1.

DIODA SEMICONDUCTOARE

Cuprins
1. DIODA SEMICONDUCTOARE .......................................................................................1
1.1. Structură şi simbol........................................................................................................2
1.2. Fenomene fizice în joncţiunea pn - Aproximaţia de golire .......................................3
1.3. Diferenţa internă de potenţial si grosimea regiunii de sarcină spaţială ........................5
1.4. Ecuaţia diodei ..............................................................................................................6
1.4.1. Ecuaţia teoretică a diodei (joncţiunii pn) ..............................................................6
1.4.2. Ecuaţia practică a diodei .......................................................................................6
1.4.3. Caracteristica statică a diodei...............................................................................7
1.4.4. Liniarizarea caracteristicii diodei ..........................................................................7
1.5. Polarizarea diodei (PSF)...............................................................................................8
1.5.1. Polarizarea directă a diodei (PSF).......................................................................8
1.5.2. Polarizarea inversă a diodei ................................................................................10
1.6. Aplicatii ......................................................................................................................12
1.7. Străpungerea diodei si dioda Zener ............................................................................16
1.8. Dependenţa de temperatură a căderii de tensiune în polarizare directă .....................19
1.9. Circuitul echivalent de semnal mic ............................................................................19
1.9.1. Rezistenţa internă a joncţiunii pn ........................................................................20
1.9.2. Capacităţile joncţiunii pn ....................................................................................21
1.9.3. Circuitul echivalent al diodei ..............................................................................23
1.10. Tipuri de diode........................................................................................................23
1.11. Circuite cu diode .....................................................................................................25
1.11.1. Redresorul monoalternanţă .............................................................................25
1.11.2. Redresorul bialternanţă ...................................................................................25
1.11.3. Circuite de limitare a semnalului ....................................................................26
1.11.4. Poarta de maxim ..............................................................................................29
1.11.5. Poarta de minim ..............................................................................................30
1.11.6. Detector de valoare de vârf .............................................................................30

1
1.1. Structură şi simbol
Dioda semiconductoare este o jonctiune pn şi conţine două regiuni alăturate, una de tip p
şi cealaltă de tip n. Linia de separare dintre cele două regiuni se numeşte joncţiune metalurgică.
Unul dintre simbolurile diodei utilizat în circuitele electronice este prezentat fig. 1.1.1.a), în care
prin A s-a notat electrodul numit anod conectat la semiconductorul de tip p al joncţiunii pn, iar prin K
s-a notat electrodul numit catod conectat la semiconductorul de tip n. Sensurile pozitive pentru tensiune
si curent pe/prin dioda sunt de la anod la catod, asa cum se vede si in figura 1.1.1.

Fig. 1.1.1. Simbolul si structura diodei

• Semiconductoare de tip p şi n
Materialele semiconductoare sunt siliciul şi germaniul, dar cel utilizat astazi este siliciul
În fig. 1.1.2 este prezentată structura semiconductorului .

Fig.1.1.2. Structura semiconductorului

Siliciul şi germaniul sunt tetravalente, adică un atom având patru electroni de valenţă
formează patru legături covalente cu cei patru atomi vecini.
Cercul în care s-a înscris cifra +4 simbolizează atomul fără electronii de valenţă, adică
electronii de pe ultimul strat. Între doi atomi învecinaţi se stabileşte o legătură covalentă.
Legătura covalentă se face cu o pereche de electroni, câte unul de la fiecare atom.
Funcţionarea dispozitivelor semiconductoare impune studiul comportării electronilor de
valenţă, aceştia fiind purtătorii de sarcină în mecanismele de conducţie electrică. Acest studiu
implică şi plasarea semiconductorului în câmpuri electrice, magnetice, sub acţiunea luminii sau a
radiaţiilor nucleare, etc. Un caz particular îl constituie absenţa acestor agenţi externi şi o
temperatură uniformă în tot volumul materialului, ceea ce situează semiconductorul în condiţii de

2
echilibru termodinamic, numit şi echilibru termic sau pe scurt, echilibru. Toate celelalte situaţii
sunt stări de neechilibru.
Într-un semiconductor există două tipuri de purtători mobili de sarcină: golul cu sarcina
(+ q) şi electronul liber cu sarcina (- q), unde q = 1,6 × 10 -19 C .
Un electron care părăseşte legătura covalentă nu mai este legat de atomul de la care
provine şi se deplasează liber în interiorul reţelei cristaline. Acest electron se numeşte electron de
conducţie. Locul rămas liber poate fi ocupat de un alt electron din altă legătură covalentă care s-a
rupt . Electronul smuls din legătura covalentă este electron liber, iar locul rămas liber se numeşte
“gol”.
Din cele discutate mai sus, rezultă că într-un semiconductor intrinsec (pur), prin ruperea
unei legături covalente se formează o pereche electron – gol.

Un semiconductor poate conţine două tipuri de impurităţi (atomi de impurităţi ionizaţi

imobili):
- impurităţi donoare (pentavalente) cu sarcina + q ;
- impurităţi acceptoare (trivalente) cu sarcina - q .
Impurităţi donoare: sunt impurităţi pentavalente (fosforul, arseniul, stibiul). Impuritatea
donoare substituie un atom de semiconductor din reţea. Patru dintre electronii de valenţă
formează legăturile covalente cu atomii vecini, al cincilea este slab legat, astfel că la temperatura
camerei acesta primeşte suficientă energie pentru a se desprinde de atomul donor şi a deveni
electron de conducţie. Formarea acestui electron liber nu este însoţită de apariţia unui gol (loc
liber într-o legătură covalentă). Acesta este mecanismul prin care se realizează un semiconductor
de tip n. Semiconductorul de tip n conţine şi goluri create prin mecanismul explicat anterior.
Impurităţi acceptoare: sunt impurităţi trivalente (borul, indiu, galiul, aluminiul). Atomul
de impuritate trivalent satisface numai trei legături covalente cu atomii vecini, rămânând o
legătură covalentă nesatisfăcută. Această legătură se poate completa cu un electron dintr-o
legătură covalentă vecină, care lasă în urma lui un gol. Formarea acestui gol nu este însoţită de
apariţia unui electron de conducţie. Acesta este mecanismul prin care se realizează un
semiconductor de tip p. Semiconductorul de tip p conţine şi electroni creaţi prin mecanismul
explicat anterior.

La 0 K = -273°C , impurităţile nu sunt ionizate şi concentraţiile lor sunt nule. După

creşterea temperaturii cu 50 K , practic toate impurităţile sunt ionizate şi concentraţiile devin
constante cu creşterea temperaturii.
Semiconductoarele de tip p şi n se numesc extrinseci pentru că proprietăţile lor sunt
determinate în principal de impurităţi în domeniul temperaturilor de funcţionare. În
semiconductorul de tip p golurile sunt purtători majoritari, iar electronii purtători minoritari, iar in
semiconductorul de tip n electronii sunt purtători majoritari şi golurile sunt purtători minoritari.

1.2. Fenomene fizice în joncţiunea pn - Aproximaţia de golire

Cele două regiuni p şi n ale joncţiunii pn nu sunt independente şi între ele apar fenomene
de difuzie,care dau naştere unui curent de difuzie. Astfel, golurile, purtători majoritari în regiunea
p, difuzează în regiunea n unde concentraţia de goluri este mult mai mică (purtători minoritari).
Aici golurile se recombină datorită tendinţei semiconductorului de tip n de a restabili echilibrul,
caracterizat de o concentraţie mică de goluri. În mod similar, electronii din zona n difuzează în
zona p. Procesele de difuzie încep evident cu purtătorii din apropierea joncţiunii metalurgice. În
zona p adiacentă joncţiunii metalurgice, prin plecarea golurilor apare un exces de sarcină negativă
datorat ionilor acceptori (sarcini fixe). Zona n din apropierea jocţiunii metalurgice capătă o

3
sarcină în exces pozitivă, prin acelaşi procedeu. Ca urmare se stabileşte un câmp electric intern
orientat de la regiunea n spre regiunea p (fig.1.2.1). Acest câmp electric transportă golurile
dinspre regiunea n spre regiunea p şi electronii dinspre regiunea p spre regiunea n, deci în sens
contrar fluxurilor de difuzie, dând naştere unui curent de drift. Ca urmare, procesul de scădere a
concentraţiilor de purtători majoritari continuă până se asigură echilibrul curenţilor de difuzie şi
de drift (câmp). Această situaţie corespunde unui curent electric nul prin structură, rezultat
compatibil cu condiţia de echilibru termic.
Conform aproximaţiei de golire (fig.1.2.1), joncţiunea se împarte în trei regiuni :
regiunea de trecere (în jurul joncţiunii metalurgice) - l p £ x £ l n şi două regiuni neutre, una p
şi alta n. În regiunea de trecere nu există purtători mobili de sarcină, ci numai ioni de impurităţi
acceptoare în regiunea p, având sarcină electrică negativă şi respectiv ioni de impurităţi donoare
în regiunea n, având sarcină electrică pozitivă. Regiunile neutre sunt neutre din punct de vedere
electric.
Regiunea de trecere se mai numeşte şi regiune golită sau regiune de sarcină spaţială.
Regiunile neutre p şi n au o comportare identică cu aceea a două semiconductoare
separate.

Fig. 1.2.1 Jonctiunea pn, conform aproximatiei de golire

Câmpul electric intern E dă naştere unei tensiuni numită diferenţă internă de

potenţial (tensiune internă) y 0 , care are acelaşi sens cu câmpul electric.
Când se aplică o tensiune (diferenţă de potenţial) externă, aceasta dă naştere
unui câmp electric de acelaşi sens cu ea. Astfel, dacă aplicăm o tensiune directă, ca
în fig.2.4.1 (polaritatea fără paranteze), cele două câmpuri electrice se scad şi
grosimea regiunii de sarcină spaţială scade.

4
 Fig.2.4.1. Joncţiunea pn polarizată cu o tensiune V

Dacă aplicăm o tensiune inversă (polaritatea din paranteze) cele două

câmpuri electrice se adună şi grosimea regiunii de sarcină spaţială creşte.
Deci, diferenţa de potenţial aplicată regiunii de sarcină spaţială este
întotdeauna (y 0 - V ).

1.3. Diferenţa internă de potenţial si grosimea regiunii de sarcină spaţială

Câmpul electric intern E dă naştere unei tensiuni numită diferenţă internă de potenţial
y 0 , care are acelaşi sens cu câmpul electric.
Intre dimensiunile regiunii de sarcina spatiala cu si fara tensiune aplicata se poate scrie:
V V V
l = l0 1 - ; l p = l p0 1 - ; l n = l n0 1 - (1.3.1)
Y0 Y0 Y0
unde l0 , l p0 şi l n0 sunt l, l p şi l n pentru V=0.
Pentru tensiune aplicată pozitivă (polarizare directă), adica cu polaritatea pozitiva la anod
si cea negativa la catod, grosimea regiunii de sarcină spaţială scade, iar pentru tensiune negativă
(polarizare inversă), adica cu polaritatea negativa la anod si cea pozitiva la catod, grosimea
regiunii de sarcină spaţială creste, astfel câ în polarizare directă fluxul de purtători mobili au de
traversat o regiune golita de dimensiuni mici (dioda conduce), iar in polarizare inversa totul este
opus (dioda este blocata).

5
1.4. Ecuaţia diodei

1.4.1. Ecuaţia teoretică a diodei (joncţiunii pn)

Ecuaţia teoretică a diodei este:
qV
I = I S (e kT
- 1) (1.4.1)
unde : IS este curentul de saturaţie al diodei, care se mai numeşte curent invers sau curent
rezidual, I, V- curentul prin dioda, respectiv tensiunea pe dioda, k si T- constanta lui Boltzman,
respectiv temperatura in grade Kelvin, kT/q- potentialul termic, care la temperatura de 290K are
valoarea de 25mV.

Asa cum am aratat mai sus dioda poate fi polarizată direct sau invers.
In polarizare directă exponentiala este mult mai mare decât unu și ecuatia diodei devine :
qV

I = I S e kT (1.4.2)
In polarizare inversă exponențiala este mult mai mica decât unu și ecuatia diodei devine :

I = -I S (1.4.3)

Relatia (1.4.1) se mai scrie :

q ×V
I + IS
e k ×T =
IS
Logaritmand se obtine :

kT I + I S
V= ln
q IS
(1.4.4)
Din relatia (1.4.4), neglijand curentul invers fata de curentul direct prin dioda se obtine
căderea de tensiune pe diodă în polarizare directă :
kT I
V= ln (1.4.5)
q IS

1.4.2. Ecuaţia practică a diodei

Sa pornim de la un exemplu numeric. Consideram o diodă cu siliciu care are I = 10 mA ,
I S = 10 - 9 A , kT / q = 25mV , din relaţia (1.4.5) se obţine:
V = 25 × 10 - 3 lnæç 10 - 2 / 10 - 9 ö÷ @ 0 ,4V .
è ø
În realitate, căderea de tensiune directă tipică pe o diodă cu siliciu de mică putere este de
(0,6V÷0,7V). Diferenţa între căderea de tensiune calculată ( V @ 0 ,4V ) şi căderea de tensiune
tipică (0,6V÷0,7V) se datorează în principal căderilor de tensiune pe rezistenţele regiunilor neutre
şi pe contactul metal-semiconductor. De aceea, membrul drept al relaţiei (1.4.5) se înmulţeşte cu
un coeficient mÎ [1; 2], adică :

kT I
V =m ln (1.4.6)
q IS

6
 Deci, ecuatia practica a diodei este:
q×V

I = I S (e m×k ×T - 1) (1.4.7)
unde m este un coeficient cu valori între 1 şi 2.
Din relatia (1.4.7), neglijand curentul invers fata de curentul direct prin dioda se obtine ecuatia
diodei în polarizare directă :

q×V

I = ISe m×k ×T (1.4.8)

1.4.3. Caracteristica statică a diodei.

Caracteristica statică a diodei este reprezentarea grafică a ecuatiei acesteia. Reprezentarea
grafică este cea din fig. 1.4.1.

Fig. 1.4.1. Caracteristica statică a joncţiunii pn

Pentru polarizare directa (v>0), se reprezinta ecuatia (1.4.2), iar pentru polarizare
inversa (v<0) ecuatia (1.4.3).

1.4.4. Liniarizarea caracteristicii diodei

În fig. 1.4. 2. sunt prezentate trei posibilităţi de liniarizare a caracteristicii statice a diodei,
precum şi circuitele electrice echivalente corespunzătoare fiecăreia dintre cele trei situaţii.

Fig. 1.4.2. Liniarizarea caracteristicii statice a diodei şi circuitele electrice echivalente

7
 În fig. 1.4.2 a) căderea de tensiune pe diodă este zero în polarizare directă, iar în
polarizare inversă curentul de saturaţie este nul. Circuitul echivalent al diodei este un comutator
ideal. Acest model se aplică mai ales atunci când tensiunile şi curenţii în circuit sunt mari faţă de
căderea de tensiune directă pe diodă şi respectiv curentul invers al acesteia.
În fig. 1.4.2 b) căderea de tensiune pe diodă este constantă în polarizare directă, iar
curentul prin diodă este nul până când diodaFig. 1.4.2. conduce. Circuitul echivalent este
format dintr-un comutator ideal k înseriat cu un generator de tensiune VA. Modelul se aplică
mai ales atunci când căderea de tensiune directă pe diodă este comparabilă cu tensiunile din
circuit.
În fig 1.4.2 c) până la tensiunea VA0 curentul prin diodă este nul, şi începând de aici
curentul prin diodă creşte liniar cu creşterea tensiunii. Acest lucru este pus în evidenţă de
rezistenţa internă echivalentă în curent continuu rd , care pentru un punct P oarecare de pe
caracteristică are valoarea:
V - V A0
rd = P (1.4.9)
IP
unde: VP , IP reprezintă tensiunea, respectiv curentul în punctul P. Circuitul electric echivalent
este format din comutatorul k, generatorul de tensiune VA0 şi rezistenţa rd. Modelul se aplică
atunci când rezistenţele din circuit sunt mici având valori comparabile cu rezistenţa internă
echivalentă a diodei.

1.5. Polarizarea diodei (PSF)

1.5.1. Polarizarea directă a diodei (PSF)
Prin polarizare directă a diodei semiconductoare se înţelege aplicarea unei tensiuni
continue cu polaritatea pozitivă în anod şi polaritatea negativă în catod. Dioda polarizată direct
este parcursă de curent electric. Se spune că dioda conduce sau că dioda este deschisă. Căderea
de tensiune pe dioda deschisă este mică, curentul prin diodă fiind impus de circuitul exterior.
Fig. 1.5.1a) este un exemplu simplu de polarizare directă a diodei. Rezistenţa R conectată
în serie cu dioda D contribuie la stabilirea curentului prin circuit.
Prin punct static de funcţionare (PSF) al diodei se înţelege perechea de valori formată din
tensiunea continuă pe diodă şi curentul continuu prin diodă. PSF este soluţia sistemului V=VA şi
I=IA format din ecuaţia neliniară a diodei dată de relaţia (1.4.7) şi dreapta de sarcină, obţinută
din teorema lui Kirchhoff pentru tensiuni aplicată circuitului din fig. 1.5.1 a).

Fig. 1.5.1. Polarizarea directă a diodei

8
 ì qV
ï
íI = I S e mkT (1.5.1)
ïE = R × I + V
î A

Sistemul de ecuaţii (1.5.1) se poate rezolva prin două metode si anume prin metoda grafică
sau prin metoda iterativă.

• Metoda grafică constă în trasarea graficelor ecuaţiilor sistemului (1.5.1), punctul de

intersecţie al acestora fiind punctul static de funcţionare P( V A , I A ) sau intersecţia
caracteristicii diodei date în catalog cu dreapta de sarcină. Pentru exemplul din fig.1.5.1
a), dreapta de sarcină intersectează axele în punctele V = E A şi I = E A R (fig.1.5.1 b).

• Metoda iterativă constă în rezolvarea sistemului (1.5.1) prin mai multe iteraţii (pas cu
pas). Pentru aceasta se rescriu ecuaţiile sistemului (1.5.1) astfel:
E -V
I= A (1.5.2 a)
R
kT I
V =m ln (1.5.2.b)
q IS
E kT I 1
Pasul 1: V = 0; din (1.5.2 a ), I 1 = A ; din (1.5.2 b ), V1 = m ln ;
R q IS

E A - V1 kT I 2
Pasul 2: I 2 = ; V2 = m ln ;
R q IS

E A - V2 kT I 3
Pasul 3: I 3 = ; V3 = m ln ;
R q IS
ş.a.m.d.
Precizia de calcul a PSF creşte odată cu creşterea numărului de iteraţii.

Fig. 1.5.1.1. Ilustrarea grafică a metodei iterative

9
 Pentru ilustrarea metodei, se consideră următorul exemplu numeric pentru circuitul
din fig. 1.5.1 a): E A = 12V , R = 3 KW , I S = 10 - 9 A , kT / q = 25 mV şi m = 1,5 . Sa se
calculeze I si V cu cinci zecimale exacte.

Pasul 1: Se alege V = 0 V . Din ecuaţia (1.5 2 a), rezultă I 1 = E A R @ 4 mA .

Se introduce valoarea lui I 1 în ecuaţia (1.5.2 b) şi rezultă:
-3 4 ×10-3
V1 = 1,5 × 25 ×10 ln @ 0,57V .
10-9
Pasul 2: Se introduce valoarea lui V1 în relaţia (1.5.2 a). Se obţine:
E A - V2
I2 = @ 3 ,81mA .
R
Cu I 2 în relaţia (1.5.2 b), se obţine V2 = 0,56824V .
Pasul 3: Cu V2 , în relaţia (1.5.2 a), se obţine I 3 = 3,8111 mA .
Cu I 3 în relaţia (1.5.2 b), se obţine V3 = 0,56824 V .
Se observă că la pasul 3 s-a obţinut V2 = V3 = 0,56824V , deci iteraţiile se opresc aici.
Pentru acest exemplu, procesul iterativ este rapid convergent.
Deci, s-a obţinut PSF de coordonate VA = V3 = 0,56824V şi I A = I 3 = 3,8111mA .
Obs: Din punct de vedere practic, căderea de tensiune directă pe diodă este aproximativ
constantă. De aceea, se poate alege V A = 0 ,6V şi din relaţia (1.5.2 a) rezultă I A @ 3 ,8 mA ,
valori apropiate de cele determinate prin metoda iterativă. De aceea, de cele mai multe ori se
utilizează pentru diodă caracteristicile liniarizate.

1.5.2. Polarizarea inversă a diodei

Prin polarizare inversă a diodei semiconductoare se înţelege aplicarea unei tensiuni
continue cu polaritatea negativă în anod şi polaritatea pozitivă în catod. Dioda polarizată invers
este parcursă de curentul de saturaţie I S având valori tipice foarte mici (de ordinul nA pentru
siliciu). De aceea, se spune că dioda nu conduce sau că dioda este blocată. Căderea de tensiune
pe dioda blocată este impusă de circuitul exterior, curentul prin diodă fiind practic neglijabil.

Fig. 2.6
Fig. 1.5.2. Polarizarea inversa a diodei

Fig. 1.5.2 este un exemplu de polarizare inversă a diodei. Neglijând curentul prin diodă,
care este curentul de saturaţie I S , căderea de tensiune pe rezistenţa R este nulă şi pentru circuitul
din fig. 1.5.2 sistemul de ecuaţii este:

10
 ìI @ - I S
í
îV = - E A
În polarizare inversă, valoarea absolută a tensiunii pe diodă este practic egală cu tensiunea
sursei de polarizare.

11
1.6. Aplicatii
1.6.1. Să se determine curenţii şi tensiunile pe diodele identice D si D0, din fig. 1.6.1,
utilizând caracteristicile liniarizate din fig. 1.4.2. a) şi b).
Se dau: E A = 15V ; R = 5 kW şi V A = 0,6 V pentru caracteristica din fig. 1.4.2.b).

Fig. 1.6.1

Rezolvare:
Ţinând cont că dioda D este polarizată direct şi dioda D0 este polarizată invers,
schema electrică echivalentă, utilizând caracteristica liniarizată a diodei din fig. 1.4.2.a), este
prezentată în fig. 1.6.2.a).

a) b)
Fig. 1.6.2

Din fig. 1.6.2.a) şi ţinând cont de caracteristica liniarizată a diodei din fig.1.4.2.a), rezultă:
E 15
VD = 0; VD0 = -15 V ; I D0 = 0; I D = A = = 3 mA.
R 5 × 10 3
Schema electrică echivalentă, utilizând caracteristica liniarizată a diodei din fig. 1.4.2.b) este
prezentată în fig. 1.6.2.b).
Din fig. 1.6.2.b) şi ţinând cont de caracteristica liniarizată a diodei din fig. 1.4.2.b),
rezultă:
VD = V A = O ,6 V ; VD0 = -14 ,4 V ; I D0 = 0;
E A - V D 15 - 0 ,6
ID = = = 2 ,88 mA.
R 5 × 10 3

12
1.6.2. Să se calculeze curenţii şi tensiunile pe diodele identice din fig. 1.6.1, utilizând
caracteristica liniarizată din fig. 1.4.2.c).
Se dau: E A = 5V ; R = 10 W ; V A0 = 0 ,5V ; rd = 0 ,5W .
Rezolvare:
Ţinând cont că dioda D este polarizată direct şi dioda D0 este polarizată invers, schema
electrică echivalentă utilizând caracteristica liniarizată a diodei din fig. 1.4.2.c), este prezentată în
fig. 1.6.3.

Fig. 1.6.3

Pe circuitul din fig. 1.6.3 se poate scrie succesiv:

VD = V A0 + rd I D = 0 ,5 + 0 ,5 I D

E A = RI D + VD = RI D + V A0 + rd I D

5 = 10I D + 0,5 + 0,5I D ;

4 ,5
ID = = 0 ,43 A
10 ,5
VD = V A0 + rd I D = 0 ,5 + 0 ,5 × 0 ,43 = 0 ,715V

VD0 = VD - E A = 0 ,715 - 5 = -4 ,285V

I D0 = 0

13
1.6.3. În polarizare directă căderea de tensiune pe dioda D din fig. 1.6.4 este 0,7V. De asemenea,
valorile surselor de tensiune sunt: E1 = 9V şi E 2 = 18V . Să se calculeze valoarea sursei
de tensiune E x în următoarele situaţii: a) R1 = R2 şi b) R2 = 2 R1 .

Fig. 1.6.4

Rezolvare:
Pe circuitul din fig.1.6.4, aplicând principiul suprapunerii efectelor, rezultă:
R2 R1
V0 = E1 + E2 (1.6.1)
R1 + R2 R1 + R2
De asemenea, cu notaţiile din fig. 1.6.4, se poate scrie:
V0 = VA + Ex (1.6.2)
Din relaţiile (1.6.1) şi (1.6.2) rezultă:
R2 R1
Ex = E1 + E2 - VA (1.6.3)
R1 + R2 R1 + R2
a) Pentru: R1 = R2 = R , din relaţia (1.6.3) se obţine:
E1 + E2
Ex = - VA
2
Înlocuind valorile numerice, avem:
9 + 18
Ex = - 0, 7 = 12,8V
2
b) Pentru: R2 = 2R1 relaţia (1.6.3) devine:
2 1
Ex = E1 + E2 - VA
3 3
Înlocuind valorile numerice, avem:
2 1
Ex = × 9 + ×18 - 0, 7 = 11,3V
3 3
Se constată că valoarea lui E x nu depinde de valorile rezistenţelor R1 şi R2 , ci numai
de raportul lor.

14
1.6.4. Se consideră circuitul cu diode din fig. 1.6.5. Să se calculeze valoarea rezistenţei R pentru
ca pe rând diodele D1 şi D2 să fie polarizate direct cu o tensiune de 0,5V. Se ştie că
E1 = E2 = 10 V şi R0 = 2 kW .

Fig. 1.6.5
Rezolvare:
Aplicând principiul suprapunerii efectelor pe circuitul din fig. 1.6.5, se obţine:
R0 R
V0 = E1 - E2 (1.6.4)
R0 + R R0 + R
Din relaţia (1.6.4) rezultă expresia pentru calculul rezistenţei R:
E1 - V0
R = R0 (1.6.5)
E2 + V0
Când dioda D1 este în conducţie, V0 = 0 ,5V . În acest caz, înlocuind datele numerice
în relaţia (1.6.5), pentru rezistenţa R se obţine:
10 - 0 ,5
R = 2 × 10 3 @ 1,8 kW < R0
10 + 0 ,5
Când dioda D2 este polarizată direct, V0 = -0 ,5V .
Valoarea rezistenţei R este

10 + 0 ,5
R = 2 × 10 3 @ 2 ,2 kW > R0
10 - 0 ,5

15
1.7. Străpungerea diodei si dioda Zener

Prin străpungerea diodei se înţelege creşterea puternică a curentului invers prin

diodă începând de la o anumită tensiune care se numeşte tensiune de străpungere.

Fig.1.7.1. Circuit de polarizare inversă

Dacă circuitul electric exterior limitează curentul prin joncţiune (fig.1.7.1) la o

valoare care nu duce la distrugerea structurii prin încălzire excesivă, fenomenul de
străpungere este reversibil. Coordonatele punctului P corespunzător străpungerii sunt:
V A = -Vstr şi I A = - I str , aşa cum se vede în fig.1.7.2. Relaţia de legătură între aceste
coordonate este dată de teorema Kirchhoff pentru tensiuni:
RI + V = -E A (1.7.1)

Fig. 1.7.2. Caracteristica diodei la strapungere

O categorie de diode la care se utilizează în aplicaţii caracteristica în polarizare inversă

este dioda Zener. Un simbol pentru dioda Zener este cel utilizat în fig.1.7.3 a). Tensiunea de
străpungere se numeşte tensiune Zener şi este practic constantă.

16
 a)
b)
Fig. 1.7.3. a) Circuit cu diode Zener.
b) Caracteristica diodei Zener

Fig.1.7.3 b) ilustrează metoda grafică de determinare a punctului static de funcţionare

P( Vz , I z ) , unde tensiunea Vz este un parametru al diodei Zener. Analitic curentul I z se poate
determina din teorema Kirchhoff pentru tensiuni aplicată pe circuitul din fig. 1.7.3.a), de unde
rezultă:
E A + VZ + RI Z = 0
De unde:
- E A -Vz
Iz = .
R

17
Aplicatie:
O diodă Zener având tensiunea Vz = 10V şi curentul minim la care dioda stabilizează
I z min = 5 mA este utilizată în circuitul din fig.1.7.4. Tensiunea de alimentare En este
nestabilizată şi variază între 15 şi 20V.

Fig. 1.7.4

Să se calculeze valoarea rezistenţei R şi curentul maxim prin dioda Zener, ştiind că

prin sarcină curentul variază între 20 şi 50mA.

Rezolvare:
Tinand cont ca dioda Zener se utilizeaza in polarizare inversa sensul curentului si al
tensiunii prin /pe dioda au fost inversate fata de diode normal. Pe circuitul din fig. 1.7.4, se
poate scrie:

En = RI + Vz (1.7.1)
I = Iz + IL (1.7.2)
Din relaţiile (1.7.1) şi (1.7.2) rezultă:

En - V z
R= (1.7.3)
Iz + IL

Valoarea rezistenţei R se calculează din relaţia (1.7..3), in conditiile cele mai

defavorabile:
En = Emin =15V ; Vz = 10V ; I z = I z min =5 mA; I L = I L max = 50 mA

Emin - Vz 15 - 10
R= = @ 91W (1.7.4)
I z min + I L max (5 + 50) ×10-3

Curentul maxim prin dioda Zener se calculează pentru valoarea maximă a tensiunii de
(
alimentare ( Emax =20V ) şi valoarea minimă a curentului prin sarcină I L min = 20 mA . În)
aceste condiţii, din relaţia (1.7.1) valoarea maximă a curentului I este:
E -V 20 - 10
I max = max z = @ 0,11 A (1.7.5)
R 91
Curentul maxim prin dioda Zener se obţine din relaţia (1.7.2), astfel:
I z max = I max - I L min = 110 - 20 = 90 mA

18
1.8. Dependenţa de temperatură a căderii de tensiune în polarizare directă
La o diodă în practică interesează variaţia tensiunii de polarizare directă la curent constant,
exprimată prin coeficientul dv dT la curent i=ct.
Acest coeficient este măsurat în [ mV / °C ] şi are valori cuprinse între ( - 1mV / °C ) şi
( - 3mV / °C ), valoarea tipică fiind ( - 2mV / °C ). Variaţia cu temperatura a caracteristicii
diodei în polarizare directă este arătată în fig.1.8.1 pentru două temperaturi diferite T1 şi T2 ,
unde T2 > T1 . Se observă că la creşterea temperaturii căderea de tensiune directă scade, curentul
fiind menţinut constant.

Fig.1.8.1. Variaţia cu temperatura a căderii Fig.1.8.2. Dependenţa de temperatură a PSF

de tensiune directă la curent constant în polarizare directă

În fig.1.8.2 este ilustrată deplasarea PSF la cresterea temperaturii. Din această figură, rezultă că
la creşterea temperaturii căderea de tensiune directă scade ( V A < V A ) şi curentul direct prin
2 1
diodă creşte ( I A > I A ).
2 1

1.9. Circuitul echivalent de semnal mic

Fie joncţiunea pn căreia i se aplică tensiunea v A( t ) = V A + va ( t ) şi prin care circulă
curentul i A ( t ) = I A + ia ( t ) , unde V A , I A sunt componentele continue ale semnalului, iar va ,
ia sunt componentele variabile de frecvenţă joasă ale acestuia (de exemplu, componente sinusoidale
de frecvenţă joasă).
Componenta continuă V A a tensiunii v A ( t ) polarizează în curent continuu joncţiunea
pn, fixând PSF. Dioda funcţionează în regim staţionar. Componenta variabilă va modifică
regimul staţionar prin modificarea dimensiunilor regiunii de trecere, a barierei de potenţial şi a
distribuţiei purtătorilor minoritari în regiunile neutre, deplasând PSF pe caracteristica diodei în
ritmul semnalului. Dioda funcţionează în regim dinamic. Dacă va are frecvenţă joasă, regimul
de funcţionare se numeşte regim cvasistaţionar.

19
 Fig. 1.9.a. Joncţiunea pn la semnal Fig. 1.9.b. PSF în regim variabil de semnal mic
mic

Se introduce în ecuaţia diodei expresia tensiunii v A ( t ) = V A + v a ( t ):

æ q ×V A q ×va ( t ) ö
ç ÷
i A (t ) = I S ç e k ×T e k ×T - 1÷ . (1.9.a)
ç ÷
è ø
qv ( t ) / kT
Termenul e a poate fi dezvoltat în serie de puteri. Pentru a putea neglija
termenii de grad superior ai dezvoltării, trebuie îndeplinită condiţia max v a ( t ) << kT / q , care
reprezintă condiţia de semnal mic pentru joncţiunea pn. Pentru cazul particular
v a ( t ) = Va sin wt , condiţia de semnal mic devine V a << kT q , unde V a este amplitudinea
maximă a tensiunii sinusoidale va ( t ). Pentru temperatura T=290K, amplitudinea maximă
trebuie şă îndeplinească condiţia V a <<25mV.

1.9.1. Rezistenţa internă a joncţiunii pn

Ecuaţia diodei scrisă pentru i A şi v A devine:
kT i A + I s
vA = ln (1.9.1)
q Is
Derivând relaţia (1.9.1) se obţine succesiv:

dvA kT 1 Is dv A Dv A kT 1
= ; = = × (1.9.2)
diA q ( iA + I S ) / I S di A Di A q iA + I S

Dv A = v a ; Di A = ia ; i A @ I A

va kT 1
= (1.9.3)
ia q I A + IS

20
 Această relaţie arată că în regim variabil cvasistaţionar de semnal mic, joncţiunea pn
poate fi modelată printr-o rezistenţă internă ri = v a / i a dată de relaţia (1.9.3), numită şi
rezistenţă dinamică sau rezistenţă diferenţială.
În continuare, se particularizează relaţia (1.9.3) pentru polarizare directă şi inversă.
În polarizare directă:
k ×T
ri = (1.9.4)
q× IA
Deoarece curentul I A este mare, rezistenţa internă ri este mică. Se observă că
rezistenţa dinamică ri depinde de valoarea curentului în punctul static de funcţionare I A .
În polarizare inversă:
k ×T
ri = (1.9.5)
q × IS
Deoarece curentul este mic, rezistenţa internă este mare.
Interpretarea geometrică a rezistenţei interne ri este ilustrată în fig.1.9.1, în care inversul pantei
caracteristicii statice a diodei pentru o variaţie mică dată în jurul PSF este ri = v a ia .

Fig.1.9.1. Interpretarea geometrică a rezistenţei interne

1.9.2. Capacităţile joncţiunii pn

Când componenta variabilă va ( t ) are variaţii rapide, adică joncţiunea pn nu mai
funcţionează în regim cvasistaţionar, viteza de variaţie dva dt este mare, iar în joncţiune
apar efecte dinamice care se modelează prin capacităţile joncţiunii pn.

• Capacitatea de barieră caracterizează modificarea sarcinii electrice de bariera

Qb în regiunea de trecere la variaţia tensiunii de polarizare v A .

Notand cu y 0 diferenţa internă de potenţial a joncțiunii pn și cu Cb0 capacitatea de bariera

pentru tensiune aplicată din exterior zero, dependenta acesteia de tensiunea aplicata VA este:

21
 Cb0
Cb = (1.9.6)
V
1- A
y0
Din relaţia (1.9.6), rezultă că în polarizare directă ( V A > 0 ) capacitatea de barieră
creşte, iar în polarizare inversă ( V A < 0 ) , capacitatea de barieră scade.

• Capacitatea de difuzie caracterizează modificarea sarcinii electrice de difuzie

Q d în regiunea de trecere la variaţia tensiunii de polarizare v A , fiind definită
prin expresia:
•
dQd
Cd = (1.9.7)
dv A
Se consideră că sarcina electrică Qd are expresia:
Qd = t 0 × i A , (1.9.8)
unde t 0 este durata medie de viaţă a purtătorilor mobili de sarcină.
Introducând (1.9.8) în (1.9.7) se obţine:
di A t0
Cd = t 0 sau C d = (1.9.9)
dv A ri

Din relaţia (1.9.9) rezultă că în polarizare directă capacitatea de difuzie are valori mari
deoarece ri este mică, iar în polarizare inversă capacitatea de difuzie are valori foarte mici (tinde
la zero), deoarece ri este foarte mare.

22
1.9.3. Circuitul echivalent al diodei
Circuitul echivalent al diodei este format dintr-o rezistenţă internă ri şi două
capacităţi Cb şi C d în paralel, ca în fig.1.9.2 a).

b) c)

a)
Fig.1.9.2. Circuitul echivalent al diodei

Circuitul echivalent complet al diodei capătă forme particulare (fig.1.9.2. b şi c), în

funcţie de polarizarea diodei. Astfel, la polarizarea directă a diodei (fig. 1.9.2.b), deşi capacitatea
de barieră C b creşte, valoarea ei fiind de ordinul pF se neglijează faţă de capacitatea de difuzie
C d care este de ordinul nF. De aceea, în circuitul echivalent valabil în polarizare directă, rămâne
doar capacitatea de difuzie C d în paralel cu rezistenţa internă ri . La polarizare inversă (fig.
1.9.2 c), capacitatea de difuzie C d este neglijabilă, deci contează numai capacitatea de barieră
C b , iar rezistenţa internă fiind foarte mare se neglijează.

1.10. Tipuri de diode

Diodele semiconductoare bazate pe joncţiunea pn se realizează într-o mare varietate de
tipuri în funcţie de utilizările care li se dau în circuite. În cele ce urmează se prezintă cu titlu
informativ câteva dintre acestea, în scopul sublinierii spectrului larg de aplicaţii.
• Diodele redresoare sunt folosite la realizarea redresoarelor, care transformă tensiunea
alternativă în tensiune continuă. De regulă, frecvenţa semnalelor redresate este frecvenţa
industrială (50Hz sau 60 Hz). Principalii parametri ai diodelor redresoare sunt: curentul direct
maxim, tensiunea inversă maximă şi puterea disipată maximă. S-au realizat diode redresoare
de mii de Amperi şi de mii de Volţi tensiune inversă.
• Diodele detectoare sunt folosite pentru demodularea semnalelor radio, video etc. Funcţia lor
este asemănătoare redresării, dar semnalele prelucrate au de regulă frecvenţe mari (sute kHz,
MHz) şi curenţi direcţi, tensiuni inverse şi puteri disipate nesemnificative.
• Diodele de comutaţie sunt folosite în circuite de impulsuri. Principalii parametri sunt timpii
de comutaţie la deschidere şi mai ales la blocare. Timpul de comutaţie la deschidere este
timpul necesar trecerii diodei din starea blocată în starea deschisă, iar timpul de blocare este
timpul necesar pentru trecerea inversă. Pentru micşorarea timpilor de comutaţie trebuie redusă
durata de viaţă al purtătorilor mobili de sarcină. Acest lucru se face de exemplu prin
impurificarea siliciului cu aur.
• Dioda varicap este folosită drept condensator cu capacitate variabilă şi este utilizată în
circuite acordate, oscilatoare, filtre etc. Pentru a servi unui astfel de scop dioda este polarizată
invers. Schema echivalentă a joncţiunii cuprinde atunci doar capacitatea de barieră, a cărei
valoare este controlată prin valoarea tensiunii inverse aplicate.

23
• Dioda stabilizatoare (Zener) foloseşte regiunea de străpungere (polarizare inversă) a
caracteristicii statice de exemplu pentru stabilizatoare de tensiune, aşa cum s-a arătat în
paragraful 1.7, circuite de limitare şi alte aplicaţii.
• Dioda tunel are o caracteristică electrică în polarizare directă în formă de N. Pe porţiunea PV
(fig.1.10.1) are o rezistenţă internă negativă, utilizată de exemplu în generatoare de semnal.
+ +
Constructiv, este o diodă p n cu concentraţii mari de impurităţi în ambele regiuni.

Fig.1.10.1. Caracteristica statică a diodei tunel

• Fotodioda este o diodă a cărui regiune n este subţire, iar contactul la această regiune este
transparent şi i se poate aplica un flux luminos asupra catodului (fig.1.10.2a). Simbolul
fotodiodei este arătat în fig.1.10.2b).

a) b)
Fig.1.10.2. Fotodioda
a) structură internă; b) simbol

Ecuaţia fotodiodei:
( )
i A = I S e qv A kT - 1 - I (f ),
unde f este fluxul luminos, iar I este un curent a cărui mărime depinde de f .
În absenţa luminii: I( f ) = 0 și fotodioda se comportă ca o diodă obişnuită caracteristica sa
trecând prin origine.
În prezenţa luminii: I( f )>0, caracteristica nu mai trece prin origine, ci traversează cadranul
IV. La funcţionarea în cadranul IV fotodioda se comportă ca un generator de energie pentru
că v A > 0 iar iA < 0 .
• Dioda luminiscentă (LED) este dioda care în polarizare directă emite lumină de diferite
culori: roşu, verde, galben, portocaliu. Simbolul diodei luminiscente este prezentat în
fig.1.10.3. Se folosesc, de exemplu, pentru semnalizări: prezenţa tensiunii de alimentare,
depăşire curent maxim, depăşire tensiune maximă etc.

Fig.1.10.3. Simbolul diodei luminiscente

Se realizează din GaAsP. Excitaţia luminiscentă se realizează prin injecţie de purtători

minoritari.

24
1.11. Circuite cu diode

1.11.1. Redresorul monoalternanţă

În fig.1.11.1a) este prezentată schema electrică a redresorului monoalternanţă, unde
v i ( t ) este un generator de undă sinusoidală, D este o diodă redresoare, iar R S este rezistenţa de
sarcină.

a) b)
Fig.1.11.1. Redresor monoalternanţă
a) schema electrică; b) forme de undă

Pe alternanţa pozitivă a tensiunii v i ( t ) dioda D este polarizată direct (conduce), iar pe

alternanţa negativă dioda este polarizată invers (blocată). Formele de undă ale tensiunii de intrare
v i ( t ) , căderii de tensiune pe diodă v A ( t ) şi tensiunii de ieşire v0 ( t ) sunt prezentate în fig.
1.11.1b). Pe alternanţa pozitivă căderea de tensiune v A ( t ) pe diodă este mică ( @ 0 ,6V ), iar pe
alternanţa negativă este valoarea instantanee a tensiunii sinusoidale v i ( t ) .

1.11.2. Redresorul bialternanţă

În fig. 1.11.2a) este prezentată schema electrică a unui redresor bilaternanţă în punte,
unde v i ( t ) este un generator de undă sinusoidală, D1 ÷ D4 reprezintă puntea redresoare de
diode, iar R S este rezistenţa de sarcină.

a) b)

Fig. 1.11.2. Redresor bialternanţă

a) schema electrică; b) forme de undă

25
 Pe alternanţa pozitivă a tensiunii sinusoidale conduc diodele D1 şi D4 care sunt
polarizate direct, iar D2 şi D 3 sunt blocate, fiind polarizate invers. Pe alternanţa negativă
conduc diodele D2 şi D 3 care sunt polarizate direct, iar D1 şi D4 sunt blocate, fiind
polarizate invers. Formele de undă ale tensiunii de intrare v i ( t ) şi tensiunii de ieşire v0 ( t )
sunt prezentate în fig. 1.11.2b).
În puntea redresoare, tensiunea de intrare v i ( t ) este suportată de două diode legate în
serie atunci când acestea sunt blocate. Dacă diodele au curenţi de saturaţie egali, fiecare diodă
blocată suportă jumătate din valoarea instantanee a tensiunii sinusoidale v i ( t ) .

1.11.3. Circuite de limitare a semnalului

a) cu diode Zener
Schema din fig. 1.11.3a) se utilizează de obicei când se doreşte limitarea tensiunii variabile de
intrare v i ( t ) la tensiuni inegale pe cele două polarităţi, pozitivă şi negativă. Schema se poate
utiliza şi pentru limitări la tensiuni egale în valoare absolută dacă V Z , tensiunea pe dioda
1
Zener DZ 1 în valoare absolută, este egală cu V Z , tensiunea pe dioda Zener DZ 2 în valoare
2
absolută. În fig. 1.11.3b) sunt prezentate formele de undă ale tensiunilor de intrare v i ( t ) şi de
ieşire v0 ( t ) pentru cazul particular al tensiunii v i ( t ) sinusoidale. La valorile limitate, s-a
neglijat căderea de tensiune pe dioda în polarizare directă.

a) b)

Fig. 1.11.3. Circuit de limitare cu diode Zener

a) schema electrică; b) forme de undă

Dioda DZ 1 limitează polaritatea pozitivă a semnalului, iar DZ 2 limitează polaritatea

negativă. La oricare dintre polarităţi, ambele diode sunt deschise, una dintre acestea funcţionând
ca diodă Zener şi cealaltă ca diodă normală. Rezistenţa R asigură curentul prin diodele Zener şi
curentul de sarcină:
v - v0
R= i , (1.11.1)
IZ

26
 unde v0 = V Z + V A , V z fiind max( VZ1 , VZ2 ) şi V A căderea de tensiune pe dioda deschisă
ca diodă normală în polarizare directă.

b) cu diodă Zener şi punte de diode

Schema din fig. 1.11.4 se utilizează de obicei când se doreşte limitarea tensiunii variabile
de intrare v i ( t ) la tensiuni egale pe cele două polarităţi, pozitivă şi negativă.

Fig. 1.11.4. Circuit de limitare cu diodă Zener şi punte de diode

Formele de undă ale tensiunilor de intrare v i ( t ) şi de ieşire v0 ( t ) pentru cazul

particular al tensiunii v i ( t ) sinusoidale sunt similare cu cele din fig. 1.11.3b), cele două
polarităţi fiind limitate la aceeaşi valoare absolută.
Limitarea polarităţii pozitive a semnalului se face prin diodele D1 , DZ şi D 2 care
conduc, D 3 şi D4 fiind blocate. Limitarea polarităţii negative a semnalului se face prin diodele
D3 , DZ şi D4 care conduc, D1 şi D2 fiind blocate. Calculul rezistenţei R se face cu relaţia
(1.11.1) în care v0 = VZ + 2V A , V Z fiind tensiunea diodei Zener şi V A fiind căderea de
tensiune pe o diodă în polarizare directă. S-a considerat că pe cele două diode căderea de tensiune
directă este aceeaşi.

c) cu divizor rezistiv
Schema electrică principială a circuitului de limitare cu divizor rezistiv este prezentată în
fig. 1.11.5. V1 şi V 2 sunt două surse de tensiune continuă care asigură limitarea la ( V1 + V A )
1
pe polaritatea pozitivă şi la ( V2 + V A ) pe polaritatea negativă, unde V A şi V A sunt căderile
2 1 2
de tensiune în polarizare directă pe diodele D1 şi respectiv D2 . Rezistenţa R include şi
rezistenţa internă a generatorului de semnal v i ( t ) şi limitează curentul în circuit.

Fig. 1.11.5. Schemă principială a circuitului de limitare cu divizor rezistiv

27
 O posibilitate de realizare a surselor de tensiune continuă V1 şi V 2 este cu divizoarele
rezistive de tensiune R1 , R2 , respectiv R3 , R4 aşa cum se vede în fig. 1.11.6a). În fig. 1.11.6b
) sunt arătate formele de undă pentru tensiunea de intrare v i ( t ) de formă sinusoidală şi
semnalul limitat la ieşire, unde la valorile limitate s-a neglijat căderea de tensiune pe diodele D1
şi D2 în polarizare directă.

a)

b)

Fig. 1.11.6. Circuit de limitare cu divizor de tensiune

a) schemă electrică; b) forme de undă

Conform teoremei lui Thévenin, un divizor de tensiune R1 , R2 alimentat la tensiunea

EA (fig. 1.11.6a) este echivalent cu o sursă de tensiune cu valoarea
V1 = R1 × E A /( R1 + R2 ) şi o rezistenţă internă egală cu R1 // R2 . Aplicând teorema
Thévenin circuitului din fig. 1.11.6a), se obţine circuitul echivalent din fig. 1.11.7.

28
 Fig. 1.11.7. Circuitul echivalent după aplicarea teoremei lui Thévenin

Dacă R >> R1 // R2 şi R >> R3 // R4 atunci semnalul limitat pe polaritatea pozitivă

este V0 = R1 × E A /( R1 + R2 ) + V A , respectiv V0 = - R3 E A /( R3 + R4 ) - V A pe
1 2
polaritatea negativă, unde V A1 şi V A sunt căderile de tensiune în polarizare directă pe diodele
2
D1 şi D2 .

1.11.4. Poarta de maxim

Pentru circuitul poartă de maxim din fig. 1.11.8, se neglijează căderile de tensiune în
polarizare directă pe diode.

Fig. 1.11.8. Schema electrică a porţii de maxim

Avem următoarele situaţii:

- dacă semnalele v1 şi v 2 sunt pozitive, la ieşire se obţine cel mai mare dintre acestea. De
exemplu, pentru v1 = 10V şi v 2 = 5V , la ieşire se măsoară v0 = 10V deoarece dioda
D1 este polarizată direct, conduce şi potenţialul catodului diodei D2 devine mai pozitiv
decât potenţialul anodului ( D2 este polarizată invers);
- dacă semnalele v1 şi v 2 sunt negative, la ieşire se obţine semnalul cel mai mare negativ,
adică cel mai mic în valoare absolută. De exemplu, pentru v1 = -10V şi v 2 = -5V , la

29
 ieşire se măsoară v0 = -5V deoarece, în mod analog, dioda D 2 conduce şi polarizează
invers dioda D1 . Tensiunea de alimentare E A trebuie aleasă de valoare mai mică decât
minimul tensiunilor v1 şi v 2 cu cel puţin căderea de tensiune directă pe o diodă (de
exemplu, -15V) pentru a asigura funcţionarea circuitului.

1.11.5. Poarta de minim

Poarta de minim este prezentată în fig. 1.11.9.

Fig. 1.11.9. Schema electrică a porţii de minim

Neglijând căderile de tensiune în polarizare directă pe diode, pentru circuitul poartă de

minim din fig. 1.11.9 avem următoarele situaţii:
- dacă semnalele v1 şi v 2 sunt pozitive, la ieşire se obţine cel mai mic dintre ele. De
exemplu, pentru v1 = 10V şi v 2 = 5V , la ieşire se măsoară v0 = 5V deoarece dioda
D 2 este polarizată direct, conduce şi potenţialul anodului diodei D1 devine mai negativ
decât potenţialul catodului ( D1 este polarizată invers). Tensiunea de alimentare E A
trebuie aleasă de valoare mai mare decât maximul tensiunilor v1 şi v 2 cu cel puţin
căderea de tensiune directă pe o diodă (de exemplu E A =15V) pentru a asigura
funcţionarea circuitului.
- dacă semnalele v1 şi v 2 sunt negative, la ieşire se obţine semnalul cel mai mic negativ,
adică cel mai mare în valoare absolută. De exemplu, pentru v1 = -10V şi v 2 = -5V , la
ieşire se măsoară v0 = -10V deoarece, în mod analog, dioda D1 conduce şi
polarizează invers dioda D2 .

1.11.6. Detector de valoare de vârf

Schema electrică a detectorului de valoare de vârf este prezentată în fig. 1.11.10a), în care
rezistenţa R include şi rezistenţa internă a generatorului de semnal v i ( t ) . Rolul rezistenţei R este
de a limita curentul de încărcare al condensatorului.
Se consideră că la momentul t=0 se închide comutatorul k (fig. 1.11.10b), moment în care
semnalul sinusoidal trece prin zero şi tensiunea iniţială pe condensator este, de asemenea, zero.

30
 a)

b)

Fig. 1.11.10. Detectorul de valoare de vârf

a) schema electrică; b) forme de undă

Dioda D conduce pe alternanţele pozitive ale semnalului de intrare v i ( t ) , atata vreme cat
dioda este polarizata direct. Condensatorul C se încarcă treptat în funcţie de constanta de timp
t = RC a circuitului până la valoarea de vârf pozitivă a semnalului, când dioda D se blochează
şi condensatorul rămâne încărcat la această valoare. Pornind din origine in alternanta pozitiva
condensatorul C incepe sa se încarce. In momentul cand intersecteaza sinusoida, dioda D se
blocheaza fiind polarizata invers si tensiunea pe condensator ramane constanta. In cea dea doua
alternanta pozitiva din momentul in care dioda este polarizata direct condensatorul incepe sa se
incarce din nou si procesul se repeta pana cand se atinge valoarea de vârf pozitivă a semnalului,
când dioda D se blochează şi condensatorul rămâne încărcat la această valoare. Tensiunea de
polarizare inversă maximă a diodei este 2Vi .

31