interrupteur fermé.
Diode réelle :
En polarisation inverse : le courant inverse est très faible mais il croît rapidement avec la température de la
jonction.
En polarisation directe : au-delà de la tension de seuil (0.6 v pour le silicium), la diode est conductrice, on
𝑑𝑈
peut définir la résistance dynamique 𝑅𝐷 = (trait vert)
𝑑𝐼
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Principe de fonctionnement :
Diode électroluminescente :
Une diode électroluminescente, couramment abrégée sous le sigle DEL, et de plus en plus souvent sous
l'anglicisme LED (pour light-emitting diode), est un composant électronique, une diode, capable d'émettre
de la lumière lorsqu'il est parcouru par un courant électrique.
Une DEL produit un rayonnement monochromatique incohérent à partir d'une transformation d'énergie.
Elle fait partie de la famille des composants optoélectroniques.
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Diode Zener :
C’est une diode conçu pour fonctionner en polarisation inverse.
Lorsqu’elle est polarisée en directe elle se comporte comme une diode à jonction.
Symbole :
La diode Zener génère sa propre tension lorsqu’elle est polarisé en inverse à condition que sa tension de
polarisation soit supérieure à sa tension propre VZ, sinon elle génère la tension d’alimentation.
Exemple :
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Chapitre 2 : Redressement
Le redressement est la conversion d’une tension alternative en une tension continue.
Symbole synoptique :
On a 𝑢 = 𝑣 − 𝑢𝐷
Calcul de 𝒖𝒎𝒐𝒚 :
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𝑇/2
1 𝑣𝑚𝑎𝑥 𝑇/2 2 𝑣𝑚𝑎𝑥 𝑣𝑚𝑎𝑥
𝑢𝑚𝑜𝑦 = 𝑣𝑚𝑎𝑥 𝑆𝑖𝑛 𝜔𝑡 𝑑𝑡 = − 𝐶𝑜𝑠 𝜔𝑡 0 = =
𝑇 0 𝑇𝜔 𝑇𝜔 𝜋
2 𝑣𝑚𝑎𝑥
𝑈𝑚𝑜𝑦 =
𝜋
On voit donc que 𝑃𝐼𝑉 (Peak Inverse Voltage) des diodes est : −𝟐 𝒆𝒄𝒓ê𝒕𝒆 + 𝟎. 𝟕𝑽
Durant l’alternance positive de 𝑣 : les diodes D1 et D3 sont passantes, et les diodes D2 et D4 sont bloquées,
donc on obtient par la loi des mailles 𝒖 = 𝒗 − 𝟐𝑽𝒔 = 𝒗 − 𝟏. 𝟒 𝑽 et 𝑼𝑫𝟐 = 𝑼𝑫𝟏 − 𝒗 = 𝟎. 𝟕𝑽 − 𝒗
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2 𝑣𝑚𝑎𝑥
𝑈𝑚𝑜𝑦 =
𝜋
On voit donc que 𝑃𝐼𝑉 (Peak Inverse Voltage) des diodes est : −𝒗𝒄𝒓ê𝒕𝒆 + 𝟎. 𝟕𝑽
Ceci est une répétition du redressement pleine onde avec un transformateur à prise médiane. On utilise en
parallèle, deux circuits de ce genre.
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Chapitre 3 : Filtrage
Le circuit de filtrage le plus répandu est celui utilisant un condensateur. Ce dernier est branché à la suite du
redressement. Grace au condensateur, on retrouve une tension CC fixe à la sortie du bloc d’alimentation.
Dès que 𝑉𝐴 > 𝑉𝐾 la diode est passante : le condensateur se charge rapidement via la résistance interne de
la diode jusqu’à la tension 𝑉 − 0.7𝑉
Dès que 𝑉𝐴 < 𝑉𝐾 la diode est bloquée : le condensateur se décharge dans 𝑅𝑢 avec une constante de temps
𝜏 = 𝑅𝑢 𝐶 et 𝑉𝐴𝐾 = 𝑒 − 𝑈 donc le PIV de la diode peut atteindre −𝟐 𝒆𝒄𝒓ê𝒕𝒆 + 𝟎. 𝟕𝑽
Ronflement :
C’est la variation 𝒆𝒓 de tension aux bornes du condensateur causée par la charge et la décharge :
𝑒𝑟
𝑈𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒 𝐶𝐶 = 𝑈𝑚𝑜𝑦 = 𝑒𝑐𝑟ê𝑡𝑒 − 0.7𝑉 − 2
𝑒𝑟
On définit l’indice de ronflement (Ripple Index) par 𝜂 = 𝑈
𝑚𝑎𝑥
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Calcul du condensateur :
𝐼
On a montré que : ∆𝑈𝐶 = 𝐶 ∆𝑡 pour un courant demandé par la charge constant (ce qui est vrai dans les appareils
pratiques)
1
En prenant ∆𝑡 la période entre deux recharges ∆𝑡 = 𝑓 on obtient donc ∆𝑈𝐶 = 𝑒𝑟 et 𝐼 = 𝐼𝑚𝑜𝑦 alors :
𝑟𝑜𝑛𝑓𝑙𝑒𝑚𝑒𝑛𝑡
𝑰𝒎𝒐𝒚
𝑪=
𝒆𝒓 𝒇𝒓𝒐𝒏𝒇𝒍𝒆𝒎𝒆𝒏𝒕
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𝑅𝑡 = 𝑅//(𝑅𝑖𝑛𝑡 + 𝑅𝑑 )
𝐸
Donc : 𝐼𝑠𝑢𝑟𝑔𝑒 = 𝑅𝑡
𝑡
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Chapitre 4 : Régulateurs
Nous avons vu dans les chapitres précédents comment transformer une source d’énergie
alternative en une source d’énergie continue. Cependant, une telle alimentation est à la
merci des fluctuations de la tension du secteur, il est donc important d’obtenir une tension
stable à la sortie du bloc d’alimentation, indépendante des variations de son environnement.
Le régulateur de tension positive à trois broches de la famille 7800 est un exemple de régulateur
monolithique :
Ces régulateurs sont préréglés à 5, 6, 8, 12, 18 ou 24 volts. Par exemple une 7805 est un régulateur à 5
volts et un 7824 est un régulateur à 24 volts.
La figure est valable seulement pour la série 7800 (positifs) et 7900 (négatifs).
Ces régulateurs se présentent installés dans plusieurs sortes de boîtiers différents. Les principaux boîtiers
dans lesquels on les retrouve sont le TO-220 et le TO-3 :
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La dimension physique du radiateur à employer est déterminée par la quantité de chaleur que le
régulateur aura à dégager ; il faut donc connaître la puissance à dissiper :
On doit ensuite consulter les caractéristiques du régulateur employé afin de trouver sa résistance
thermique 𝜃𝑗𝑐 . Celle-ci est exprimée en °C/W. Dans un boitier TO-220, elle vaut 5°C/W et dans un boitier
TO-3, elle vaut 5,5 °C/W.
Exemple :
Un régulateur installé dans un boitier TO-220 avait à dissiper 10W, quelle serait la résistance thermique du
radiateur à installer ?
𝑇𝑎 ∶ Température ambiante
Donc la résistance thermique du radiateur doit être au maximum : 𝜃𝑠𝑎 = 10°𝐶/𝑊 − 5°𝐶/𝑊 = 5°𝐶/𝑊
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Il est à remarquer que plus 𝜃𝑠𝑎 est grand, plus le radiateur est petit.
Données :
𝑈𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒 = 5𝑉
𝑈𝑑𝑖𝑓𝑓 é𝑟𝑒𝑛𝑡𝑖𝑒𝑙𝑙𝑒 = 9𝑉
𝑇𝑎 = 25 °𝐶
𝐼𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒 = 750𝑚𝐴
𝑒𝑟 = 3.2𝑉 𝑐 − à − 𝑐 100𝐻𝑧
𝐵𝑜𝑖𝑡𝑖𝑒𝑟 𝑇𝑂 − 220
Solution :
On a 𝑃𝑑 = 9𝑉 × 750𝑚𝐴 = 6.75𝑊
100°𝐶
Donc 𝜃𝑠𝑎 = 6,75𝑊 − 5°𝐶/𝑊 = 9.8°𝐶/𝑊
𝑒𝑟 3.2
𝑈𝑚𝑎𝑥 = 𝑈𝑒𝑛𝑡𝑟 é𝑒 + = 9𝑉 + 5𝑉 + = 15.6𝑉
2 2
15.6𝑉+1.4𝑉
𝐸𝑠 (𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑓𝑜𝑟𝑚𝑎𝑡𝑒𝑢𝑟 ) = = 12𝑉 𝑟𝑚𝑠
2
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Il existe une solution au désavantage des régulateurs fixes ; une famille de régulateurs ajustables existe. Le
LM317, un régulateur positif et le LM337, un régulateur négatif, ont cette propriété.
𝑅2
𝑈𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒 = 1.25𝑉 1 + 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑅1 = 250 𝛺
𝑅1
Le choix de la valeur de R1 vient du fait que ce régulateur exige un courant minimum de sortie de 5mA
1.25𝑉
pour fonctionner : 𝑅1 = = 250 𝛺
5𝑚𝐴
La résistance thermique de cette puce est 2,3 °C/W pour le boitier TO-3 et 5°C/W pour le boitier TO-220
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L’amplificateur opérationnel idéal fournit une tension de sortie analogique qui est proportionnelle à la
différence de tension entre ses bornes d’entrée.
Symbole de l’aop
L’aop, sans circuit externe de contre-réaction de la sortie vers l’entrée inverseuse, est décrit comme étant
en boule ouverte. En boucle ouverte, les caractéristiques de l’aop idéal sont les suivantes :
Gain différentiel = ∞
Impédance d’entrée = ∞ Ω
Impédance de sortie = 0 Ω
Bande passante = ∞ Hz
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La contre-réaction négative :
On utilise deux règles simples pour faire l’analyse du comportement des amplificateurs opérationnels.
Celles-ci découlent des caractéristiques idéales de l’aop :
Règle 1 : La sortie va tout tenter pour réduire la tension différentielle d’entrée à zéro.
𝑉+ = 𝑉−
𝐼 = 𝐼− = 0
+
𝑅𝑒 ∶ Impédance d’entrée, très élevée et permet de ne pas perturber la source de tension connectée à
l’entrée.
𝑅𝑠 ∶ Impédance de sortie, très faible et permet de rendre la tension de sortie quasiment indépendante de
la charge connectée à la sortie.
67
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Montage non-inverseur :
𝑉+ = 𝑉−
𝐼 = 𝐼− = 0
+
𝑈 𝑅1+𝑅2 𝑅2
On voit que : 𝐴𝑉 = 𝑈𝑠 = = 1 + 𝑅1
𝑒 𝑅1
𝑅1+𝑅2 𝑅3
On note 𝑅𝑒𝑞 = (𝑅2 + 𝑅1)//𝑅3 = et 𝑈3 la tension aux bornes de R3 tel qu’on a :
𝑅1+𝑅2+𝑅3
𝑅1 𝑅2
𝑈𝑒 = 𝑅1+𝑅2 𝑈3 donc 𝑈3 = 1 + 𝑅1 𝑈𝑒
𝑅𝑒𝑞
En rassemblant les résistances R1, R2 et R3 on écrit : 𝑈3 = 𝑅 𝑈𝑠
𝑒𝑞 +𝑅4
𝑅4 𝑅2 𝑹𝟒 𝑹𝟏+𝑹𝟐+𝑹𝟑 𝑹𝟐
Donc : 𝑈𝑠 = 1 + 𝑅 1 + 𝑅1 𝑈𝑒 d’où : 𝑨𝑽 = 𝟏 + 𝟏+
𝑒𝑞 𝑹𝟏+𝑹𝟐 𝑹𝟑 𝑹𝟏
Montage inverseur :
68
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𝑈𝑒 𝑈𝑠
+
𝑈1 = 𝑅1 𝑅2
1 1
𝑅1 + 𝑅2
𝑅2
Or U1=0, on déduit donc que : 𝐴𝑉 = − 𝑅1
On voit que la tension de sortie est en opposition de phase par rapport à la tension d’entrée.
𝑉𝑒
L’impédance d’entrée 𝑍𝑒 = = 𝑅1
𝐼𝑒
𝑈𝑒 𝑉2
+
𝑉1 = 𝑅1 𝑅2
1 1
𝑅1 + 𝑅2
𝑅1
Or V1=0, on déduit donc que : 𝑈𝑒 = − 𝑅2 𝑉2
𝑉1 0 𝑈𝑠
+ + 𝑈𝑠 1
𝑉2 = 𝑅2 𝑅3 𝑅4 =
1 1 1 𝑅4 1 + 1 + 1
𝑅2 + 𝑅3 + 𝑅4 𝑅2 𝑅3 𝑅4
𝑅1 𝑅1 1 1
Donc : 𝑈𝑒 = − 𝑅2 𝑉2 = − 𝑅2 𝑅4 1 1 1 𝑈𝑠
+ +
𝑅2 𝑅3 𝑅4
𝟏 𝟏 𝟏
𝑹𝟐 𝑹𝟒 + +
𝑹𝟐 𝑹𝟑 𝑹𝟒
Alors : 𝑨𝑽 = −
𝑹𝟏
Montage suiveur :
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𝐴𝑉 = 1
Le rôle de circuit est de servir d’interface entre une source de signal et la charge.
𝑈1 𝑈2 𝑈𝑛 𝑈𝑠
+ + +
𝑉 = 𝑅1 𝑅2 𝑅𝑛 𝑅
−
1 1 1 1
𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅𝑛 + 𝑅
𝑼𝟏 𝑼𝟐 𝑼𝒏
Or 𝑉 − = 0 donc : 𝑼𝒔 = −𝑹 + +
𝑹𝟏 𝑹𝟐 𝑹𝒏
𝑅3
Le diviseur de tension donne : 𝑉 − = 𝑈 = 𝑅3+𝑅4 𝑈2
𝑈 1 𝑈𝑠
+
Millman au potentiel 𝑉 − donne : 𝑉 − = 𝑅1 𝑅2
1 1
+
𝑅1 𝑅2
𝑈 1 𝑈𝑠
𝑅3 +
Donc : 𝑅3+𝑅4 𝑈2 = 𝑅1 𝑅2
1 1
+
𝑅1 𝑅2
𝑈𝑠 𝑅3 1 1 𝑈1
Alors : 𝑅2 = 𝑅3+𝑅4 + 𝑅2 𝑈2 − 𝑅1
𝑅1
𝑹𝟑 𝑹𝟐 𝟏 𝟏 𝑹𝟐
Enfin : 𝑼𝒔 = 𝑹𝟑+𝑹𝟒 + 𝑹𝟐 𝑼𝟐 − 𝑹𝟏 𝑼𝟏
𝑹𝟏
𝑹𝟐
𝑼𝒔 = (𝑼𝟐 − 𝑼𝟏)
𝑹𝟏
70
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Autre :
La juxtaposition de deux jonctions PN conduit au transistor dans lequel interviennent les deux types de
porteurs d’où l’appellation de transistor bipolaire.
71
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On doit envisager les configurations NPN et PNP. Les trois électrodes d’un transistor bipolaire se nomment :
émetteur, base et collecteur.
Emetteur :
Il est fortement dopé afin d’être capable « d’émettre » aisément des porteurs et il est de dimension
moyenne.
Base :
Elle est légèrement dopée car elle se doit d’être résistive et sa dimension est mince.
Collecteur :
Il est moyennement dopé et de grande dimension car il a à supporter de grandes tensions en inverse et
c’est aussi lui qui a à dissiper la plus grande partie de la chaleur émise par le transistor.
1/ Commutation :
Si on polarise les 2 jonctions BE et BC en inverse alors le transistor est bloqué. Aucun courant ne circule,
𝐼𝑐 = 0 et 𝐼𝑏 = 0
Si les 2 jonctions sont polarisés en directe alors le transistor est saturé. On aura un courant très important
entre E et B et entre C et B.
72
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La jonction BE étant passante les électrons libres de l’émetteur peuvent diffuser de E dans B.
La grande majorité de ces électrons peuvent atteindre et surpasser la jonction BC, ils sont collectés par le
champ intense E qui règne dans cette jonction.
Ces électrons arrivent dans C avec une vitesse importante donc une énergie cinétique importante, cette
énergie est transformé en chaleur dans C, d’où l’intérêt d’avoir un collecteur assez large.
NB : Pour le transistor PNP, le principe de fonctionnement reste le même sauf qu’il faut raisonner sur les
trous au lieu des électrons.
On a : 𝐼𝑒 = 𝐼𝑏 + 𝐼𝑐
Plus Vce est grande plus le courant Ic est intense, car Vce=Vcb+Vbe ; et à une certaine tension Vce on
obtient : 𝐼𝑐 = 𝛽 𝐼𝑏 avec 𝛽 est le gain en courant. On dit que le transistor fonctionne en régime linéaire.
Résumé :
𝑉𝑏𝑒 ≈ 0.7𝑉
Si alors 𝐼𝑐 = 𝛽 𝐼𝑏
𝑉𝑐𝑒 > 1𝑉
Si Vce est très faible alors le transistor est saturé, il présentera alors entre le collecteur et l’émetteur une
résistance pratiquement nulle et le courant Ic tend vers la saturation.
Réseaux de caractéristiques :
73
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La courbe Ic=f(Vce) est paramétré par Ib, pour Ib=0 le transistor est bloqué.
Au-delà de 1v pour Vce, les caractéristiques deviennent des droites quasiment horizontales : donc tous les
porteurs injectés par l’émetteur sont collectés par le collecteur et Ic devient quasiment indépendant de
Vce.
La courbe Ic=f(Ib) représente le transfert en courant, elle est paramétrée par Vce.
La courbe Ib=f(Vbe) représente la caractéristique d’entrée, elle se confond avec la caractéristique d’une
diode à jonction.
𝑃 = 𝑉𝑐𝑒 𝐼𝑐
Egalement il affiche un courant et une tension maximale à ne pas dépasser 𝐼𝑐 𝑚𝑎𝑥 𝑒𝑡 𝑉𝑐𝑒 𝑚𝑎𝑥
𝑚 𝑃
𝑃 = 𝑉𝑐𝑒 𝐼𝑐 < 𝑃𝑚 donc 𝐼𝑐 < 𝑉𝑐𝑒
L’examen des caractéristiques du transistor montre qu’il existe des zones où son comportement est
pratiquement linéaire. On écrit donc :
𝑉𝑏𝑒 12 𝐼𝑏
= 11
𝐼𝑐 21 22 𝑉𝑐𝑒
𝑉𝑏𝑒
On sait que BE est une jonction PN alors on peut écrire 𝐼𝑏 = 𝐼0 𝑒 26 𝑚𝑉 donc :
𝑉𝑏𝑒
ln 𝐼𝑏 = ln 𝐼0 + 26 𝑚𝑉 ce qui donne : 𝑉𝑏𝑒 = 26𝑚𝑉 ln 𝐼𝑏 − ln 𝐼0
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𝑑𝑉𝑏𝑒 1 𝛽
Alors : 11 = = 26𝑚𝑉 = 26𝑚𝑉
𝑑𝐼𝑏 𝐼𝑏 𝐼𝑐
𝑰𝒄
𝒉𝟐𝟏 = 𝑰𝒃 à 𝑽𝒄𝒆 = 𝒄𝒐𝒏𝒔𝒕𝒂𝒏𝒕𝒆 ∶ C’est le gain en courant du transistor 𝛽.
𝑰𝒄
𝒉𝟐𝟐 = 𝑽𝒄𝒆 à 𝑰𝒃 = 𝒄𝒐𝒏𝒔𝒕𝒂𝒏𝒕𝒆 ∶ C’est l’admittance de sortie du transistor, elle généralement faible et
correspond à la pente des caractéristiques de sortie.
𝑽𝒃𝒆
𝒉𝟏𝟐 = à 𝑰𝒃 = 𝒄𝒐𝒏𝒔𝒕𝒂𝒏𝒕𝒆 ∶ Ce paramètre étant voisin de 0 (typiquement 10−5 à 10−6 ) sera toujours
𝑽𝒄𝒆
négligé.
Montage Darlington :
Le transistor Darlington est la combinaison de deux transistors bipolaires de même type (tous deux NPN ou
tous deux PNP), résultant en un composant hybride qui a encore des caractéristiques de transistor. Ces
deux transistors sont souvent intégrés dans un même boîtier. Le gain en courant du Darlington est égal au
produit des gains de chaque transistor.
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𝐼𝑐 = 𝐼𝑐1 + 𝐼𝑐2
𝐼𝑏 = 𝐼𝑏1
𝐼𝑒 = 𝐼𝑒2
𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑒2
𝑉𝑐𝑏 = 𝑉𝑐𝑏 1
𝑉𝑏𝑒 = 𝑉𝑏𝑒 1 + 𝑉𝑏𝑒 2
En posant 𝛽 = 𝛽1 + 𝛽2 + 𝛽2 𝛽1 on écrit : 𝑰𝒄 = 𝜷 𝑰𝒃
′ ′ ′ ′
En plus : 𝑉𝑏𝑒 = 𝑉𝑏𝑒 1 + 𝑉𝑏𝑒 2 = 11 𝐼𝑏1 + 11 𝐼𝑏2 = 11 𝐼𝑏 + 11 𝛽1 𝐼𝑏 + 𝐼𝑏 = 11 + 11 + 𝛽1 11 𝐼𝑏
′ ′
En posant 𝐻11 = 11 + 11 + 𝛽1 11 on écrit : 𝑽𝒃𝒆 = 𝑯𝟏𝟏 𝑰𝒃
i/ Amplificateur classe A : A base d’un seul transistor et traitant les deux alternances.
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ii/ Amplificateur classe A-B : C’est le classe A et suivie d’un étage collecteur commun pour avoir une
adaptation d’impédance.
Iii/ Amplificateur push-pull : Il génère en sa sortie une puissance assez importante, pour cela deux
transistors sont utilisés.
Polarisation du transistor :
Polariser un transistor c’est fixer son point de repos pour une application donnée. Ce point de repos est
représenté par 𝐼𝑏0 , 𝐼𝑐0 , 𝑉𝑏𝑒 0 , 𝑉𝑐𝑒0
𝑉𝑏𝑏 −𝑉𝑏𝑒
La loi des mailles donne 𝐼𝑏 = : c’est la droite d’attaque statique
𝑅𝑏
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𝑉𝑐𝑐 −𝑉𝑐𝑒
On trouve également 𝐼𝑐 = : c’est la droite de charge statique
𝑅𝑐
𝑉𝑐𝑐
On a une meilleur amplification pour 𝑉𝑐𝑒 = 2
Etude graphique :
On a 𝐼𝑏0 , 𝐼𝑐0 , 𝑉𝑏𝑒 0 , 𝑉𝑐𝑒0 sont les points de polarisation statique i.e pour Ve(t)=0
Le fonctionnement du transistor est composé d’une superposition d’un régime statique avec un autre
dynamique ceci peut être couplé par des condensateurs de liaisons pour les amplificateurs.
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Etude statique :
En régime statique les condensateurs se comportent généralement comme des circuits ouverts.
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𝐸𝑡 − 𝑉𝑏𝑒
𝐼𝑏 =
𝑅𝑡
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑐𝑒
𝐼𝑐 =
𝑅𝑐
Etude dynamique :
En régime dynamique les condensateurs se comportent comme des courts-circuits, et toutes les sources de
tensions continues seront court-circuités.
𝑽𝒔
𝑨𝑽 = 𝑽𝒆
On a 𝑉𝑠 = −(𝑅𝐿 //𝑅𝐶 )𝛽 𝐼𝑏
Et 𝑉𝑒 = 11 𝐼𝑏 + 𝑅𝐸 1 + 𝛽 𝐼𝑏 = 11 + 𝑅𝐸 1 + 𝛽 𝐼𝑏
(𝑹𝑳 //𝑹𝑪 )𝜷
Donc 𝑨𝑽 = − 𝒉𝟏𝟏 +𝑹𝑬 𝟏+𝜷
𝑹
A circuit ouvert (pas de charge) on peut écrire 𝑨𝑽 ≈ − 𝑹𝑪
𝑬
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La résistance RE diminue certainement le gain en tension mais stabilise le 𝛽 contre les variations de
température.
𝑽𝒆
𝑹𝒆 = 𝑰𝒆
On a : 𝑉𝑒 = 11 + 𝑅𝐸 1 + 𝛽 𝐼𝑏
𝑽𝒔
𝑹𝒔 = 𝑰𝒔
𝐼𝑠 𝐼𝑠 𝑉𝑠 𝑉𝑒 𝐴 𝑣 𝑅𝑒
𝐴𝑖 = 𝐼𝑒 = 𝑉𝑠 𝑉𝑒 =
𝐼𝑒 𝑅𝑠
𝑅𝑒 ∶ Impédance d’entrée
𝑅𝑠 ∶ Impédance de sortie
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𝑽𝒔
𝑨𝑽 = 𝑽𝒆
On a : 𝑉𝑠 = 𝑅𝐸 (1 + 𝛽)𝐼𝑏
Et : 𝑉𝑒 = 11 𝐼𝑏 + 𝑅𝐸 1 + 𝛽 𝐼𝑏 = 11 + 𝑅𝐸 1 + 𝛽 𝐼𝑏
𝑹𝑬 (𝟏+𝜷)
Donc : 𝑨𝑽 = 𝒉 ≈𝟏
𝟏𝟏 +𝑹𝑬 𝟏+𝜷
𝑽𝒆
𝑹𝒆 = 𝑰𝒆
= 𝑹𝟏//𝑹𝟐 // 𝜷 𝒓′𝒆
𝑰𝒔
𝑨𝒊 = 𝑰𝒆
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On a : 𝐼𝑠 = (1 + 𝛽) 𝐼𝑏
𝑅1//𝑅2 + 11 +𝑅𝐸 1+𝛽
Et : 𝐼𝑒 = 𝐼𝑏
𝑅1//𝑅2
𝟏+𝜷 𝑹𝟏//𝑹𝟐
Alors : 𝑨𝒊 = 𝑹𝟏//𝑹𝟐 +𝒉𝟏𝟏 +𝑹𝑬 𝟏+𝜷
𝑽𝒔
𝑹𝒔 = = 𝑹𝑬
𝑰𝒔
𝐶𝐸 ∶ Condensateur de découplage
On remplace tout le transistor Darlington par le modèle équivalent déjà démontré précédemment, on
retrouvera :
Avec :
𝛽 = 𝛽1 + 𝛽2 + 𝛽2 𝛽1
′ ′
𝐻11 = 11 + 11 + 𝛽1 11
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𝑹𝑪 𝜷 𝑹 𝑪 𝜷𝟏 + 𝜷𝟐 + 𝜷𝟐 𝜷𝟏 𝑹𝑪 𝜷𝟐
𝑨𝑽 = − =− ′ ′ ≈− ′
𝑯𝟏𝟏 𝒉𝟏𝟏 + 𝒉𝟏𝟏 + 𝜷𝟏 𝒉𝟏𝟏 𝒉𝟏𝟏
𝑰
𝑨𝒊 = 𝑰𝒔
𝒆
On a : 𝐼𝑠 = 𝛽 𝐼𝑏
𝑅1//𝑅2 +𝐻11
Et : 𝐼𝑒 = 𝐼𝑏
𝑅1//𝑅2
𝑹𝟏//𝑹𝟐 𝜷
Alors : 𝑨𝒊 = 𝑹𝟏//𝑹𝟐 +𝑯𝟏𝟏
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Structure :
La largeur du canal N est importante car c’est elle qui détermine le courant traversant le JFET (Junction
Field Effect Transistor)
Ce composant existe aussi avec le canal P. dans ce cas, les autre zones sont de types N.
Les symboles des ces deux modèles de transistor à effet de champ sont :
Principe de fonctionnement :
En fonctionnement normal, la jonction grille-canal est polarisée en inverse : le courant d’entrée IG est très
faible, et les courants drain et sources sont identiques.
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Le champ électrique produit par VGS produit un étranglement de canal en repoussant les porteurs de
charge vers son centre (les zones de déplétion s’élargissent). Il s’ensuit une diminution du courant de drain
ID.
A partir d’une certaine tension VGS, appelée tension de blocage (VGS off), le canal se ferme complètement, le
courant Id s’annule, le transistor est bloqué.
Donc le transistor à effet de champ permet la commande d’un courant I D par une tension VGS.
∆𝐼𝑑
𝑆= 𝑈𝑛𝑖𝑡é ∶ 𝑆𝑖𝑒𝑚𝑒𝑛𝑠 𝑆
∆𝑈𝑔𝑠
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Pour les faibles valeurs de Uds, le courant Id est proportionnel à la tension Uds. Dans cette zone le dipôle
Drain-Source du transistor est équivalent à une résistance, dont la valeur varie en fonction de Ugs.
Zone du coude :
La largeur de la zone de déplétion est également influencée par la tension entre le drain et la source : du
côté de la source sa largeur est e1 (dû à la tension Ugs), et du côté du drain sa largeur est e2 (dû à la
tension Uds).
Zone de saturation :
Au-delà d’une certaine valeur de UDS appelée tension de pincement UP, la caractéristique est une droite
parallèle à l’axe horizontal. Dans cette zone, le courant ID est constant, quelle que soit la valeur de UDS. Le
courant ne dépend que de UGS.
Le calquage survient lorsque ID commence à augmenter très rapidement pour une augmentation de UDS. Le
claquage pourrait avoir des conséquences irréversibles pour le transistor
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Polarisation simple :
𝑉𝐺𝑆 = −𝑈𝐺𝐺
𝑈𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆
𝐼𝐷 =
𝑅𝐷
2
𝑉𝐺𝑆
Avec 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1 − 𝑉
𝐺𝑆 𝑜𝑓𝑓
Polarisation automatique :
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𝑉𝐺𝑆 = −𝑅𝑆 𝐼𝐷
𝑈𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆
𝐼𝐷 =
𝑅𝐷
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1 −
𝑉𝐺𝑆 𝑜𝑓𝑓
L’examen des caractéristiques d’un JFET polarisé dans la zone de saturation montre que les équations qui
régissent le fonctionnement sont :
En entrée : 𝐼𝐺 = 0
1
En sortie : 𝐼𝐷 = 𝑆 𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝐷𝑆
𝜌
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